基本資料
南亞科技（Nanya Technology，NTC），台灣 DRAM 製造商，全球第四大 DRAM 廠，南亞集團（台塑關係企業）成員。業務主力為 DDR4、DDR5 標準型 DRAM 及低功耗 LPDDR。MS 2026-05-28「Old Memory: Upside Surprise Ahead」報告大幅升評（Equal-weight → Overweight）、目標價（NT$278 → NT$380，+37%），主因 DDR4 定價超預期走強，加上更積極的 LTA（長期合約）策略與 DDR5 5kwpm 新產能即將貢獻。
注意：南亞科技（2408）與南亞塑膠（1303）為不同公司，同屬台塑集團。
凱基 2026-07-08 報告確認：南亞科主要自台塑勝高（未上市，台塑集團關係企業）等業者採購半導體矽晶圓，所生產 DRAM 主要透過 8131_福懋科（市）（同屬台塑集團）進行封測。
- 主要產品：DDR4/DDR5、LPDDR、128GB DDR5 RDIMM（TSV）、客製化 HBM（開發中）
- 製造節點：1B 製程量產；1C（第三代 10nm）2H26 驗證中
- 3Q26 起：新增 5kwpm DDR5 後段產能（D5 back-end）
- LTA 策略：與 server 及 enterprise SSD 客戶簽署長期合約，更積極於上次法說指引
核心技術／競爭優勢
- DDR4 缺貨受益：三星、SK 海力士、美光將產能大量轉向 HBM 與 DDR5，DDR4 出現結構性缺口；南亞科持有大量成熟製程產能，成為漲價主要受益者
- 1B/1C 製程推進：1B 製程已量產 16Gb DDR5 及 8Gb DDR4，占總產出約 40%；1C（第三代 10nm）16Gb DDR5 預計 2026H2 完成驗證，為 2027 年主力增長引擎
- AI 伺服器切入：推出 128GB DDR5 RDIMM（採 TSV 矽穿孔技術），瞄準 AI 伺服器與資料中心市場
- HBM 開發中：客製化 HBM 預計 2026 年開始貢獻營收，2027 年放量（待核對）
- 策略私募（787 億）：2026 年 4 月完成私募案，引進 SanDisk、Kioxia（鎧俠）、Solidigm 及 Cisco（思科）作為策略投資人，確保 AI 伺服器、eSSD 與網通設備長期訂單（待核對）
- 自主研發：10nm 級製程自主開發，逐步降低對外部技術授權依賴
- 5A 廠擴產：5A 新廠預計 2027Q1 裝機，量產後總產能增加約 80–100%（待核對）
產品與應用
| 產品 | 應用 | 說明 |
|---|---|---|
| DDR5（1B/1C 製程） | AI 伺服器、雲端資料中心 | 主力升級產品 |
| DDR4 | PC、工控、傳統伺服器 | HBM 排擠效應帶動漲價 |
| LPDDR5 | AI 手機、Edge AI | 試產中 |
| 128GB DDR5 RDIMM（TSV） | AI 伺服器 | 高容量高頻寬 |
| 客製化 HBM | AI 加速器、HPC | 開發中，2026 年起貢獻（待核對） |
圖片 / 架構圖
圖說：MS estimates vs consensus 圖，列出 Nanya Tech FY Dec 2026e 的 sales、EBITDA、net income、EPS 對比。
圖說：凱基 2026-07-08 報告圖3，南亞科各製程投片量預估堆疊長條圖，3Q25-4Q28F，區分 30nm/20nm/18nm/1Dnm(DDR5 16Gb 7200/6400Mbps)/1Cnm(DDR5 16Gb 7200/6400Mbps)，顯示先進製程（1Cnm/1Dnm）佔比逐季提升。
圖說：BofA 2026-07-11 報告，Nanya Tech（NNYAF）股價走勢（深藍實線）與歷次券商目標價調整標註（淺藍色垂直標線＋淺藍陰影區間，非紅色虛線），標示每次調整日期與 PO 金額，從 10-Jul PO:NT$88 一路上修至 26-Jun PO:NT$660。
圖說：Daiwa 2026-07-10 報告，南亞科月營收（TWD mn，柱狀）+ YoY 成長率（折線），Jun-24 至 Jun-26，2026 上半年營收與成長率同步陡升，Jun-26 YoY 超過 600%。
圖說：MS 2026-07-12 報告，DRAM 供需比（藍線）vs 南亞科報價 QoQ 變化（黃線）vs 華邦電報價 QoQ 變化（淺藍線）疊圖，1Q23-4Q28e，可見 2Q26 南亞科與華邦電報價同步大漲後，MS 模型預期 QoQ 漲幅逐季收斂。
成長動能／催化劑
DDR4 與低功耗產品
摩根士丹利 2026-06-12 閉門會議
