定義
RDL 與 ABF 載板細線路製程中兩道「去除有機殘留物」的表面處理步驟，兩者作用對象與流程位置不同，常被混用但不可互換：
| 項目 | Desmear（除膠渣） | Descum（去殘膠 / 殘膜去除） |
|---|---|---|
| 去除對象 | 雷射／機械鑽孔後熔融殘留在孔底與孔壁的樹脂膠渣（smear） | 曝光顯影後開口區殘留的微量光阻膜（photoresist scum） |
| 流程位置 | 鑽孔（via drilling）之後 → 化學鍍銅／濺鍍種子層之前 | 曝光顯影之後 → 電鍍／種子層蝕刻之前 |
| 目的 | 孔底金屬接觸潔淨、孔壁微粗化活化，避免層間剝離與斷路 | 露出乾淨下層金屬／介電面，防止鍍不上、短路、bump 接合失效 |
| 典型應用 | ABF 增層盲孔、BT 通孔、PID 感光介電微孔 | RDL 細線路開口、micro-bump / 銅柱顯影後清潔 |
兩者在 RDL 一層製程中都會出現，是決定金屬化附著力與線路良率的關卡；也是台廠設備商目前最有機會由「濕」切入「乾」的環節。
圖解
圖說：凌嘉科技 Die-First／Face-up（ABF 介電基材）RDL 流程剖面圖。左欄自 Carrier + Release film 上的 KGD/EMC 起，經 ABF 真空壓合 → Laser Drilling (Via) →★Desmear by Dry Etching→★PVD Sputtering Ti/Cu Seed Layer→ Dry Film Lamination；右欄續 Laser Drilling → Cu Plating → Dry Film Removal / Seed Layer Etching → 多層堆疊 → 植球。圖上兩處★藍字即凌嘉乾式設備切入點。© 凌嘉科技官網（web_凌嘉RDL製程_官網_20260726）。
技術原理
濕式 Desmear（過錳酸鉀法，傳統主流）
三段式化學藥水：膨潤劑（sweller）→ 過錳酸鉀強氧化蝕刻（permanganate, MnO₄⁻）→ 還原中和劑（neutralizer）。
- 優點：批次浸泡／噴淋處理產能高、設備投資低、藥水技術成熟。
- 缺點：
- 蝕不動無機填料——現代 ABF 膜含 50–70% SiO₂ 填料，過錳酸鉀只吃樹脂，填料顆粒凸出或脫落殘留孔底
- 表面粗糙度過大（Ra > 300–500nm），高頻傳輸的集膚效應損耗顯著
- 微孔穿透力差——孔徑 <20µm 後液體表面張力阻礙藥水進入盲孔深處
- 化學廢液——含重金屬與強氧化劑，廢水處理成本高（ESG 壓力）
乾式電漿 Desmear / Descum（CF₄/O₂）
高頻電漿激發氣體：O₂ 電漿氧化分解環氧樹脂；CF₄ 解離的氟自由基與 SiO₂ 反應生成揮發性 SiF₄ 抽走；配合 Ar 離子物理轟擊清孔底。
- 優點：樹脂與填料同步去除、粗糙度可控在 Ra <50–100nm（配合 sub-2µm L/S 與高頻需求）、氣體無表面張力問題可進 <10µm 高深寬比孔、無液態廢液。
- 缺點：真空系統與電漿設備昂貴、單片／小批次處理吞吐低於濕式。
為何往乾式轉（三條驅動力）
- 線路微縮：L/S 進 sub-2µm 後，濕式粗化的凹凸表面會讓細線跨越時斷路
- 材料演進：ABF 與 low-k PID 的無機填料比例暴增，必須靠氟系電漿才能去 SiO₂
- 高頻低損：AI/HPC 要求壓低金屬介面粗糙度以降低訊號衰減
ESG 也是官方口徑之一
凌嘉科技官網明確把「濕轉乾」寫成 ESG 政策響應下的路線：基材清潔改乾式電漿蝕刻、種子層去除也從藥水濕製程朝乾式電漿演進，訴求低材料消耗、低環境污染、簡化後處理工序。來源：web_凌嘉RDL製程_官網_20260726。
Ti/TiW 種子層去除：濕蝕刻的底切瓶頸
RDL 電鍍完成後須剝除線路以外的 Cu seed + Ti/TiW 阻障層（疊構：電鍍 Cu 線路 / Cu seed / Ti·TiW barrier / 介電層 ABF·PI·PBO）。
- 濕蝕刻瓶頸：Cu 用硫酸-雙氧水、Ti/TiW 用雙氧水或氨水系；濕蝕刻的等向性會啃掉線路側邊與底部的 Ti，L/S 進 2/2µm→1/1µm 後造成嚴重底切（undercut），細線底部懸空倒塌、電阻不均或短路。這正是 技術_RDL SAP 路線的物理極限來源之一。
