定義
Through Glass Via（玻璃穿孔），在玻璃基板中製作垂直導通孔，是玻璃芯基板（Glass Core Substrate）製程的核心技術，亦是從矽 TSV 延伸至玻璃基板應用的關鍵製程。
野村 2026-05-21 報告指出，TGV 是 技術_玻璃芯基板 / glass interposer 的垂直電源與訊號通道，通常以雷射輔助鑽孔＋蝕刻成孔，再用全銅填充或側壁電鍍＋介電填充完成金屬化；不同填孔路線在應力、平坦度與可靠度上各有取捨。
技術架構
TGV 位於玻璃芯基板的垂直導通層，前段以雷射輔助成孔與蝕刻控制孔型，中段完成金屬化與銅柱 / 填銅，後段再交由載板廠進行 RDL 佈線與封裝整合；完整流程與 Broadcom 潛在供應鏈見下方「圖解」。
三種成孔技術比較
| 成孔技術 | 代表方法 | 特點 | 深寬比 | 代表廠商 |
|---|---|---|---|---|
| 機械成孔 | 鑽石鑽頭、超音波、噴沙 | 孔徑難控、精細度差 | 低 | 一般 |
| 乾式蝕刻 | RIE（SF6/C4F8） | 高 AR、垂直壁 | ≤10:1 | 4768_晶呈科技（櫃）（LADY 製程） |
| 雷射誘導濕蝕刻 | 雷射改質 + HF/KOH 蝕刻 | AR 最高、主流趨勢 | ≤25:1 | LPKF（德）、康寧（美） |
晶呈科技 LADY 製程
- 製程：反應性離子蝕刻（RIE），使用 SF6/C4F8 等氟性蝕刻氣體搭配多晶矽遮罩層
- 達成深寬比：10:1（可滿足 Glass Core 應用）
- 限制：尚無法達到 Glass Interposer 要求（AR≥12:1）
- 優點：垂直壁通道，適合批量生產
- 出貨時程（野村 2026-05-21）：最快 4Q27F 開始出貨，前提是 Broadcom 正式採用 Glass Core Switch ASIC
- ASP 預估：起步 USD 200/片，隨量產降至 USD 140/片；FY28F 貢獻爆發（野村估 revenue TWD 93 億）
TGV 三大應用與規格
| 應用 | Via 直徑 | 深寬比 | 成熟度 |
|---|---|---|---|
| 轉移玻璃（Glass Carrier） | 較大 | 低 | 成熟 |
| 玻璃芯基板（Glass Core） | 30–500µm | ≥5:1 | 2023–2026 驗證中 |
| 玻璃中介層（Glass Interposer） | ≤10µm | ≥12:1 | 2028+ Rapidus |
TGV 完整製程（23 道）
進料：面板檢查 → 面板減薄 → 面板清潔 成孔：雷射改質 → 改質後檢查 → 蝕刻成孔 填孔：通孔檢查 → 成孔清洗 → 通孔金屬化 → 鍍銅 → 退火 → 金屬化檢查 成型：厚度量測 → 磨薄 → 光阻塗布 → 曝光 → RDL 佈線 → 後檢測 → 清洗
量產化關鍵在於可重複控制 via 幾何、reentrant 區域種子層覆蓋、void-free 金屬沉積、技術_CMP budget，以及薄玻璃板在熱循環中的裂紋抑制。野村認為量產需達到 >10:1 深寬比，高於既有成熟技術約 5:1 的水準；單片面板可能包含逾百萬個 via，因此需要高速且 100% 在線檢測，避免未檢出的缺陷流入後段製程。
TGV 金屬化兩路線：電鍍銅 vs 銅柱巨量轉移
成孔後的金屬化是 TGV 導通的關鍵，目前有兩條路線（JPM 2026-06-22）：
| 路線 | 方法 | 深寬比 | 高度均勻性 | 吞吐量 | 代表 |
|---|---|---|---|---|---|
| 電鍍銅（主流） | 側壁鍍銅＋電鍍填充，沿用 TSV 經驗 | <10:1 | 中心/邊緣鍍速不均、易高度落差 | 隨厚度線性增加、含光阻剝離 | 多數 TSV 供應鏈 |
| 銅柱巨量轉移 | 預製銅柱一次巨量轉移插入＋上膠填縫 | 30:1 | 預製等高 | 平行 gang transfer，一次 >10k 顆 | 7828_創新服務（櫃） |
JPM 認為玻璃尺寸隨晶片變大、厚度需求提升（現 1.7–1.8mm）時，電鍍銅受深寬比與電流密度均勻性限制，銅柱巨量轉移成為更具良率與吞吐量優勢的方案；惟 天虹質疑上百萬孔直填的可靠度，主流仍可能是 PVD 整面鍍膜後再電鍍（詳見 技術_銅柱巨量轉移）。
