基本資料
力積電（Powerchip Semiconductor Manufacturing, PSMC）是台灣晶圓代工廠，業務涵蓋成熟製程、類比、邏輯與記憶體代工。Morgan Stanley 將力積電視為成熟製程上行週期受惠者，主要受惠 2H27 成熟製程缺料、AI power IC 需求，以及 AP Memory（愛普 6531） S-SiCap 代工業務切入 EMIB 供應鏈。
資料來源：報告_MS_力積電6770_20260519（Morgan Stanley, 2026-05-18）。
公司營運概況（2026 Q1 法說）：採 Open Foundry 開放式晶圓代工 模式（允許客戶導入自有技術）；現有 5 座晶圓廠（2 座 8 吋、3 座 12 吋；原 P5 廠已售予美光 Micron），員工逾 8,200 人；2025 年營收 472 億元、晶圓出貨 163 萬片（約當 12 吋）；2026 年營收預期成長逾 50%（需求回溫＋記憶體漲價）。2026 Q1 產品結構：邏輯 52.8%／記憶體 44%／3D AI Foundry 3.2%，記憶體全年佔比預期升至 50%；本業轉虧為盈、小幅獲利約 5 億元，產能近滿載、已過損益兩平點，新增營收多直接轉淨利。來源：活動_力積電法說_2026Q1_20260630。
2Q26 財報摘要（JPM／中信投顧，2026-07-15）：營收 NT$172.9 億（QoQ +27%）、毛利率大增至 28%（vs 1Q26 10%）、EPS NT$0.76；產能利用率 87%（vs 1Q26 88%）、出貨 42.2 萬片；1H26 營收 NT$308.6 億（YoY +38%）。營收 YoY 幅度兩份報告揭露不一：JPM 揭露 +53%、中信投顧揭露 +43%（可能基期或口徑不同，未查得原因，並列標注）。區域別：台灣 51%、亞洲 26%、歐美 23%。客戶別 Fabless 90%／IDM 10%。產品組合：DRAM 46%、Discrete 12%、PMIC 15%、HV 7%、Flash 6%、CIS 4%、IMC 3%、3D AI Foundry 5.4%。來源：報告_JPM_力積電6770_20260715、報告_CTBC_力積電6770_20260715。
核心技術／競爭優勢
- 成熟製程缺料受惠：MS 預期 2H27 成熟製程產能短缺，AI power IC 成長可抵銷消費與手機半導體疲弱。
- AP Memory（愛普） S-SiCap 代工夥伴：S-SiCap 估占力積電營收 2026 年 3%、2027 年 5%、2028 年 9%。
- EMIB 供應鏈滲透：AP Memory S-SiCap 業務可能在 2027/28 供應 IPD 給 Humufish TPU，帶動力積電代工需求。
- 中國 AI GPU 出貨成長：AP Memory S-SiCap 業務亦受惠中國 AI GPU 出貨高成長。
- 記憶體代工漲價：傳統記憶體代工持續與客戶逐月議價，MS 預期價格上行延續。
- Si-Cap 產能外溢觀察：Morgan Stanley 2026-05-21 報告指出 legacy DRAM process 適合 Si-Cap 製造，但 PSMC capacity is full；這代表力積電既有 S-SiCap 代工價值被驗證，同時也可能讓客戶尋找第二來源。
- MS 維持 OW：2026-05-21 MS 報告維持對力積電 Overweight，看法是類比、邏輯、記憶體全產品線滿載且價格上行。
- 記憶體代工結構性漲價：2M26 已做結構性價格調整，7M26 記憶體代工投片價再調漲約 45%（實際貢獻約 11M26 顯現）；邏輯代工 8/12 吋 1H26 同步調漲 10–15%，3Q26 訂單投片比達 1.4 倍，供給持續短缺。JPM 估 2026/27 blended ASP 分別成長 50+%/25+% YoY。來源：報告_JPM_力積電6770_20260715、報告_CTBC_力積電6770_20260715（2026-07-15）。
產品與應用
| 產品 / 服務 | 應用 | 主要客戶 / 下游 |
|---|---|---|
| 成熟製程晶圓代工 | AI power IC、類比、邏輯 | AI infrastructure 客戶 |