大摩對南亞科技轉向更加樂觀，理由： - 南亞科技目前專注於 DDR4 及低功耗產品，受益於 DDR4 缺貨漲價週期（3Q26 預期季漲 20–30%）。 - Wafer-on-Wafer（晶圓堆疊） 有新客戶進展（未具名），此為前次法說後的增量資訊。 - 大摩估值重置邏輯：若 LTA 覆蓋率達 50–70%，記憶體股估值可從 5x P/E 重置至 8–10x P/E。
| Claim | 類型 | 來源 | 日期 | 信心 |
|---|---|---|---|---|
| Wafer-on-Wafer 技術有新客戶進展 | fact（閉門會資訊） | 260612_大摩閉門會議 | 2026-06-12 | 中（未具名客戶） |
| 大摩對南亞科轉向更樂觀，DDR4 + 低功耗為主軸 | thesis | 260612_大摩閉門會議 | 2026-06-12 | 高 |
| MS 將 2026/2027/2028 EPS 上修至 NT$65.56 / 93.08 / 50.89，主因 3Q26 DDR4 漲幅假設由 20% 提高至至少 30% QoQ | estimate | 報告_MS_記憶體華邦南亞科旺宏力積電_20260625 | 2026-06-25 | 高 |
| DDR4 供需缺口難以在 1H27 前閉合，MS 預期 DDR4 價格將維持高檔至 1H27 | thesis | 報告_MS_記憶體華邦南亞科旺宏力積電_20260625 | 2026-06-25 | 中高 |
EPS 記錄
只放實績（A）；來源：凱基 2026-07-08 報告。
| 季度 | EPS (元) | YoY | 備註 |
|---|---|---|---|
| 2025Q1 | (0.63) | ||
| 2025Q2 | (1.32) | ||
| 2025Q3 | 0.50 | ||
| 2025Q4 | 3.58 | ||
| 2026Q1 | 8.41 | 已實現(A)，凱基 2026-07-08 報告標記 | |
| 2026Q2 | 14.66 | +81% QoQ | 營收 NT$82.549bn（+68.2% QoQ、+684% YoY）；GM 79.5%（+11.6pp QoQ）；OPM 73.7%（+12.4pp QoQ）；每股淨值 NT$93.49；MS 估值高於共識 15%、Daiwa 估值高於 Bloomberg 共識 13-16%；來源 報告_Daiwa_南亞科2408_20260710、報告_UBS_南亞科2408_20260710、報告_MS_南亞科2408_20260712、活動_南亞科2408_法說memo_20260710 |
EPS 預估
| 年度 | Morgan Stanley EPS（報告日：2026-05-28） | 備註 |
|---|---|---|
| 2026e | 65.56 | 報告_MS_記憶體華邦南亞科旺宏力積電_20260625 上修 7%；3Q DDR4 漲幅假設至少 30% QoQ |
| 2027e | 93.08 | 報告_MS_記憶體華邦南亞科旺宏力積電_20260625 上修 15%；DDR4 價格高檔延續至 1H27 |
| 2028e | 50.89 | 報告_MS_記憶體華邦南亞科旺宏力積電_20260625 上修 14%；高基期後獲利回落 |
| 年度 / 季度 | 群益 EPS（報告日：2026-07-03） | 營運數據 | 備註 |
|---|---|---|---|
| 1Q26 | 7.55 | 營收 490.87 億、QoQ +63.11%；ASP QoQ +70% 以上、Shipment QoQ -4~-6%；毛利率 49.04% → 67.87%（+18.83pp） | 每股淨值 62.25 元 |
| 2026F | 54.47 | — | 群益降評後估計 |
| 2027F | 65.62 | — | DDR4 議價與新廠量產節奏為主要變數 |
| 年度 | Daiwa EPS（報告日：2026-07-06） | 備註 |
|---|---|---|
| 2026E | 58.907 | 較前估上修 37%；高於 Bloomberg 共識 27% |
| 2027E | 82.823 | 較前估上修 69%；高於 Bloomberg 共識 41% |
| 2028E | 75.824 | 較前估上修 91%；高於 Bloomberg 共識 47% |
| 年度 | 凱基 EPS（報告日：2026-07-08） | 備註 |
|---|---|---|
| 2026F | 75.16 | 3Q26 ASP/Gb QoQ 假設由 18% 上修至 50%，同步上修 EPS |
| 2027F | 130.67 | |
| 2028F | 203.64 |
