基本資料
微矽電子是半導體後段服務商，主力在晶圓測試（CP）、成品測試（FT）、晶圓薄化、鍍膜、切割、挑揀、探針卡製作與維修。SiC 供應鏈中，微矽不是元件設計公司，而是功率半導體測試與後段 turn-key 服務商。
公司主要廠區：竹南廠（四樓近期擴建五塊區域，專供矽基（Si）功率模組）、竹東廠（負責成品測試與第三代半導體 SiC / GaN 測試驗證）。2026 年起自原本以 Die 測試為主，新切入「功率模組」封裝測試與矽電容（IPD）後段封測兩大利基新業務，營運重心由消費性電子轉向 AI 伺服器、HPC、機器人（EPC）、電動機車與車用等高毛利、高成長應用（活動_8162_微矽電子_法說memo_20260617）。
三大主軸
① 第三代半導體（SiC / GaN）測試：最大客戶產品調整後落底回溫，受惠 AI 伺服器；3300V SiC 工程驗證中（現主流 1200V、部分 1700V）。② 矽（Si）功率模組：將 IC 與被動元件封裝成極小體積、拉高功率密度，服務 Fabless 功率設計公司的利基代工。③ 矽電容（IPD）後段封測：以超薄晶圓處理優勢搶日系客戶訂單，後段切割 / 捲帶為產能瓶頸與成長關鍵。
成長動能／催化劑
1. 矽電容（IPD）後段封測
矽電容（IPD）為微矽最受期待的成長動能。公司憑超薄晶圓處理基礎，可滿足 IPD 超薄、超小顆粒的切割與捲帶需求（日系客戶現行約 100µm、最薄規劃至 20µm 等級；memo 原文單位記為 Mbps，研判為 µm 厚度，待核對）。已掌握日系客戶下半年至明年放量規劃：某日系客戶 2026 年 6 月約 800 萬顆 IPD、明年單一產品暫估約 1,000 萬顆；另一家進度較快的半導體體系客戶已推進第二顆產品、8 月驗證第三顆。瓶頸在後段——矽電容單片晶圓顆粒極大（8 吋 / 12 吋單片可達 9 萬多顆），切割與捲帶產能將是關鍵（活動_8162_微矽電子_法說memo_20260617）。詳見 技術_矽電容。
2. 矽（Si）功率模組
2026 年新切入業務，將 IC 與被動元件（電阻、電感）封裝成極小體積以大幅提高功率密度，主要服務缺乏自建封測廠的 Fabless 功率半導體設計公司。市場定位避開 IDM 自有封測與大廠，專攻技術門檻較高、規模利基的客製化封測。與 8255_朋程（櫃） 的車用 SiC 功率模組不同，微矽做的是 Si-based 功率模組。
3. Navitas 高階轉型與非中轉單
美系客戶 Navitas（併購 GeneSiC 跨入碳化矽）放棄中小型市場、轉攻高瓦數 PSU 與 AI 伺服器，進度快、爆發力強。其在台積電包下大量產能、排程至 2027 年 7 月（台積電屆時結束相關製程），後續轉 5347_世界先進（櫃） 投產，相關量微矽皆掌握並在驗證中。此外 China+1 與地緣政治（如揚傑科技遭限制）帶動非中供應鏈轉單，客戶傾向建立兩套標準供應鏈以避免斷鏈，即使成本較高（活動_8162_微矽電子_法說memo_20260617）。
2026-07-02 法說 QA：財務指引與三大新業務量化
財務指引：1Q26 因淡季、稼動率低與材料成本上漲，毛利率僅 18%，預期 2Q26 回升至 30%；折舊約佔總成本 20%、營業費用率 14-16%、稅率 <20%。月營收站穩 1 億元應無問題；Q3 比 Q2 略好、Q4 淡季但優於去年，全年 15-20% 成長有機會。Q1 產品占比：電源管理 49%、MOSFET 40%、第三代半導體 6%、封裝 5%。Q3 轉一般板上市。2027 切入的矽電容、功率模組測試、Taiko 超薄晶圓薄化 GM 皆 >30%（高於全公司平均），矽電容明年有機會挑戰營收 10%。