- 乾式電漿解法：BCl₃/Cl₂ 混合電漿——BCl₃ 破壞 Ti 表面緻密原生 TiO₂、Cl₂ 提供氯自由基生成揮發性 TiCl₄／WCl₆，Ar 輔助提供垂直離子轟擊。異向性佳、蝕刻剖面近垂直，undercut 趨近零。
- 產業現況：2/2µm 以下高密度 RDL 中 Ti/TiW 乾式電漿蝕刻漸成主流；業界常見最佳化為兩段式混合——濕式快速去上層厚 Cu seed ＋ 乾式精細去下層薄 Ti/TiW，兼顧吞吐與零底切。
走到 1µm 以下時，另一條路是整體改走 技術_Damascene（介電開溝→填銅→CMP），從根本免掉種子層蝕刻這一步。兩條路線的分工見 技術_RDL「三條製程路線總覽」。
關鍵廠商
以下供應商對應為 agy 網搜彙整（2026-07-26），除凌嘉（官網已驗證）外皆為中信心，待法說／官網逐項核對。
設備端
| 廠商 | 定位 | 涵蓋環節 |
|---|---|---|
| 3644_凌嘉科技（興） | 台灣乾式製程設備專家（濺鍍＋電漿蝕刻雙核心） | Plasma Desmear、Plasma Descum、Ti etching、Ti/Cu 種子層濺鍍；官網列為 RDL 應用主打 |
| 3580_友威科（櫃） | 先進封裝真空電漿＋濺鍍設備 | PP Desmear、DF/SR Descum、Ti/Cu 濺鍍（CoWoS 與載板量產實績，待核對） |
| 3131_弘塑（櫃） | 台灣濕製程設備龍頭 | 濕式 Descum、微影後清洗、種子層濕蝕刻（乾式化的被替代方／同時受惠混合方案） |
| 2467_志聖工業（市）、亞智科技（未） | 載板／面板級表面處理自動化 | 乾／濕式表面處理與電漿清潔整線 |
| PSK（韓）／SEMIgear | 全球 dry strip 與 descum 設備大廠 | 2.5D/3D 封裝（CoWoS/HBM）超低損傷 descum |
| ULVAC（日） | 真空電漿大廠 | 大尺寸基板高均勻性 desmear/descum、Ti 乾蝕刻 |
| Nordson MARCH（美） | PCB 與先進封裝 plasma 設備 | Plasma desmear / descum |
| Lam Research、AMAT | 晶圓級高階 ICP 電漿 | 頂級 2.5D/3D WLP 蝕刻與 descum |
化學品端
| 廠商 | 角色 |
|---|---|
| MKS Atotech | IC 載板濕式 desmear 藥水（Securiganth 系列）＋水平/垂直設備，產業標準制定者 |
| MacDermid Alpha（Element Solutions） | 高階載板／PCB 膨潤劑與過錳酸鉀藥水 |
| MGC、TOK、JCU | 極細線蝕刻液、有機去殘膠洗劑、顯影化學品 |
| 1773_勝一（市）、崇越、弘塑化學事業部 | 台廠先進封裝濕式蝕刻液、descum 剝離劑、高純度清洗化學品 |
投資觀察點
- 濕轉乾滲透率：每一層 RDL 都要 desmear + descum，設備需求與層數×面板面積同步放大（HDFO 面板 RDL 已從 3 層走向 9 層，見 技術_FOPLP）。
- 台廠切入位置：乾式電漿是台廠少數不必硬碰國際整機大廠的環節（凌嘉、友威科），與微影／封膜的自主化落差形成對比。
- 弘塑的雙面性：純濕式被替代是風險，但「濕去 Cu + 乾去 Ti」兩段式混合仍保留濕製程站點，需追蹤客戶實際配方選擇。
相關技術
- 技術_RDL（本製程所服務的主體）
- 技術_FOPLP（大面板放大 desmear/descum 的均勻性挑戰）
- 技術_ABF載板（SiO₂ 填料比例是乾式化的根本驅動）
- 技術_Damascene（繞過種子層蝕刻的替代路線）
- 技術_薄膜沉積（Ti/Cu 種子層濺鍍，與本製程同機台家族）
供應鏈
來源
- web_凌嘉RDL製程_官網_20260726（凌嘉科技官網「先進封裝重佈線層製程」，2026-07-26 擷取：Desmear/Descum/Ti etching/Seed layer 濺鍍能力、ESG 濕轉乾口徑、Die-First/Die-Last 流程圖）
- agy 網搜（2026-07-26）：desmear vs descum 定義與流程位置、過錳酸鉀 vs CF₄/O₂ 電漿優缺點、BCl₃/Cl₂ 去 Ti/TiW 機制、兩段式混合方案、國際與台廠供應商名單——中信心，未取得可驗證來源連結，數字與廠商實績待核對