| 記憶體代工 | 傳統記憶體 | 記憶體客戶 |
| S-SiCap 代工 | IPD、EMIB 供應鏈、AI GPU | 6531_愛普（市） |
圖片 / 架構圖
MS 2026-05-18 摘要：力積電受惠成熟製程缺料、S-SiCap 代工與記憶體代工漲價，TP 上調至 NT$88。
MS 估 2027E 力積電營收結構：記憶體約 48%、類比約 30%、邏輯約 22%（Morgan Stanley，2026-05-19）。
Exhibit 5：PSMC 歷史 Forward P/B（左軸 0-4x，藍線）與 ROE（右軸 -50%~30%，黃線）雙軸走勢圖，2021/1-2026/5（Morgan Stanley Exhibit 5，2026-05-19）。
圖說：MS estimates vs consensus 圖，列出 PSMC FY Dec 2026e 的 sales、EBITDA、net income、EPS 對比。
圖說：JPM 2023/9–2026/7 股價走勢圖，疊加歷次評等/目標價變動標記（N NT$28 → OW NT$38 → N NT$28 → N NT$16 → N NT$27 → N NT$55 → N NT$48/N NT$50 → OW NT$100），對照右側評等異動日期表（J.P. Morgan，2026-07-15）。
圖說：MS Estimates vs Consensus 圖，FY Dec 2026e Sales/EBITDA/Net income/EPS/ROE 對比；PSMC 是本次調整四家中唯一 MS EPS 估（5.66 元）低於市場共識均值（6.28 元）者（報告_MS_記憶體產業_20260816，2026-08-16）。
成長動能／催化劑
成熟製程 upcycle
- 成熟製程 upcycle 是 MS 重申 OW 的核心之一。來源：260601_6770_力積電_ms_psmc / 信心：中。
- 類比、邏輯、記憶體全產品線滿載且價格上行，AI power IC 成長可抵銷消費與手機半導體疲弱。
- MS 2026-06-25 將 3D AI foundry（SiCap、wafer-on-wafer、HBM PWF）營收貢獻納入模型，估占 2026/2027/2028 總營收 5%/10%/14%。來源 報告_MS_記憶體華邦南亞科旺宏力積電_20260625，estimate，信心：中高。
AP Memory Si-SiCap / S-SiCap 代工爬坡
- 作為 AP Memory Si-SiCap foundry partner 的量產爬坡，是 MS 重申 OW 的核心之一。來源：260601_6770_力積電_ms_psmc / 信心：中。
- AP Memory S-SiCap 代工業務可能在 2027/28 供應 IPD 給 Humufish TPU，帶動力積電代工需求。
3D AI Foundry 四大業務（公司法說，2026 Q1）
公司定位 3D AI Foundry 為爆發性成長引擎，目標營收佔比由 3.2% 拉升至 20%+（公司目標，較 MS 模型估 2028 的 14% 更積極 → 見 [!warning]）。四大業務：
| 業務 | 內容 | 進度（法說） |
|---|---|---|
| Si Capacitor / IPD | 以 DRAM 溝槽式/堆疊式技術生產矽電容，電容密度遠高於純邏輯製程；主要應用為 Intel EMIB（JPM 2026-07-15 揭露），董事長並稱「EMIB 若無公司矽電容支持無法成功」 | 12 吋已獲 EMIB 基礎認證且穩定投片/出貨，現有數千片生產規模（JPM 估目前約 1–2k wfpm）；目標 YE27 產能 8–10k wfpm（12 吋 2H27 到 8–10k 片、8 吋 2H27 到 5k 片，為現有無塵室空間可做之規劃上限），2028 或可爬升至 15–20k wfpm；2Q26 3D AI Foundry 已達公司營收 5.4%（1Q26 3%、2025 全年 2–3%） |
| HBM PWF | 承接美光 HBM 堆疊前晶圓處理（HBM pre-stack wafer fab），採「成本加成」包賺模式 | 美光預付 3 億美元購置設備、進駐 P1/P2；Mini line 目標 YE26 設置完畢，量產目標更新為 4Q27（見下方 ⚠️ 節奏） |
