定義
DRAM（Dynamic Random Access Memory，動態隨機存取記憶體）是主流揮發性記憶體。每個記憶體 cell 以電容儲存電荷、以電晶體控制讀寫；電荷會漏失，因此需要週期性 refresh。DRAM 的核心價值是比 SRAM 更高密度、比 NAND 更快且可隨機讀寫，是 CPU、GPU、AI 加速器、手機與伺服器的工作記憶體。
記憶體分類
flowchart TB
M[記憶體] --> V[揮發性記憶體]
M --> NV[非揮發性記憶體]
V --> DRAM[DRAM<br/>容量 / 成本主力]
V --> SRAM[SRAM<br/>低延遲 cache]
DRAM --> DDR[DDR / DDR5<br/>PC / Server]
DRAM --> LP[LPDDR<br/>Mobile / Edge AI / SOCAMM]
DRAM --> HBM[HBM<br/>AI GPU / ASIC]
DRAM --> GDDR[GDDR<br/>GPU / Graphics]
NV --> NAND[NAND Flash<br/>SSD / Storage]
NV --> MRAM[MRAM / FeRAM<br/>Embedded NVM]
圖說：DRAM 是工作記憶體主幹；不同分支用頻寬、功耗、封裝與可維修性區分應用。
主要分支
| 類型 | 核心定位 | 典型應用 | 觀察重點 |
|---|---|---|---|
| 技術_DDR5 | 標準型主記憶體 | 伺服器、PC、工作站 | 容量、頻率、RDIMM / MRDIMM、伺服器滲透率 |
| DDR4 / DDR3 | 成熟世代 DRAM | 工控、舊平台、利基應用 | HBM / DDR5 排擠先進產能時，成熟品缺貨與漲價 |
| 技術_LPDDR | 低功耗 DRAM | 手機、AI PC、邊緣 AI、Vera CPU SOCAMM | 功耗 / 頻寬平衡、是否可模組化 |
| 技術_HBM | 3D 堆疊高頻寬 DRAM | AI GPU、AI ASIC、HPC | TSV、CoWoS、良率、產能排擠效應 |
| 技術_GDDR | 顯示 / GPU 高頻寬 DRAM | 顯卡、遊戲 GPU、部分推論加速器 | 單顆頻寬高、板級佈線與功耗 |
| 技術_DRAM-on-Logic | DRAM 與邏輯晶圓堆疊 | Edge AI SoC | WoW hybrid bonding、良率、成本 |
| Niche DRAM | 利基型 / 長生命週期 | 工控、車用、消費電子 | 供應商少、規格長尾、價格彈性 |
關鍵參數
| 指標 | 意義 | 投資 / 產品觀察 |
|---|---|---|
| Bit density | 單位晶圓可產 bit 數 | 製程微縮、die size、良率決定成本曲線 |
| Data rate | MT/s | DDR5 / LPDDR5X / GDDR7 等世代升級核心 |
| Bandwidth | GB/s 或 TB/s | AI 工作負載是否 memory-bound 的關鍵 |
| Capacity | GB / module、GB / stack | Server DRAM、HBM stack、CXL memory expansion 需求 |
| Latency | ns 級延遲 | DDR / LPDDR / HBM / CXL 的層級差異 |
| Power | pJ/bit、待機功耗 | Mobile、Edge AI、資料中心 TCO |
| Reliability | ECC、RAS、thermal margin | 伺服器與 AI 機櫃採用門檻 |
產業鏈
| 環節 | 代表廠商 / 台股映射 | 說明 |
|---|---|---|
| DRAM 原廠 | Samsung、SK hynix、Micron、2408_南亞科技（市）、長鑫存儲CXMT（未） | 製造晶粒、掌握供給與世代轉換 |
| 利基型 DRAM | 5351_鈺創（市）、華邦電、晶豪科 | 長生命週期、小容量或特殊規格 |
| 模組 / 通路 | 3260_威剛（市）、8271_宇瞻（市） | DDR 模組、工控模組、SSD / DRAM 通路 |
| 測試 / 封裝 | 6239_力成（市）、2449_京元電（市）、8150_南茂（市）等 | DRAM 測試、HBM 測試與高階封裝連動 |
| 連接器 | 技術_SOCAMM2 供應鏈 | DDR / LPDDR 模組化後，連接器規格升級 |
圖解
圖說：BofA 2026-07-11 報告，DRAM 現貨價格歷史走勢（US$，2000-2026），依世代標註 0.064Gb→16Gb DDR4/DDR5，可見 2025-2026 價格急升至歷史新高，遠超過去每一世代循環高點。
圖說：MS 2026-07-12《南亞科》報告，全球 DRAM 供給依廠商拆分堆疊柱狀圖（Samsung／Hynix／Micron／CXMT／Nanya／Winbond／PSMC／JHICC，1Q23-3Q28e），可見 CXMT 佔全球 DRAM 供給比重明顯低於三大原廠與南亞科。
投資觀察
- HBM 擴產會吃掉 leading-edge DRAM wafer 與工程資源，可能排擠 DDR5、LPDDR、DDR4 等傳統 DRAM 供給。
- AI 伺服器不只需要 HBM，也需要 CPU host memory：DDR5 RDIMM / MRDIMM、LPDDR SOCAMM、CXL memory expansion 都是記憶體階層的一部分。
- 成熟 DRAM 價格有時不是單純景氣循環，而是三大原廠轉向 HBM / DDR5 後造成的結構性供給縮減。
- 2026 超級週期規模（BofA 2026-07-11）：全球 DRAM 營收預估 2026E 年增 325%（2024/25 為 +86%/+52%），主因 ASP 約 3 倍暴衝（+249% YoY）；BofA memory indicator（產業景氣指標）5 月讀數 183，遠高於 2017/2024 歷史峰值（120-130）。
- 長鑫存儲CXMT（未）（中國本土 DRAM 廠）供給占比仍小：2026-07 申購 IPO、2Q26 營收指引年增 7 倍達 US$9.5bn，但全球 DRAM 資本支出占比僅約 6-11%（2025-2028E，報告_BofA_記憶體週報_20260711），市占仍為個位數中段；高階 DRAM（10Ghz+ LPDDR5、HBM、SOCAMM、GDDR7）預期仍由非中國原廠供應。
- Samsung 7 月股價回檔但基本面未轉弱：2Q26 OP 達 W89.4tn，市場疑慮集中在 Meta 美系晶片訂單縮減、CXMT 中國產能與 QoQ 成長高峰已過，BofA 通路查價認為記憶體需求與 3Q26 ASP 展望仍正向（報告_BofA_記憶體週報_20260711）。
相關技術
來源
- 技術定義與分類為公開 DRAM 架構知識彙整。
- 本庫既有頁：技術_HBM、技術_DRAM-on-Logic、技術_SOCAMM2、分析_Chipflation記憶體危機_MS_20260602。
- 報告_BofA_記憶體週報_20260711 — BofA Securities，2026-07-11；Global Memory Tech 週報，2026 全球 DRAM 超級週期規模、CXMT IPO、Samsung 股價回檔背景
- 報告_MS_南亞科2408_20260712 — Morgan Stanley，2026-07-12；DRAM 供需模型依廠商拆分（含 CXMT）