3707_漢磊（櫃） — Stock LLM Wiki

基本資料

漢磊是漢民集團旗下功率半導體與化合物半導體製程平台廠，定位偏「SiC foundry / 製程平台」，不是上游基板廠，也不是最終模組品牌。公司 SiC 投資重點在 SiC MOSFET / SBD 製程平台、客戶元件製程開發、可靠度驗證與量產代工能力。

公司公開新聞稿指出，漢磊 2024 年推出碳化矽第三代平面型 MOSFET G3 技術平台，並稱平台已通過國際客戶可靠度測試；客戶端 1200V 產品通過車用規範 1320V / 175C junction temperature over stress。G3 相較 G2 降低元件面積約 40%、改善導通電阻 Ronsp 約 30%。投資判讀上，這代表漢磊可被放在「SiC MOSFET 製程平台升級、國際 IDM / fabless 客戶導入」的觀察位置。

集團關係上，3016_嘉晶（市）負責磊晶晶圓 / 化合物半導體材料，漢磊負責下游晶圓製程平台；7856_漢測（興）則是漢民集團測試服務與探針卡相關公司。三者共同構成漢民集團在材料、製程與測試服務的半導體版圖。

核心技術／競爭優勢

SiC MOSFET 製程平台：G3 平面型 MOSFET 平台已對客戶開放，官方稱可縮小晶片尺寸並降低 Rdson / Ronsp，對應高壓、高效率功率轉換需求。
化合物半導體量產經驗：官方新聞稿稱深耕化合物半導體技術與量產已長達 10 年，定位偏專注化合物半導體代工服務。
台灣分工型 SiC 鏈核心製程段：上游可接 6930_盛新材料（未） / 3016_嘉晶（市）的基板與磊晶映射，下游對應 SiC diode、MOSFET、模組與測試薄化。
8 吋 SiC 策略合作題材：媒體與既有研究頁將 5347_世界先進（櫃）列為漢磊 8 吋 SiC 策略合作 / 私募參與者；寫法應維持「合作建置與認證觀察」，不可直接寫成世界先進或漢磊已大量量產 8 吋 SiC。

產品與應用

產品 / 平台	技術定位	應用	觀察重點
SiC G3 平面型 MOSFET 平台	1200V 等級高壓功率元件製程平台	EV 車用模組、儲能、太陽能逆變器、AI 高效能算力伺服器電源	客戶可靠度驗證、量產導入、平台世代升級
SiC SBD / MOSFET 製程代工	以客戶設計 / 規格導入晶圓製程	充電樁、OBC、工業電源、SST / HVDC 前段高壓轉換	產能利用率、客戶組合、良率與成本
8 吋 SiC 合作線	從 6 吋往 8 吋升級的製程與產能合作	中長期高壓功率元件降本	2026H2 之後客戶驗證 / 試產進度

SiC 供應鏈位置

環節	內容	說明
製程平台	SiC MOSFET / SBD	對客戶開放 SiC G3 平面型 MOSFET 技術平台
應用	太陽能逆變器、儲能、EV 模組、AI 高效能算力伺服器電源	公司新聞稿列示應用方向
8 吋策略合作	與 5347_世界先進（櫃）推動 8 吋 SiC	媒體報導與私募 / 策略合作資料可支持「合作建置 / 認證觀察」，不寫成已大量量產
上游	SiC 基板 / 磊晶	可與 6930_盛新材料（未）、3016_嘉晶（市）形成台灣映射

graph LR
  GS["[[6930_盛新材料（未）]]<br/>SiC晶錠 / 基板"] --> EPI["[[3016_嘉晶（市）]]<br/>SiC / GaN磊晶"]
  EPI --> EI["[[3707_漢磊（櫃）]]<br/>SiC MOSFET / SBD製程平台"]
  VIS["[[5347_世界先進（櫃）]]<br/>8吋策略合作觀察"] -.-> EI
  EI --> DEV["SiC元件 / 模組客戶"]
  DEV --> APP["EV / 儲能 / 太陽能 / AI資料中心電源"]