| 年度 | UBS EPS（報告日：2026-07-10） | 備註 |
|---|---|---|
| 2026E | 62.35 | 較前估 52.84 上修 18%，高於 pre-results Visible Alpha 共識 18% |
| 2027E | 103.66 | 較前估 88.63 上修 17%，高於共識 43% |
| 2028E | 106.54 | 較前估 94.19 上修 13%，高於共識 60% |
| 2029E | 40.38 | 假設 2028 起 bit shipment 快速回升、ASP 回落 |
| 2030E | 25.77 |
| 年度 | Morgan Stanley EPS（報告日：2026-07-12，更新） | 備註 |
|---|---|---|
| 2026e | 62.13 | 較 2026-06-25 版本 65.56 略下修；PT 同時上調 NT$550→580 |
| 2027e | 112.32 | 較 2026-06-25 版本 93.08 上修，反映 2027-29 新廠 45kwpm 擴產 |
| 2028e | 74.33 | 較 2026-06-25 版本 50.89 上修 |
分析師法說後初判（2026-07-10，活動_南亞科2408_法說memo_20260710）
2026F EPS 61.61 元、2027F EPS 92.9 元；初判「中立」——雖 2Q26 GM/OPM 亮眼且符合上修後預期，但 Trendforce 預估 3Q26 一般型 DRAM 價格漲幅收斂至 13-18%（遠低於 2Q26 的 58-63%），顯示終端市場對價格接受度已近極限，而南亞科 non-AI 佔比仍達 80%；長期看 DDR4 市場萎縮趨勢難避免。
資訊衝突：3Q26 DRAM 漲價步調
- 活動_南亞科2408_法說memo_20260710（2026-07-10，分析師初判引用 Trendforce）：3Q26 一般型 DRAM 價格漲幅預估僅 13-18%，較 2Q26 的 58-63% 明顯收斂，終端價格接受度轉弱。
- 報告_UBS_南亞科2408_20260710（2026-07-10）：3Q26 南亞科 ASP 假設 QoQ +32%。
- 報告_BofA_記憶體週報_20260711（2026-07-11）：3Q26 全球 DRAM ASP 假設由 +17% 上修至 +21% QoQ。
- 報告_MS_南亞科2408_20260712（2026-07-12）：預期 3Q 營收至少 QoQ +25%。
- 狀態：多家券商模型仍假設 3Q26 明顯漲價／營收加速，但法說會後分析師以 Trendforce 通路查價為本的初判轉為保守（中立）；兩派差異可能反映「南亞科自身 ASP/合約漲幅」與「一般型 DRAM 現貨/通路價漲幅」統計口徑不同，待 3Q26 財報驗證。
財測假設
| 來源（日期） | 模型 / 推導鏈 | 關鍵假設 | 產出 |
|---|---|---|---|
| 凱基（2026-07-08） | 供需缺口模型：HBM 位元需求年增逾 100% 排擠傳統 DRAM 供給＋AI 運算由 Training 轉向 Inference/Agentic AI 推升記憶體容量需求＋機器人/自駕車/AI手機/AIPC 等實體 AI 應用早期成長 | 2028 年 Rubin Ultra 與 TPU 搭載 HBM 容量較前一世代至少翻倍 | 預期 2028 年 DRAM 與 NAND Flash 價格維持高檔，供需缺口難緩解 |
| 凱基（2026-07-08） | ASP/Gb 動態調整：2Q26 Blended ASP/Gb 預估 1.67 美元（尚未反映 2Q26 合約價漲幅，因大型 LTA 客戶尚未換約＋合約價反映至出貨價存在時間差） | 3Q26 ASP/Gb QoQ 假設由 18% 上修至 50% | 同步上修 2026-28 年 EPS 至 NT$75.1／130.6／203.6 元 |
| 凱基（2026-07-08） | 5A 新廠擴產＋製程推進：新增 45k 產能，導入 1cnm 與 1dnm 先進製程，每片晶圓可產出更多位元 | 2026-28 年產能預估擴張 69%，為同期原廠最高（Samsung/SK Hynix/Micron 同期各 +15%，Kioxia/Sandisk +26%，Winbond +50%，MXIC +24%） | 預估 2027-28 年位元出貨量分別年增 8.0%/53.1%，達 67.5 億／103.3 億 Gb |
