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FOPLP

更新 2026-05-28

定義

Fan-Out Panel Level Packaging(扇出型面板級封裝),以大尺寸方型面板(而非圓形晶圓)為基板進行扇出型封裝,可大幅提升每批次的封裝面積利用率與產能。是先進封裝從圓形晶圓(FO-WLP)演進至方型面板(FOPLP)的關鍵技術路線。

技術架構

技術原理

Mold First vs RDL First

製程路線 流程 問題 趨勢
Mold First 先壓模 → 再做 RDL Die shift(晶片偏移)+ 翹曲 逐漸式微
RDL First 先做 RDL → 再嵌入晶片 載板設計複雜 主流趨勢

RDL First 流程: 1. 在大尺寸面板上製作 RDL 底層 2. 晶片面朝下貼合到 RDL 3. 壓模(molding)封裝 4. 移除暫時載板(debond) 5. 製作上層 RDL 與 bump

Chip-First vs Chip-Last(依應用分流)

路線 流程順序 主要應用 商業化階段
Chip-First (Die face up) 晶片貼附臨時載板 → Molding → RDL PMIC、RF IC(小晶片、低 I/O) 已量產,群創 700×700mm PMIC FOPLP 為代表
Chip-Last (Die face up) 玻璃載板上完成 RDL → 晶片貼裝 CPU、GPU、AI GPU(大晶片、高 I/O) 試產驗證階段;台積電 310mm 規劃 2027 試產

Chip-First 優勢:與 FOWLP 製程邏輯相似、設備延續性高、導入門檻低;但 RDL 層數與線寬限制高效能應用。 Chip-Last 優勢:先做 RDL 確保線路品質,適合大晶片高密度互連;挑戰在於大面板翹曲、晶片高精度對位、CTE 匹配與多層 RDL 良率。

封裝尺寸演進(以 AI 加速器為例)

時間 中介層尺寸(光罩數) 算力倍率 技術備注
2025 3.3x 光罩 1X FO-WLP/CoWoS
2026F 5.5x 光罩 尺寸持續擴大
2027F 9x 光罩 7X SiC 方型基板 TSMC 導入

終端廠 FOPLP 面板尺寸與布局

公司 面板尺寸 應用 進度
2330_台積電(市) 310×310mm AI GPU(NVIDIA / AMD) 2027 規劃小量試產
6239_力成(市) 515×510mm MTK / AMD 高階 RF / PMIC 2026 大幅擴產,capex 提升至約 NT$400 億+
3711_日月光投控(市) 310×310mm(高雄)+ 610×610mm(規劃) AMD / Qualcomm AI CPU 2025Q4 設備進駐、2026 送樣認證
3481_群創(市) 700×700mm PMIC(低 I/O) 已量產;2026H1 訂單已排滿
6920_恆勁科技(興) C3iM / C2iM 基板延伸 車用二級市場 / AI 電源模組 法說稱車用二級市場已量產四年、累計出貨 48 億顆,AI 應用有 3-4 家客戶開發中

資料點 — TPCA 2026-05 報告

Yole Group:FOPLP 未來 5 年 CAGR > 30%,2028 約 $2-3 億美元;另一機構估 2023 全球 $15 億 → 2032 突破 $50 億美元(含不同統計口徑)。2024 全球扇出封裝設備 + 材料約 $7 億美元,其中面板級設備占 10%、材料占 7%。

FOPLP 五大關鍵製程設備(Chip-Last 為主)

# 製程 主要功能 大面板瓶頸 解決方向 自主化階段
1 塗佈 PR / PI / 介電層塗佈 旋轉式不適合方形面板,邊角堆積 改採 Slot-Die 狹縫式或 Spray Coating 既有 PCB / 面板技術延續,臺廠優先切入
2 固化 PR / PI 結構穩定化 大面板溫差導致翹曲與應力集中 多區溫控、升降溫曲線優化、即時感測回饋 與 PCB 烘烤、面板退火高度相關,臺廠有基礎
3 PVD(種子層) 鍍膜以利後續 RDL 銅電鍍 邊角鍍膜不均、膜厚一致性下降 載板平整支撐、靶材配置調整、旋轉/多源沉積 有半導體 PVD 基礎,可模組改良切入
4 電鍍銅 RDL 銅線與通孔填充 大面板電場/流場死角、邊角過鍍/欠鍍 多段電流密度、脈衝反轉、添加劑配方 高門檻、有切入空間,但風險高
5 H/S 檢測 缺陷檢測 內層線路檢測缺乏成熟解 需穿透式(X-ray / 超音波)+ AI 影像重建 外觀 AOI 已成熟,內層為臺廠技術缺口

高精度微影(Canon / SCREEN 主導)與封膜(ASMPT / K&S / YAMADA TOWA / Towa 主導)為自主化最低環節;建議由「關鍵模組切入」策略(製程感測、平台運動控制、光學模組、對位輔助系統)逐步累積,不直接挑戰整機。

