定義
MOR（Metal Oxide Resist，金屬氧化物光阻）是 EUV / High-NA EUV 世代的重要候選光阻材料。它以金屬氧化物或金屬有機 cluster 作為感光核心，典型路線包含 Inpria / JSR 的 tin-oxide EUV MOR，以及 Lam Research 的乾式金屬有機光阻 / dry resist。相較 技術_KrF_ArF光阻 與現有 EUV 化學增幅型光阻（CAR），MOR 的核心價值是更高 EUV 吸收、更佳蝕刻阻抗與更小材料單元，有機會改善 line edge roughness、stochastic defect 與薄光阻蝕刻保護不足。
為什麼 High-NA EUV 需要 MOR
技術_High-NA EUV 把 NA 從 0.33 拉到 0.55，解析度提升，但光阻也被迫更薄，以避免高入射角造成 shadowing 與圖案倒塌。薄光阻會帶來三個矛盾：
- 光阻太薄，蝕刻時保護力不足。
- 光阻體積下降，捕捉 EUV photon 數變少，shot noise / stochastic defect 變嚴重。
- CAR 依賴 acid diffusion 放大反應，線寬越小越容易把解析度吃掉。
MOR 用高 EUV 吸收的金屬氧化物核心與較高 etch selectivity 來解這個矛盾。Inpria 說明其 tin-oxide organometallic cluster 不是傳統 polymer，也不是 nanoparticle，而是更小、更均質的 building block；移除 CAR 的 acid diffusion 機制後，有助於提升解析度。
兩條主流路線
| 路線 | 代表供應商 | 製程方式 | 優點 | 主要限制 |
|---|---|---|---|---|
| 濕式 / spin-on MOR | JSR / Inpria | 類似傳統光阻旋塗；可搭配既有 track / 顯影流程 | 導入阻力較低，Inpria 已與 SK hynix 共同開發 DRAM EUV MOR | 仍需解決顯影、缺陷、line collapse 與客戶整合 |
| 乾式 MOR / dry resist | Lam Research Aether | vapor-phase / dry deposition，搭配 dry development / etch | 與沉積 / 蝕刻整合深，Lam 指出可降低 dose、提高解析度、減少濕化學用量 | 需新設備與新流程，會改變既有 track / wet chemistry 生態 |
製程比較
flowchart TB
subgraph CAR["傳統 EUV CAR"]
A1[Spin coat polymer CAR] --> A2[EUV exposure]
A2 --> A3[PEB acid diffusion]
A3 --> A4[Wet developer / rinse]
A4 --> A5[Etch transfer]
end
subgraph MOR["MOR / Dry Resist"]
B1[Spin-on MOR 或 Dry deposition] --> B2[EUV / High-NA EUV exposure]
B2 --> B3[Cluster reaction / lower diffusion]
B3 --> B4[Wet 或 Dry development]
B4 --> B5[Etch transfer]
end
圖說：MOR 的投資重點不只在材料單價，而在「光阻 + 顯影 + 蝕刻轉印」整套流程是否能提升 High-NA EUV 良率與產能。
市場潛值分析
1. 單價階梯大幅高於 DUV / EUV CAR
野村 2026-05-21 報告估算，既有 EUV PR 約 US$1,000-5,000 / gallon，High-NA EUV PR 約 US$5,000-10,000 / gallon，High-NA MOR 可達 US$10,000-40,000 / gallon。這代表 MOR 是光阻材料價格階梯的最上層，但要注意乾式 MOR 用量可能遠低於傳統旋塗光阻，因此不能用 gallon ASP 線性外推市場規模。
2. TAM 取決於 High-NA EUV 採用時點
野村將 High-NA EUV + MOR 的成長起點放在 2029F 最早，CAGR 可超過 40%，但前提是 TSMC / Intel / Samsung 等客戶在 A10 / sub-2nm 之後實際採用 High-NA EUV，而不是繼續用 0.33 NA EUV 多重曝光延後導入。MOR 因此是「高 beta、晚啟動」材料主題。
3. 2025-2028 更像驗證期，DRAM 可能先行
Lam 2025 年宣布 Aether dry photoresist 被一家 leading memory manufacturer 選為 next-generation DRAM 的 production tool of record；JSR / Inpria 也曾揭露與 SK hynix 共同開發 EUV MOR 用於 advanced DRAM。這顯示 MOR 不是只屬於邏輯 A10，而可能先在 DRAM critical layers 驗證量產可行性。
4. 輔材與設備也會重估