| WoW（晶圓堆疊） | 以 Hybrid Bonding 將 4/8 層 DRAM 堆疊於邏輯晶片，鎖定低功耗穿戴（智慧眼鏡）；公司稱功耗僅約 HBM 的 1/10（hybrid bump 較 HBM micro-bump 密度更高、更輕薄） | 去年出貨 750 套模組驗證；4 層已完成先進代工客戶主要驗證，等待放量；8 層 DRAM 堆疊良率已達 90%+，下一步挑戰 12 層堆疊；WoW 產線已復線並小量試產 |
| Interposer（矽中介層） | 內建客製化 IPD，需求受惠 TSMC CoWoS 供給緊俏外溢 | 需求 >月 2,000 片供不應求，相關產能已復線並生產中；擴產初期目標月 5,000–6,000 片，預期 2027 隨 P5 廠移轉之 5–6k wfpm 產能上線後貢獻上升 |
| CPO（共同封裝光學） | 早期階段，規劃兩大方向：(1) 機櫃內主機板 PIC、(2) Interposer 光互連（用光流取代電流） | 屬前期規劃，尚無具體時程；詳見 技術_CPO |
來源：活動_力積電法說_2026Q1_20260630、報告_JPM_力積電6770_20260715、報告_CTBC_力積電6770_20260715（2026-07-15）。
公司目標 vs 券商模型（規則 #14）
3D AI Foundry 營收佔比：公司目標 3.2%（2026Q1）→ 5.4%（2Q26 實績）→ 20%+（3 年內目標，法說重申 2026-07-15） vs MS 模型估 2026/27/28 為 5%/10%/14%（報告_MS_記憶體華邦南亞科旺宏力積電_20260625）。公司願景仍較券商模型積極，兌現關鍵為 HBM PWF 量產與 Si Cap/IPD 客戶放量。
HBM PWF 量產時程後移（規則 #14 節奏）
MS（2026-06）法說摘要曾記錄目標 2027 Q2–Q3 量產；JPM 與中信投顧 2026-07-15 同步揭露最新時程為 Mini line YE26 設置完畢、量產目標 4Q27，較先前揭露的時點約後移 1–2 季。兩份 2026-07-15 報告方向一致（非單一券商誤植），判斷為法說對外時程更新，非資料衝突。
記憶體代工與邏輯製程轉型（公司法說）
- 利基記憶體代工：1Gb 以下 DRAM 市佔 71%，近獨佔長尾市場；主力 25 奈米，透過美光合作預計 2027H2 或 2028 跳世代導入 1x 奈米；NAND 除 SLC 外，今年底至明年上半年推出 MLC 與 8 奈米新品。
- 邏輯代工汰弱留強：DDIC、CIS 已陸續發 EOL 停產通知，全力聚焦 PMIC（電源管理晶片），應用涵蓋白色家電至 AI 伺服器。
- 漲價策略：利基記憶體齊頭式漲價 10–15%、客戶接受；DDIC 停產前最後一波調漲；PMIC 客戶主動加價搶 2027 產能。
舊世代記憶體代工漲價續強、獲利彈性再度提升（2026-08-16）
MS 產業報告「Old Memory: No LTAs Is Not Necessarily Bad」重申並強化 legacy 記憶體漲價論點（DDR4 3Q26 QoQ +50%、4Q26 再漲雙位數；SLC NAND 3Q/4Q26 各再 +50%+；NOR flash 4Q26 可能再漲一波），力積電作為記憶體代工廠同步受惠。MS 將 2026-28E EPS 上修 18%/17%/13%（由 NT$4.80／5.61／7.16 上修至 NT$5.66／6.54／8.11），主因記憶體與邏輯代工價格皆優於預期，7 月漲價後代工報價續強至 4Q。目標價（base case）維持 NT$111 不變（2027E P/B 目標倍數由 2.1x 下修至 2.0x，反映板塊 equity risk premium 上升；仍高於 2021 年以來歷史均值 1.5x）。
值得留意：本次 MS 上修後 2026E EPS（5.66 元）仍低於市場共識均值（6.28 元）——是本次調整的四家（旺宏／華邦電／GigaDevice／力積電）中唯一 MS 估值低於共識者，與 JPM（2026-07-15）估值的差距也隨之收斂（詳見「EPS 預估」warning）。
