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微矽電⼦ 20260702
主要產品： （⼀）電源管理IC測試（⼆）MOSFET晶圓薄化與測試（三）第三代半導體測試 (GaN, SiC)，主要做電源管理IC/功率元件：測試、薄化、封裝⼀站式整合，為國內PMIC、 MOSFET、GAN 晶圓測試服務最⼤供應商。Q1 電源管理 49%, MOSFET 40%, 第三代 6%, 半導體封裝5%
Q:財務指引?
- -2026年Q1因傳統淡季、稼動率較低及材料成本上漲，⽑利率18%，預期Q2回升⾄30%， 折舊⼤約佔總成本的 20%，營業費⽤維持 14%-16% 之間，稅率低於 20%，之後⽉營收 站穩1億應該沒問題，Q3比Q2好⼀點點，Q4是淡季但會比去年好，整體15-20%成長有機 會。
- 第三代半導體Q1 基期低，Q2 成長最明顯，預估季增約 30%，⽽ MOSFET 與 PMIC 的
- Q2 qoq ⼤約落在 10% 到 15% 之間
- Q3轉上市
Q:新事業營收佔比⽬標?
2027 切入的矽電容、功率模組測試，以及 Taiko 製程的超薄晶圓薄化業務，GM 皆⾼於全 公司平均⽔準（⼤於 30%），新業務佔比明年逐步放⼤（矽電容、有機會挑戰營收 10%）
Q:漲價?
晶圓薄化業務，第⼀波五⽉平均調漲 10%，第⼆波七⽉部分產品調漲 10%上下。
矽電容：
- 相比MLCC優點 1. 不怕熱可以離晶片近 2.過濾電⼒雜訊效果好 3. 體積⼩省空間， 明年估佔比營收10%。
- 客⼾是太陽誘電和Rohm⽤在光模塊，愛普開發進度偏慢還沒單，⽬前產能3500 萬 顆/⽉，稼動率未滿載（主要與 IC 類產品共⽤）。因應客⼾明年的放量需求，新設 備10-11⽉交機新增 2000 萬顆產能（總產能達 5500 萬顆）。27 Q3/4預計再擴充 2000 萬顆產能，但明年矽電容營收貢獻先⽤3000-4000顆來算，ramp up 沒這麼 快，原本3500也要保留給IC。
- Rohm FCST今年下半年開始到明年⽉產能Double，前端晶圓下給⼒積，太陽誘電近 期才剛開始⼯程驗證階段，矽電容體積超⼩，⼀片 8 吋晶圓可切出⾼達 9 萬多顆晶
- 粒，但產能組合裡會有⼤有⼩不⼀定，⽇本良率基本結構95％up，複雜90%。
- 矽電容加⼯收費分為兩個階段，這兩段的營收佔比約為 3:5：
- 晶圓端（以「片」計價）： 包含前端的晶圓測試、研磨與切割。
- 顆粒端（以「顆」計價）： 切割完成後，進⾏ WLCSP-DPS 卷帶封裝（將晶 粒放入塑膠載帶並封上膠膜），此階段依實際產出的顆粒數計價。
- ⼀台設備就可以貢獻2000萬/⽉產能
- 三星下給華邦，後段測試封裝拿回三星做
晶圓薄化：
- MOSFET業務中「薄化」與「測試」的營收佔比⼤約是 2：1
- 架動率滿載，⼀般薄化產能⽬前的每⽉ 35000 片擴充⾄ 40000 片，預計今年底 交機、明年貢獻營收。新導入的 Taiko 製程（針對 50 微米超薄晶圓）每⽉ 8000 片產能，設備（Disco，單台約 2500 萬台幣）預計今年下半年交機，Q4開 始貢獻營收，但不能抓滿，先估個4000片
- ⼀般薄化製程的單價⼤約落在 750-1,500間（平均約 900）， Taiko 新製程的單 價⼤約是⼀般製程的 1.5 倍，⽑利率較佳。
- 5⽉調漲 10%，第⼆波7⽉，針對不同產品調漲10-15%。
- 超薄晶圓（100微米以下）在包裝與運送過程極易破片，客⼾50%以上（如富鼎、 妮可森、台半等）將「薄化」與「測試」⼀站式完成，和升陽半客群不同(多IDM 主要瑞薩)。
第三代半導體（GaN/SiC）：
- Navitas之前退出消費性市場並轉型⾄⾼功率（如 AI 伺服器）市場，今年訂單 逐步回流，2026 年逐季提升
- 台積電明年 7 ⽉退出 6 吋 GaN 代⼯市場，Navitas ⽬前每⽉約 1500 ⾄ 2000 片的投片量，提前在台積電拉貨建立庫存，後續代⼯廠將轉移⾄ ⼒積電 與 GF
- 台積以外都8⼨，1片2500顆平均，耗時約3hr，計費1000-1500/hr，
- GF 有產地優勢，免關稅及美國政府補助，開發進度塊，⼒積電很不積極
- EPC 則受惠於機器狗、無⼈機及資料中⼼需求，有切optimus和無⼈機，晶圓 是漢磊
- 切入將 PMIC、MOSFET 及被動元件（電阻、電感）整合的功率模組測試，⽑ 利>30%，主要由⼀家美系 IC 設計客⼾導入，應⽤於 AI 伺服器，負責FT與 Burn-in，無塵室建置與設備是為了此項業務
- Burn-in 測試設備單台價格2-3000萬台幣，跟中國設備商採購，針對這類功率 模組的測試機台在速度與品質上已有相當⽔準，機台交期⼤約為 6 個⽉，致茂 品質不錯但貴
- FT透過改裝微矽現有的 FT 測試機台來⽀援。
PMIC 測試新的業務：
- 功率模組（Power Module）：針對 FT 與 Burn-in 建置了 Class 10000 的無 塵室。⽬前第⼀台測試設備已在裝機調試，因 Burn-in 測試耗時長（數⼩ 時），產品客制化程度⾼導入要時間，初步規劃擴充⾄ 8 台設備，未來依客⼾ 需求可能進⼀步增加產能。
OTHERS :
- 矽⼒：⼤宗 PMIC 訂單多採⽤中國供應鏈，針對 GaN領域，終端應⽤為⾼階市場客⼾ 要求非中，有低調透過台灣供應鏈來開發。處於⼯程驗證階段下給聯電。
- 世界先進 (VIS) 相關合作：
- 世界先進在 GaN 的業務模式是⾃⼰統包接單，但因為不專做後段測試，所以會 將部分測試業務外包發給微矽
- 世界先進原本研發的 GaN on QST (QSP) 基板技術因成本太貴，市場難打開， 後續受惠於台積電將技術移轉給世界先進、GF和PSMC，未來朝 GaN on Silicon 路線發展的機會較⼤