矽電容（vs MLCC 優勢：耐熱可貼近晶片、濾雜訊佳、體積小）： - 客戶為太陽誘電與 Rohm，用於光模塊；愛普開發進度偏慢、還沒有訂單。 - 產能 3,500 萬顆/月（與 IC 類產品共用、未滿載）；新設備 10-11 月交機 +2,000 萬顆（總產能 5,500 萬）；27Q3/4 預計再擴 2,000 萬顆；惟明年營收貢獻先以 3,000-4,000 萬顆/月估算（ramp 不會那麼快，3,500 萬也要保留給 IC）。一台設備即可貢獻 2,000 萬顆/月。 - Rohm FCST 今年下半年起到明年月產能 Double，前端晶圓下給力積電；太陽誘電近期才剛開始工程驗證。8 吋晶圓單片可切 9 萬多顆；日本良率要求基本結構 95% up、複雜結構 90%。 - 收費兩段（營收比約 3:5）：晶圓端以「片」計價（測試/研磨/切割）、顆粒端以「顆」計價（WLCSP-DPS 卷帶封裝）。 - 三星矽電容下給華邦投片，後段測試封裝拿回三星自做。
晶圓薄化（漲價中）： - MOSFET 業務中薄化:測試營收比約 2:1；一般薄化滿載，35,000 → 40,000 片/月（年底交機、明年貢獻）。 - 新導入 Taiko 製程（50µm 超薄晶圓）：8,000 片/月產能，Disco 設備單台約 2,500 萬，下半年交機、4Q26 開始貢獻（保守先估 4,000 片）；單價約一般製程（750-1,500、平均 900）的 1.5 倍、毛利率較佳。 - 漲價：5 月平均 +10%，7 月第二波針對不同產品 +10-15%。 - 超薄晶圓（<100µm）運送易破片 → 客戶 50% 以上（富鼎、尼克森（QA 原文「妮可森」，推測為 3317）、台半等）採「薄化+測試」一站式；與升陽半客群不同（升陽半多 IDM、主要瑞薩）。
第三代半導體（GaN/SiC）： - Navitas 退出消費性轉高功率（AI 伺服器）後訂單回流，2026 逐季提升；台積電 2027 年 7 月退出 6 吋 GaN 代工，Navitas 目前月投片 1,500-2,000 片、提前在台積拉貨建庫存，後續代工轉移至力積電與 GF——GF 有產地優勢（免關稅+美國補助）開發進度快，力積電很不積極。台積以外都是 8 吋，1 片約 2,500 顆、測試約 3hr、計費 1,000-1,500/hr。 - EPC 受惠機器狗、無人機與資料中心需求，有切入 Optimus 與無人機；晶圓在漢磊投片。 - 矽力-KY：大宗 PMIC 用中國供應鏈；GaN 因高階終端客戶要求非中，低調透過台灣供應鏈開發，工程驗證階段下給聯電。 - 世界先進：GaN 業務自己統包接單，但不專做後段測試 → 部分測試外包給微矽；其自研 GaN on QST 基板因成本太貴難打開市場，受惠台積電將技術移轉給世界先進/GF/力積電，未來朝 GaN on Silicon 路線發展機會較大。
更新 / 衝突（vs 2026-06-17 法說 memo）
- Navitas 後續代工廠：6/17 memo 記「台積電排程結束後轉世界先進投產」；7/2 QA 記「轉移至力積電與 GF」（且力積電不積極）。兩說並列，待後續法說確認。
- 愛普 IPD：6/17 記「愛普積極投入、微矽已開始驗證」；7/2 QA 明示「愛普開發進度偏慢、還沒有訂單」——以新說為準。
功率模組測試（美系 IC 設計客戶，AI 伺服器）：負責 FT 與 Burn-in、GM >30%；為此建置 Class 10000 無塵室，第一台設備裝機調試中、初步規劃擴至 8 台（Burn-in 耗時數小時、客製化程度高導入需時間）。Burn-in 設備單台 2-3,000 萬台幣、向中國設備商採購（速度與品質已有相當水準、交期約 6 個月；致茂品質不錯但貴）；FT 由現有機台改裝支援。
產品與應用
| 產品 / 服務 | 內容 | 應用 |