完整產業觀點見 分析_舊世代記憶體無LTA亦佳_MS_20260816。來源：報告_MS_記憶體產業_20260816，estimate，信心：高。
EPS 記錄
| 期間 | EPS / 淨利 | 備註 | 來源 |
|---|---|---|---|
| 2026-04 | 淨利 NT$552mn，YoY +243.46%；EPS NT$0.13，YoY +244.44%；淨利率 10.94% | fact；信心：高 | 260601_6770_力積電_ms_psmc |
| 2026-04 | 4 月 EPS 已占 MS 2Q26E EPS NT$0.29 的 66%；10.94% 淨利率高於 MS 2Q26E 7.1% | estimate；信心：高 | 260601_6770_力積電_ms_psmc |
| 1Q26 | 淨利率受 Fab P5 處分利益 NT$20.1bn 與相關減損 NT$5.5bn 扭曲；排除後 1Q26 淨利率為 -2.7% | 4 月代表實質轉盈；context；信心：中高 | 260601_6770_力積電_ms_psmc |
| 2Q26A | 營收 NT$172.9 億（QoQ +27%）；毛利率 28%（vs 1Q26 10%）；EPS NT$0.76；淨利 NT$32.9 億 | fact（法說直接揭露）；信心：高。JPM 表列 Actual EPS NT$0.78（JPMe 0.76、BBG 0.84），與法說 0.76 略有差異，可能為 Reported 對 Adjusted EPS 口徑不同（待核對） | 報告_CTBC_力積電6770_20260715、報告_JPM_力積電6770_20260715 |
EPS 預估
| 年度 | MS EPS（報告日：2026-08-16，較 06-25 再上修） | JPM EPS（報告日：2026-07-15） | 備註 |
|---|---|---|---|
| 2025 | -1.87（自 -1.64） | -1.87 | 兩家一致 |
| 2026E | 5.66（舊 4.80，+18%） | 6.61（自 6.41，+3.1%） | JPM 較 MS 高約 17%（差距較前次 38% 明顯收斂） |
| 2027E | 6.54（舊 5.61，+17%） | 7.16（自 6.52，+9.8%） | JPM 較 MS 高約 9.5%（前次 28%） |
| 2028E | 8.11（舊 7.16，+13%） | 8.40 | JPM 較 MS 高約 3.6%（前次 17%），兩家估值已高度收斂 |
MS vs JPM EPS 預估分歧（規則 #14，已隨 MS 上修收斂）
舊看法（2026-06-25→07-15）：兩家券商同期維持 Overweight，但 2026–28E EPS 絕對值差異達 17–38%（JPM 全面高於 MS）；MS 估值基準為 2026-06-25，未納入 7 月最新一輪 DRAM 漲價（約 45%）。 新看法（MS，2026-08-16）：MS 將 2026-28E EPS 上修 18%/17%/13% 至 5.66／6.54／8.11 元，與 JPM（6.61／7.16／8.40）的差距已由 17-38% 收斂至 3.6-17%，2028E 幾乎持平。惟 2026E MS 仍低於市場共識均值 6.28 元（詳見 MS Estimates vs Consensus 圖），是本次調整四家中唯一 MS 低於共識者。
財測假設
| 來源（日期） | 模型 / 推導鏈 | 關鍵假設 | 產出 |
|---|---|---|---|
| JPM（2026-07-15） | 記憶體+邏輯 ASP 上修 → GM 加速爬升 → EPS 上修 | 2026/27 blended ASP YoY +50+%/+25+%；GM 估 YE26/27 達 43%/48%，2028 中突破歷史高點 51%；2026E EPS 含出售銅鑼廠一次性利益 | 2026E EPS 上修至 6.61（舊 6.41）、2027E 7.16（舊 6.52，+9.8%） |
| 公司 guidance（2026-07-15 法說/座談） | 記憶體結構性漲價 + 邏輯供給短缺 → 營運逐季走升 | 7M26 DRAM 投片價再漲約 45%（貢獻約 11M26 顯現）；邏輯 8/12 吋 1H26 已漲 10–15%；3Q26 訂單投片比 1.4 倍 | 公司預期 3Q/4Q26 毛利率逐季提升、年底動能達高峰 |
