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原文兩張製程流程圖已下載存檔於 data_base/attachment/凌嘉_RDL_DieFirst_ABF流程.jpg、凌嘉_RDL_DieLast流程.jpg（© 凌嘉科技官網，圖上有 LINCOTEC 浮水印），已逐張 Read 驗證，清單見文末。
先進封裝重佈線層製程
Redistribution Layer Process for Advanced Packaging
以先進半導體製程技術製造出的「已知良好裸晶（Know Good Die；KGD）」，通常擁有較高的線路密度，而必須藉由扇出（Fan out）的方式將線路接點（I/O Pad）自裸晶表面的狹小區域向外重新佈置，以利後續的晶片裝配。
重分佈線層（Redistribution Layer；RDL）即是利用晶圓等級的金屬佈線技術將線路接點外引至晶片外，同時達到更薄的封裝厚度及更優異的電性表現。
應用說明
隨著微縮技術的進步及晶片功能的複雜化，以先進半導體製程技術製造出的「已知良好裸晶（Know Good Die；KGD）」，因具有極高的電晶體密度及線路密度，而無法在裸晶的面積之內容納所有的接腳，必須藉由扇出（Fan out）的方式將線路接點（I/O Pad）自裸晶表面向外重新佈置，藉此符合封裝和其他電路的要求。
而將金屬線路接點外引的技術，即泛稱為重佈線層（Redistribution Layer；RDL）技術。於應用上又可依線寬間距（Line/Space；L/S）進一步分為：（1）晶圓廠的超細線路應用；（2）先進封裝廠的細線路應用；及（3）先進載板廠的細線路應用。
於不同的應用中，會採用不同製程解決方案來完成金屬導線的製作，例如利用光罩以曝光、顯影、蝕刻的方式製造出超細線路，或者是使用雷射光刻配合清潔、濺鍍金屬種子層、電鍍增厚金屬層、蝕刻去除金屬種子層的方式於基材上製造出金屬細線路。前者可達成超細線路的應用但設備成本較高而多見於晶圓廠，後者則通常用於封裝廠或載板廠。
進一步在ESG的政策響應下，後者也逐步從濕式製程轉換至乾式製程，例如基材的清潔方式改以乾式的電漿蝕刻清潔；而蝕刻去除種子層的方式，也從利用藥水的濕式製程逐步朝向以乾式電漿蝕刻的方式將其去除，藉此達到低材料消耗、低環境污染和簡單的後處理工序目的。
以下圖示說明先進封裝廠以ABF（Ajinomoto Build-up Film）作為基材時的Die-First／Face-up重佈線層製程：
前述的Die Fisrt製程由於是直接先放置KGD之後，再對其進行重佈線。但這樣的製程可能因製程良率的風險而導致KGD的損壞，因此尚有另一種先完成RDL之後，再將KGD附著上去的Die-last製程，如下圖所示。雖然相較於Die-first製程，此方式需先以Carrier當作臨時的載體，再至將其移除後於同側附著錫球，製程步驟略為複雜，但能有效避免KGD的損失。
對此，凌嘉科技有自主的智慧財產權，能協同客戶進行製程開發及實驗驗證，尤其於重佈線層製程應用中，對於Desmear、Descum、Ti etching、Seel layer濺鍍…等技術有豐富的製程開發經驗，除了可以提供研發階段於不同製程配方下的打樣服務之外，亦擁有合格且高精密度的實驗室能進行樣品的測試。
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凌嘉特色
專注於Sputter及Etching技術，掌握RDL的關鍵能力
提供Desmear、Descum、Ti etching等蝕刻製程設備。
提供Ti/Cu Seed layer等薄膜濺鍍製程設備。
提供高功率、高密度電漿，能達成優異蝕刻率及均勻性。
低製程溫度。以優異的溫控能力，避免對待鍍物造成傷害。
極佳的選擇性異質蝕刻能力，針對不同材料選擇性蝕刻。
優異的薄膜附著力及均勻性，具有高再現性。Low Rc。
優異的非等向蝕刻能力，適合微小孔、溝槽、細線路蝕刻。
擁有多件關鍵製程專利，能有效提高鍍膜均勻度及產能。
擁有實驗室，能進行多種物理或成份特性測試。
提供產品打樣及專業技術諮詢，縮短交機後的上線時程。
實績
圖片清單（已驗證 2026-07-26）
| 檔名 | size | 分類 | 親眼所見內容 |
|---|---|---|---|
凌嘉_RDL_DieFirst_ABF流程.jpg |
77KB | 真資料圖 | 凌嘉 Die-First／Face-up（ABF 為介電基材）RDL 流程剖面圖，兩欄由上而下：Carrier + Release film 上並排 KGD 與 EMC → 放大圖 A（KGD 的 Al/Cu Pad、Passive、EMC）→ ABF Vacuum Lamination → Laser Drilling (Via) ＋★Desmear by Dry Etching → ★PVD Sputtering Ti/Cu Seed Layer → Dry Film Lamination →（右欄）Laser Drilling → Cu Plating → Dry Film Removal / Seed Layer Etching → Repeat for Multilayer Build-up → Solder Ball Mounting → 最終切單封裝體。圖上兩處★藍字標記為凌嘉設備切入點 |
凌嘉_RDL_DieLast流程.jpg |
45KB | 真資料圖 | 凌嘉 Die-Last RDL 流程剖面圖四步：Carrier → RDL on Carrier With Plasma Etching / Sputtering → Die Assembly（KGD 面朝下貼上已完成的 RDL）→ Molding（EMC 包覆）→ Carrier Removal / Solder Ball Mounting（同側植球） |