|---|---|---|
| 第三代半導體測試 | SiC / GaN 晶圓與成品測試、驗證（3300V 工程驗證中） | AI 伺服器、車用、PSU |
| 矽電容（IPD）後段封測 | 超薄晶圓薄化、切割、挑揀、捲帶 | AI 加速器封裝內去耦 / 供電 |
| 矽（Si）功率模組 | IC + 被動元件封裝成高功率密度模組 | AI 伺服器、HPC、機器人（EPC）、電動機車 |
| MOSFET / PMIC 測試 | 功率元件測試（並測技術壓縮測試時間） | AI 伺服器、消費 / 工控 |
| 晶圓薄化 / Turn-key 後段 | CP / FT / 薄化 / 鍍膜 / 切割 / 挑揀 | 功率與第三代半導體 |
產能
| 項目 | 現況 | 擴張 |
|---|---|---|
| IPD 捲帶極限產能 | 約 3,500 萬顆 / 月 | 11 月新設備進廠後 +1,500–2,000 萬顆 / 月；解鎖 400層200 等更小晶粒 |
| 廠區 | 竹南四樓五塊區域（功率模組）、竹東（成品 + 第三代半導體測試） | — |
| 設備交期 | 8–10 個月（長交期） | 視日系 IPD 客戶下半年下單量，年底前規劃明年採購 |
稼動率：1Q26 偏低 → 2Q26 估回升至 70–80% → 3Q26 全年高峰（有機會 80% 以上，惟擴產使分母變大不保證突破）→ 4Q26 受 AI 伺服器、薄片比例提升與非中轉單支撐，預期不再如去年跳水。
時間軸
| 時間 | 事件 | 類型 | 重要性 | 備註 |
|---|---|---|---|---|
| 2026-06 | TiGo 新製程設備交機（高端 MOSFET），下半年起貢獻 | 產能 | ⭐⭐ | 原訂延至 6 月交機 |
| 2026-06 | 某日系 IPD 客戶月產約 800 萬顆 | 放量起點 | ⭐⭐⭐ | 明年單一產品暫估 ~1,000 萬顆 |
| 2026-08 | 進度較快日系客戶驗證第三顆 IPD 產品 | 驗證 | ⭐⭐ | 已過第二顆 |
| 2026-11 | IPD 後段新設備進廠，+1,500–2,000 萬顆 / 月 | 放量加速 | ⭐⭐⭐ | 解鎖更小微型晶粒（400層200） |
| 2H26 | 稼動率回升、3Q 全年高峰、4Q 具支撐 | 營運 | ⭐⭐⭐ | 非中轉單 + AI 伺服器需求 |
| 2027-07 | Navitas 台積電排程量結束、轉世界先進投產 | 供應鏈 | ⭐⭐ | 相關量微矽驗證中；⚠️ 7/2 QA 改稱轉力積電與 GF，兩說並列 |
| 2026Q3 | 由創新板轉一般板上市 | 上市 | ⭐⭐ | 7/2 法說 QA |
| 2026-05 / 07 | 薄化漲價兩波：5 月 +10%、7 月 +10-15% | 定價 | ⭐⭐ | 7/2 法說 QA |
| 4Q26 | Taiko 超薄製程（50µm）開始貢獻（先估 4,000 片/月） | 放量 | ⭐⭐ | 單價 1.5x、Disco 設備下半年交機 |
| 2026-10~11 | 矽電容新設備交機 +2,000 萬顆/月（總 5,500 萬） | 擴產 | ⭐⭐⭐ | Rohm 下半年起月產能 Double |
| 27Q3/4 | 矽電容再擴 2,000 萬顆/月 | 擴產 | ⭐⭐ | 7/2 法說 QA |
觀察指標
| 指標 | 觀察重點 |
|---|---|
| IPD 日系客戶下單量 | 6 月 800 萬顆能否延續、明年量能與設備採購決策 |
| 後段切割 / 捲帶產能 | 11 月新設備到位後實際月產提升幅度 |
| 稼動率 | 2Q 70–80%、3Q 是否站上 80% |
