基本資料
台灣 IDM 廠，自有設計、製造功率半導體元件，產品涵蓋低壓至高壓 MOSFET、Super Junction MOSFET、IGBT、SiC、GaN，廣泛應用於電源供應器、DC Fan、PC/NB、BMS、白色家電等。與台系電源廠及散熱風扇廠長期合作，已切入 AI 伺服器 PSU、PDB、運算主板的中低壓 MOSFET 供應鏈；高壓 MOSFET 技術領先同業，為 Infineon / On Semi 替代料首波受惠候選廠。
國巨集團成員（國創半導體為主要股東）。
核心技術／競爭優勢
- HV Super Junction MOSFET：600~900V，對標 Infineon P7 / CFD7 系列，用於高壓電源架構
- SiC MOSFET（開發中）：首款 1,200V SiC MOSFET 配合客戶驗證，目標 2026 年底取得初步結果
- Dr. MOS（開發中）：與 PMIC 合作夥伴共同開發，初版因 PMIC 效能問題改款，預計 2026Q4 推出新版；PMIC 夥伴已在美系 GPU 廠合格供應商名單內；最快 2027 年可出貨
- MV MOSFET（60~150V）：DC Fan 專屬，毛利率優於公司平均值
- LV MOSFET（≤40V）：N/P 型，工具機、水泵等高階應用
產品與應用
| 產品 | 電壓範圍 | 主要應用 | 2025 營收佔比 |
|---|---|---|---|
| LV-MOS | ≤40V | PC/NB、消費電子、工具機 | LV 49% |
| MV-MOS | 60~150V | DC Fan、家電 | MV 32% |
| HV-MOS / Super Junction | 600~900V | AI 伺服器 PSU、充電樁、太陽能 | HV 16% |
| IGBT / SiC / GaN | 高壓 | 下一代 AI PSU | 開發中 |
終端市場拆分（2025）：Power 44%、DC Fan 28%、PC 14%、BMS 3%、Display 2%、Telecom 2%
圖片 / 架構圖
▲ 定錨研究 2026-05-24：2025 實績 + 2026F 簡明損益表
EPS 記錄
| 季度 | EPS（元） | QoQ | YoY | GM | OPM | 備註 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 2026Q1 | 1.57 | +134% | — | 38.1% | 25.7% | 稅後淨利 1.86 億，AI DC Fan 拉動 |
| 2025Q4 | 1.68 | -13% | — | 37.9% | 24.9% | — |
| 2025Q3 | 1.93 | +188% | — | 36.8% | 25.3% | — |
| 2025Q2 | 0.67 | -54% | — | 37.9% | 26.8% | 業外虧損 1.14 億（一次性） |
| 2025Q1 | 1.45 | — | — | 37.0% | 23.9% | — |
| 2025 全年 | 5.73 | — | — | 37.4% | 25.3% | 營收 31.04 億 |
EPS 預估
| 年度 | 定錨研究 EPS（報告日：2026-05-24） | 備註 |
|---|---|---|
| 2026E | 7.81 | 營收 36.11 億（YoY +16.3%），GM 38.2%，OPM 26.5% |
公司官方財測（2026）：營收 YoY +10~20%，毛利率 37.0~39.0%
成長動能／催化劑
MOSFET 第二供應商與替代料
- 定錨 2026 年中講座（2026-06-12）指出，富鼎先進（Alpha and Omega Semiconductor 台廠）具備多個料號對標英飛凌（Infineon）MOSFET，在 AI 伺服器 PSU（700W → 1,800W 升規）中進入第二供應商認證。