FOPLP 國際設備供應鏈(依製程)

製程 主要供應商 國別
RDL(PVD/蝕刻/濕製程) Applied Materials、ULVAC、LAM Research、TEL 美/日
微影 Canon、SCREEN
Pick & Place / 封膜 ASMPT、K&S、YAMADA TOWA、TOWA、Musashi 日/星馬
測試 Advantest、Teradyne 日/美
黏合 / Bonder EV Group、SUSS、PSK、YES 奧/德/韓
Panel Handling / 廠內自動化物流 2464_盟立(市) 台灣;510×515mm 等矩形面板搬運、面板倉儲,支援先進封裝多尺寸載具搬運。詳見 技術_半導體自動化物流

關鍵 Claim

TSMC 規劃採用 12inch SiC 方型基板(310mm×310mm),2027 年跨入量產。(estimate,中信心,來源:福邦投顧 2026-03)

台廠 FOPLP 設備 / 封裝動態(2026-05-21 天虹小場)

6937_天虹(市) 提供 PLP PVD(面板級正背面金屬鍍膜,二號機已出貨、洽談三號機)與 PLP ALD(預計明年農曆年後交機),切入 PVD 種子層 / 介電鍍膜環節,並有 ABF 載板新蝕刻配方。6147_頎邦(櫃) 被點名投入玻璃 FOPLP(待查證)。來源 活動_天虹_小場_20260521

2026-07 進度更新(agy web 搜尋 2026-07-10,方向性)

  • 3711_日月光投控(市):310×310mm PLP 全自動化產線 2026 年底量產;2026 capex 由 53 億拉升至 85 億美元。
  • 6239_力成(市):P11 廠無塵室 2026H1 完成,2027H1 量產(初期目標月產 6,000 片面板);與 AMD 深化合作、已預約 2027 產能;另購友達舊廠(P12)預留 FOPLP。
  • 3481_群創(市):Chip-first 月出貨升至 4,000 萬顆,打入 SpaceX 星鏈地面接收器 RF 與車用/PMIC;RDL/TGV 目標 2026–2027 完成認證量產。
  • 2330_台積電(市):CoPoS 310×310mm R&D 線,2026 年中完成材料設備認證、2027 pilot、2028H2–2029 量產(首客戶傳為 NVIDIA Feynman 世代)。
  • 山太士平衡膜、達興 PSPI/LRL 等材料 2026 為關鍵驗證期,隨客戶量產上線放量。

市場規模

  • FOPLP 市值:CAGR 27.2%(2024–2030),.6B(2024)→ B(2030F)(estimate,中信心,Yole)
  • 先進封裝整體 2026 市值:617.1 億美元,超越傳統封裝(estimate,中信心,YOLE/IEK)

翹曲問題與玻璃芯基板

FOPLP 尺寸擴大後,傳統有機載板在大面積下受熱不均,產生翹曲。解決方案: - 低 CTE 玻璃芯基板(Glass Core Substrate):CTE 3–9 ppm/°C vs. 有機載板 12–20 ppm/°C - 台灣廠商參與 Glass Core 供應鏈(2H26 美系客戶驗證)

關鍵材料

材料 應用 台灣廠商
正型 PSPI RDL First 介電層 5234_達興材料(市)1711_永光(市)1717_長興(市)
負型 PSPI 顯影液 RDL 負型製程 4755_三福化(市)
封裝清洗劑 RDL/模封清洗 1773_勝一(市)
TGV 蝕刻氣體 玻璃載板 TGV 4768_晶呈科技(櫃)

技術瓶頸 / 風險

  • 大面積翹曲管控(尤其 RDL First 面板級)
  • Die shift 控制(Mold First 的問題,RDL First 改善)
  • 面板尺寸規格尚未統一:群創 700×700、Amkor 650×650、力成 510×510 等各廠不同

相關技術

供應鏈

供應鏈_半導體特化耗材供應鏈_半導體製程設備

圖解

2026年台灣半導體特化與耗材展望_福邦投顧研究部202603_016

圖說:封裝製程演進脈絡圖:從傳統封裝(Wire Bond、FC BGA)到先進封裝(FOWLP、CoWoS、FOPLP),面板尺寸不斷擴大。

2026年台灣半導體特化與耗材展望_福邦投顧研究部202603_025

圖說:FOPLP 市值趨勢圖(2024–2030F):CAGR 27.2%,從 1.6 億美元增長至 7 億美元,2026 年預計達 3 億美元。

2026年台灣半導體特化與耗材展望_福邦投顧研究部202603_028

圖說:FOPLP Carrier Board 製程示意圖:Mold First 與 RDL First 兩種路線,目前趨向 RDL First 以解決晶片偏移(die shift)問題。

來源

相關頁面