TGV

定義

Through Glass Via（玻璃穿孔），在玻璃基板中製作垂直導通孔，是玻璃芯基板（Glass Core Substrate）製程的核心技術，亦是從矽 TSV 延伸至玻璃基板應用的關鍵製程。

野村 2026-05-21 報告指出，TGV 是 技術_玻璃芯基板 / glass interposer 的垂直電源與訊號通道，通常以雷射輔助鑽孔＋蝕刻成孔，再用全銅填充或側壁電鍍＋介電填充完成金屬化；不同填孔路線在應力、平坦度與可靠度上各有取捨。

技術架構

TGV 位於玻璃芯基板的垂直導通層，前段以雷射輔助成孔與蝕刻控制孔型，中段完成金屬化與銅柱 / 填銅，後段再交由載板廠進行 RDL 佈線與封裝整合；完整流程與 Broadcom 潛在供應鏈見下方「圖解」。

三種成孔技術比較

雷射鑽孔技術三方法比較（元大講座 2026-07）

元大講座（張佑祥）進一步把雷射鑽孔細分為三種，量產可行度由低到高為：燒蝕 < 飛秒 < LIDE（雷射誘導蝕刻）：

通孔形狀由鑽孔 / 蝕刻方式決定：單邊打雷射→圓柱形（直壁）/ 圓錐形 / V 字形；雙面打雷射→沙漏形（中間窄，質傳造成）。純圓柱孔需精細雙面加工或 SLE（Selective Laser-induced Etching）。 來源：報告_元大_玻璃基板技術進展與應用_20260721（引工業材料雜誌 472 期「TGV 緩衝材」）

晶呈科技 LADY 製程

• 製程：反應性離子蝕刻（RIE），使用 SF6/C4F8 等氟性蝕刻氣體搭配多晶矽遮罩層
• 達成深寬比：10:1（可滿足 Glass Core 應用）
• 限制：尚無法達到 Glass Interposer 要求（AR≥12:1）
• 優點：垂直壁通道，適合批量生產
• 出貨時程（野村 2026-05-21）：最快 4Q27F 開始出貨，前提是 Broadcom 正式採用 Glass Core Switch ASIC
• ASP 預估：起步 USD 200/片，隨量產降至 USD 140/片；FY28F 貢獻爆發（野村估 revenue TWD 93 億）

製程材料台廠對應圖（2026-07-22 自玻璃芯基板頁移入）

flowchart TD
    A[玻璃基板] --> B["TGV 成孔<br>乾式蝕刻 LADY 製程<br>或 濕式 HF 蝕刻"]
    B --> C["側壁清洗<br>勝一清洗劑"]
    C --> D["絕緣層塗布<br>PSPI/光阻<br>永光/長興"]
    D --> E["圖形化顯影<br>三福化顯影材料"]
    E --> F[種子層濺鍍]
    F --> G[電鍍填銅]
    G --> H[完成 Glass Core 基板]

圖說：TGV 成孔到填銅的材料台廠對應：側壁清洗（勝一）、絕緣層 PSPI/光阻（永光/長興）、顯影（三福化）。

TGV 三大應用與規格

TSV vs TGV 製程細項比較 + CoWoS／CoPoS 結構對照（IEEE EPS 講座，John H. Lau，2026-09-24）

來源：報告_IEEE_EPS_JohnLau玻璃封裝與可靠度_20260924（IEEE Santa Clara Valley EPS Chapter Distinguished Lecture，講者 Unimicron／欣興 John H. Lau）。學術講座，非券商報告，信心中高。

講者並給出 HPC／AI 時代 TGV 孔徑實務範圍為 20–50µm（與本頁既有「TGV 三大應用與規格」表 Glass Core 30–500µm 區間吻合，屬其中偏精細的子範圍）；常用玻璃材料為 SCHOTT AF 32（無鹼平板玻璃）與 CORNING HPFS 7980（高純熔融石英），皆為低 CTE、接近矽——與 技術_玻璃芯基板「玻璃核心材料對比」表已收錄的規格一致。

