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半導體製程設備

更新 2026-11-09
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供應鏈主軸

這頁整理半導體製程設備，重點放在台灣廠商較有機會切入的後段封裝、先進封裝、檢測、自動化與部分前段零組件。華南投顧 2026-05-12 報告指出，台灣在前段晶圓製程設備自製率仍低，後段封裝與濕製程設備自製率相對較高；先進封裝擴產使濕製程、Hybrid bonding、Underfill、AOI / X-ray、AMHS 等設備成為 2026-2027 的主要觀察線。

製程設備地圖

flowchart LR
  FE[前段晶圓製程設備] --> AP[先進封裝設備]
  AP --> Wet[濕製程 / 清洗 / 蝕刻]
  AP --> Bond[Hybrid Bonding / Die Attach]
  AP --> Fill[Underfill / Molding]
  AP --> AOI[AOI / X-ray / CT 檢測]
  AP --> Auto[AMHS / 自動化搬運]
  AP --> Panel[Panel-level / Glass / CoPoS]
  Wet --> HSP[3131 弘塑]
  AOI --> TRI[3030 德律]
  Panel --> GMI[5443 均豪精密]
  Panel --> YT[3455 由田]
  AOI --> HY[6983 華洋精機]
  AOI --> V5[7822 倍利科]
  AOI --> CMI[7853 政美應用]
  AOI --> HYE[6877 鏵友益]
  Auto --> HYE

市場與需求

指標 2025 / 2026 資料點 投資含義
全球半導體設備銷售 2026F 約 US$165.9bn（YoY +23.2%）、2027F 約 US$201.2bn（YoY +21%）（永豐／IEK，2026-11-05）；沿革：先前口徑 2026F US$145bn／+9% AI、HBM、先進邏輯與先進封裝共同拉動；2027 年各主要區域皆正成長
設備別占比（2026F） 曝光 US$19.19bn（18.3%）、蝕刻 US$17.51bn（16.7%）、CVD US$12.39bn（11.8%），前三大合計近五成；高成長：廠務設施 US$1.96bn（+68.8%）、測試 US$11.0bn（+53.6%）、其他沉積 US$4.05bn（+45.8%） 測試設備高成長反映 AI 晶片單價高、需及早篩出不良品；廠務設施反映全球大規模建廠（永豐／IEK，2026-11-05）
區域別（2026F） 中國大陸 US$33.31bn（31.8%）、台灣 US$26.12bn（24.9%）、南韓 US$22.95bn（21.9%，+40.3%）；新加坡／馬來西亞 US$4.29bn（+59.8%）、歐洲 US$2.96bn（+55.6%）成長最快 先進封裝在東南亞大規模擴產；韓國記憶體缺貨帶動三星、SK 海力士擴產；歐洲功率與車用晶片擴產（永豐／IEK，2026-11-05）；全球新營運晶圓廠 2025-27 年為 32／16／26 座，台灣與美國 2026-27 最積極
台灣設備產值 2026F 約 NT$3,789.5 億（YoY +73%）、2027F 約 NT$4,736.8 億（+25.0%）；2026 年 1-9 月出口（不含復出口）US$43.4 億（+50.0%） 動能來自全球建廠、先進封裝測試需求、上游零件在地化；馬來西亞出口年增逾 10 倍、南韓 +82.7%、新加坡 +75%（永豐／IEK，2026-11-05）
台灣半導體設備投資 2026F 約 US$24.5bn，全球第三 台積電資本支出與先進封裝擴產是核心需求
先進封裝設備 2026 年增 15%，連續 3 年成長 後段設備商能見度優於傳統晶圓廠設備
2027 後需求 先進封裝設備需求量年增 20-40% CoWoS、SoIC、CoPoS、SoW 放大設備密度