| 自建（回推，† ） | 現價 ÷ JPM 13x 12M forward P/E | JPM PT NT$100（Jun-27），較前次估值多頭一檔下修至 13x（因近期記憶體情緒轉弱） | 隱含 Jun-27 12M forward EPS ≈ NT$7.7†（待報告確認） |
| Morgan Stanley（2026-08-16） | 產業報告：DDR4/SLC NAND/NOR 代工報價全面續強 → EPS 上修；ERP 上升 → 目標倍數下修 | DDR4 3Q26 QoQ +50%、4Q26 再漲雙位數；SLC NAND 3Q/4Q26 各再 +50%+；NOR 4Q26 可能再漲一波；equity risk premium 上升，2027E P/B 目標倍數由 2.1x 下修至 2.0x（仍高於 2021 年以來歷史均值 1.5x） | 2026-28E EPS 上修 18%/17%/13% 至 5.66／6.54／8.11（舊 4.80／5.61／7.16）；PT 維持 NT$111 不變（EPS 上修與倍數下修互相抵銷） |
目標價與評等
| 券商 | 報告發布日 | 評等 | 目標價 | 評價基礎 | 來源 |
|---|---|---|---|---|---|
| Morgan Stanley | 2026-05-18 | Overweight | NT$88（自 NT$71） | 2026E P/B 2.1x，BVPS NT$42.1；隱含 2027E P/B 1.7x | 報告_MS_力積電6770_20260519 |
| Morgan Stanley | 2026-06-01 | Overweight / Attractive | NT$88 | 對 2026-06-01 收盤 NT$87 僅 +1%，屬基本面看多但估值空間有限 | 260601_6770_力積電_ms_psmc |
| Morgan Stanley | 2026-06-25 | Overweight | NT$111（NT$88 → NT$111） | 2.6x 2026E P/B；出貨、ASP 改善與 3D AI foundry 新業務 | 報告_MS_記憶體華邦南亞科旺宏力積電_20260625 |
| J.P. Morgan | 2026-07-15 | Overweight | NT$100（Jun-27 目標） | 13x 12M forward earnings（估值多頭下修一檔，反映近期記憶體情緒轉弱），仍看好美光合作與邏輯代工上行催化劑 | 報告_JPM_力積電6770_20260715 |
| Morgan Stanley | 2026-08-16 | Overweight | NT$111（維持不變） | 2027E P/B 目標倍數由 2.1x 下修至 2.0x（反映 ERP 上升），與 EPS 上修互相抵銷 | 報告_MS_記憶體產業_20260816 |
MS（NT$111，2026-06-25／08-16 皆維持不變）與 JPM（NT$100，2026-07-15）目標價相差約 10%，評等同為 Overweight；差異主要來自估值法（P/B vs P/E）與模型更新時點，非明確衝突，並列供對照。
時間軸
| 時間 | 事件 | 類型 | 重要性 | 備註 |
|---|---|---|---|---|
| 2026 | AP Memory S-SiCap 代工占營收 3% | 放量 | ⭐⭐ | 代工業務開始貢獻 |
| 2027 | AP Memory S-SiCap 代工占營收 5% | 放量 | ⭐⭐ | 與 EMIB 供應鏈滲透同步 |
| 2027H2 | 成熟製程缺料 | 供需 | ⭐⭐⭐ | AI power IC 需求驅動 |
| 2027/28 | AP Memory IPD 供 Humufish TPU | 規格升級 | ⭐⭐⭐ | S-SiCap → IPD → EMIB 供應鏈 |
| 2028 | AP Memory S-SiCap 代工占營收 9% | 放量 | ⭐⭐⭐ | 中國 AI GPU 與 EMIB 需求延續 |