Broadcom Switch ASIC 導入
野村認為 Broadcom switch ASIC 可能是玻璃核心基板最早採用者，最快 2027F 導入。動機不是單純追求線路密度，而是高功耗 ASIC 封裝容易因熱造成基板翹曲；玻璃芯基板可作為較佳散熱片，透過銅柱提升熱擴散與散熱能力。
成本與 ASP
| 項目 | 野村估計 / 判斷 | 含意 |
|---|---|---|
| 試產 TGV 製程 | USD 400-500/片 | 小量試產階段成本仍高 |
| 整片玻璃核心基板 | > USD 1,500/片 | 顯著高於大尺寸 ABF 約 USD 200 |
| 量產成本目標 | 至少降至 USD 400/片 | 否則難與 ABF 競爭 |
| TGV ASP | 起步 USD 200/片，逐步降至 USD 140/片 | 初期單價高、隨量產降價 |
| 初期出貨 | 每季可達數百片 | 對應早期 switch ASIC 驗證與小量量產 |
台灣供應鏈廠商
| 環節 | 廠商 | 角色 |
|---|---|---|
| TGV 乾式蝕刻氣體（LADY 製程） | 4768_晶呈科技（櫃） | SF6/C4F8，AR 10:1，可滿足 Glass Core |
| TGV-ICP / 銅柱植入 | 7828_創新服務（櫃） | 與晶呈科技合作，由晶呈做玻璃雷射改質與氣體乾蝕刻，創新服務負責上膠與銅柱植入 |
| TGV 雷射改質設備 | 8027_鈦昇（櫃） | 雷射鑽孔龍頭，已切入 Intel 玻璃載板驗證 |
| TGV 雷射改質設備 | 8064_東捷（櫃） | 面板修補雷射經驗轉攻；大尺寸玻璃載板鑽孔 |
Broadcom 玻璃芯基板潛在夥伴（野村 2026-05-21）
| 環節 | 廠商 | 角色 |
|---|---|---|
| 玻璃材料 | Schott | 主要玻璃材料供應商之一 |
| TGV 成孔 | DR Laser、Hi-Nano、Spirox、7828_創新服務（櫃） | 與 4768_晶呈科技（櫃） 合作 TGV 成孔 |
| TGV 製程 / 成孔 | 4768_晶呈科技（櫃） | Ingentec，與多家設備 / 服務商合作玻璃 TGV 成孔 |
技術瓶頸 / 風險
- 乾式 RIE 蝕刻速率慢（0.5–0.6µm/min），限制產能
- 雷射誘導蝕刻精度要求高，設備投資大
- TGV-ICP / 銅柱植入方案仍待驗證通過與下游載板廠、封裝廠協同量產，產能可能成為早期瓶頸
- Glass Interposer（AR≥12:1）台廠仍在突破中
- 玻璃基板原料依賴日美廠（旭硝子 AGC、康寧 Corning、SCHOTT）
- 量產製程仍需突破 void-free 金屬沉積、CMP budget、薄板熱循環裂紋抑制與 100% 在線檢測。
雷射改質設備關鍵模組（TPCA 2026-05 補充）
雷射改質為 TGV 製程起點，缺陷如微裂痕、熱應力集中、內部裂紋多源於能量控制不當。設備需含四大模組：
| 模組 | 關鍵規格 |
|---|---|
| 高穩定性超短脈衝雷射 | 皮秒（ps）/ 飛秒（fs）等級；波長 355nm/532nm/1030nm；能量穩定 ±1%；頻率 10–500 kHz |
| 自動對位與視覺定位 | 高倍率工業 CMOS；對位範圍 1–0.1μm；AI 圖像辨識補償翹曲/旋轉；偏振光濾波克服玻璃反光 |
| 熱應力模擬與能量調控 | 紅外溫度感測即時溫控；數位驅動區域功率控制；脈衝間隔優化 |
| 動態加工平台 + 上下料避震 | X/Y/Z + θ/R 多軸；主動氣浮減震；真空吸盤可處理 < 100μm 玻璃；高頻響應與抗震結構 |
國際供應商（2026-05 報告）：DISCO（日）、Orbotech（以）、MKS（美）、Corning、Samsung。 臺廠現況：雷射源仰賴進口；本土聚焦系統整合與光路優化。
臺廠雷射改質設備商（2026-05 memo 補充）：
| 廠商 | 切入策略 | 進度亮點 |
|---|---|---|
| 8027_鈦昇（櫃） | 雷射鑽孔龍頭，主攻高速加工 | 已切入 Intel 玻璃載板供應鏈驗證；每秒數千孔加工能力 |