製程與廠商對照

製程 / 設備 主要用途 台灣觀察廠商 技術拉動
濕製程 / 清洗 / 剝膜 / 蝕刻 封裝製程清洗、去膜、濕蝕刻 3131_弘塑（櫃）、3583_辛耘（市） 技術_CoWoS、技術_SoIC、技術_CoPoS
濕製程設備 / 再生晶圓 CoWoS 濕製程（清洗/顯影/蝕刻）、12 吋再生晶圓 3583_辛耘（市） 技術_CoWoS
設備零件清洗 / 表面再生 石英、金屬零件精密洗淨與鍍膜修復（PVD 清洗市佔高） 3551_世禾（櫃） 技術_CoWoS、技術_SoIC
Underfill dispenser / jetting 大尺寸封裝底部填膠 3131_弘塑（櫃） 技術_CoWoS、技術_CoPoS
Hybrid bonding / 對位 SoIC / 3D 堆疊鍵合 3131_弘塑（櫃） 技術_SoIC
2D / 3D AOI 外觀、焊點、線路與封裝缺陷檢測；PCB 視覺自動化轉玻璃載板通孔 3030_德律（市）、3455_由田（櫃）、6658_聯策（市） 技術_CoWoS、技術_CoPoS、技術_玻璃芯基板
高階光罩 / 晶圓 AOI EUV / DUV 光罩微粒、晶圓表面異物、先進封裝外觀缺陷 6983_華洋精機（櫃） 先進製程光罩、技術_CoWoS、技術_SoIC
AI AOI / 自動光學檢量測 晶圓、記憶體、封測與先進封裝缺陷影像分類 7822_倍利科（市） AI 缺陷分類、製程資料追蹤、關燈工廠
Wafer AOI / AVI＋封測自動化 晶圓巨觀 / 微觀檢測、先進封裝品質快篩、載板 / Tray 盤包裝上下料自動化 6877_鏵友益（櫃）、3563_牧德（櫃） 技術_CoWoS、PLP；日月光體系，與牧德結盟
WLP / Hybrid Bonding 檢測量測 bump / RDL / pad、晶圓全域對位、平整度與 3D 量測 7853_政美應用（興） 技術_SoIC、技術_CoPoS、MicroLED / III-V
AXI X-ray / CT 封裝內部缺陷與立體結構檢測 3030_德律（市） 技術_CoWoS、技術_SoIC
CMP / 平坦化 玻璃載板與封裝基板平坦化 5443_均豪精密（櫃） 技術_玻璃芯基板、技術_CoPoS
PVD / 濺鍍 RDL、TGV、玻璃載板種子層 3580_友威科（櫃） PVD、技術_RDL
CVD / 薄膜沉積 介電層、保護層、前段與後段薄膜 國際設備商主導，台廠待補 CVD、ALD
CMP / 化學機械平坦化 晶圓、TSV / TGV、玻璃載板、CoPoS 平坦化 5443_均豪精密（櫃）、7768_頌勝科技（市） 技術_CMP、技術_玻璃芯基板
TGV / 雷射改質 玻璃通孔、面板級封裝 8027_鈦昇（櫃）、8064_東捷（櫃）、6207_雷科（櫃） 技術_TGV、技術_TCV、技術_玻璃芯基板
電鍍銅 RDL 線路與通孔填銅 3485_敘豐（櫃） 技術_RDL、技術_玻璃芯基板
ABF / IC 載板真空壓膜 ABF build-up film 貼膜、FC-BGA / IC 載板壓膜 7795_長廣（市） 技術_ABF載板、技術_EMIB-T
材料分析 / 失效分析服務 TEM / FIB / SIMS、先進製程結構分析、矽光子定位分析 6830_汎銓（市）、3587_閎康（櫃） 技術_先進製程、技術_GAA、技術_SiPh、技術_CPO
點膠 / 貼附 / Lid Attach / P&P CoWoS underfill 點膠、TIM 散熱貼附、晶粒取放、六面 AOI 6187_萬潤（櫃）、7751_竑騰（櫃） 技術_CoWoS、技術_TIM導熱介面材料
真空高壓除泡 / 翹曲控制 封裝除泡（氣動/熱能/真空高壓）、warpage 控制 7734_印能科技（櫃） 技術_CoWoS、技術_晶片抗翹曲
