基本資料
旺宏電子（Macronix International，MXIC），台灣 NOR Flash 與利基型記憶體製造商（IDM），全球 NOR Flash 市占率第一。主要產品涵蓋從低容量至高容量的完整 NOR Flash 產品線，以及車規 eMMC、任天堂 ROM 卡匣。2025 年起受益 AI 伺服器 Boot Code 需求及車用電子成長，進入獲利 V 型反轉。
- 主要產品：NOR Flash（全系列）、車規 eMMC、任天堂 ROM 卡匣
- 技術：ArmorBoot 安全儲存技術；3D NOR Flash 研發中（預計 2027–2028 量產）
- 客戶：AI 伺服器廠、Continental/Denso/Bosch 等車規 Tier 1、任天堂
- 資料來源：gemini 查詢，2026-05-25
核心技術／競爭優勢
- NOR Flash 全球龍頭：全球市占率第一，產品線完整，有定價話語權
- AI 伺服器 Boot Code：AI 伺服器與 HPC 系統需高品質 NOR Flash 儲存啟動碼，是新需求驅動力
- 每月議價機制：已將報價機制從季議價改為月議價，能即時反映缺貨行情，定價權強於同業
- 車用三大 Tier 1 切入：已進入 Continental、Denso、Bosch 車規供應鏈，ADAS 普及帶動車規 NOR 剛性需求
- 任天堂 Switch 2 唯一 ROM 供應商：新一代卡匣採 3D NAND 技術，單價與毛利優於舊款；Switch 2 2025H2 上市帶動 ROM 業務全面復甦（待核對）
- ArmorBoot 安全儲存技術：高可靠度存儲方案，鎖定軍工、航太、低軌衛星等高門檻市場
- 地緣政治受益：歐美一線客戶傾向非中國系供應鏈，旺宏成為首選替代方案
- 擴產計畫：2026 年資本支出約 220 億元（待核對），主要擴充 12 吋廠產能，衝刺 eMMC 市場
產品與應用
| 產品 | 應用 | 說明 |
|---|---|---|
| NOR Flash（全系列） | AI 伺服器 Boot Code、工控、車用、低軌衛星 | 全球市占第一 |
| 車規 eMMC | ADAS、車載電子、網通、工控、物聯網 | 擴充 12 吋廠產能中；容量涵蓋 8GB-128GB，目前最缺 8GB；4Q26 將量產 32GB eMMC，2027 年起出貨車規 eMMC 產品（CTBC，2026-07-29） |
| 任天堂 ROM 卡匣 | Nintendo Switch 遊戲卡匣 | 唯一供應商；Switch 2 升級帶動高單價 |
| 3D NOR Flash（研發中） | 高容量、高可靠度應用 | 預計 2027–2028 量產（待核對） |
| 3D NAND TLC（研發中） | eMMC 高容量升級 | 旺宏是台灣目前唯一布局 3D NAND TLC 研發的公司；轉 3D 後單片晶圓產出可望達 2D 兩倍，Density 由 16-32GB 提升至 128-256GB（memo_NAND_eMMC供需分析_20260723，estimate 中信心） |
圖片 / 架構圖
Morgan Stanley（2026-06-01）：Top Pick，維持 Overweight / Attractive industry view，目標價 NT$202（對比股價 NT$167.5，上行空間 21%）（260601_2337_旺宏_ms_macronix）。
圖說：MS estimates vs consensus 圖，列出 Macronix FY Dec 2026e 的 sales、EBITDA、net income、EPS 對比。
圖說：各產品線（NAND／NOR／ROM／FBG）營收占比堆疊柱狀圖，1Q24–2Q26；NAND 占比自 2Q24 約 8% 一路攀升至 2Q26 43%，反映 eMMC 放量對營收結構的改變（報告_CTBC_旺宏2337_20260729，2026-07-29）。
圖說：NAND／eMMC 季度營收堆疊柱狀圖，1Q24–2Q26；2Q26 總額約 80 億元，eMMC 占 58%，QoQ +73%／YoY +315%（報告_CTBC_旺宏2337_20260729，2026-07-29）。
圖說：MS Estimates vs Consensus 圖，FY Dec 2026e Sales/EBITDA/Net income/EPS 對比；MS EPS 估 23.54 元明顯高於市場共識均值 15.25 元（報告_MS_記憶體產業_20260816，2026-08-16）。
成長動能／催化劑