| 凱基（2026-07-08） | Wafer on Wafer（WoW）業務模型：與 Qualcomm 合作之 AI250/AI300 為眾多專案之一，搭配台積電先進封裝深度合作 | WoW 具高度客製化特性、有助提升獲利能見度（未揭露量化財務貢獻，待核對） | 預估 WoW 業務自 2027 年起逐步貢獻獲利，強化南亞科 WoW 競爭優勢與戰略地位（美中韓以外產能/製程最領先 DRAM 供應商） |
| UBS（2026-07-10） | 2Q26 實績 + 新 bit shipment／ASP 假設回推 | 全年 2026 bit shipment guidance「up mid-teens% YoY」隱含 2H26 QoQ 下滑（3Q/4Q26E 各估 -8% QoQ）；3Q26 ASP 假設 QoQ +32% | 2026E/2027E 營收上修至 NT$345bn/NT$570bn（+12%/+10%）；估值以 3.01x NTM P/BV（LT ROE 25.5%、CoE 8.5%） |
| 公司 guidance（2026-07-10 法說，報告_Daiwa_南亞科2408_20260710 / 活動_南亞科2408_法說memo_20260710） | 新廠建置＋長約(LTA)佈局 | 2026 全年資本支出上限 NT$52bn（30% 為晶圓設備，1H26 已執行 NT$6.9bn）；新廠總計畫 US$16bn（約 NT$514-520bn）建 45kwpm、首期 2028 年達 30kwpm；建廠費用約占 US$2.7-3.0bn，其餘含 2028 年導入的 EUV（可能用於 1C/1D/1E）；2Q26 底在手現金 NT$216.7bn（+151% QoQ） | 維持股利發放率約 40%；管理層考慮於長約中加入價格下限或現金預付條款以防違約 |
| MS（2026-07-12） | 2027-29 新廠產能規劃回饋估值模型 | US$16bn capex 分配於 2027-29，80% 為 WFE；假設 2027e P/E 5.1x 與國際同業一致（DDR4 嚴重短缺、LTA 支撐成長） | PT 上調 NT$550→580；隱含 2027e P/E 5.1x，估值回升至 3.9x 2027e EPS（相對 2025-28e EPS CAGR 216%） |
| BofA（2026-07-11，報告_BofA_記憶體週報_20260711） | 全球 DRAM/NAND 由上而下模型；南亞科為 Top-4 DRAM 廠之一 | 2Q26 結果與既有樂觀模型大致相符，2026-28 EPS 修正近乎持平；3Q26 全球 DRAM ASP 假設由 +17% 上修至 +21% QoQ；2026-28 南亞科資本支出估 NT$50bn/70bn/70bn | PO 維持 NT$660（9x 2027-28E P/E），維持 Buy；memory indicator（產業景氣指標）5 月讀數 183，遠高於 2017/2024 高峰（120-130） |
目標價與評等
| 券商 | 報告發布日 | 評等 | 目標價 | 評價基礎 | 來源 |
|---|---|---|---|---|---|
| Morgan Stanley | 2026-05-28 | Overweight（Equal-weight → Overweight） | NT$380（升評前 PT NT$278；+37%） | DDR4 定價超預期走強、更積極 LTA 策略與 DDR5 5kwpm 新產能即將貢獻 | 260528_ms_old-memory |
| Morgan Stanley | 2026-06-25 | Overweight | NT$550（NT$380 → NT$550） | 4.50x 2026E BVPS、2.51x 2027E BVPS；DDR4 定價與 LTA 推動 re-rating | 報告_MS_記憶體華邦南亞科旺宏力積電_20260625 |
| 群益 | 2026-07-03 | Trading Buy（Buy → Trading Buy） | NT$436（NT$505 → NT$436） | 前日收 NT$407；降評理由為短期記憶體雜音與市場疑慮，但群益認為報價仍上行、基本面未惡化 | 報告_群益_2408南亞科_20260703 |
| Daiwa | 2026-07-06 | Buy（1） | NT$650（NT$292 → NT$650，+122%） | 9.2x 2026-27E 平均 EPS，對 DRAM 同業均值溢價 25%（反映 buffer DRAM LTA 私募） | 報告_Daiwa_南亞科_20260706 |
| 凱基 | 2026-07-08 | 增加持股（維持） | NT$720（NT$520 → NT$720，+38.5%） | 2026-27 年平均 EPS 之 7 倍本益比 | 報告_凱基_南亞科2408_20260708 |