圖說：漢磊在台灣 SiC 供應鏈中位於「磊晶之後、元件 / 模組之前」的晶圓製程平台段；世界先進屬 8 吋 SiC 合作觀察，不宜寫成其自身已量產 SiC。

時間軸

時間	事件	類型	重要性	備註
2024-07-01	漢磊推出 SiC G3 平面型 MOSFET 技術平台	技術平台	⭐⭐⭐	官方新聞稿稱通過國際客戶可靠度測試
2024-09-12	媒體報導漢磊與世界先進推動 8 吋 SiC	策略合作	⭐⭐⭐	可列為 8 吋 SiC 認證觀察，不寫成大量量產
2026H2	8 吋 SiC 合作是否進入客戶驗證 / 試產	觀察點	⭐⭐⭐	來自既有分析頁的追蹤假設，需後續法說或公告驗證

關鍵 Claim

Claim	類型	來源	日期	信心
推出 SiC G3 平面型 MOSFET 技術平台，G3 相較 G2 降低元件面積、改善 Ronsp	company_material	漢磊新聞稿	2024-07-01	高
SiC 應用可延伸至太陽能、儲能、EV 與 AI 高效能算力伺服器	company_material	同上	2024-07-01	中高
漢磊與世界先進合作推動 8 吋 SiC，2026 下半年量產認證屬觀察重點	media_report / company_action	工商時報	2024-09-12	中
受惠 NVIDIA / 800V HVDC	market_observation	需另查客戶或法說，不在此寫成官方供應	待補	低-中

投資觀察

看技術平台轉訂單：G3 平台是否從可靠度測試進入客戶產品量產，是比單純發表平台更重要的節點。
看 8 吋 SiC 進度：8 吋化能降低單位成本，但基板品質、外延均勻性、implant / anneal、gate oxide reliability、edge yield 都會變難；漢磊 × 世界先進的合作重點在良率與客戶認證。
看應用組合：EV、儲能、太陽能逆變器是既有高壓應用；AI 資料中心電源、HVDC / SST 是增量敘事，但仍需區分官方可證事實與法人 / 市場觀察。
看台灣 SiC 分工是否成鏈：3016_嘉晶（市）、漢磊、2342_茂矽（市）、2481_強茂（市）、5425_台半（櫃）、8162_微矽電子（創）各占一段，尚未等同國際 IDM 的垂直整合。
功率半導體漲價＋去中化轉單：2026 起國際 IDM 啟動功率元件漲價循環，並將產能轉向 SiC，釋出化合物功率元件晶圓代工缺口；漢磊具化合物功率元件晶圓代工平台的受惠定位。詳見分析_功率半導體漲價循環與去中化轉單_福邦_20260624、技術_功率半導體。

公司	關係	說明
3016_嘉晶（市）	上游 / 同集團磊晶映射	SiC / GaN epitaxy
6930_盛新材料（未）	上游基板	SiC 晶錠 / 基板供應觀察
8121_越峰（櫃）	上游材料相鄰	SiC 粉體 / 燒結體材料觀察
2342_茂矽（市）	同業 / SiC 代工觀察	6 吋 SiC 製程平台建置
2481_強茂（市）	下游元件映射	SiC diode / 功率元件
5347_世界先進（櫃）	策略合作 / 私募參與	8 吋 SiC 產能建置與認證觀察
8162_微矽電子（創）	後段 / 測試薄化映射	GaN / SiC、MOSFET、IGBT 測試與 turn-key 後段服務觀察
7856_漢測（興）	集團 / 測試相鄰	漢民集團測試服務與探針卡相關公司

風險與邊界

不把「AI 伺服器電源可應用」直接寫成已切入 NVIDIA / CSP 供應鏈；目前需客戶或法說驗證。
不把「8 吋 SiC 合作」寫成已大規模量產；應追蹤試產、認證、良率與客戶產品時程。
SiC 需求受 EV、儲能、太陽能與資料中心電源週期影響；若 EV / 儲能放緩，平台轉量產速度可能延後。
台灣 SiC 供應鏈偏分工型，缺乏國際 IDM 垂直整合優勢，需看客戶是否願意採用委外製程平台。

漢磊