RDL 精細度：TSV-interposer 上的 SiO₂ RDL 最小線寬/間距（L/S）可達 0.2µm；有機增層（ABF RDL）則受限於 L/S ≥2µm。玻璃版（TGV-interposer）採相同 SiO₂ RDL 製程，同樣可達 0.2µm min，是玻璃中介層（Glass Interposer）相對玻璃核心基板（Glass Core Substrate，僅走 ABF RDL、L/S ≥2µm）精細度更高的關鍵原因。

圖說：Silicon TSV-interposer（左，2.5D CoWoS）vs Glass TGV-interposer（右，2.5D CoPoS）完整結構對比：SoC／HBM 經 µbump 接 TSV 或 TGV interposer（SiO₂ RDL, L/S=0.2µm min）→ C4 bump → ABF RDL 有機基板（L/S≥2µm）→ solder ball → PCB。兩者差異僅在 interposer 材質，其餘結構相同。（來源：報告_IEEE_EPS_JohnLau玻璃封裝與可靠度_20260924，IEEE EPS 講座，2026-09-24）

SEMICON Taiwan 2026 展場實測數據（華南投顧，2026-09-03）

康寧（Corning）與 AUO 展出的 TGV 面板實物規格，補上量產前期具體良率與孔徑數據：

圖說：康寧展位展示、規格卡標示 AUO 的「Metallized TGV Panel for Glass Core Substrate」，510×515mm 銅色金屬化玻璃面板，5×5 陣列精細金屬走線單元，0-2-0 結構，TGV 尺寸／間距約 100µm／300µm。（來源：研究_華南投顧SEMICON2026展場紀錄_20260903，華南投顧研究部，2026-09-03）

圖說：Corning 展板「Glass Core Panel with Through Glass Vias (TGV)」，1.9mm 厚玻璃面板，內嵌 4×4 陣列灰色晶片狀單元；標示 TGV Count 840,000+、TGV Size 100µm、Aspect Ratio 20:1、0 blocked vias、0 profile defects detected。（來源：研究_華南投顧SEMICON2026展場紀錄_20260903，華南投顧研究部，2026-09-03）

展場觀察（台灣 PCB 展，2026-10-21，使用者走訪筆記）

來源：memo_TGV與板材_展場觀察_20261021；完整整理見 分析_TGV與板材展場觀察_20261021。

• 瓶頸位置（thesis）：作者判斷 TGV 過往瓶頸（成孔、金屬化）已跨過，目前主要卡在增層；客戶希望由專精廠商處理、良率控制優先，故過度一站化會喪失競爭力，純代工或純設備較理想。增層翹曲成因為刷膠貼合時溢膠或不均勻，疊層烘烤後翹曲，每一層都要做，被視為下一個新難題。
• 一站式代工（observation）：1595_川寶（櫃） 現場提供毛胚玻璃進、成品玻璃出的一條龍方案（檢測、改質蝕刻、清洗、沉積、研磨皆自理）；作者認為對新手幾乎不可能，供應商私下質疑設備做不出來。
• 玻璃代工新進者（observation）：3673_TPK-KY（市） 以代工形式切入，機台沿用與外購為主，樣品厚度 0.7～1.2 mm、需要時多層貼合；展出完整度優於不少代工廠，仍待試產驗證（與 2026-08-21 法說「無明確案件」並不衝突）。
• 檢測（observation）：6658_聯策（市） 展出 AXI 設備，掃描以抽檢為主，現有光學能力尚無法有效率全檢；理想單片掃描時長 11 秒（使用者確認為每片），510×515 通常有百萬至千萬孔。與專家會議「檢測是量產前硬缺口」同向，見 分析_TGV專家會議_量產瓶頸與時程判讀_20260722。
• 增層與組裝展品（observation）：日方客戶與 2368_金像電（市） 展出 Glass core 增層 ABF（展品細節待核對）；2493_揚博（市） 客戶展示探針卡用玻璃四層貼合；4577_達航科技（櫃） 稱有基板凹槽加工可嵌入 EMIB 矽橋。
• G2C+ 動向（observation）：聯盟稱雷射改質競爭者太多、不認為台廠足以形成聚落優勢，已轉向後續增層的量產問題（見 技術_G2C聯盟）。

