定義
光阻（Photoresist, PR）是微影製程的關鍵感光材料，在晶圓表面形成薄膜，透過曝光（紫外光／EUV）與顯影步驟將電路圖案轉移至晶圓。光阻有兩個核心功能：一是形成精準圖案，二是在蝕刻時保護下方基材免受化學或電漿攻擊。
光阻通常由樹脂／黏著劑、感光劑與溶劑組成。好光阻需同時具備高對比、高解析度、高感度、高純度、強蝕刻阻抗、可控溶解性，以及穩定的表面張力、密度與黏度。
光阻技術演進
| 光源 | 應用節點 | 光阻類型 | 顯影劑 |
|---|---|---|---|
| G/I Line | 0.5–1.5µm | 非化學增幅型 | 正型 TMAH、負型二甲苯 |
| KrF | 130–500nm | 化學增幅型（有機高分子） | TMAH |
| ArF | 65–130nm | 化學增幅型（含 Aliphatic Resin） | TMAH |
| ArF 浸潤式 | 7–65nm | 化學增幅型（含氟樹脂） | TMAH |
| EUV | 7–1.6nm | 化學增幅型（含碘/氟複合結構） | TMAH |
| A14（1.4nm） | 1.4nm | 金屬氧化物光阻（非化學增幅型）、有機高分子 | 驗證中 |
KrF / ArF 的 DUV 光阻主題詳見 技術_KrF_ArF光阻；MOR（金屬氧化物光阻）的 High-NA EUV 主題詳見 技術_MOR金屬氧化物光阻。
依曝光後反應可分為： - 正型光阻：曝光區變得可溶，顯影後被洗掉，留下與光罩相同的圖案；解析度通常較高，半導體前段使用較多。 - 負型光阻：曝光區交聯後變得不易溶解，顯影後留下曝光區，形成與光罩相反的圖案。
依化學路線可分為： - CAR（Chemically Amplified Resist，化學放大型光阻）：以 photoacid-driven chemistry 放大曝光反應，是 KrF／ArF／現有 EUV 的主流。 - MOR（Metal-Oxide Resist，金屬氧化物光阻）：以金屬氧化物核心搭配 ligand 調整溶解性、交聯與吸收特性，具更高吸收與蝕刻阻抗，是 High-NA EUV 的主要候選。
High-NA EUV 光阻材料變革
技術_High-NA EUV 將 NA 從 0.33 提高到 0.55，光子打到晶圓的角度更淺，因此光阻層必須更薄以避免陰影效應。薄光阻有助於降低圖案倒塌風險，但也帶來三個問題： - 對下方基材的保護較差，長時間蝕刻容易侵蝕光阻並劣化轉印圖案。 - 光阻體積變小，捕捉光子數下降，line edge roughness 與 stochastic defect 可能變嚴重。 - 蝕刻選擇比與顯影控制更吃材料純度與製程窗口。
MOR 的優點是金屬氧化物核心有較佳吸收與蝕刻阻抗，可改善薄光阻最嚴重的保護與吸收問題。不過目前可用的 MOR 多為負型光阻，無法用於 contact hole，應用層別仍受限制。主要供應商包括 Inpria（已被 JSR 收購）與 Lam Research。
High-NA 時代形成兩條路線：
| 路線 | 供應商 / 設備 | 作法 | 投資觀察 |
|---|---|---|---|
| 乾式光阻 | Lam Research | 以 CVD 沉積金屬氧化物光阻，再用乾式顯影／蝕刻去除光阻 | 圖案精度較高、但需新設備；野村認為 2330_台積電（市） 在 High-NA 時代較可能採用 Lam 方案 |
| 濕式光阻 | TEL + JSR | 延續旋塗（spin coating）與濕式顯影；因 PR 材料改變，顯影液從 TMAH 轉向含酸 PGMEA | 成本較低、不需全面換設備；PGMEA 純度要求提高，TOK 可能為主要供應商 |
市場規模
2024 年全球光阻市值約 64 億美元，2024–2034 CAGR 5.6%。ArF 浸潤式光阻市占最高（38–40%）。（estimate，中信心，market.us）
價格階梯與供應商
野村估算 High-NA 光阻價格明顯高於現有 EUV。現有 EUV PR 約 USD 5,000/加侖，High-NA EUV 可達 USD 10,000–40,000/加侖，等於 2–8 倍；MOR ASP 更高，但乾式沉積用量較少、產出較低。
| 光阻世代 | ASP（USD / 加侖） | 主要供應商 / 備註 |
|---|---|---|
| g/i-line | <100 | TOK、Dow、Merck、Fujifilm 等 |