| 2027-2028 | SEMCO W1.5 兆 Si-Cap 長約供應期 | 產業驗證 | ⭐⭐ | MS 認為 PSMC capacity is full，可能帶動第二來源需求 |
| 2026 Q1 | Si Cap/IPD 單月破 1,000 片，備妥月 8,000–10,000 片產能 | 放量節點 | ⭐⭐⭐ | 美系大客戶驗證 2 年後出貨。來源 活動_力積電法說_2026Q1_20260630 |
| 2027H2–2028 | 記憶體代工透過美光合作跳世代至 1x 奈米 | 製程升級 | ⭐⭐⭐ | 主力由 25 奈米升級 |
| 2026-06（6M26） | DRAM 1X 自研製程小量生產，良率爬升中 | 製程進度 | ⭐⭐ | 報告_CTBC_力積電6770_20260715 |
| 2026-07（7M26） | DRAM 投片價再調漲約 45%（第二輪結構性漲價） | 漲價 | ⭐⭐⭐ | 實際貢獻預期約 11M26 顯現；來源 報告_JPM_力積電6770_20260715、報告_CTBC_力積電6770_20260715 |
| YE26 | HBM PWF Mini line 設置完畢 | 產能進度 | ⭐⭐⭐ | 報告_JPM_力積電6770_20260715、報告_CTBC_力積電6770_20260715 |
| 2027Q1 | 1P 製程新機台到位（美光合作） | 製程進度 | ⭐⭐ | 報告_CTBC_力積電6770_20260715 |
| 2027 | Interposer 5–6k wfpm（P5 廠移轉產能）上線，貢獻上升 | 產能上線 | ⭐⭐⭐ | 報告_JPM_力積電6770_20260715 |
| 2H27 | Si 電容產能目標：12 吋 8–10k wfpm、8 吋 5k wfpm | 產能目標 | ⭐⭐⭐ | 為目前無塵室空間規劃上限；報告_CTBC_力積電6770_20260715、報告_JPM_力積電6770_20260715 |
| 4Q27 | HBM PWF 量產（時程較先前揭露的 2027 Q2–Q3 後移） | 量產 | ⭐⭐⭐ | 見 ⚠️ 節奏 callout；報告_JPM_力積電6770_20260715、報告_CTBC_力積電6770_20260715 |
| 2028 | 1P 製程量產（美光合作）；Si 電容潛在爬升至 15–20k wfpm | 量產/產能 | ⭐⭐⭐ | 報告_CTBC_力積電6770_20260715、報告_JPM_力積電6770_20260715 |
供應鏈位置
- 代工客戶：6531_愛普（市），S-SiCap 代工夥伴。
- 相關技術：技術_EMIB-T
- 相關技術：技術_矽電容
- 所屬供應鏈：供應鏈_玻璃芯基板
- 2027E 營收結構：記憶體 48%、類比 30%、邏輯 22%。
相關公司
| 公司 | 關係 | 說明 |
|---|---|---|
| 6531_愛普（市） | 客戶 / 代工合作 | AP Memory SCCAP（IPC／IPD／LSC）由力積電代工，並可能切入 EMIB IPD 供應鏈。2026-08 簽長期產能保障協議：愛普預計 2027 年中支付產能保證金 NT$5.3 億，鎖定 IPD 未來 3-4 年產能。銅鑼廠設備遷移（P5 售予美光後之產能調度）使愛普 IPC 2Q26-3Q26 中投片量下滑，客戶端業績衝擊落在 3Q26 中至 4Q26 初、3Q26 底完全反映，目前已陸續恢復生產（活動_愛普6531_2Q26法說memo_20260806，愛普 2Q26 法說，2026-08-06） |
| 009150.KR(semco) | 國際 Si-Cap 供應商 / 對照 | SEMCO 長約驗證 Si-Cap TAM，但與力積電既有 AP Memory 代工鏈不同 |
| 2344_華邦電（市） | 潛在第二來源 / 同類製程資產 | MS 認為 PSMC 產能滿載下，華邦電可能成為 SEMCO potential partner |
| 2408_南亞科技（市） | 同業 / legacy memory 景氣映射 | 同份 MS 報告列為 DDR4 漲價受惠者 |
| 2337_旺宏（市） | 同業 / legacy flash 景氣映射 | 同份 MS 報告列為 NOR 與 SLC/MLC NAND 漲價受惠者 |