TGV 論壇（2026-10-22）：與有機基板對比、製程與試產線

來源：活動_TPK-KY3673_TGV論壇_珩石筆記_kevin_20261022（TPK TGV 論壇珩石筆記，kevin；公司簡報轉述與模擬數據，錄音檔轉寫，信心中）。

• 有機 vs 玻璃（公司模擬／實測）：有機基板高溫回銲翹曲大於 50 μm、剛性差易疲勞斷裂，L/S 極限約 5/5 μm 以上，超過 56GHz 粗糙表面造成訊號衰減；玻璃 CTE 可調（約 3）匹配矽晶圓，0.8 mm 厚三點彎折模擬抗彎剛度為有機基板 3 倍以上（有機須增厚至 1.2 mm 才同剛度，但熱翹曲量增 3 倍以上），表面 Ra < 1 nm 可支援 L/S < 2/2 μm；孔壁化學拋光 Sa < 100 nm，與清大／TSRI 合作模型在 120GHz 插入損耗穩定低於 0.7 dB。
• 三大核心製程：(1) 通孔成型——雷射打孔後濕式蝕刻擴孔；(2) 金屬化——超薄緻密種子層、附著力大於 5N/cm、高深寬比孔全填滿無孔洞；(3) 平坦化——研磨拋光，玻璃面粗糙度 < 1 nm，銅柱與玻璃面高度差實測 < 0.11 μm。
• 微裂紋：雷射打孔產生約 3–5 μm 微裂紋，以濕蝕刻平滑孔壁並以平坦化移除表面損傷層；填銅後銅（16.5 ppm/K）與玻璃（3–9 ppm/K）CTE 不匹配的熱應力，則用介面緩衝層與熱退火處理。
• 兩大量產瓶頸與 TPK 解方：(1) 單片數百萬孔、一孔失效即整板報廢——TPK 在雷射打孔後、蝕刻前以多光學設計＋AI 數據做 100% 即時檢測，漏打立即修復打孔（偏移 1–3 μm 再打）；(2) 深寬比大於 10 時蝕刻與電鍍液難深入——改用多層複合玻璃（如兩片 0.4 mm 中夾彈性膠層）並以 ±10 μm 對位技術使上下 TGV 共軸。
• 試產線與時程：中壢 300×300 mm 試產線（有效區約 300–310 mm）涵蓋雷射、蝕刻、種子層、金屬化與 AOI、雷射共聚焦顯微鏡，各設備皆在試產驗證；樣品厚度 0.7–1.5 mm、孔距一般 50 μm（實驗室驗證 20 μm）；2027 年規劃小量產線並做客戶端雙向交叉驗證，2028–2029 年期望形成一定規模量產。
• 與同週展場觀察（樣品 0.7–1.2 mm、代工形式）及 2026-08-21 法說「尚無明確案件」並不衝突；論壇為公司自述，客戶與訂單證據仍缺。TPK 的檢測前置（蝕刻前全檢）對應本頁「微裂紋是良率殺手」的檢測缺口。

增層新難點：ABF 壓合、PI 塗佈、切割與檢測（珩石 Jason 產業訪查，2026-10-25）

來源：活動_TGV製程推進新難點_珩石筆記_Jason_20261025（珩石筆記，Jason；產業訪查轉述加個人判斷，信心中；文中引用的外部 PDF／網頁連結未逐一核對）。與 memo_TGV與板材_展場觀察_20261021「瓶頸已由成孔、金屬化移到增層」同向。