- SLC NAND 因 data center 高速讀寫需求具採用潛力；SLC / MLC 均處結構性供給短缺，旺宏定位受惠。來源 260601_2337_旺宏_ms_macronix / 中。
- MS 2026-06-25 指出 MLC NAND 短缺使企業 HDD 可能改用高密度 SLC NAND，並預期 SLC/MLC NAND 在 3Q26 漲價 50–60% 後，4Q26 仍有價格動能。來源 報告_MS_記憶體華邦南亞科旺宏力積電_20260625，thesis，信心：中高。
- MS 預期 Micron 2H26 減少 NOR 供給，加上 Vera Rubin rack 對 NOR 內容量較 Grace Blackwell 增加 50% 以上，NOR 3Q26 價格可能上漲 30–40% 並延續至 4Q26。來源 報告_MS_記憶體華邦南亞科旺宏力積電_20260625，estimate，信心：中高。
- MS 明確點名旺宏（Macronix）為 AI PC NOR Flash 供應商：WoA AI PC（N1X / N1）搭載旺宏 NOR Flash，作為開機韌體與系統啟動記憶體（fact，高信心）。
- 此為 MS Computex 供應鏈圖中唯一點名的台灣記憶體廠。
- MS 2026-07-02 NAND 產業報告重申旺宏（Macronix）為 GC Semi team 之 NAND Top Pick（OW，SLC/MLC NAND），維持 2026-06-25 report 的 SLC/MLC NAND 結構性供給短缺 thesis：企業 HDD 因 MLC NAND 短缺轉用高密度 SLC NAND，3Q 漲價 50-60% 後 4Q 動能延續。本次報告未提供新 PT/EPS 數字，僅為 thesis 重申與延續驗證。來源 報告_MS_NAND產業_20260702，thesis，信心：中高。
eMMC 業務放量（隨手記，2026-07-23）
eMMC 對旺宏營收貢獻自 4Q25 起明顯提升；1Q26 報價翻倍，對應營收成長約兩倍。2Q26 起營收明顯跳升主因 12 吋 NOR 轉 eMMC（仍以 2D 為主，尚未轉 3D）。旺宏正將 5 廠 NAND 占比提高，並計畫重啟 8 吋廠 flash 產能因應 high density NOR 需求（此舉會排擠既有代工產能）。國際四大廠退出 eMMC 市場（2023 年市占約 70%，估 2026 年減 41.7%）留下的真空，台廠（旺宏、2344_華邦電（市））正順利承接；2026 年全球 eMMC 市場規模估約 127 億美元（低容量 die 約占 30%），若四大廠退出，估釋出約 23 億美元市場空間，即使旺宏未來產能全開仍有逾半市場無法滿足，故下半年仍有擴產空間。完整供需分析與投資邏輯見 分析_eMMC供需與台廠機會_20260723。來源：memo_NAND_eMMC供需分析_20260723，2026-07-23，estimate 中高信心（分析者推算部分）。
舊世代記憶體議價力續強（MS，2026-07-27）
MS 在「Old Memory: Divergent Trends in the Near Term」中維持 legacy 定價假設：3Q26 SLC／MLC NAND QoQ +50-60%、NOR flash QoQ +30-40%、DDR4 月漲 20%+（隱含 QoQ 至少 +30%），明顯高於 TrendForce 對傳統 DRAM／NAND 的 +13-18%／+10-15% 混合口徑。MS 判斷 DDR4、SLC/MLC NAND、NOR flash 三者的結構性供給缺口仍在，因此把兆易創新（GigaDevice）的利基記憶體降價預警視為長期趨勢而非近期風險。估值面，MS 指出旺宏、南亞科、華邦電分別交易於 1.5x／1.2x／1.2x 2028E BVPS，而大中華 IDM 記憶體公司歷史上 1.0x 2028E BVPS 為強下檔支撐。
完整定價表、驗證清單與反證條件見 分析_舊世代記憶體近期分歧_MS_20260727。來源：報告_MS_舊世代記憶體_20260727，thesis，信心：中高。
2Q26 財報大幅優於預期，毛利率上看 80-90%（MS／CTBC，2026-07-28／29）