| 美光（Micron） | 客戶 / 設備出資方 | 委託力積電 HBM 堆疊前晶圓處理（HBM PWF，成本加成），預付 3 億美元購置設備；並向力積電購入 P5 廠；記憶體代工 1x 奈米跳世代合作 |
| Intel | 客戶 / 終端應用 | 3D AI Foundry Si Capacitor 主要應用於 Intel EMIB 先進封裝；董事長稱「EMIB 若無公司矽電容支持無法成功」。來源：報告_JPM_力積電6770_20260715（2026-07-15） |
關鍵 Claim
| Claim | 類型 | 來源 | 日期 | 信心 |
|---|---|---|---|---|
| MS 將 2026/2027/2028 EPS 上修至 NT$4.80 / 5.61 / 7.16，主因 DDR3/DDR4 價格強於預期與 3D AI foundry 貢獻提高 | estimate | 報告_MS_記憶體華邦南亞科旺宏力積電_20260625 | 2026-06-25 | 高 |
| 3D AI foundry（SiCap、wafer-on-wafer、HBM PWF）估占 2026/2027/2028 總營收 5%/10%/14% | estimate | 報告_MS_記憶體華邦南亞科旺宏力積電_20260625 | 2026-06-25 | 中高 |
| MS 將力積電目標價由 NT$88 上調至 NT$111，評等維持 Overweight | estimate | 報告_MS_記憶體華邦南亞科旺宏力積電_20260625 | 2026-06-25 | 高 |
| 公司目標 3D AI Foundry 營收佔比 3.2% → 20%+（較 MS 模型 2028 估 14% 積極） | thesis（公司目標） | 活動_力積電法說_2026Q1_20260630 | 2026-06-30 | 中（公司願景，待兌現） |
| 美光委託 HBM PWF（堆疊前晶圓處理），預付 3 億美元設備、目標 2027 Q2–Q3 量產 | fact | 活動_力積電法說_2026Q1_20260630 | 2026-06-30 | 高（法說） |
| 利基 1Gb 以下 DRAM 市佔 71%；利基記憶體齊頭漲價 10–15% | fact | 活動_力積電法說_2026Q1_20260630 | 2026-06-30 | 高（法說） |
| WoW 以 Hybrid Bonding 將 4/8 層 DRAM 堆疊邏輯晶片，去年 750 套模組驗證 | fact | 活動_力積電法說_2026Q1_20260630 | 2026-06-30 | 高（法說） |
| WoW 8 層 DRAM 堆疊良率已達 90%+，功耗約為 HBM 的 1/10 | fact | 報告_CTBC_力積電6770_20260715 | 2026-07-15 | 高（董事長訊息，法說座談） |
| 3D AI Foundry Si Capacitor 主要應用於 Intel EMIB；目前約 1–2k wfpm，目標 YE27 8–10k wfpm、2028 潛在 15–20k wfpm | estimate | 報告_JPM_力積電6770_20260715 | 2026-07-15 | 中高 |
| DRAM 缺口因 AI 需求推升，CSP 已預購未來數年產能，預期持續至 2027 年 | analyst | 報告_CTBC_力積電6770_20260715 | 2026-07-15 | 中（座談引述公司說法） |
| JPM 將 2026/2027E EPS 上修至 NT$6.61 / 7.16（+3.1%/+9.8%），維持 Overweight，TP 上調至 NT$100（Jun-27） | estimate | 報告_JPM_力積電6770_20260715 | 2026-07-15 | 高 |
| 記憶體代工技術（NAND/Flash）落後華邦電與旺宏，技術落差對毛利率影響較大；力積電偏向 foundry 定位，NAND 代工的 high density NOR 需求對聯電影響較小、對力積電影響較大 | analyst（channel check） | memo_NAND_eMMC供需分析_20260723 | 2026-07-23 | 低（單一分析者觀點，未經公司確認） |