• 現況（observation）：訪查稱 TGV 技術已完成開發、可做量產規劃，但在玻璃上貼合 ABF 成為另一個問題。
• 兩派增層架構：(1) 台積電——玻璃核心上下皆 ABF 壓合；(2) 新光電氣（Shinko）與 DNP 等——混合增層，ABF 最上方改用 PI（筆記引 IMAPS 文章，新光 ABF + PI）。Intel 則為上 RDL、下 ABF（筆記引 Igor's Lab 報導 Intel 玻璃核心 EMIB 基板）。
• ABF 壓合溢膠：ABF 壓合時軟化，多餘樹脂可能從側邊突出或向下流，造成玻璃核心應力不均；ABF 上線路密度不同亦使厚度不均。玻璃脆，須以雷射除膠加電漿清洗處理，且每增一層都要做，否則不均衡會影響後續良率。
• PI 塗佈（slit & spin）：不能沿用晶圓單點出液＋離心旋轉；業界目前由面板中心沿直線移動出液、下方同時旋轉。起點與終點易厚度不均、終點兩端與四角易堆積。較理想解為四周留空作無效區（但使用率降低、公設比提高）；或控制溢膠並雷射清除；PI 為感光型時可於後續製程一併處理；CMP 方式被作者認為難度高且不理想。
• 面板廠優勢（thesis）：上述製程與解法與早期 LCD 製程高度重疊，作者認為面板廠將在這一塊獲得極大優勢（呼應 3481_群創（市） 等面板廠切入玻璃基板的邏輯）。
• CTE 與翹曲：ABF 與 PI 的 CTE 不同，同樣有翹曲；玻璃 CTE 可摻雜調整以對 ABF，但上下增層數不同仍會翹曲。
• 增層與切割流程：兩種做法——(a) TGV 完成後先切割再分別增層：分散失效風險，但溢膠邊數量大增、機台需求與量產時間大幅增加；(b) 大玻璃上完成所有製程再切割。兩者切割都只能用雷射，有應力與邊緣裂痕問題，設計時預留空白，雷射後以半導體膠帶分離。切割後於側邊塗樹脂防裂的做法有一派支持、另一派指出仍有 CTE 錯配而持保留（與 技術_玻璃芯基板「玻璃裂痕類型與抑制」邊緣塗佈說法並列）。
• 檢測：有客戶反映 AOI 成像受玻璃層影響，AXI 效率太差，目前無解、待光學商研發（與展場觀察聯策 AXI 僅能抽檢同向）；大尺寸晶片迴焊翹曲因後端樣本不足尚無解方，對封裝與系統廠皆是問題。

TGV 完整製程（23 道）

進料：面板檢查 → 面板減薄 → 面板清潔 成孔：雷射改質 → 改質後檢查 → 蝕刻成孔 填孔：通孔檢查 → 成孔清洗 → 通孔金屬化 → 鍍銅 → 退火 → 金屬化檢查 成型：厚度量測 → 磨薄 → 光阻塗布 → 曝光 → RDL 佈線 → 後檢測 → 清洗

量產化關鍵在於可重複控制 via 幾何、reentrant 區域種子層覆蓋、void-free 金屬沉積、技術_CMP budget，以及薄玻璃板在熱循環中的裂紋抑制。野村認為量產需達到 >10:1 深寬比，高於既有成熟技術約 5:1 的水準；單片面板可能包含逾百萬個 via，因此需要高速且 100% 在線檢測，避免未檢出的缺陷流入後段製程。

蝕刻藥劑路線：HF → 鹼系收斂（專家會議 2026-07-22）

TGV 專家會議（講師具近十年孔內金屬化經驗）指出蝕刻藥劑已從氟系收斂向鹼系：

• 鹼系蝕刻對雷射改質區（Si–O–Si 斷鍵成 Si–OH）蝕刻速率快，是 LIDE 能做到深寬比近 10 的原因；選擇比穩定 = 量產製程穩定，是選鹼系的核心理由（做得好不好是其次，量產先求 repeatable）。
• KOH 較慢但側壁 smooth，NaOH 較快但側壁品質差；實務可混用，並可加界面活性劑（PEG / PPG / PVP 或其 copolymer）提升 wetting、降低穿孔阻力。
• 深寬比趨勢 10 → 20：接點間距縮小可放更多 TGV（提高 IO 數）、縮短蝕刻時間、提升機械性質，是 AR 持續上探的三個動因。