MS 與 CTBC 均於旺宏 07/28 法說會後確認 2Q26 財報顯著優於預期：季營收 NT$191.25 億元（QoQ +82.7-83%，YoY +181%），毛利率由前季 40.8% 跳升至 64.4%（優於 MS 估 23.4ppt、優於 CTBC 估 38.4ppt），主因 NAND（含 eMMC）漲價與量能齊揚，加上約 NT$9 億元存貨跌價回轉挹注（CTBC；MS 稱約 NT$900mn，主要與 NOR Flash 相關）。EPS 3.90-3.91 元，遠優於 MS 估 †NT$1.44、CTBC 估 NT$3.27。MS 預期未來六個月毛利率上看 80-90%；CTBC 則認為毛利率朝 80% 「指日可待」，兩者方向一致、幅度 CTBC 略保守。公司追加 NT$15.8bn（158 億元）資本支出（在原 NT$22bn／220 億元基礎上），目標 12 吋廠月產能達 3 萬片以上（MS 稱 30kwpm），其中 70% 產能規劃生產 MLC NAND 及 eMMC；追加 NOR 產能預計 1H27 開出、3D NAND 新產能 2H27 開出。
來源：報告_MS_旺宏2337_20260728，fact，信心：高；報告_CTBC_旺宏2337_20260729，fact，信心：高。
舊世代記憶體無需 LTA、NAND 缺口延續帶動獲利上修（2026-08-16）
MS 產業報告「Old Memory: No LTAs Is Not Necessarily Bad」重申並強化 legacy 記憶體漲價論點：MLC 與 legacy TLC NAND 供給缺口在 2H26 可能擴大至 40%，判斷旺宏是唯一能填補此缺口的供應商，MLC／legacy TLC 定價 1Q26 至 4Q26 有機會累計上漲逾 200%；NOR flash 全年維持低個位數短缺（供給面因產能被高毛利產品排擠受限）。任天堂 Switch 2（2025 年 6 月上市）持續為 ROM 業務貢獻動能。
MS 將 2026-28E EPS 大幅上修 139%／144%／147%（由 NT$9.84／25.02／25.88 上修至 NT$23.54／60.99／63.79，即較 2026-06-25 估值再度大幅調高，非新一輪個股報告，數字取自本次產業報告財務表）。目標價（base case）維持 NT$220 不變（2027E P/B 目標倍數由 3.9x 下修至 2.1x，反映整體記憶體板塊 equity risk premium 上升所致的評價倍數壓縮，EPS 上修與倍數下修互相抵銷）；bull case NT$355 維持不變；bear case 由 NT$130 下修至 NT$100，反映券商認為板塊波動性升高、risk/reward 更偏向 bear case。
完整產業觀點（DDR4／SLC NAND／NOR 定價節奏、GigaDevice 目標價因 CXMT IPO 而系統性下修的評價邏輯）見 分析_舊世代記憶體無LTA亦佳_MS_20260816。來源：報告_MS_記憶體產業_20260816，estimate，信心：高（EPS/PT 數字取自報告內財務表，經內部數字交叉核對一致）。
EPS 記錄
只放實績（A）；預估值見下方「EPS 預估」。
| 期間 | EPS（元） | QoQ/YoY | 備註 |
|---|---|---|---|
| 2024 | 虧損 | — | 連續 10 季低迷 |
| 2026Q1 | 0.90 | — | |
| 2026Q2 | 3.90 | QoQ +334% | 07/28 法說會公布（MS 報告記為 NT$3.91，尾數差異為四捨五入）；大幅優於 MS 估 NT$1.44†（回推：MS 稱實際「171% above our estimate」）、CTBC 估 NT$3.27（報告_MS_旺宏2337_20260728；報告_CTBC_旺宏2337_20260729） |
- 2026 年 4 月淨利 NT$2,102mn，YoY +865%；EPS NT$1.07，YoY +813%；淨利率 35.5%。來源 260601_2337_旺宏_ms_macronix / 高。
EPS 預估
多家券商年度 × 券商矩陣；報告發布日為來源日期。
| 年度 | Morgan Stanley（2026-08-16，較 06-25 大幅上修） | 中信投顧（報告日：2026-07-29） | 市場一致 Refinitiv（經 MS 揭露，2026-07-28） | 備註 |
|---|---|---|---|---|
| 2026E | 23.54（舊 9.84，+139%） | 16.21 | 13.60（MS 2026-08-16 揭露共識均值 15.25，較 07-28 揭露的 13.60 略有更新） | MS 上修後已超越 CTBC 自建模型與市場共識 |
| 2027E | 60.99（舊 25.02，+144%） | 33.93 | 28.40 | 同上 |
