基本資料
台半是分離式元件與功率半導體廠商，產品涵蓋整流器、MOSFET、TVS、IGBT 等。SiC 供應鏈重點在 1200V wide-bandgap SiC Schottky diode；公司新聞稿列 MPS 結構、AEC-Q101、最高接面溫度 175°C，目標應用為 EV fast charging、energy storage、industrial telecom power supplies。
SiC 產品
| 產品 |
規格 / 特性 |
應用 |
| 1200V SiC Schottky diode |
MPS 結構、AEC-Q101、175°C、低 Vf / 低漏電 / 低電容電荷 |
快充、儲能、工業與電信電源 |
成長動能／催化劑
TVS / MOSFET OOC 轉單
- 台半（TSC）在 TVS 與 MOSFET 均有受惠 Nexperia 事件（Out-of-China）轉單（定錨）。
- 定錨提及台半為 TVS + 小訊號 MOSFET 的轉單受惠廠商，與德微並列；漲價幅度 15–20%（TVS），MOSFET 類似。
SiC Diode 升規
- SiC 1200V Schottky Diode：隨 AI PSU、HVDC 架構（800V SiC 場景）升規，台半 SiC diode 技術門檻提升帶動 ASP 升高（定錨）。
- 功率半導體漲價＋去中化轉單：2026 起國際 IDM（Infineon／ON Semi／STM 等）啟動功率元件漲價循環；Nexperia／揚傑受出口禁令與制裁，歐美車用整流器訂單尋求非中系替代，台半具 IDM 車用整流器（40–60V）為主的受惠定位。詳見 分析_功率半導體漲價循環與去中化轉單_福邦_20260624、技術_功率半導體。
時間軸
| 時間 |
事件 |
類型 |
信心 |
備註 |
| 2026-06-12 |
TVS + MOSFET OOC 轉單 + SiC 漲價確認 |
供需 / 漲價 |
⭐⭐ |
定錨：TVS 漲價幅度 15–20%，MOSFET 類似 |
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來源
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