TPK 論壇
TPK TGV論壇 一、 有機基板 vs. 玻璃基板的深度對比（含模擬數據） - 機械強度與抗翹曲能力： - 有機基板的缺陷： 高溫回銲時翹曲明顯（大於 50 μm），且材料剛性差，容易發生疲勞斷裂。 - 玻璃基板的優勢： 熱膨脹係數（CTE）可調控（約為 3），能完美匹配矽晶圓，具備高抗彎剛度。 - 錄音檔模擬實測： 透過三點彎折模擬，在相同 0.8 mm 厚度下，中間有玻璃基板的抗彎剛度是有機基板的 3 倍以上。若要讓有機基板達到與玻璃相同的剛度，必須將厚度增加至 1.2 mm，但這會導致熱翹曲量暴增 3 倍以上。 - 表面平整度與微影極限： - 有機基板： 局部平整度差，容易導致曝光失焦與線路縮頸，線寬/線距（L/S）極限只能達到 5/5 μm 以上。 - 玻璃基板： 具備原子級的超平整表面（粗糙度 Ra < 1 nm），能有效推進亞微米製程，支援 L/S < 2/2 μm（甚至更佳）的超高解析度。 - 高頻訊號傳輸表現： - 有機基板： 在超過 56GHz 頻段時，粗糙表面會導致嚴重的電流繞射與訊號衰減。錄音檔指出，若為了提升剛性而增加有機材料厚度，其高頻訊號表現會大幅劣化將近 70%。 - 玻璃基板： 孔壁透過化學拋光平整（Sa < 100 nm），可承載 112GHz 以上的高頻訊號。TPK 與清大/台灣半導體研究中心（TSRI）合作建立的模型實測證明，在高達 120GHz 的頻段下，插入損耗（Insertion Loss）仍能穩定維持在 0.7 dB 以下。
二、 TGV 三大核心製程與金屬化細節 1. 通孔成型（Via Formation）： - 包含雷射打孔（Laser Punch），接著透過濕式蝕刻（Wet Etching）將孔洞擴大至所需尺寸。 2. 金屬化（Metallization）： - 在孔內填銅。TPK 具備超薄緻密種子層技術，擁有優異的階梯覆蓋能力（Step Coverage）與大於 5N/cm 的附著力，能實現高深寬比的 100% 無缺陷孔洞全填滿（Void-Free）。 3. 平坦化（Planarization）： - 填銅後表面會有多餘的銅層累積，需透過研磨拋光移除。錄音檔特別指出，平坦化後的玻璃表面粗糙度小於 1 nm，且銅柱與玻璃表面的高度差（Step height）控制極佳，實測可小於 0.11 μm，為後段高解析度對焦製程打下完美基礎。
三、 玻璃微裂紋（Microcrack）的成因與 100% 防治策略 - 製程引發的微裂紋： 雷射打孔瞬間造成的熱損傷與機械應力，會產生約 3 到 5 μm 的微裂紋。 - 對策： 透過濕式蝕刻平滑化通孔內壁，並利用平坦化製程徹底移除表面的損傷層與應力集中點，以達到「治療」效果。 - 熱應力引發的微裂紋： 填銅後，銅（16.5 ppm/K）與玻璃（3-9 ppm/K）的熱膨脹係數不匹配，受熱時會引發內部應力。 - 對策： 導入「介面緩衝層（Buffer Layers）」吸收形變應力，並透過「熱退火（Thermal Annealing）」釋放製程殘留應力。
四、 TGV 兩大量產瓶頸與 TPK 的突破性解方 - 瓶頸一：通孔成型良率極低 - 痛點： 單片基板往往有數百萬個孔洞，只要一個孔失效（Fail）就會整板報廢。傳統作法是在蝕刻後才檢測，一旦發現破洞已無法修復。 - TPK 解方（100% 即時檢測與雷射修復）： 運用多光學設計與 AI 數據同整，在「雷射打孔完畢、尚未進入蝕刻前」就進行 100% 的即時檢測。若發現漏打或瑕疵，會立刻執行「修復打孔（Repair Punch）」（例如偏移 1 到 3 μm 再打一次），確保進入蝕刻前的孔洞良率達到 100%。 - 瓶頸二：高深寬比（High AR）電鍍困難 - 痛點： 當玻璃厚度增加、深寬比大於 10 時，蝕刻與電鍍液難以深入孔洞內部，導致通孔導電柱成型良率大幅降低。 - TPK 解方（複合玻璃精準堆疊技術）： 捨棄單片厚玻璃，改用「多層複合玻璃」（例如將兩片 0.4 mm 的玻璃中間夾入彈性膠層堆疊）。此架構的彈性膠層能透過剪切變形吸收能量、消除應力集中，並削弱表面極限張應力，避免脆性斷裂。同時，搭配正負 10 μm 的高精度對位技術，確保上下層 TGV 完美共軸與電氣連接無損，成功突破厚板高深寬比的良率極限。
五、 試產線現況與未來量產藍圖 - 300 mm x 300 mm 試產線： TPK 中壢廠區已建置完整的試產線（有效區約 300 至 310 mm），設備涵蓋雷射、蝕刻、種子層、金屬化，並配有自動光學檢測（AOI）、雷射共聚焦顯微鏡等高階分析儀器，目前所有製程設備皆已在進行試產驗證。 - 技術規格達標： 目前已可提供 0.7 mm 到 1.5 mm 各種厚度的樣品，孔距（Pitch）一般為 50 μm（實驗室已驗證過 20 μm），高深寬比對位貼合精度更已推進到第四代（正負 10 μm）。 - 量產時程規劃： 預計於明年（2027年）規劃小量產線，並進行客戶端的雙向交叉驗證；預期在 2028 年至 2029 年間，利用該產線實現具備一定規模的量產。