Dicing 切割：業界公認最關鍵製程（專家會議 2026-07-22）

• 需一次切穿高分子（ABF/RDL）＋金屬＋玻璃多層結構且零缺陷（無 microcrack），日本專家評完全無 microcrack 切割難度極高，一次切到底幾乎不可能。
• 解法方向：兩段式切割（先去除上層 RDL / polymer、停留在玻璃，再以雷射切玻璃）＋ Bessel beam 雷射（能量聚焦於線上各點；Z 軸對位與能量控制是品質關鍵）。
• 切割失敗即整片報廢（此時已完成全部增層），是價值最高點的良率風險，講師視為 TGV 量產最關鍵單站。

檢測缺口：Microcrack 是良率殺手（專家會議 2026-07-22）

• 每站都要驗 microcrack：玻璃微裂痕太小、增層後更難察覺，多層製程中檢測時間長、拖累製程效率；檢測設備需在 >310mm 面積才展現效益。
• X 光：受多層 RDL / 金屬層干擾，底層板亦干擾，無法有效檢玻璃裂痕；2D X 光一小時約 2,000 片（講師研發驗證五天測 5–6 萬片），量產無法如此耗時。
• AOI：面對數十萬至百萬孔數（範例單板 50 幾萬孔）耗時過長；孔徑 / neck 都要量，透明玻璃搭配 AI / 光學有機會但公差控制難——這也是講師認為 TGV 尺寸放大到 600×600 做不到的核心理由（光檢孔就耗不起）。
• 超音波：講師認為是 microcrack 可行解方（裂紋處介面黏著度降低 → 波形反射異於無裂紋），但仍屬概念階段；另一概念是 TGV 完成後先上保護層。
• 講師直言：inspection tool 沒做好就貿然量產＝「死得快、亂丟錢」，並以此解讀 欣興 對 TGV 的保守（見該頁）。

TGV 金屬化兩路線：電鍍銅 vs 銅柱巨量轉移

玻璃-銅附著層機制、VitroCoat GI、附著力四大工序槓桿與 AR 對無空隙電鍍的物理限制，詳見 技術_TGV金屬化。

成孔後的金屬化是 TGV 導通的關鍵，目前有兩條路線（JPM 2026-06-22）：

JPM 認為玻璃尺寸隨晶片變大、厚度需求提升（現 1.7–1.8mm）時，電鍍銅受深寬比與電流密度均勻性限制，銅柱巨量轉移成為更具良率與吞吐量優勢的方案；惟 天虹質疑上百萬孔直填的可靠度，主流仍可能是 PVD 整面鍍膜後再電鍍（詳見 技術_銅柱巨量轉移）。

Broadcom Switch ASIC 導入

野村認為 Broadcom switch ASIC 可能是玻璃核心基板最早採用者，最快 2027F 導入。動機不是單純追求線路密度，而是高功耗 ASIC 封裝容易因熱造成基板翹曲；玻璃芯基板可作為較佳散熱片，透過銅柱提升熱擴散與散熱能力。

成本與 ASP

台灣供應鏈廠商

Broadcom 玻璃芯基板潛在夥伴（野村 2026-05-21）

技術瓶頸 / 風險

• 乾式 RIE 蝕刻速率慢（0.5–0.6µm/min），限制產能
• 雷射誘導蝕刻精度要求高，設備投資大
• TGV-ICP / 銅柱植入方案仍待驗證通過與下游載板廠、封裝廠協同量產，產能可能成為早期瓶頸
• Glass Interposer（AR≥12:1）台廠仍在突破中
• 玻璃基板原料依賴日美廠（旭硝子 AGC、康寧 Corning、SCHOTT）
• 玻璃厚度需求上調：客戶要求由 1.0mm 提升至 2.4mm（推測基於玻璃強度考量），加工與設備規格門檻再上升；玻璃成熟前散熱陶瓷（技術_TCV）為替代方案（雷科 2026-07-24）
• 量產製程仍需突破 void-free 金屬沉積、CMP budget、薄板熱循環裂紋抑制與 100% 在線檢測。
• Dicing 與 microcrack 檢測為專家會議（2026-07-22）點名的兩大未解單站：切割需兩段式＋Bessel beam 仍難保零缺陷；microcrack 檢測 X 光 / AOI 皆有硬傷、超音波僅概念階段（見上方專節）。