| 2028E | 63.79（舊 25.88，+147%） | — | 34.27 | CTBC 未提供 2028E |
- 4 月 EPS NT$1.07 已達 MS 2Q26E EPS NT$1.13 的 95%。來源 260601_2337_旺宏_ms_macronix / 高。
- MS 2026-06-25 預估 2026/2027/2028 EPS 為 NT$9.84 / 25.02 / 25.88，分別上修 34%/20%/21%。來源 報告_MS_記憶體華邦南亞科旺宏力積電_20260625，estimate，信心：高。
- MS 2026-07-28（2Q26 財報後 earnings reaction note）確認 2026-28E EPS 估值維持不變（9.84/25.02/25.88），本次為財報後重申，非正式估值調整。來源 報告_MS_旺宏2337_20260728，estimate，信心：高。
MS 2026-08-16 大幅上修後，MS／CTBC EPS 高低關係反轉
舊看法（2026-06-25→07-29）：CTBC 自建 EPS（16.21／33.93 元）明顯高於 MS（9.84／25.02 元）與市場共識（13.60／28.40 元），但 CTBC 目標價（170 元）反而低於 MS（220 元），差異來自估值方法（MS 用 P/B 7.0x，CTBC 用 2027E PERx5.0 倍保守倍數）。 新看法（MS，2026-08-16）：MS 將 2026-28E EPS 大幅上修 139%/144%/147% 至 23.54／60.99／63.79 元，已反超 CTBC 自建模型（16.21／33.93 元）與市場共識，目標價仍維持 NT$220 不變（P/B 目標倍數同步由 3.9x 下修至 2.1x，抵銷 EPS 上修效果）。CTBC 尚未針對本次 MS 大幅上修發布回應報告，建議後續留意 CTBC 是否跟進調整。
財測假設
| 來源（日期） | 模型 / 推導鏈 | 關鍵假設 | 產出 |
|---|---|---|---|
| 自建（隨手記，2026-07-23） | eMMC 月產能 → 單季營收推算 | 2025 年月產能約 1,400 多片；2026 年目標提升至月產能 1 萬片；報價維持穩定 | 若產能全開，單季 eMMC 營收可達約 76 億元，年化約 305 億元†（依產能推算，非公司直接揭露） |
| channel check（隨手記，2026-07-23） | eMMC 單季營收實際／估計 | 1Q26 eMMC 營收約 11.3 億元；2Q26 起 NOR 轉 eMMC（12 吋，仍為 2D）帶動跳升 | 2Q26 eMMC 營收估 80-90 億元；報價持穩、產能持續開出下，後續單季可望維持 80-90 億元規模 |
| channel check（隨手記，2026-07-23） | eMMC 業務毛利率 | 1Q26 毛利率明顯提升，估約 30-40%，預期後續維持 | 用於 eMMC 業務獲利模型 |
| channel check（隨手記，2026-07-23） | 全年營收展望 | 上半年營收約 296 億元；下半年 eMMC／NOR 產能持續開出 | 全年營收有機會挑戰 650 億元†（channel check 推算，待財報核對） |
| Morgan Stanley（2026-07-28） | 2Q26 財報後 earnings reaction，重申估值支撐 | 2Q26 revenue NT$19.1bn（+83% QoQ，優於 MS 估 34%）；GM 64.4%（+23.6ppt QoQ，優於估 23.4ppt）；追加資本支出 NT$15.8bn（累計原 NT$22bn＋本次 15.8bn）；目標 12 吋月產能 30kwpm（NOR 新產能 1H27 開出、3D NAND 新產能 2H27 開出）；估未來 6 個月毛利率可望達 80-90%；現交易於 1.4x 2028E P/B，歷史強支撐為 1.0x | EPS 估值維持不變（2026-28E 9.84/25.02/25.88），重申 OW／Top Pick、PT NT$220（不變） |
