基本資料
柏騰科技（TWSE 3518，2007-11-28 上市）主要產品為真空濺鍍（PVD）與碳化矽（SiC）材料兩大類，公司自評為台灣乃至全球少數同時擁有 SiC 材料與 PVD 製程的公司。近兩年產品研發資源逐漸傾向先進製程及第三代半導體材料，特別是碳化矽；SiC 產品目前營收佔比仍偏低，既有主力業務仍為 NB 用 EMI（電磁遮蔽）鍍膜服務。
據點布局：桃園廠聚焦 PVD 先進製程開發及小量生產（支援半導體限定製程）；嘉義廠專注 SiC 基板產品，涵蓋長晶、晶圓加工到基板加工完整製程（長晶設備已自南崁廠移至嘉義廠）；中國僅存南京、內江兩據點，提供既有 NB 用 EMI 鍍膜服務，PVD 產線已陸續移回台灣。2024 年通過處分蘇州子公司柏騰光電，2026Q1 完成處分並全數收回交易款項，改善財務結構。
2022 年訂購晶成材料設備正式踏入第三代半導體生產技術；2025 年起投入大量資源於 SiC 散熱基板 / 種子層等先進材料鍍膜技術開發。
核心技術／競爭優勢
- SiC + PVD 雙技術平台：同時具備碳化矽材料（長晶、基板加工）與 PVD 濺鍍製程，可將兩項技術結合應用於客戶次世代先進產品開發（如 IDEAL 製程佈線路及種子層製作）。
- 全製程基板加工能力：從晶圓加工到基板加工的完整生產製程，在碳化矽應用無標準品（客戶規格、表面平整度、厚度皆不同）的市場中具開發彈性。
- 附加價值提升策略：面對材料端價格競爭，透過製程整合、表面處理及 PVD 鍍膜提升產品附加價值與毛利率韌性。
- 8 吋轉型布局：導電型 SiC 產品已聚焦 8 吋並開始小量批量出貨，先於部分同業卡位 8 吋成本優勢。
產品與應用
| 產品 / 服務 | 應用 | 觀察重點 |
|---|---|---|
| SiC 導電型基板 | 車用逆變器、高功率元件、智慧家電、AI 電源管理 | 8 吋量產進度、客戶批量驗證 |
| SiC 高純半絕緣型基板（散熱） | 先進封裝散熱基板 / 中介層、AI 處理器散熱 | 2024 年起投入，指標客戶產品驗證已通過，待批量驗證 |
| PVD 真空濺鍍（EMI 鍍膜） | NB 電磁遮蔽 | 既有主力業務，中國 NB 市場需求疲弱、營收佔比預期下滑 |
| PVD 先進製程（TGV / SiCV / ABF 載板） | 玻璃通孔、碳化矽鑽孔鍍膜、IC 載板、矽光子材料鍍膜（鈦銅種子層、特殊散熱膜） | 技術開發階段，配合客戶次世代產品 |
圖片 / 架構圖
flowchart LR
B[3518 柏騰] --> SIC[SiC 材料<br>長晶/基板加工]
B --> PVD[PVD 濺鍍]
SIC --> COND[導電型<br>車用/高功率元件/AI電源管理]
SIC --> SEMI[高純半絕緣型<br>散熱基板/先進封裝中介層]
PVD --> EMI[NB EMI鍍膜<br>既有主力業務]
PVD --> ADV[先進製程<br>TGV/SiCV/ABF載板]
SIC -.結合.-> PVD
圖說：柏騰以 SiC 材料（長晶＋基板加工）與 PVD 濺鍍為兩大技術平台，兩者可結合應用於客戶先進製程開發；既有 EMI 鍍膜為現金流來源，SiC 與 PVD 先進製程為未來成長線。
財測假設
| 來源（日期） | 模型 / 推導鏈 | 關鍵假設 | 產出 |
|---|---|---|---|
| 公司 guidance（2026-07-08 法說） | 嘉義新廠產能爬坡規劃 | 2027Q1 全面量產、2027Q2 達第一階段規劃、2028H2 新廠全開 | 月產能 2027Q1 約 1,200 片 → 2027Q2 目標 3,000 片 → 2028H2 目標 6,000 片 |
| 公司 guidance（2026-07-08 法說） | 2026Q1 實績 | 中國 EMI 業務下滑 + 新廠裝機調試成本增加 | 合併收入 QoQ / YoY -12–14%；毛利率自 2025Q4 起下滑 |