雷射改質設備關鍵模組（TPCA 2026-05 補充）

雷射改質為 TGV 製程起點，缺陷如微裂痕、熱應力集中、內部裂紋多源於能量控制不當。設備需含四大模組：

國際供應商（2026-05 報告）：DISCO（日）、Orbotech（以）、MKS（美）、Corning、Samsung。 臺廠現況：雷射源仰賴進口；本土聚焦系統整合與光路優化。

臺廠雷射改質設備商（2026-05 memo 補充）：

NVIDIA / Broadcom 陣營確認（2026-07-06）

來源：隨手記_定錨_玻璃核心載板NVIDIA陣營TGV_20260706、web_ABF載板_hackmd定錨產業筆記_20260706

NVIDIA 陣營

• 前段 TGV：3481_群創（市）（面板廠以大面板優勢切入 TGV 成孔）
• 後段 ABF 增層：3037_欣興（市） + Ibiden（載板廠負責 RDL / ABF 佈線）
• 8027_鈦昇（櫃） 亦已確認切入 NVIDIA 玻璃芯基板陣營（雷射設備）

Broadcom 陣營

• Broadcom 路線亦已在 2026 年確認，對應野村模型的 switch ASIC 玻璃芯基板
• 群創亦被列為 Broadcom 陣營供應商之一（前段 TGV 角色一致）

前段 vs 後段 設備受惠

TGV 指標、國產設備與良率

來源：報告_群益上海_玻璃材料AI產業地基_20261020（群益金鼎證券上海）。為賣方彙整，指標多取自公司披露／樣品口徑。

• 公司披露指標：沃格光電通孔孔徑最小 3μm、深徑比最高 150:1、四層線路堆疊；凱盛科技 8 吋 TGV 中試線最小孔徑 5μm、深徑比 100:1、樣品良率 >85%；帝爾激光面板級 TGV 設備最小孔徑 3-5μm、深徑比 ≥100:1（2026-01 面板級設備出口）。藍思科技稱雷射誘導工藝通孔零缺陷（樣品口徑）；行業 TGV 通孔綜合良率海外「穩定超 85%」、國內 75%→85% 爬坡。
• 設備先行：TGV 雷射改質（帝爾激光，批量交付京東方、沃格，出現「改質＋蝕刻」成套訂單與複購，台灣客戶下二批複購）、電鍍與 PVD（東威科技、盛美上海、匯成真空、北方華創）、PLP 直寫光刻（芯碁微裝，PLP2000 支援最大 600×600mm、2μm 解析）、德龍／大族／華工整線或專用機型；群益稱建線投資中設備占比逾 70%、為良率與產業化核心卡點。
• TGV 在全流程的位置：成孔難度 3 星、金屬化（銅填孔）5 星為最難，金屬化良率對整體敏感度次於增層，詳見 技術_玻璃芯基板。

相關技術

• 技術_玻璃芯基板（TGV 是玻璃芯基板核心製程）
• 技術_TGV金屬化（成孔後的孔壁 / 附著層 / 填銅金屬化製程）
• 技術_EMIB-T（基板廠資源優先投入 EMIB-T，可能排擠玻璃芯基板 / TGV 產能）
• 技術_TSV（矽穿孔，TGV 的玻璃版本）
• 技術_RDL（TGV 完成後接 RDL 佈線）
• 技術_銅柱巨量轉移（TGV 金屬化的銅柱方案，創新服務寡占）