| UBS | 2026-07-10 | Buy（維持） | NT$555（NT$495 → NT$555，+12%） | 3.01x NTM P/BV；LT ROE 25.5%、CoE 8.5% | 報告_UBS_南亞科2408_20260710 |
| Daiwa | 2026-07-10 | Buy（1）（維持） | NT$650（維持，2Q26 財報後未變動） | 2Q26 實績符合預期且優於共識 13-16%，重申既有 Buy／TP | 報告_Daiwa_南亞科2408_20260710 |
| BofA | 2026-07-11 | Buy（B-1-7，維持） | NT$660（維持） | 9x 2027-28E P/E | 報告_BofA_記憶體週報_20260711 |
| Morgan Stanley | 2026-07-12 | Overweight（維持） | NT$580（NT$550 → NT$580，+5.5%） | 2027-28e 資本支出/產能規劃回饋估值，隱含 5.1x 2027e P/E | 報告_MS_南亞科2408_20260712 |
時間軸
| 時間 | 事件 | 類型 | 重要性 | 備註 |
|---|---|---|---|---|
| 2026-05-28 | MS 升評 Equal-weight → Overweight，PT NT$278 → NT$380（+37%） | 評等升級 | ⭐⭐⭐ | 「Old Memory: Upside Surprise Ahead」 |
| 2026-05-28 | EPS 2026/2027/2028 上修 15%/29%/33%；反映 DDR4 定價強勁 | 估計上修 | ⭐⭐⭐ | |
| 3Q26 | 新增 5kwpm DDR5 後段（D5 back-end）產能開始 | 擴產 | ⭐⭐⭐ | |
| 3Q26 | DDR4 定價預期季增 ~20% | 定價 | ⭐⭐⭐ | MS DDR4 供需缺口估 19-20% 2H26 |
| 2026-05-28 | 與 server + enterprise SSD 客戶簽 LTA 長期合約（比法說指引更積極） | 供需 | ⭐⭐⭐ | 鎖定穩定訂單 |
| 2026+ | DDR4 供需缺口 19-20% 2H26，2027-28 維持 18-20% | 供需展望 | ⭐⭐⭐ | Micron 設備移轉台灣→美國縮減 D4 供應 |
| 2026-06-12 | 大摩對南亞科技轉向更加樂觀；Wafer-on-Wafer（晶圓堆疊）有新客戶進展（未具名）；若 LTA 覆蓋率達 50–70%，記憶體股估值可從 5x P/E 重置至 8–10x P/E | 閉門會 / 估值 | ⭐⭐⭐ | 來源 260612_大摩閉門會議 |
| 2026-06-25 | MS 將南亞科目標價上調至 NT$550，2026/2027/2028 EPS 上修 7%/15%/14% | 估計上修 | ⭐⭐⭐ | 3Q26 DDR4 漲幅假設由 20% 提高至至少 30% QoQ；來源 報告_MS_記憶體華邦南亞科旺宏力積電_20260625 |
| 2026-07-03 | 群益降評 Buy → Trading Buy，TP NT$505 → NT$436 | 評等調整 | ⭐⭐ | 記憶體短期雜音包含漲勢延續性、中國供給、終端放緩與 CSP 算力疑慮，但基本面未惡化 |
| 2026-07-06 | Daiwa 上調 TP NT$292 → NT$650（+122%），評等 Buy；2Q26 revenue NT$82.5bn (+684% YoY) 大幅超 Bloomberg 共識；OP margin 73.4% | 評等/估計上修 | ⭐⭐⭐ | 2026-2028E EPS 上修 37–91%；DDR4 漲勢延伸至 2027；buffer DRAM LTA；來源 報告_Daiwa_南亞科_20260706 |
| 2027 初 | 新廠裝機，1H27 量產 | 擴產 | ⭐⭐⭐ | 2026 資本支出上限 520 億元，70% 投新廠廠務 / 無塵室、30% 投設備 |
| 2027 底 | 新廠產能達 15-20K 片 / 月，以 DDR5 為主 | 擴產 | ⭐⭐⭐ | 總產能約 60K 片 / 月；DDR5 目前占約 10%，目標維持 10%+ |
| 2026-07-10 | 南亞科召開 2Q26 法說會，凱基預期管理層釋出強勁展望 | 法說 | ⭐⭐⭐ | 來源 報告_凱基_南亞科2408_20260708 |
