技術_碳化矽SiC — Stock LLM Wiki

定義

碳化矽（SiC, Silicon Carbide）是寬能隙功率半導體材料，適合高壓、高溫、高頻與高效率電源轉換。相較矽基 MOSFET / IGBT，SiC 元件可降低開關損耗、縮小系統體積，主要用在電動車逆變器、車載充電器、充電樁、太陽能 / 儲能逆變器、工業馬達與 AI 資料中心高壓電源。

AI 伺服器的新增連結在於 800V HVDC 與高功率密度 PSU。TrendForce 2025-11 指出資料中心正導入 800V HVDC，SiC/GaN 在資料中心供電滲透率預估 2026 年達 17%、2030 年突破 30%；其中 SiC 主要負責前端與中段高壓大功率轉換。

產業鏈

graph LR
  A[SiC 粉末 / 原料 / 燒結體] --> B[長晶爐 / PVT 長晶]
  B --> C[SiC 晶錠 / 基板]
  C --> D[SiC 磊晶]
  D --> E[晶圓製程 / 代工]
  E --> F[SiC SBD / MOSFET 裸晶]
  F --> G[封裝 / 功率模組]
  G --> H[EV / 充電樁 / 儲能 / AI資料中心電源]
  G --> I[導線架 / AMB / DPC / 測試薄化]

技術分層

環節	技術重點	台股 / 台灣映射	驗證重點
粉體 / 燒結體材料	SiC 粉體、高純度燒結體、精密塊材	8121_越峰（櫃）	粉體品質、客戶承認、是否進入半導體級材料應用
長晶設備	PVT 長晶爐、熱場、坩堝、長時間穩定加熱	6125_廣運（櫃）	設備交付、良率與爐數
晶錠 / 基板	4/6/8 吋導電型與半絕緣型基板	6930_盛新材料（未）、6488_環球晶圓（市）、3518_柏騰（市）	客戶認證、缺陷密度、8 吋量產；柏騰嘉義新廠具長晶＋基板加工全製程，全面量產延至 2027Q1
磊晶	SiC homo-epitaxy、GaN-on-SiC	3016_嘉晶（市）	厚度 / 摻雜均勻性、車規可靠度
製程 / 代工	SiC MOSFET / SBD 製程平台	3707_漢磊（櫃）、2342_茂矽（市）、5347_世界先進（櫃）	平台世代、月產能、客戶產品驗證
元件	SiC SBD、SiC MOSFET、IGBT / GaN 延伸	2481_強茂（市）、5425_台半（櫃）、8255_朋程（櫃）、3675_德微電子（櫃）、8261_富鼎先進（市）	650V / 1200V / 1700V、AEC-Q101、應用端；富鼎首款 1,200V SiC MOSFET 配合客戶驗證中，預計 2026 年底取得初步結果（切入 AI PSU 輸出 Oring）
功率模組 / 封裝	車用模組、儲能模組、低寄生封裝	6525_捷敏-KY（市）、6271_同欣電（市）、8255_朋程（櫃）	熱阻、可靠度、客戶認證
導線架 / 散熱基板	功率導線架、AMB / DPC / SiN 陶瓷基板	5285_界霖（市）、2351_順德（市）、6271_同欣電（市）	車用 / 工控 IDM 認證、雙面散熱
測試 / 薄化	CP/FT、晶圓薄化、背金屬、探針卡	8162_微矽電子（創）	高壓測試、薄化能力、turn-key 後段

投資觀察

AI 資料中心把 SiC 從 EV 題材延伸到電源基礎設施：800V HVDC / SST / 高功率 PSU 讓 SiC 的可驗證需求不只看電動車週期。
台股較多是「分工型供應鏈」：台灣公司多分布在基板、磊晶、代工、封裝材料、測試與導線架，和 Wolfspeed、Infineon、ST、onsemi、ROHM 這類垂直整合 IDM 不同。
基板與磊晶是良率門檻最高處：缺陷密度、晶圓尺寸、客戶認證時間會決定放量速度。
元件端要區分 SBD、MOSFET、模組：SiC SBD 導入門檻通常低於 MOSFET；車用主逆變器模組的可靠度與客戶認證時間更長。
8 吋升級會推動分工化與封裝升級：200mm SiC 可降低單位 die 成本，但會放大 substrate / epi / foundry / CP / 模組封裝的良率與設備門檻；委外分工與 AMB、銀燒結、雙面散熱等封裝升級詳見分析_SiC八吋晶圓升級與封裝對應。

風險

中國 SiC 基板與元件產能快速擴張，價格壓力可能先出現在標準品。
Wolfspeed 等國際基板 / IDM 大廠財務壓力不等於台廠立即取得訂單，仍需看客戶認證與良率。
AI 800V HVDC 的架構仍在早期導入，供應商參與 NVIDIA 參考設計不等於已量產出貨。
SiC 與 GaN 在資料中心電源中分工不同，不宜把兩者受惠公司直接混同。

碳化矽SiC

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