| 中信投顧（2026-07-29） | 季度財務模型逐季 buildup（1Q26A–4Q27F） | 2Q26 實際：營收 191.25 億元、GM 64.4%、EPS 3.90 元，優於中信估 EPS 3.27 元約 19-27%；3Q26F 營收 222.23 億元（GM 70.6%）；4Q26F 營收 248.48 億元（GM 71.65%）；追加 158 億元資本支出（與 MS NT$15.8bn 一致）；12 吋月產能目標 3 萬片以上，其中 70% 產 MLC NAND／eMMC | 2026F／2027F 營收 766.65／1,423.59 億元；調整後 EPS 16.21／33.93 元；目標價 170 元（前次 182 元下修，2027 年 PERx5.0 倍） |
| Morgan Stanley（2026-08-16） | 產業報告：MLC／legacy TLC NAND 供給缺口擴大 → 旺宏為唯一填補缺口供應商 → 定價與 EPS 大幅上修 | MLC／legacy TLC NAND 2H26 供給缺口可能達 40%；1Q26–4Q26 累計漲幅可能逾 200%；NOR flash 全年維持低個位數短缺；equity risk premium 上升，2027E P/B 目標倍數由 3.9x 下修至 2.1x | 2026-28E EPS 上修 139%/144%/147% 至 23.54／60.99／63.79（舊 9.84／25.02／25.88）；PT 維持 NT$220（P/B 倍數下修抵銷 EPS 上修）；bear case NT$100（前 NT$130） |
以上為分析者依產能與報價推算的 estimate（中高信心），非公司財測或法說直接揭露數字；與既有 MS 券商 EPS 估算（2026E NT$9.84）為不同模型層次，暫不合併對比。來源：memo_NAND_eMMC供需分析_20260723，2026-07-23。
目標價與評等
| 券商 | 報告發布日 | 評等 | 目標價 | 評價基礎 | 來源 |
|---|---|---|---|---|---|
| Morgan Stanley | 2026-06-01 | Overweight / Top Pick | NT$202 | 對 2026-06-01 收盤價 NT$167.5 隱含 +21% | 260601_2337_旺宏_ms_macronix |
| Morgan Stanley | 2026-06-25 | Overweight / Top Pick | NT$220（NT$202 → NT$220） | 7.0x 2026E BVPS；MLC 與 legacy TLC NAND 供給缺口、NOR 持續漲價 | 報告_MS_記憶體華邦南亞科旺宏力積電_20260625 |
| Morgan Stanley | 2026-07-28 | Overweight / Top Pick | NT$220（維持不變） | 7.0x 2026E BVPS 不變；2Q26 財報優於預期強化論點，對 07/28 收盤價 NT$113 隱含 +95% | 報告_MS_旺宏2337_20260728 |
| 中信投顧 CTBC | 2026-07-29 | 買進（維持） | NT$170（前次 NT$182 下修） | 2027 年 PER x 5.0 倍；對 07/28 收盤價 NT$113 隱含 +50.4% | 報告_CTBC_旺宏2337_20260729 |
| Morgan Stanley | 2026-08-16 | Overweight / Top Pick | NT$220（維持不變）；bull NT$355 不變、bear 由 NT$130 下修至 NT$100 | 2027E P/B 目標倍數由 3.9x 下修至 2.1x（反映 ERP 上升），與 EPS 大幅上修互相抵銷；對現價 NT$137.00 隱含 +60.6% | 報告_MS_記憶體產業_20260816 |
資訊衝突：外資 MS 大幅看多 vs 本土 CTBC 保守下修
同一份 2Q26 財報後，MS 維持 PT NT$220（+95% 上行空間）、CTBC 卻將目標價從 182 元下修至 170 元（+50.4% 上行空間），評等仍同為正向（OW／買進）。差異主要來自估值方法：MS 用 P/B 法看長線結構性缺貨支撐；CTBC 用相對保守的 PER 法（2027 年僅 5.0 倍）。投資人解讀目標價時應留意兩者方法論落差，不宜只看評等文字。
時間軸
| 時間 | 事件 | 類型 | 重要性 | 備註 |
|---|---|---|---|---|
| 2H26 | Vera Rubin rack 放量帶動 NOR 內容量提升 | 放量 | ⭐⭐⭐ | AI 伺服器新代設計對 NOR Flash 需求增加 |
| 2026Q4 | 量產 32GB eMMC | 新品量產 | ⭐⭐ | CTBC 2026-07-29；目前 8GB／16GB eMMC 產能供不應求 |