| 2028 | 供需缺口仍難緩解：HBM 位元需求年增逾 100%，排擠傳統 DRAM 供給 | 供需展望 | ⭐⭐⭐ | Rubin Ultra/TPU 搭載 HBM 容量至少翻倍；AI 由 Training 轉 Inference/Agentic AI 推升記憶體容量需求 |
| 2026-28 | 南亞科產能預估擴張 69%，為同期原廠最高（Samsung/SK Hynix/Micron 各 +15%、Kioxia/Sandisk +26%、Winbond +50%、MXIC +24%） | 擴產 | ⭐⭐⭐ | 凱基 2026-07-08 圖2 對比 |
| 2027-28 | 5A 新廠新增 45k 產能導入 1cnm/1dnm 製程，位元出貨量分別年增 8.0%/53.1% 達 67.5 億／103.3 億 Gb | 擴產 / 技術下線 | ⭐⭐⭐ | 每片晶圓可產出更多位元 |
| 3Q26 | ASP/Gb QoQ 假設由 18% 上修至 50%，同步上修 2026-28 年 EPS 至 75.1/130.6/203.6 元 | 估計上修 | ⭐⭐⭐ | 因大型 LTA 客戶尚未換約、合約價反映至出貨價存在時間差；來源 報告_凱基_南亞科2408_20260708 |
| 2027 起 | Wafer on Wafer（WoW）業務逐步貢獻獲利，與 Qualcomm 合作之 AI250/AI300 為眾多專案之一 | 新業務貢獻 | ⭐⭐ | 具高度客製化特性，搭配台積電先進封裝深度合作（未揭露量化財務貢獻） |
| 2026-07-08 | 凱基上調目標價 NT$520 → NT$720（+38.5%），評等維持增加持股，基於 2026-27 年平均 EPS 的 7 倍本益比 | 評等 / 估計 | ⭐⭐⭐ | 來源 報告_凱基_南亞科2408_20260708 |
| 2026-07-10 | 南亞科 2Q26 法說：營收 NT$82.549bn（+68.2% QoQ、+684% YoY）、GM 79.5%、OPM 73.7%、稅後 EPS 14.66 元；DDR4+LPDDR4 合計占比近 70%，DDR5／DDR3 各約 10%；1H26 AI/伺服器營收占比逾 20% | 法說 / 財報 | ⭐⭐⭐ | 來源 活動_南亞科2408_法說memo_20260710、報告_Daiwa_南亞科2408_20260710、報告_UBS_南亞科2408_20260710 |
| 2026-07-10 | 公司揭露新廠總計畫 US$16bn（約 NT$514-520bn）建置 45kwpm，首期 2028 年達 30kwpm；2026 全年資本支出上限 NT$52bn（30% 設備） | 擴產 / guidance | ⭐⭐⭐ | 來源 活動_南亞科2408_法說memo_20260710、報告_Daiwa_南亞科2408_20260710 |
| 2026-07-10 | UBS 上調目標價 NT$495 → NT$555（+12%），維持 Buy；2026E/2027E EPS 上修至 62.35/103.66 | 評等/估計上修 | ⭐⭐⭐ | 來源 報告_UBS_南亞科2408_20260710 |
| 2026-07-10 | Daiwa 2Q26 財報後重申 Buy／TP NT$650 不變；2Q26 營收/獲利優於 Bloomberg 共識 13%/16% | 財報後重申 | ⭐⭐ | 來源 報告_Daiwa_南亞科2408_20260710 |
| 2026-07-10 | 分析師法說後初判轉「中立」：Trendforce 預估 3Q26 一般型 DRAM 漲幅收斂至 13-18%（vs 2Q26 的 58-63%），推估 2026F/2027F EPS 61.61/92.9 元 | 觀點 / 估計 | ⭐⭐ | 來源 活動_南亞科2408_法說memo_20260710；與多家券商 3Q26 續強假設存在分歧，見 EPS 預估 [!warning] |
| 2026-07-11 | CXMT（長鑫存儲，中國 DRAM 廠）公布 IPO 申購日 7/16，揭露 2Q26 營收指引 CNY 59-69bn（約 US$9.5bn，YoY +7x），但仍僅占全球 DRAM 個位數中段市占；南亞科管理層表示中國廠增產對其無直接影響 | 產業事件 / 供給 | ⭐⭐ | 來源 報告_BofA_記憶體週報_20260711、活動_南亞科2408_法說memo_20260710 |
| 2026-07-11 | BofA 全球記憶體週報維持南亞科 PT NT$660／Buy；memory indicator 5 月讀數 183，遠高於 2017/2024 峰值（120-130），全球 DRAM 2026E 營收預估年增 325% | 產業觀點 / 估值 | ⭐⭐⭐ | 來源 報告_BofA_記憶體週報_20260711 |