| 8064_東捷（櫃） | 面板修補雷射經驗轉攻；主攻大尺寸 | 大尺寸玻璃載板鑽孔 + 自動化搬運整合 |
| 上儀 / 海納光電 / 誠霸 | 精密光學 / 超短脈衝雷射 | 客製化改質機台 |
NVIDIA / Broadcom 陣營確認（2026-07-06）
來源：隨手記_定錨_玻璃核心載板NVIDIA陣營TGV_20260706、web_ABF載板_hackmd定錨產業筆記_20260706
NVIDIA 陣營
- 前段 TGV：3481_群創（市）（面板廠以大面板優勢切入 TGV 成孔）
- 後段 ABF 增層：3037_欣興（市） + Ibiden（載板廠負責 RDL / ABF 佈線）
- 8027_鈦昇（櫃） 亦已確認切入 NVIDIA 玻璃芯基板陣營（雷射設備）
Broadcom 陣營
- Broadcom 路線亦已在 2026 年確認，對應野村模型的 switch ASIC 玻璃芯基板
- 群創亦被列為 Broadcom 陣營供應商之一（前段 TGV 角色一致）
前段 vs 後段 設備受惠
設備受惠不對稱
後段設備（ABF 增層、壓膜、塗佈、電鍍）受惠規模 >> 前段設備（雷射 TGV 成孔）。 原因：後段流程複雜度高、良率影響大、單片設備資本支出高；前段雷射改質雖是核心技術，但機台數目與單位 ASP 相對後段小。 因此 TGV 前段設備商（8027_鈦昇（櫃）、8064_東捷（櫃））短期受惠有限，後段整合設備商（3485_敘豐（櫃）、6664_群翊（櫃）、6640_均華精密（櫃））更直接受惠。
相關技術
- 技術_玻璃芯基板（TGV 是玻璃芯基板核心製程）
- 技術_EMIB-T（基板廠資源優先投入 EMIB-T，可能排擠玻璃芯基板 / TGV 產能）
- 技術_TSV（矽穿孔，TGV 的玻璃版本）
- 技術_RDL（TGV 完成後接 RDL 佈線）
- 技術_銅柱巨量轉移（TGV 金屬化的銅柱方案，創新服務寡占）
供應鏈
圖解
圖說：野村整理的 Broadcom 玻璃芯基板潛在製程與供應鏈，包含 Schott 玻璃材料，以及 DR Laser、Hi-Nano、Spirox、創新服務等與晶呈科技合作的 TGV 成孔夥伴。
圖說：玻璃芯基板 RDL 介電層剝離 / 脫層示意；TGV 完成後仍需面對玻璃、ABF、銅之間 CTE 不匹配與附著力問題。
圖說：TGV 三大應用規格比較：轉移玻璃（Carrier）/ 玻璃芯基板（Glass Core）/ 玻璃中介層（Glass Interposer），孔徑與深寬比要求依序提高，玻璃供應商包含 AGC、SCHOTT、Corning。
圖說：TGV + Glass Core Substrate 完整製程圖（23 道製程）：進料→成孔（雷射改質）→填孔（鍍銅）→成型（RDL佈線）。晶呈科技 LADY 製程負責成孔 RIE 階段。
來源
- 隨手記_定錨_玻璃核心載板NVIDIA陣營TGV_20260706，定錨産業筆記，2026-07-06；NVIDIA/Broadcom 陣營確認、前段後段設備受惠不對稱
- web_ABF載板_hackmd定錨產業筆記_20260706，定錨産業筆記(HackMD)，2026-07-06；NVIDIA/Broadcom 玻璃芯基板供應鏈更新
- 報告_福邦_半導體特化耗材展望202603，報告日：2026-03（晶呈 LADY 製程、台廠材料）
- 報告_呂紹旭_玻璃載板FOPLP_20260508，報告日：2026-05-08（雷射改質設備模組規格）
- memo_玻璃載板FOPLP台廠設備_20260510，2026-05-10（臺廠雷射改質設備商：鈦昇、東捷）
- 活動_創新服務_私訪_20260424，2026-04-24（TGV-ICP、銅柱植入與產能規劃）
- 260521_nmr_semi-renaissance，野村，2026-05-21（Broadcom switch ASIC 玻璃芯基板先行採用、TGV 製程與成本、EMIB-T 排擠風險）
- JPM_Innostar_Service_The_2026-06-22_5259886，J.P. Morgan，2026-06-22（電鍍銅 vs 銅柱巨量轉移金屬化路線比較、深寬比 30:1）