MOR 導入會改變 技術_光阻輔材 的需求：濕式 MOR 可能帶動新 developer、rinse、removal；乾式 MOR 則可能把價值從傳統 track / wet chemistry 轉向 deposition、dry development、etch 與 cleaner。這也是為什麼 Lam 的 dry resist 不只是材料故事，而是設備 + 製程整合故事。
投資映射
| 類型 | 代表公司 / 頁面 | 投資含義 |
|---|---|---|
| MOR 材料本體 | JSR / Inpria | 最直接受益者；Inpria 為 JSR 旗下 MOR 平台 |
| 乾式 MOR 設備 / 流程 | Lam Research | Aether dry resist 將光阻導入沉積 / 乾顯影 / 蝕刻整合 |
| EUV / High-NA 設備 | ASML、ZEISS | MOR 放量前提是 EUV / High-NA EUV 層數與產能放大 |
| 台灣輔材 optionality | 4749_新應材（櫃） | 近期仍是 rinse / BARC；長期若進入 PR / MOR 輔材或本體，估值選擇權提高 |
| 本土化 / 低階 PR 對照 | 技術_KrF_ArF光阻、300054.SZ(dinglong) | KrF / ArF 是較近的國產替代，MOR 是更遠期高階材料 |
關鍵判斷指標
| 指標 | 意義 |
|---|---|
| High-NA EUV HVM 時程 | 決定 MOR 從研發材料變成量產材料的時間 |
| DRAM 客戶 tool-of-record / POR | 若記憶體先行，MOR TAM 啟動會早於純邏輯 A10 |
| Dose-to-size / photospeed | 直接影響 EUV scanner throughput 與成本 |
| LER / stochastic defect | 決定是否能取代或補強 CAR |
| Etch selectivity | 薄光阻時代最關鍵優勢之一 |
| Wet vs dry route | 決定受益者在 JSR/Inpria、TOK/TEL、Lam、輔材廠之間如何分配 |
技術瓶頸 / 風險
- MOR 多為負型路線，部分 contact hole / via 圖案未必適合，應用層別可能受限。
- 金屬殘留、污染控制、顯影殘留與下游蝕刻相容性仍是量產導入門檻。
- Dry resist 需新設備與流程，雖可降低化學品用量，但會提高客戶切換成本。
- High-NA EUV 若因 half-field stitching、成本或產能問題延後，MOR TAM 也會後移。
- ASP 高不等於收入必然高；乾式用量、良率、客戶層數與實際 dose 才是營收變數。
與 KrF / ArF 的差異
| 項目 | KrF / ArF 光阻 | MOR |
|---|---|---|
| 曝光光源 | DUV 248nm / 193nm | EUV 13.5nm / High-NA EUV |
| 成熟度 | 已大規模量產 | developing，部分記憶體 / 先進節點驗證中 |
| 主要投資邏輯 | 成熟節點長尾、ArFi 高價值池、國產替代 | High-NA EUV、DRAM critical layers、光阻價格階梯上移 |
| 供應鏈變化 | 日系主導，中國 / 台灣從低階與輔材切入 | JSR/Inpria、Lam 等少數玩家主導，設備與材料界線模糊 |
| 對台股含義 | 新應材的 rinse / BARC / KrF PR optionality | 新應材長期 PR / MOR 輔材 optionality，短期仍需驗證 |
相關技術
供應鏈
來源
- 260521_nmr_semi-renaissance，野村，2026-05-21（MOR ASP、High-NA EUV 採用時程、AEMC optionality）
- 分析_半導體材料市場格局2025-30F
- Inpria，Metal Oxide Photoresists，https://www.inpria.com/
- JSR，JSR Agrees to Acquire EUV Pioneer Inpria Corporation，2021-09-17，https://www.jsr.co.jp/jsr_e/news/2021/20210917.html
- JSR，Inpria Co-Developing Metal Oxide Resist with SK hynix，2022-08-02，https://www.jsr.co.jp/jsr_e/news/2022/20220802.html
- Lam Research，Lam Research Unveils Technology Breakthrough for EUV Lithography，2020-02-26，https://newsroom.lamresearch.com/2020-02-26-Lam-Research-Unveils-Technology-Breakthrough-for-EUV-Lithography
- Lam Research，Breakthrough EUV Dry Photoresist Technology Adopted by Leading Memory Manufacturer，2025-01-29，https://newsroom.lamresearch.com/2025-01-29-Breakthrough-EUV-Dry-Photoresist-Technology-from-Lam-Research-Adopted-by-Leading-Memory-Manufacturer