固晶 / 精密取放 / Hybrid bonding die bonder、clip bonding、精密對位堆疊 6640_均華精密（櫃）、6812_梭特（興）、5297_廣化（興）、麥科先進（未） 技術_SoIC、功率封裝
塗佈 / 烘烤 / 壓膜 / 曝光（載板與封裝黃光段） PCB / IC 載板 / 先進封裝乾製程：壓合、曝光、DI、塗佈、烘烤 2467_志聖工業（市）、6664_群翊（櫃）、1595_川寶（櫃）、6727_亞泰金屬（櫃） 技術_ABF載板、技術_玻璃芯基板、技術_PCB製程
自製 PVD / ALD / 電漿設備 台灣首家自製 PVD 與 ALD；濺鍍＋電漿蝕刻；電漿表面處理；PVD 濺鍍＋SiC 材料 6937_天虹（市）、3644_凌嘉科技（興）、7730_暉盛（創）、3518_柏騰（市） 技術_薄膜沉積、先進封裝乾式製程
RDL／載板 Desmear・Descum・Ti 蝕刻（濕轉乾） 雷射開孔後除膠渣、顯影後去殘膠、種子層 Ti/TiW 乾式去除；ABF 高 SiO₂ 填料與 sub-2µm 底切為轉乾主因 3644_凌嘉科技（興）、3580_友威科（櫃）（乾式）；3131_弘塑（櫃）、3583_辛耘（市）（濕式） 技術_Desmear與Descum、技術_RDL
雷射切割 / 研磨（工具機轉型） 雷射晶圓切割、研磨/切割設備 4526_東台（市） 後段切割研磨（國際：DISCO）
玻璃減薄 / TGV 量測 玻璃化學減薄蝕刻；TGV 孔徑與垂直度量測 6405_悅城（市）、3535_晶彩科（市） 技術_玻璃芯基板、技術_TGV
測試分選 / 測試量測 量測與自動化測試設備龍頭（電源/光學/photonics）；FT handler＋主動熱控（ATC）全球龍頭；探針卡；光電雷射晶粒測試；測試代理與系統 2360_致茂（市）、7769_鴻勁精密（市）、7815_新特（興）、7856_漢測（櫃）、6706_惠特（市）、3055_蔚華科（市）、7728_光焱科技（櫃）、4510_高鋒（櫃）（轉投資和大芯，CoWoS 檢測／分選設備驗證中，競爭對手鴻勁） AI/HPC FT、CP 測試
自動化 / 搬運 / 系統整合 AMHS、上下料、產線自動化、SiC 長晶爐 6438_迅得（市）、2464_盟立（市）、6125_廣運（櫃）、6425_易發（櫃）、7828_創新服務（櫃）、6788_華景電（櫃）、亞智科技（未） 關燈工廠、技術_半導體自動化物流
廠務 / 環控 / AMC / 水處理 流體氣體管理、精密環控、AMC 微污染防治、Slurry 回收、無塵室統包、化學品供應系統、氣體二次配、FMCS 廠務自動化 6826_和淞（興）、6849_奇鼎（興）、6823_濾能（櫃）、7909_鈺祥（興）、7880_聖凰（興）、6944_兆聯實業（市）、5536_聖暉（櫃）、6725_矽科宏晟（櫃）、7703_銳澤實業（櫃）、7813_宇辰系統（興） 技術_AMC微污染防治、技術_CMP
設備零組件 / 腔體 / 載具 / 運動控制 AMAT 模組代工、EUV Pod / FOUP、精密金屬機構件、精密對位平台（矽光子）、奈米級定位系統、離子植入耗材與表面處理 3413_京鼎（市）、8091_翔名（櫃）、6196_帆宣（市）、3680_家登（櫃）、3162_精確（櫃）、4573_高明鐵（興）、4576_大銀微系統（市）、6829_千附精密（櫃） 前段設備供應鏈切入點；千附精密供應 PVD／CVD 大型真空腔體給 ASML／應材／Lam（康和，2026-09-09），2Q26 半導體占營收約 40%
化學蝕刻藥劑＋設備 / 載具清洗 半導體級蝕刻藥劑、PCB/載具清洗設備 2493_揚博（市）、4542_科嶠（櫃） 濕製程周邊