| 1H27 | 追加 NOR 產能開出 | 擴產 | ⭐⭐ | MS 2026-07-28；對應本次追加 NT$15.8bn 資本支出 |
| 2H27 | 追加 3D NAND 產能開出，12 吋廠月產能目標達 3 萬片（30kwpm） | 擴產 | ⭐⭐⭐ | MS／CTBC 2026-07-28／29；70% 產能規劃生產 MLC NAND／eMMC |
| 2027 | 192 層 3D NAND 預計進入量產；開始出貨車規 eMMC 產品 | 製程 | ⭐⭐ | CTBC 2026-07-29；48／96 層 3D NAND 已量產中，目前無 300 層量產計畫 |
相關公司
| 公司 | 關係 | 說明 |
|---|---|---|
| 2344_華邦電（市） | 同業 / 記憶體漲價受惠 | 同份 MS 報告列為 DDR4、NOR、SLC NAND 漲價受惠者 |
| 2408_南亞科技（市） | 同業 / DRAM 漲價受惠 | 同份 MS 報告列為 DDR4 漲價受惠者 |
| 6770_力積電（市） | 同業 / 成熟製程與記憶體代工 | 同份 MS 報告上修力積電 EPS 與目標價 |
關鍵 Claim
| Claim | 類型 | 來源 | 日期 | 信心 |
|---|---|---|---|---|
| MLC NAND 短缺使企業 HDD 可能改用高密度 SLC NAND，推升 SLC NAND 需求 | thesis | 報告_MS_記憶體華邦南亞科旺宏力積電_20260625 | 2026-06-25 | 中高 |
| MS 預估 2026/2027/2028 EPS 為 NT$9.84 / 25.02 / 25.88，分別上修 34%/20%/21% | estimate | 報告_MS_記憶體華邦南亞科旺宏力積電_20260625 | 2026-06-25 | 高 |
| MS 將旺宏目標價由 NT$202 上調至 NT$220，評等維持 Overweight / Top Pick | estimate | 報告_MS_記憶體華邦南亞科旺宏力積電_20260625 | 2026-06-25 | 高 |
| 旺宏為台灣目前唯一布局 3D NAND TLC 研發的公司 | estimate | memo_NAND_eMMC供需分析_20260723 | 2026-07-23 | 中 |
| eMMC 業務單季營收：1Q26 約 11.3 億元、2Q26 估 80-90 億元；GM 約 30-40% | estimate | memo_NAND_eMMC供需分析_20260723 | 2026-07-23 | 中高 |
| 全年營收上半年約 296 億元，全年有機會挑戰 650 億元 | estimate | memo_NAND_eMMC供需分析_20260723 | 2026-07-23 | 中（待財報核對） |
| 2Q26 實際：營收 NT$191.25 億元（QoQ +82.7%、YoY +181.3%）、EPS 3.90 元，大幅優於雙方預估 | fact | 報告_CTBC_旺宏2337_20260729；報告_MS_旺宏2337_20260728 | 2026-07-28／29 | 高 |
| eMMC 8GB／16GB 產能供不應求，4Q26 將量產 32GB eMMC，2027 年起出貨車規 eMMC | fact | 報告_CTBC_旺宏2337_20260729 | 2026-07-29 | 高 |
| 48／96 層 3D NAND 已量產中，192 層 3D NAND 預計 2027 年量產，目前無 300 層量產計畫 | fact | 報告_CTBC_旺宏2337_20260729 | 2026-07-29 | 高 |
| 公司不認同市調機構「NAND 2H27 將供過於求」的看法，表示目前完全沒有感受到 | fact（公司說法） | 報告_CTBC_旺宏2337_20260729 | 2026-07-29 | 高 |
| MS 追加 NT$15.8bn 資本支出（累計原 NT$22bn＋本次 15.8bn），目標 12 吋月產能達 30kwpm；NOR 新產能 1H27 開出、3D NAND 新產能 2H27 開出 | fact | 報告_MS_旺宏2337_20260728 | 2026-07-28 | 高 |
| CTBC 目標價自 NT$182 下修至 NT$170（評等買進維持），基於 2027 年 PERx5.0 倍 | estimate | 報告_CTBC_旺宏2337_20260729 | 2026-07-29 | 高 |