| Navitas / 世界先進驗證 | 高瓦數 PSU / SiC 量產導入進度 |
| 非中轉單 | China+1 兩套供應鏈帶來的轉單持續性 |
SiC / GaN 相關
| 服務 | 對應需求 |
|---|---|
| 晶圓測試 / 成品測試 | MOSFET、IGBT、車用 diode、GaN、SiC |
| 晶圓薄化 / 背金屬 | 降低導通阻值、改善散熱與功率密度 |
| 探針卡 / 測試治具 | 高壓功率元件測試 |
| Turn-key 後段 | CP、FT、BGBM、FSM、切割、挑揀 |
關鍵 Claim
| Claim | 類型 | 來源 | 日期 | 信心 |
|---|---|---|---|---|
| 可提供 GaN / SiC、MOSFET、IGBT 等晶圓與成品測試服務 | company / media | 微矽官網、東森財經 | 待補 | 中高 |
| 憑晶圓薄化切入功率半導體與第三代半導體後段 | media_report | 聯合新聞網 | 待補 | 中 |
| 經多年與第三代半導體客戶合作開發驗證，已取得國內外多家 GaN / SiC 客戶採用 | company_material | 2024-01-22 上市前業績發表會 | 2024-01-22 | 中高 |
| 2026 法說提到主力 GaN 客戶轉型退出消費性市場、轉向高功率應用 | company_material | 2026-03-20 法說簡報 | 2026-03-20 | 中 |
| Infineon / Navitas 是微矽客戶 | unconfirmed | 微矽官方簡報只在 NVIDIA 800VDC 市場應用頁列 Infineon / Navitas 為 NVIDIA 800VDC 半導體合作夥伴，未明確列為微矽客戶 | 待補 | 低 |
| 2026 年新切入矽電容（IPD）後段封測與 Si 功率模組兩大利基業務 | company | 活動_8162_微矽電子_法說memo_20260617 | 2026-06-17 | 高 |
| 某日系 IPD 客戶 6 月約 800 萬顆、明年單一產品暫估 ~1,000 萬顆；另一家 8 月驗第三顆 | company | 活動_8162_微矽電子_法說memo_20260617 | 2026-06-17 | 中高 |
| IPD 捲帶極限產能約 3,500 萬顆/月，11 月新設備 +1,500–2,000 萬顆/月 | company | 活動_8162_微矽電子_法說memo_20260617 | 2026-06-17 | 高 |
| Navitas 台積電排程量至 2027/7、後轉世界先進投產，相關量微矽驗證中 | company | 活動_8162_微矽電子_法說memo_20260617 | 2026-06-17 | 中 |
| 稼動率 2Q26 估 70–80%、3Q26 全年高峰；4Q 不再如去年跳水 | company | 活動_8162_微矽電子_法說memo_20260617 | 2026-06-17 | 中高 |
| 薄片製作能力 IPD 約 100、最薄 20 等級（memo 單位記為 Mbps，研判為 µm 晶圓厚度） | company | 活動_8162_微矽電子_法說memo_20260617 | 2026-06-17 | 中（待核對） |
客戶查核
| 名稱 | 是否可寫成微矽客戶 | 查核結果 |
|---|---|---|
| Infineon | 否，暫不寫成確認客戶 | 微矽 2026-03-20 法說第 34 頁列為「NVIDIA 800VDC 半導體合作夥伴」，屬產業鏈 / 終端架構說明，不是微矽客戶揭露。 |