先進封裝技術對設備需求

技術 主要設備拉動 重點觀察
技術_CoWoS Underfill、AOI / X-ray、搬運、自動化、濕製程 2026 CoWoS 月產能估 12-13 萬片，CoWoS-L 成為主流觀察
技術_SoIC Hybrid bonding、晶圓薄化 / 研磨、die attach / alignment、AOI 2026 SoIC 月產能估 4 萬片，Cu-Cu bonding 精度是核心
技術_CoPoS 方形 carrier 搬運、濕製程、PVD / 電鍍、AOI、CMP 310×310mm 方形 carrier 對速度、對位與翹曲控制要求更高
技術_SoW Wafer handling、bonding / stacking、整片晶圓 AOI 報告列為 2027 量產觀察，仍偏架構開發期
技術_FOPLP 塗佈、固化、PVD、電鍍、檢測、封膜 面板級尺寸放大後，設備節拍與翹曲控制成為瓶頸
技術_玻璃芯基板 TGV、PVD、電鍍、CMP、AOI 長期量產時程偏 2028-2030+，但設備驗證先行

觀察重點

  1. 台積電 CoWoS / SoIC 月產能是否依 2026 規劃擴張，直接影響濕製程、檢測、搬運設備拉貨。
  2. CoPoS / FOPLP 若從研發走向量產，方形 carrier 會提高搬運、對位、翹曲控制與大面積檢測需求。
  3. 台灣設備商優勢在在地服務、客製化與成本；華南投顧估台灣設備相較國際品牌約有 20-50% 價格差。

  4. 前段設備國產化仍需時間，短中期投資主線較集中於後段封裝、檢測、自動化與先進封裝周邊設備。

  5. 設備競爭從「技術能力」走向「良率責任」與前後製程協作（永豐／IEK 2026-11-05 歸納）：Advantest 雙液冷主動溫控模組、EVG 與 imec 把鍵合疊對誤差交由前段微影預先補償（約 100 nm 降至 70 nm 以下）、FormFactor 矽光子潛望鏡式探針；先進封裝產能擴充幅度遠超前段先進晶圓，前段設備商布局封裝（應用材料持股 Besi 增至約 20%、以約 US$1.2 億收購 ASMPT 旗下 NEXX 取得面板級電鍍技術，Lam 於奧地利設面板級先進封裝中心）。設備交期普遍拉長、部分逾一倍。

  6. 客戶從量產採購走向共同驗證：台積電龍潭先進封裝試產線把待評估設備商納入、以彈性 mini-loop 驗證線加速後段設備驗證，應用材料 EPIC 中心讓材料商、設備商與客戶同場；台灣設備商可由「在台單機銷售」走向跟隨客戶設點與海外服務聯盟化，台灣機械業亦切入噴淋頭（showerhead）、靜電吸盤（E-chuck）、石英件等關鍵零件在地化。永豐／IEK 的 2027 先進封裝設備關鍵點：混合鍵合鏈（CMP、清潔與活化、奈米級對位鍵合、X-ray／紅外線內部量測）與方形玻璃載板（CoWoS→CoPoS）帶動表面處理與檢測需求；台積電暫不導入 High-NA EUV、以多重曝光延續 EUV（見 技術_High-NA EUV）。

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