| 公司 guidance（2026-07-08 法說） | SiC 出貨比例目標 | 2026H2 一目標客戶小量試產（工廠產能僅能運作一半） | 2026H2 SiC 出貨比例目標 5–10% |
目標價與評等
尚無券商目標價與評等資料，待補。
時間軸
| 時間 | 事件 | 類型 | 重要性 | 備註 |
|---|---|---|---|---|
| 2025Q4 | 嘉義新廠工程完工 | 擴廠 | ⭐⭐ | 活動_柏騰3518_法說memo_20260708 |
| 2026Q1 | 完成處分蘇州子公司柏騰光電，交易款項全數收回 | 公司事件 | ⭐⭐ | 改善財務結構，負債比 37.66% → 30.28% |
| 2026Q3 | 長晶設備完成南崁 → 嘉義廠產能移轉（9 月底前） | 擴廠 | ⭐⭐ | 目標 9 月起嘉義廠正式進行長晶製程 |
| 2026Q4 | 目標取得工廠登記證；環評 / 廢水排放許可審核中 | 法規 | ⭐⭐⭐ | 取得後 CMP 及後段加工才能投入量產，為量產延遲主因 |
| 2026H2 | SiC 導電型 8 吋小批量出貨；散熱基板小批量市場驗證 | 放量 | ⭐⭐ | 配合國外客戶批量驗證 |
| 2027Q1 | 嘉義新廠全面量產起始，月產能約 1,200 片 | 放量 | ⭐⭐⭐ | 原時程延遲後的新目標點 |
| 2027Q2 | 第一階段規劃月產能達 3,000 片 | 放量 | ⭐⭐⭐ | |
| 2027H1 | 散熱基板機板加工 / 散熱機緣服務開始 | 新產品 | ⭐⭐ | 需待登記證取得及後段製程調試完成 |
| 2028H2 | 新廠產能全開，月產能達 6,000 片；規劃第二期擴產 | 放量 | ⭐⭐⭐ |
→ 跨公司比較詳見 時程_2026_功率半導體
供應鏈位置
- 所屬供應鏈：供應鏈_SiC碳化矽、技術_碳化矽SiC
- 角色：SiC 晶錠 / 基板環節（長晶 + 基板加工），並具 PVD 薄膜沉積能力；與 6930_盛新材料（未）、6488_環球晶圓（市） 同屬基板 / 材料環節，與 3016_嘉晶（市）（磊晶）、3707_漢磊（櫃）（製程平台）分處不同技術分層。
- 尚未確認具名下游客戶（法說僅稱「國內指標客戶」「國外大型指標客戶」，未揭露名稱）。
觀察指標
| 指標 | 觀察重點 |
|---|---|
| 工廠登記證取得進度 | 是否如期 2026Q4 取得，決定量產是否延續延遲 |
| 嘉義新廠月產能爬坡 | 2027Q1 1,200 片 → 2027Q2 3,000 片是否如期達成 |
| SiC 出貨佔比 | 2026H2 目標 5–10% 是否兌現 |
| 指標客戶批量驗證 | 導電型（國外客戶）與散熱基板（國內客戶待其海外客戶技術驗證）批量驗證時點 |
| EMI 既有業務 | 中國 NB 市場衰退是否加速拖累整體營收 |
| 毛利率爬坡影響 | 新廠折舊 / 產能爬坡期間毛利率承壓幅度 |
風險與注意事項
- 全面量產時程已延遲一次（延至 2027Q1），工廠登記證與環評 / 廢水排放許可仍在審核中，存在再度延遲風險。
- SiC 客戶多為未具名之「指標客戶」，批量驗證進度與訂單能見度尚待公開資訊佐證。
- 既有 NB / EMI 業務 2026H2 展望不樂觀，可能拖累整體營收與獲利，過渡期需仰賴委外加工滿足客戶訂單。
- 新廠折舊與產能爬坡期間毛利率預期承壓，2026–2027 年獲利表現需留意成本壓力與稼動率的拉鋸。
來源
- 活動_柏騰3518_法說memo_20260708 — 2026Q1 法說會（2026-07-08，台灣證券交易所）：財務數字、嘉義 SiC 新廠進度、產能規劃、產品驗證與 Q&A。
- 公開資訊觀測站 / 證交所公司基本資料查證：柏騰科技，股票代號 3518，2007-11-28 上市（agy 查證 2026-07-08）。