| Navitas / NVTS | 否，暫不寫成確認客戶 | 微矽 2025-08-11 與 2026-03-20 法說多處引用 Navitas 圖片與 800V / GaN-SiC 架構，但未明確揭露 Navitas 為微矽客戶。 |
| 國內外多家 GaN / SiC 客戶 | 可以寫，但需保持匿名 | 2024 上市前業績發表會明確寫「國內外多家氮化鎵(GaN)與碳化矽(SiC)客戶採用」，但未列公司名。 |
相關公司
| 公司 | 關係 | 說明 |
|---|---|---|
| 2481_強茂（市） | 潛在客戶類型 / 元件端映射 | SiC diode / 功率元件 |
| 5425_台半（櫃） | 潛在客戶類型 / 元件端映射 | SiC diode / 功率元件 |
| 3707_漢磊（櫃） | 前段製程映射 | SiC 製程平台 |
| Infineon | 產業鏈對照 / 待確認客戶 | 微矽法說將其列為 NVIDIA 800VDC 半導體合作夥伴，不等於微矽客戶 |
| Navitas Semiconductor | 產業鏈對照 / 待確認客戶 | 微矽法說引用其 800V / GaN-SiC 架構圖，不等於微矽客戶；2026-06 私訪揭露其台積電排程量至 2027/7、轉世界先進投產之相關量「在微矽驗證中」（信心中） |
| 6531_愛普（市） | 矽電容（IPD）潛在客戶 / 同題材 | 愛普積極投入 IPD，微矽已開始驗證；力積電亦積極切入 |
| 6770_力積電（市） | IPD 晶圓代工端 | 日系 IPD 客戶多在力積電投片，微矽承接後段切割 / 捲帶封測 |
| 8255_朋程（櫃） | 功率模組對照 | 朋程做車用 SiC 功率模組；微矽做 Si 功率模組，定位不同 |
| 5347_世界先進（櫃） | 客戶（GaN 測試外包） / Navitas 投產去化（6/17 說法） | 7/2 QA：VIS GaN 統包接單、部分後段測試外包微矽；受台積 GaN 技轉 |
| 8261_富鼎先進（市） | 客戶 | 薄化+測試一站式（超薄晶圓 <100µm 易破片） |
| 5425_台半（櫃） | 客戶 | 7/2 QA 列名一站式客戶（升級自「潛在客戶類型」） |
| 尼克森（3317，QA 原文「妮可森」，推測） | 客戶 | 薄化+測試一站式客戶 |
| 升陽半（8028） | 同業 | 客群不同：升陽半多 IDM 客戶（主要瑞薩） |
| 3707_漢磊（櫃） | EPC 前段晶圓 | EPC（機器狗/無人機/Optimus）晶圓在漢磊投片，微矽承接測試 |
| 2303_聯電（市） | 矽力 GaN 前段 | 矽力非中 GaN 工程驗證下給聯電 |
| 2344_華邦電（市） | 三星矽電容前段 | 三星矽電容下給華邦投片，後段測封拿回三星做 |
| 太陽誘電 / Rohm | 矽電容客戶 | 用於光模塊；Rohm 前端下力積電、FCST 月產能 Double；太陽誘電剛開始工程驗證 |
來源
- 微矽電子官網
- 微矽 2026-03-20 法說簡報
- 微矽 2024-01-22 上市前業績發表會
- 東森財經：微矽登錄興櫃與第三代半導體測試
- 聯合新聞網：微矽強攻半導體封測
- 活動_8162_微矽電子_法說memo_20260617 — 2026-06-17 法說 / 私訪；矽電容（IPD）、Si 功率模組、Navitas 轉型、非中轉單、產能擴張與稼動率展望
- 活動_微矽電子_法說QA_20260702 — 2026-07-02 法說 QA；財務指引（Q2 GM 30%、全年 15-20% 成長、Q3 轉上市）、矽電容客戶太陽誘電/Rohm 與產能路徑、Taiko 薄化、GaN 代工轉移（力積電/GF）、世界先進測試外包、功率模組 Burn-in