| 2026-07-12 | MS 上調目標價 NT$550 → NT$580（+5.5%），維持 Overweight；2Q26 EPS 14.66 元優於共識 15%，2027-29 新廠規劃納入估值模型 | 評等/估計上修 | ⭐⭐⭐ | 來源 報告_MS_南亞科2408_20260712 |
關鍵 Claim
| Claim | 類型 | 來源 | 日期 | 信心 |
|---|---|---|---|---|
| MS 將 2026/2027/2028 EPS 上修至 NT$65.56 / 93.08 / 50.89，主因 3Q26 DDR4 漲幅假設由 20% 提高至至少 30% QoQ | estimate | 報告_MS_記憶體華邦南亞科旺宏力積電_20260625 | 2026-06-25 | 高 |
| DDR4 供需缺口難以在 1H27 前閉合，MS 預期 DDR4 價格將維持高檔至 1H27 | thesis | 報告_MS_記憶體華邦南亞科旺宏力積電_20260625 | 2026-06-25 | 中高 |
| MS 將南亞科目標價由 NT$380 上調至 NT$550，評等維持 Overweight | estimate | 報告_MS_記憶體華邦南亞科旺宏力積電_20260625 | 2026-06-25 | 高 |
| 群益將南亞科評等 Buy 降至 Trading Buy，TP NT$505 → NT$436；降評因短期記憶體雜音，但報價仍上行且基本面未惡化 | estimate | 報告_群益_2408南亞科_20260703 | 2026-07-03 | 高 |
| DRAM 大廠資本支出與產能轉向 HBM / DDR5，壓縮 DDR4 / LPDDR4 供給，南亞科逐步成 DDR4 最大供應商並掌握議價主導權 | thesis | 報告_群益_2408南亞科_20260703 | 2026-07-03 | 中高 |
| 凱基預期南亞科 2026-28 年產能擴張 69%，居同期原廠之首 | estimate | 報告_凱基_南亞科2408_20260708 | 2026-07-08 | 高 |
| 3Q26 ASP/Gb QoQ 假設由 18% 上修至 50%，同步上修 2026-28 年 EPS 至 75.1/130.6/203.6 元 | estimate | 報告_凱基_南亞科2408_20260708 | 2026-07-08 | 高 |
| Wafer on Wafer 業務預估自 2027 年起逐步貢獻獲利，與 Qualcomm 合作之 AI250/AI300 為眾多 WoW 專案之一 | thesis | 報告_凱基_南亞科2408_20260708 | 2026-07-08 | 中（未揭露量化貢獻） |
| 凱基將南亞科目標價由 NT$520 上調至 NT$720（+38.5%），評等維持增加持股 | estimate | 報告_凱基_南亞科2408_20260708 | 2026-07-08 | 高 |
| 2Q26 稅後 EPS 14.66 元，GM 79.5%／OPM 73.7%，均創新高 | fact | 活動_南亞科2408_法說memo_20260710、報告_Daiwa_南亞科2408_20260710 | 2026-07-10 | 高 |
| 新廠總計畫 US$16bn 建 45kwpm，首期 2028 年達 30kwpm | public_info | 活動_南亞科2408_法說memo_20260710 | 2026-07-10 | 高（公司 guidance） |
| CXMT 增產對南亞科無直接影響（公司法說發言） | fact | 活動_南亞科2408_法說memo_20260710 | 2026-07-10 | 高（公司發言） |
| Trendforce 預估 3Q26 一般型 DRAM 漲幅收斂至 13-18%，與多家券商 3Q26 續強假設（UBS +32%、BofA +21%）存在分歧 | third_party | 活動_南亞科2408_法說memo_20260710 | 2026-07-10 | 中（待 3Q26 財報驗證） |
| UBS 上調目標價至 NT$555，評等 Buy | estimate | 報告_UBS_南亞科2408_20260710 | 2026-07-10 | 高 |
| BofA 維持目標價 NT$660、Buy，2Q26 結果與既有模型大致相符 | estimate | 報告_BofA_記憶體週報_20260711 | 2026-07-11 | 高 |
| MS 上調目標價至 NT$580，評等 Overweight | estimate | 報告_MS_南亞科2408_20260712 | 2026-07-12 | 高 |