| MLC／legacy TLC NAND 2H26 供給缺口可能擴大至 40%，旺宏為唯一可填補缺口供應商，定價 1Q26–4Q26 累計漲幅可能逾 200% | thesis | 報告_MS_記憶體產業_20260816 | 2026-08-16 | 中高 |
| MS 將 2026-28E EPS 上修 139%/144%/147% 至 23.54／60.99／63.79 元（舊 9.84／25.02／25.88），目標價維持 NT$220，bear case 由 NT$130 下修至 NT$100 | estimate | 報告_MS_記憶體產業_20260816 | 2026-08-16 | 高 |
來源
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報告_MS_舊世代記憶體_20260727 — Morgan Stanley（Daniel Yen／Charlie Chan／Daisy Dai），2026-07-27；「Old Memory: Divergent Trends in the Near Term」；3Q26 legacy 定價假設（DDR4 月漲 20%+、SLC/MLC NAND +50-60% QoQ、NOR +30-40% QoQ）高於 TrendForce 主流口徑；估值下檔支撐 1.0x 2028E BVPS。insight 見 分析_舊世代記憶體近期分歧_MS_20260727
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gemini 查詢，2026-05-25
- 260601_2337_旺宏_ms_macronix — Morgan Stanley，2026-06-01；4 月獲利反映 pricing power，重申 OW / Top Pick，SLC/MLC NAND 結構性供給短缺
- 報告_MS_Computex2026重點整理_20260602 — Morgan Stanley，2026-06-02；Computex 供應鏈點名旺宏為 WoA AI PC NOR Flash 供應商
- 報告_MS_記憶體華邦南亞科旺宏力積電_20260625 — Morgan Stanley，2026-06-25；PT NT$220，2026/2027/2028 EPS NT$9.84 / 25.02 / 25.88
- 報告_MS_NAND產業_20260702 — Morgan Stanley，2026-07-02；重申 NAND Top Pick（GC Semi team），SLC/MLC 供給短缺延續至 4Q
- memo_NAND_eMMC供需分析_20260723 — 隨手記／研究彙整，2026-07-23；eMMC 業務放量、產能規劃、營收估算、3D NAND TLC 研發布局、國際四大廠 EOL 承接
- 報告_MS_旺宏2337_20260728 — Morgan Stanley（Daniel Yen／Charlie Chan／Daisy Dai／Tiffany Yeh），2026-07-28；2Q26 財報後 earnings reaction note「GM could reach 80-90% within six months」；重申 OW／Top Pick、PT NT$220（不變）；2Q26 revenue/GM/EPS 大幅優於預期；追加 NT$15.8bn 資本支出
- 報告_CTBC_旺宏2337_20260729 — 中信投顧（徐千智），2026-07-29；買進（維持），目標價 170 元（前次 182 元下修，2027 年 PERx5.0 倍）；2Q26 財報詳細拆解、產品線占比、eMMC／3D NAND 製程規劃、追加 158 億元資本支出
- 報告_MS_記憶體產業_20260816 — Morgan Stanley（Daniel Yen／Charlie Chan／Daisy Dai／Tiffany Yeh／Ethan Jia），2026-08-16；「Old Memory: No LTAs Is Not Necessarily Bad」；EPS 2026-28E 上修 139%/144%/147% 至 23.54／60.99／63.79；PT 維持 NT$220，bear case 下修至 NT$100。insight 見 分析_舊世代記憶體無LTA亦佳_MS_20260816