| MS 2026-08-16 將 2026-28E EPS 上修 18%/17%/13% 至 5.66／6.54／8.11 元；PT 維持 NT$111，2027E P/B 目標倍數由 2.1x 下修至 2.0x | estimate | 報告_MS_記憶體產業_20260816 | 2026-08-16 | 高 |
| MS 上修後 2026E EPS（5.66 元）仍低於市場共識均值（6.28 元），為本次調整四家中唯一 MS 低於共識者 | estimate | 報告_MS_記憶體產業_20260816 | 2026-08-16 | 高 |
風險與注意事項
- 成熟製程缺料若延後，2027 上行週期假設需下修。
- S-SiCap 對營收貢獻仍處早期，需追蹤 AP Memory 客戶放量。
- 記憶體代工漲價若不如預期，獲利彈性將受壓。
來源
- 報告_MS_力積電6770_20260519 — Morgan Stanley（Daniel Yen et al.）, 2026-05-18, Beneficiary of mature node upcycle and EMIB supply chain
- 報告_MS_舊型記憶體SiCapTAM_20260521 — Morgan Stanley, 2026-05-21, Old memory: Larger Si-Cap TAM
- 260521_6531愛普_ms_ — Morgan Stanley，2026-05-21，Si-Cap competition / AP Memory 供需模型
- 260601_6770_力積電_ms_psmc — Morgan Stanley，2026-06-01；4 月轉盈，成熟製程 upcycle 與 AP Memory Si-SiCap foundry partner ramp
- 報告_MS_記憶體華邦南亞科旺宏力積電_20260625 — Morgan Stanley，2026-06-25；PT NT$111，2026/2027/2028 EPS NT$4.80 / 5.61 / 7.16
- 活動_力積電法說_2026Q1_20260630 — 力積電 2026 Q1 法說重點；Open Foundry、3D AI Foundry 四大業務、HBM PWF 美光預付 3 億美元、利基 DRAM 71% 市佔、漲價 10–15%、PMIC 聚焦
- 報告_JPM_力積電6770_20260715 — J.P. Morgan（Gokul Hariharan et al.），2026-07-15；重申 Overweight，TP NT$100（Jun-27）；2Q26 GM 優於預期，記憶體/邏輯雙漲價，3D AI Foundry Si Capacitor(Intel EMIB)/PWF/Interposer/WoW 五大成長動能
- 報告_CTBC_力積電6770_20260715 — 中信投顧（張敦翔），2026-07-15，法說/座談摘要；2Q26 財報優於預期、DRAM 7 月漲價 45%、矽電容 EMIB 認證與 WoW/PWF 進度、董事長訊息與 QA 完整揭露
- memo_NAND_eMMC供需分析_20260723 — 隨手記／研究彙整，2026-07-23；NAND 代工技術落差評論（低信心，單一分析者觀點）
- 活動_愛普6531_2Q26法說memo_20260806 — 愛普 2Q26 法說，2026-08-06（客戶端揭露）；銅鑼廠設備遷移影響 IPC 投片、愛普支付 NT$5.3 億產能保證金鎖定 3-4 年 IPD 產能
- 報告_MS_記憶體產業_20260816 — Morgan Stanley（Daniel Yen／Charlie Chan／Daisy Dai／Tiffany Yeh／Ethan Jia），2026-08-16；「Old Memory: No LTAs Is Not Necessarily Bad」；EPS 2026-28E 上修 18%/17%/13% 至 5.66／6.54／8.11；PT 維持 NT$111。insight 見 分析_舊世代記憶體無LTA亦佳_MS_20260816