定義
以台積電 2nm/A16/A14 先進製程與 BSPDN 技術導入為需求核心的台灣特化耗材主題鏈，涵蓋前段光阻/洗邊劑、CMP 研磨、晶圓薄化、ALD 前驅物，以及先進封裝 PSPI/TSV 蝕刻氣體/清洗等環節。
供應鏈結構圖
flowchart TD
TSMC[台積電
2nm / A16 / A14
先進製程 + BSPDN]
subgraph 前段耗材 [前段製程耗材]
PhotoR[光阻/洗邊劑
4749_新應材
TSMC 在地化 66% 2026E]
CMP輪[CMP 研磨輪
1560_中砂]
CMP墊[CMP 研磨墊
7768_頌勝科技
+40-60 道 BSPDN 受惠]
Wafer[晶圓再生/薄化代工
8028_昇陽半導體]
ALD[ALD 前驅物
7887_宇川精材]
Gas[電子特用氣體/矽乙烷
4772_台特化
N2 最大矽乙烷供應商]
end
subgraph 封裝耗材 [先進封裝耗材]
Cleaner[封裝清洗劑
1773_勝一]
PSPI正[正型 PSPI
5234_達興材料
1711_永光
1717_長興]
PSPI負[負型 PSPI 顯影
4755_三福化]
Etch[TSV/玻璃蝕刻氣體
4768_晶呈科技]
end
TSMC --> 前段耗材
TSMC --> 封裝耗材
各環節廠商
前段光阻/洗邊劑
EUV / MOR 光阻升級
| 環節 |
代表廠商 |
備註 |
| MOR 材料 |
JSR / Inpria |
金屬氧化物 EUV 光阻，對應 High-NA EUV 與 DRAM critical layers；詳見 技術_MOR金屬氧化物光阻 |
| Dry resist 設備 / 流程 |
Lam Research |
Aether dry photoresist 走 deposition / dry development / etch 整合路線，可能改變傳統濕式輔材價值分配 |
| 台灣輔材 optionality |
4749_新應材（櫃） |
短期是 rinse / BARC，長期才是 KrF PR、EUV PR、MOR 輔材或本體選擇權 |
CMP 研磨耗材
| 廠商 |
地位 |
備註 |
| 1560_中砂（市） |
CMP 研磨輪主力 |
受惠 N2→A16 CMP step +15-20%，BSPDN 晶圓薄化需求 |
| 7768_頌勝科技（市） |
CMP 研磨墊 |
BSPDN 額外 +40-60 道研磨需求，2026E EPS +147% |
晶圓再生 / 薄化
| 廠商 |
地位 |
備註 |
| 8028_昇陽半導體（市） |
晶圓再生/薄化代工 |
BSPDN 薄化、12inch 面積成長，2026E EPS +57% |
ALD 前驅物
| 廠商 |
地位 |
備註 |
| 7887_宇川精材（興） |
台灣主要廠商 |
高介電材料（La2O3、Y2O3）前驅物；目前仍虧損，高成長潛力 |
電子特用氣體（矽烷氣體 / AHF）
電子級化學品 / 蝕刻液
| 廠商 |
地位 |
備註 |
| 7742_天弘化（興） |
電子級化學品觀察 |
草酸、電子級酸鹼液、蝕刻液與金屬純化能力；半導體切入重點在濕製程化學品、金屬離子控制與客戶認證 |
先進封裝清洗劑
| 廠商 |
地位 |
備註 |
| 1773_勝一（市） |
清洗劑供應商 |
RDL/TSV/Bump/UBM/暫時鍵合等製程清洗 |
先進封裝 PSPI 材料
TSV / 玻璃蝕刻氣體
| 廠商 |
地位 |
備註 |
| 4768_晶呈科技（櫃） |
TSV 蝕刻氣體/玻璃芯基板 |
LADY 製程深寬比 10:1；2026E EPS +397% |
先進封裝 UV 膠帶（背磨 / 切割）
對應技術 技術_半導體膠帶；UV 膠帶全球市場約 US$3.3bn、9.7% CAGR（自 2024）。來源：報告_CLSA_南寶4766_20260521。
觀察重點（投資視角）
- TSMC 2nm 月產能爬坡：4Q25 ~4萬片/月 → 4Q26 ~8-10萬片/月，耗材需求同步放量
- BSPDN A16 量產時程：CMP step 大幅增加，中砂、頌勝、昇陽最直接受惠
- A14 光阻驗證進度：新應材驗證中，通過後進入下一成長階段
- 正型 PSPI 國產替代：達興/永光/長興能否取得台積電供應商資格
- 宇川精材虧損改善：ALD 前驅物市場滲透速度是否達預期
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來源
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