愛普

基本資料

愛普科技股份有限公司（AP Memory Technology），台灣 IPD（Integrated Passive Devices，整合被動元件）矽電容與特殊記憶體廠商，主力產品為 S-SiCap（矽電容）與 ApSRAM（特殊靜態記憶體）。

• 主要產品：IPD 矽電容（S-SiCap）、ApSRAM、IoT DRAM
• 應用場景：AI 先進封裝（EMIB、CoWoS）、HBM 信號完整性優化、IoT 記憶體
• 需求來源：AI/HPC 先進封裝滲透加速，信號完整性與功耗需求驅動 IPD 導入
• 供應鏈位置：IPD 矽電容設計（design house）；晶圓製造由力積電代工（8"、12"）
• 資料來源：富邦投顧，2026-04-23

核心技術／競爭優勢

• IPD 矽電容（S-SiCap）：整合在基板上的被動元件（置於 ABF 基板），解決 AI 晶片封裝中信號完整性與電源完整性問題
• EMIB 認證：力積電 12" IPD 已取得 Intel EMIB 認證，可用於 Google TPU ASIC 晶片及 HBM4E 封裝
• CoWoS 潛力：IPD 方案同步有機會切入台積電 CoWoS 先進封裝供應鏈
• ApSRAM 量產加速，測試產能瓶頸預計 2Q26 緩解
• Embedded IPD 驗證門檻：2026Q1 法說 memo 指出 IPD 已取得北美大單，非獨供但為首家完成驗證，且已切入 Intel EMIB 供應鏈；embedded in substrate 驗證時間長、同業少。
• VHM 轉向 AI accelerator：VHM 從加密貨幣需求轉向 AI 加速器，1+8Hi VHM stack 測試中，2Q26 已有部分 tape out，管理層預期 2027Q4 開始有顯著營收成長。
• WoW / VHM 中期成長選項：Morgan Stanley 2026-05-12 報告將 2026/2027/2028 EPS 分別上修 9%/26%/39%，主因 IoTRAM 出貨、S-SiCap / LSC 量產與 VHM 在 edge AI / server 應用開發進度。
• 近運算堆疊記憶體題材（VHM / WoW / ApSRAM）：VHM（1+8Hi stack）與 WoW（wafer-on-wafer）封裝可視為以較低成本實現「近運算的堆疊記憶體」，與 技術_3D堆疊SRAM（hybrid bonding／TCI 高階路線，如 AMD 3D V-Cache、Fujitsu MONAKA）概念相近、定位偏利基與邊緣／AI 加速器；屬概念類比而非同一技術（thesis，中信心）。意涵：若 3D 堆疊 SRAM／近運算記憶體趨勢成形，愛普是台股少數具「堆疊記憶體＋近運算」映射的標的。來源 產業_SEMIVISION_3D堆疊SRAM_20260520。
• Si-Cap TAM 擴大驗證：Morgan Stanley 2026-05-21 報告指出 SEMCO 約 W1.5 兆 Si-Cap 長約可能供應 next-gen TPU EMIB-T，並強調 Si-Cap 供給寡占與長約化。這提高 技術_矽電容 的產業驗證度，但 SEMCO 合約不等於愛普直接分單；愛普仍需看 S-SiCap / LSC / IPD 客戶導入與代工產能。
• 供需模型仍顯示短缺：MS 2026-05-21 另指出 non-TSM silicon capacitor 市場 2026 / 2027 / 2028 分別短缺 57% / 16% / 11%，需求來自 EMIB（TPU v10 / v11）、中國 AI GPU 與 smartphone SoC，競爭出現但短期不改供給緊張。
• iVR 近端供電新應用面（矽電容）：AI 晶片瓦數攀升，傳統從主機板長距離拉線供電的方式耗損達 20-30%（且轉為廢熱加重液冷壓力），業界轉向 iVR 整合式電壓調節架構——把電壓調節功能拉進晶片封裝內、供電網路極度靠近運算核心。iVR 需整合愛普的矽電容（S-SiCap 為關鍵被動元件）；CSP 端已見 2-3 家積極 validation 規格，並傳三星電機（SEMCO）搶到部分 share。此題材須與先進封裝、載板廠、北美 CSP 自研 ASIC 客戶逐關驗證，從設備到齊到放量約需 2-3 年，短期營收貢獻不顯著（技術導入期）；但在高功耗、立體堆疊、背面供電等物理趨勢不變下，矽電容＋iVR 被視為必經之路（thesis，中信心）。此為既有 EMIB-T/CoWoS 去耦應用之外的前瞻新應用場景。來源 memo_愛普矽電容_iVR供電架構_20260610。

產品與應用

月營收追蹤

4 月 EPS NT$1.14 占 MS 2Q26E EPS NT$3.98 的 29%（2026-06-01 Morgan Stanley）。

EPS 記錄

成長動能／催化劑

EPS 預估

YoY（FY26F/FY25，富邦）：+162%

財測假設

目標價與評等

• 股價（報告日）：NT$792；潛在漲幅 +15%
• 52 週高低：792 / 213.58
• 主要風險：(1) 矽電容訂單速度不如預期；(2) IoT RAM 競爭加劇
• Morgan Stanley bull / base / bear case：NT$1,830 / NT$1,555 / NT$620；base case 以 residual income model 估算，假設 cost of equity 9.2%、payout ratio 67%、terminal growth 3.0%、medium-term growth 16.0%。

時間軸

供應鏈位置

• 所屬供應鏈：AI 先進封裝 IPD 供應鏈
• 上游（晶圓製造）：力積電（8"、12" IPD 代工）
• 下游（封裝整合）：Intel EMIB-T 平台、台積電 CoWoS
• IPD 營運模式：與客戶合作後交貨給下游載板商，毛利率約 45-46%（2026Q1 法說 memo）
• IPC / IPD 應用差異：IPC 對應矽中介層電容需求；IPD 目前主要用在手機晶片封裝，並隨低電壓趨勢提高滲透。
• IPD 與 VHM 放量節點同步整理於 時程_2026_先進封裝產能。
• Si-Cap 技術與供應鏈詳見 技術_矽電容。

相關公司

圖片 / 架構圖

圖說：愛普（6531）富邦投顧封面，含評等、目標價 911 元及 ESG 評等資訊。

圖說：愛普 FY26F 單季預測模型，顯示 S-SiCap 出貨加速帶動毛利率逐季提升至 50%+ 的趨勢。

圖說：Morgan Stanley 2026-05-12 risk-reward chart，將愛普 base case 目標價調升至 NT$1,555，bull / bear case 分別為 NT$1,830 / NT$620。

來源

• 報告_富邦_愛普6531_IPD潛力_20260423，報告日：2026-04-23
• 活動_愛普_2026Q1法說memo_20260512，2026Q1 法說 memo
• 報告_MS_愛普6531_20260512，報告日：2026-05-12
• 報告_MS_舊型記憶體SiCapTAM_20260521，報告日：2026-05-21
• 260521_6531愛普_ms_，Morgan Stanley，報告日：2026-05-21
• 260601_6531_愛普_ms_apmemory — Morgan Stanley，2026-06-01；4 月 EPS NT$1.14，S-SiCap 結構性供給短缺與 VHM / edge AI 機會
• memo_愛普矽電容_iVR供電架構_20260610，使用者整理，2026-06-10 — iVR 為 AI 晶片高功耗下供電架構剛需，矽電容為其關鍵被動元件；CSP 2-3 家 validation、傳 SEMCO 搶 share、結構性供不應求、愛普領先（thesis）

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