定義
Through Ceramic Via（陶瓷通孔），在陶瓷基板（氮化矽 Si₃N₄／氮化鋁 AlN）上以雷射直接鑽孔製作垂直導通孔，之後金屬化導通。與 TGV 同屬垂直互連通孔技術，但定位不同：TGV 是訊號驅動（高密度封裝），TCV 現階段主要是散熱驅動——在玻璃基板技術完全成熟前，陶瓷憑散熱性與異形孔能力作為替代／並行方案（雷科法人交流會 2026-07-24）。
TCV vs TGV 製程對照
| 項目 | TCV（陶瓷） | TGV（玻璃） |
|---|---|---|
| 成孔機制 | 直接雷射鑽孔（不做改質；雷射熱燒蝕） | 雷射改質 + 化學蝕刻（LIDE 等） |
| 孔型 | 圓孔＋多種異形孔（不規則孔可做） | 基本只能圓孔（上下貫穿；異形孔受限） |
| 產出效率 | 慢：AMD 樣品陶瓷厚 250-320μm 每秒約 6-10 孔，7.5 吋板約 20 分鐘（高精度加工限制） | 快：改質每秒約數千孔（但後段仍有金屬化、填孔、CMP） |
| 散熱 | 佳（陶瓷本質優勢） | 較差 |
| 設備單價 | 約 NT$2,500 萬以上 | 玻璃改質段約 NT$3,000-4,000 萬 |
| 設備需求量 | 加工慢 → 同產能需要更多台設備 | 較少 |
來源：雷科法人交流會 2026-07-24（Q16/Q18）；agy 搜尋補充（2026-07-25，信心中）：TCV 孔壁粗糙度較高、AR 約 5:1-10:1；TGV 孔壁平滑、AR 可 >10:1-20:1；兩者基材皆絕緣、免絕緣層製程。
陶瓷材料路線：氮化鋁 vs 氮化矽
- 雷科（2026-07-24）：TCV 鑽孔材料主流原看氮化鋁與氮化矽並列，現收斂向氮化矽
- agy 搜尋補充（2026-07-25，信心中）：AlN 側重熱通量極大化（AI 伺服器 GPU 散熱、800G/1.6T 光收發模組、5G/6G RF）；Si₃N₄ 側重機械應力與熱循環可靠度（車規 SiC 功率模組 AMB 基板主流），導熱率研發已提升至 120-170 W/m·K，逐步彌補與 AlN 差距；高階功率模組趨勢為 AMB（活性金屬焊接）替代 DBC
應用與時程
- 散熱陶瓷基板：玻璃技術成熟前的替代方案，產品設計納入陶瓷方案；明確不是 interposer 應用（雷科 2026-07-24 答覆）
- 日本客戶送樣中，採用意願增加、pattern 為大公司需求；AMD 樣品規格（陶瓷 250-320μm）已出現
- 時程（雷科）：12M26 先出部分設備 → 4Q26 開始出貨 → 10-11M26 洽談 2027 大單（約 NT$3-5 億）→ 1Q27 首批陶瓷散熱設備交機；規模較大訂單 2027 確認
技術瓶頸
- 陶瓷鑽孔速度慢（高精度限制），產出效率遠低於玻璃改質，設備台數需求高但單線 throughput 低
- 最難在雷射鑽孔段（雷科：TCV 最難是雷射這塊，故設備單價高）
- 關鍵零組件缺料：雷射頭、高精度光學尺交期 5→8 個月，影響設備交付
相關公司
| 公司 | 角色 |
|---|---|
| 6207_雷科（櫃） | TCV 陶瓷雷射鑽孔設備（直接鑽孔、異形孔）；日本客戶送樣中 |
來源
- 活動_雷科6207_法人交流會memo_20260724
- agy grounded search（2026-07-25；ITRI／MDPI／IEEE／Innovacera 等，URL 未逐一驗證，信心中）