相關公司
| 公司 | 關係 | 說明 |
|---|---|---|
| 2344_華邦電（市） | 同業 — 同步升評 OW | MS 同份報告升評；同為 DDR4 漲價受益 |
| 2337_旺宏（市） | 同業 / 記憶體供給替代 | MS 同份報告列為 legacy flash 漲價受惠者 |
| 6770_力積電（市） | 同業 / 成熟製程與記憶體代工 | MS 同份報告列為成熟製程與 3D AI foundry 受惠者 |
| 5351_鈺創（市） | 同業映射 | 利基記憶體生態 |
| 2404_漢唐（市） | 新廠廠務 / 無塵室供應商 | 群益指出 2026 資本支出上限 520 億元中約 70% 投向新廠廠務與無塵室，漢唐為相關受惠供應商 |
| 8131_福懋科（市） | 封測夥伴（台塑集團關係企業） | 凱基 2026-07-08 報告確認：南亞科所生產 DRAM 主要透過福懋科進行封測 |
| 長鑫存儲CXMT（未） | 同業 / 潛在競爭 | 2026-07 申購 IPO；2Q26 營收指引 US$9.5bn（YoY +7x）但僅占全球 DRAM 個位數中段市占；南亞科管理層法說明確表示中國廠增產對其無直接影響，BofA/MS 產業模型亦估其資本支出/產能占全球 DRAM 個位數比重 |
來源
- gemini 查詢，2026-05-25（基礎面）
- 260528_ms_old-memory — Morgan Stanley「Old Memory: Upside Surprise Ahead」，升評 Nanya/Winbond OW，2026-05-28
- 260612_大摩閉門會議 — Morgan Stanley 2026-06-12 閉門會議；DDR4 + 低功耗、Wafer-on-Wafer 新客戶進展、LTA 覆蓋率估值重置邏輯
- 報告_MS_記憶體華邦南亞科旺宏力積電_20260625 — Morgan Stanley，2026-06-25；PT NT$550，2026/2027/2028 EPS NT$65.56 / 93.08 / 50.89
- 報告_群益_2408南亞科_20260703 — 群益，2026-07-03；評等 Buy → Trading Buy，TP NT$505 → NT$436，EPS 2026F / 2027F 為 NT$54.47 / 65.62
- 報告_Daiwa_南亞科_20260706 — Daiwa，2026-07-06；Buy TP NT$650，2026/2027/2028E EPS NT$58.91 / 82.82 / 75.82；2Q26 revenue NT$82.5bn (+684% YoY)，OP margin 73.4%
- 報告_凱基_南亞科2408_20260708 — 凱基，2026-07-08；增加持股（維持）TP NT$520 → NT$720，2026/2027/2028F EPS NT$75.16 / 130.67 / 203.64；2028 年供需缺口難緩解、5A 新廠 45k 產能、WoW 業務 2027 起貢獻
- 報告_Daiwa_南亞科2408_20260710 — Daiwa，2026-07-10；2Q26 財報後重申 Buy／TP NT$650；營收/獲利優於 Bloomberg 共識 13%/16%
- 報告_UBS_南亞科2408_20260710 — UBS，2026-07-10；Buy，TP NT$495 → NT$555；2026E/2027E/2028E EPS 62.35/103.66/106.54
- 報告_MS_南亞科2408_20260712 — Morgan Stanley，2026-07-12；Overweight，TP NT$550 → NT$580；2026e/2027e/2028e EPS 62.13/112.32/74.33
- 報告_GS_南亞科2408記憶體_20260710 — Goldman Sachs，2026-07-10；以南亞科 2Q26 財報做 Samsung Electronics read-across，非南亞科主研究報告
- 報告_BofA_記憶體週報_20260711 — BofA Securities，2026-07-11；Global Memory Tech 週報，Buy／PO NT$660（維持）；週報主題含 Samsung 股價回檔、CXMT IPO、南亞科上升週期
- 活動_南亞科2408_法說memo_20260710 — 南亞科 2Q26 法說會 memo（含分析師初判與 16 題 Q&A），2026-07-10