供應鏈

→ 供應鏈_玻璃芯基板

新玩家與新核心材料（元大講座 2026-07）

• 富士通 G-ALCS（Glass All Layer Z-Connection Structure，全層玻璃 Z 型連結結構）：以全層壓玻璃取代單層玻璃核心 + TGV 的有限垂直互連，支援 any-layer 通孔、導電膏填充的間隙通孔（消除通孔短截線，優化 >100 GHz 傳輸）、可達 >60 層佈線，並強調環保加工（用水少、能耗低）。定位晶片整合 / 高速通訊 / RF 毫米波 / 探針卡，並可與 LCD 面板廠合作利用成熟玻璃加工基礎設施。基於早期 FICT G-ALCS 概念演進。
• 日本電氣硝子 NEG 玻璃陶瓷核心材料：玻璃核心 + 少量陶瓷粉末（LTCC 低溫共燒陶瓷），具低 Dk / 低 Df，可用與 Via Mechanics 共同開發的改良 CO₂ 雷射成孔——CO₂ 雷射成本遠低於雷射改質+蝕刻路線，且減少裂縫 / 微裂紋，是加速玻璃芯基板量產的經濟優勢。NEG 與 Via Mechanics 已成立合資公司，共同供應 TGV 用玻璃核心材料與 CO₂ 雷射鑽孔設備。
• CO₂ 雷射修復預存缺陷：Via Mechanics + NEG 的 CO₂ 雷射亦用於熱預 / 後處理，透過熱燒蝕修復預存缺陷、避免潮濕引起問題、獲得更光滑表面並防裂紋擴展。

圖解

圖說：工研院（經濟部產業技術司 DOIT 計畫）面板級 TGV 填孔與研磨樣品，300×300mm 面板、孔徑 50µm、厚度 500µm（手機相簿翻拍，標註上海黃浦區 4 月 19 日）。鉅亨號原文圖說寫「台積電玻璃中介層樣品」，與樣品底座標示不符，以實物標示為準。（來源：研究_鉅亨號_台積電CoPoS三種封裝方案_20260929，2026-09-29）

圖說：TGV + 增層 + 切割完整製程流程圖：TGV Process（玻璃進料檢查→雷射成孔→蝕刻→CMP→電鍍填孔→種子層濺鍍）→ Build up Process（ABF 壓合→固化→圖案化→附著層→金屬沉積→ENEPIG）→ Singulation + Edge coating + Testing（回焊→切割→邊緣塗佈→終測）。（來源：報告_元大_玻璃基板技術進展與應用_20260721，元大證券講座，2026-07）

圖說：野村整理的 Broadcom 玻璃芯基板潛在製程與供應鏈，包含 Schott 玻璃材料，以及 DR Laser、Hi-Nano、Spirox、創新服務等與晶呈科技合作的 TGV 成孔夥伴。

圖說：玻璃芯基板 RDL 介電層剝離 / 脫層示意；TGV 完成後仍需面對玻璃、ABF、銅之間 CTE 不匹配與附著力問題。

圖說：TGV 三大應用規格比較：轉移玻璃（Carrier）/ 玻璃芯基板（Glass Core）/ 玻璃中介層（Glass Interposer），孔徑與深寬比要求依序提高，玻璃供應商包含 AGC、SCHOTT、Corning。

圖說：TGV + Glass Core Substrate 完整製程圖（23 道製程）：進料→成孔（雷射改質）→填孔（鍍銅）→成型（RDL佈線）。晶呈科技 LADY 製程負責成孔 RIE 階段。

TGV 六大核心製程（產業研究，2026-09-09）

四種打孔工藝的分野

來源：研究_TSMC_CoPoS供應鏈與TGV玻璃芯基板_20260909（保密課程素材，引用前見該頁警示）

相關頁面

• 技術_混合鍵合
• 1809_中釉（市）
• 分析_玻璃封裝全景
• 3131_弘塑（櫃）
• 分析_政美應用先進封裝檢量測
• 分析_暉盛電漿設備
• 3673_TPK-KY（市）
• 時程_2026_先進封裝產能
• 技術_FOPLP
• 7730_暉盛（創）
• 4760_勤凱（櫃）
• 3481_群創（市）
• 6146.JP(disco)
• 技術_G2C聯盟
• 技術_CPO