| KrF / ArF | 100–1,000 | Shin-Etsu、JSR、TOK、Dow、Fujifilm |
| EUV | 1,000–5,000；現有高階約 5,000 | Shin-Etsu、TOK、JSR |
| High-NA EUV | 5,000–10,000 | Shin-Etsu、TOK、JSR；市場可能向 EUV 贏家集中 |
| High-NA MOR | 10,000–>40,000（低產出） | Entegris、Gelest（Nanomate）、Inpria/JSR、Lam Research |
其他重要供應商包括 TOK、Shin-Etsu、Dow、JSR、Merck、Fujifilm、Entegris、Gelest（Nanomate）。
光阻輔材的同步升級：High-NA EUV 導入後，技術_光阻輔材 中的 Rinse、BARC、Developer、EBR 與去光阻材料需隨光阻薄化同步調整。4749_新應材（櫃） 的近期主力仍在輔材，長期選擇權則是從 KrF PR 逐步往 EUV PR／MOR 價值階梯上移。
台灣廠商現況
| 廠商 | 應用 | 地位 |
|---|---|---|
| 4749_新應材（櫃） | Rinse（洗邊劑）、BARC、長期目標 KrF PR | 台灣光阻輔材主力供應商；2H25 在 TSMC N2 搶佔 BASF/3M 份額；目標「成為台灣的 TOK」 |
| 1711_永光（市） | PSPI（兼有光阻）、玻璃芯基板光阻 | 台灣感光材料廠，布局先進封裝與玻璃芯基板 |
| 1717_長興（市） | PSPI 光阻材料 | 台灣封裝材料廠，PSPI 應用 |
台灣廠商限制
台灣光阻材料廠商目前主要聚焦於 PSPI（感光聚醯亞胺，先進封裝用）。前段製程用的 EUV/ArF 光阻仍由日本（JSR/住友化學/東京應化）與美國（Rohm and Haas）廠商主導，台廠尚未明確進入。
海外主要廠商
| 廠商 | 國籍 | 主要產品 |
|---|---|---|
| JSR / Inpria | 日本 / 美國 | 金屬氧化物光阻（A14）、化學增幅型 |
| 住友化學 | 日本 | 小分子光阻、化學增幅型 |
| 東京應化工業（TOK） | 日本 | EUV 光阻、KrF/ArF |
| 旭化成 | 日本 | PSPI 材料（先進封裝） |
| HD Microsystems | 美國 | 正型 PSPI（先進封裝） |
TSMC 光阻技術路線
| 製程節點 | 曝光技術 | 光阻類型 |
|---|---|---|
| 7nm–3nm | ArF 浸潤式 + EUV | 化學增幅型 |
| 2nm | EUV | 化學增幅型（GAA） |
| A16 | EUV | 化學增幅型 + BSPDN |
| A14 | EUV | 金屬氧化物光阻（驗證中）/ 化學增幅型 |
相關技術
- 技術_PSPI（先進封裝用光阻材料，PSPI 是 PI 系光阻）
- 技術_KrF_ArF光阻（DUV 光阻：248nm KrF、193nm ArF / ArFi）
- 技術_MOR金屬氧化物光阻（EUV / High-NA EUV 金屬氧化物光阻）
- 技術_High-NA EUV（High-NA EUV 對光阻厚度、MOR、乾式路線的要求）
- 技術_光阻輔材（BARC、EBR、Developer、Rinse、去光阻材料）
- 技術_BSPDN（A16 製程導入 BSPDN，光阻製程道次增加）
- 技術_TGV（玻璃芯基板 TGV 成孔後光阻塗布步驟）
供應鏈
圖解
圖說：MOR 相對 CAR 的優勢在於更高吸收、較佳蝕刻阻抗與解析度，適合 High-NA EUV 的薄光阻需求。
圖說：野村估算 High-NA EUV／MOR 光阻 ASP 明顯高於既有 EUV，MOR 可達 USD 10,000–40,000/加侖。
圖說：TEL + JSR 濕式路線與 Lam Research 乾式路線比較；Lam 以 CVD 沉積光阻並用乾式顯影去除光阻。
來源
- 報告_福邦_半導體特化耗材展望202603，報告日：2026-03
- 260521_nmr_semi-renaissance，野村，2026-05-21（MOR ASP USD10,000–40,000、AEMC 定位、High-NA EUV 採用時程）