- DrMOS 相數爆量（AI GPU 每代 +50%+）帶動 MOSFET 用量；富鼎 / 力智 / 立錡為 NVIDIA 參考設計第二供應商候選。
- Nexperia 事件（OOC）釋出的 MOSFET 市場也有轉單機會（小訊號 MOSFET）。
- 定錨講師強調台系 DrMOS 廠中，富鼎現階段最具量產出貨能力的為現有 MOSFET 料號，DrMOS 整合方案仍在驗證中。
- 功率半導體漲價＋去中化轉單：2026 起國際 IDM（Infineon／ON Semi 等）啟動功率元件漲價循環並轉向 SiC，釋出中低壓 MOSFET 市場缺口；Nexperia／揚傑受出口禁令與制裁，富鼎具 IDM MOSFET（低／中／高壓）全系列產品線的替代受惠定位。詳見 分析_功率半導體漲價循環與去中化轉單_福邦_20260624、技術_功率半導體。
時間軸
| 時間 | 事件 | 類型 | 重要性 | 備註 |
|---|---|---|---|---|
| 2026-06-12 | MOSFET 多料號對標 Infineon，第二供應商認證進行中 | 催化劑 | ⭐⭐⭐ | 定錨 2026 年中講座 |
| 2026Q4 | Dr. MOS 新版推出 | 產品 | ⭐⭐⭐ | PMIC 效能改款後新版；PMIC 夥伴已在美系 GPU 廠合格供應商名單 |
| 2026年底 | 1,200V SiC MOSFET 初步驗證結果 | 技術 | ⭐⭐⭐ | 切入 AI 伺服器 PSU 輸出 Oring 電路 |
| 2027年 | Dr. MOS 最快開始出貨 | 放量 | ⭐⭐⭐ | 終端客戶採用後 |
| 近期（2026H1） | 接獲 Infineon / On Semi 替代料洽詢 | 催化劑 | ⭐⭐⭐ | IDM 廠轉做 SiC 釋放中低壓 MOSFET 產能，供給吃緊 |
供應鏈位置
- 終端市場：AI 伺服器 PSU（5.5KW / 8KW；升級至 18KW / 25KW）、PDB、運算主板、DC Fan
- 供應關係：台系電源廠（PSU 客戶）、散熱風扇廠（DC Fan 客戶）
- 競爭 / 替代：Infineon（未）、ON.US(onsemi)、MPS.US(monolithic_power_systems)、TI
- AI 伺服器 PSU 第二供應商：定錨 2026 年中講座指出，富鼎多個 MOSFET 料號對標 Infineon，正在 AI 伺服器 PSU 第二供應商認證中。
- NVIDIA 參考設計候選：富鼎 / 力智 / 立錡為 NVIDIA 參考設計第二供應商候選，富鼎現階段較明確的量產能力仍是既有 MOSFET 料號。
相關公司
| 公司 | 關係 | 說明 |
|---|---|---|
| 6415_矽力-KY（市） | 同業 / DrMOS | 類比 IC + DrMOS，AI 伺服器板上電源國產進度領先 |
| Infineon | 競爭 / 替代 | 富鼎 HV MOSFET 對標 P7 / CFD7；Infineon 轉 SiC 釋放中低壓替代需求 |
| On Semi | 競爭 / 替代 | 同為功率半導體 IDM，客戶尋求替代料 |
定錨觀點（2026-05-24）
受惠 AI 伺服器 GPU 功耗提升及 800V HVDC 供電架構導入，PSU 功率元件規格同步升級。功率半導體 IDM 廠因應 AI 需求，逐步將產線轉作 SiC，導致中低壓元件供給吃緊。富鼎在中低壓 MOSFET 產品線完整、高壓 MOSFET 技術領先同業，可望成為第一波需求外溢受惠者；近期持續接獲客戶洽詢 Infineon / On Semi 替代料需求。
庫存 / 供應鏈注意
2026Q1 庫存從 7.86 億增至 8.55 億；晶圓代工 / 封測產能緊張，生產週期延長至約 20 週，公司協助客戶提前策略性備料。調漲報價與封測廠合作建產線為 2026 年因應措施。
來源
- 富鼎先進_定錨研究_20260524
- 定錨_2026年中產業趨勢講座_MEMO(4) — 定錨 2026 年中講座，2026-06-12；MOSFET 第二供應商 / Nexperia 轉單