基本資料
愛普科技股份有限公司（AP Memory Technology），台灣 IPD（Integrated Passive Devices，整合被動元件）矽電容與特殊記憶體廠商，主力產品為 S-SiCap（矽電容）與 ApSRAM（特殊靜態記憶體）。
- 主要產品：IPD 矽電容（S-SiCap）、ApSRAM、IoT DRAM
- 應用場景：AI 先進封裝（EMIB、CoWoS）、HBM 信號完整性優化、IoT 記憶體
- 需求來源：AI/HPC 先進封裝滲透加速，信號完整性與功耗需求驅動 IPD 導入
- 供應鏈位置：IPD 矽電容設計（design house）；晶圓製造由力積電代工（8"、12"）
- 資料來源：富邦投顧，2026-04-23
核心技術／競爭優勢
- IPD 矽電容（S-SiCap）：整合在基板上的被動元件（置於 ABF 基板），解決 AI 晶片封裝中信號完整性與電源完整性問題
- EMIB 認證：力積電 12" IPD 已取得 Intel EMIB 認證，可用於 Google TPU ASIC 晶片及 HBM4E 封裝
- CoWoS 潛力：IPD 方案同步有機會切入台積電 CoWoS 先進封裝供應鏈
- ApSRAM 量產加速，測試產能瓶頸預計 2Q26 緩解
- Embedded IPD 驗證門檻：2026Q1 法說 memo 指出 IPD 已取得北美大單，非獨供但為首家完成驗證，且已切入 Intel EMIB 供應鏈；embedded in substrate 驗證時間長、同業少。
- VHM 轉向 AI accelerator：VHM 從加密貨幣需求轉向 AI 加速器，1+8Hi VHM stack 測試中，2Q26 已有部分 tape out，管理層預期 2027Q4 開始有顯著營收成長。
- WoW / VHM 中期成長選項：Morgan Stanley 2026-05-12 報告將 2026/2027/2028 EPS 分別上修 9%/26%/39%，主因 IoTRAM 出貨、S-SiCap / LSC 量產與 VHM 在 edge AI / server 應用開發進度。
- 近運算堆疊記憶體題材（VHM / WoW / ApSRAM）：VHM（1+8Hi stack）與 WoW（wafer-on-wafer）封裝可視為以較低成本實現「近運算的堆疊記憶體」，與 技術_3D堆疊SRAM（hybrid bonding／TCI 高階路線，如 AMD 3D V-Cache、Fujitsu MONAKA）概念相近、定位偏利基與邊緣／AI 加速器；屬概念類比而非同一技術（thesis，中信心）。意涵：若 3D 堆疊 SRAM／近運算記憶體趨勢成形，愛普是台股少數具「堆疊記憶體＋近運算」映射的標的。來源 產業_SEMIVISION_3D堆疊SRAM_20260520。
- Si-Cap TAM 擴大驗證：Morgan Stanley 2026-05-21 報告指出 SEMCO 約 W1.5 兆 Si-Cap 長約可能供應 next-gen TPU EMIB-T，並強調 Si-Cap 供給寡占與長約化。這提高 技術_矽電容 的產業驗證度，但 SEMCO 合約不等於愛普直接分單；愛普仍需看 S-SiCap / LSC / IPD 客戶導入與代工產能。
- 供需模型仍顯示短缺：MS 2026-05-21 另指出 non-TSM silicon capacitor 市場 2026 / 2027 / 2028 分別短缺 57% / 16% / 11%，需求來自 EMIB（TPU v10 / v11）、中國 AI GPU 與 smartphone SoC，競爭出現但短期不改供給緊張。
- iVR 近端供電新應用面（矽電容）：AI 晶片瓦數攀升，傳統從主機板長距離拉線供電的方式耗損達 20-30%（且轉為廢熱加重液冷壓力），業界轉向 iVR 整合式電壓調節架構——把電壓調節功能拉進晶片封裝內、供電網路極度靠近運算核心。iVR 需整合愛普的矽電容（S-SiCap 為關鍵被動元件）；CSP 端已見 2-3 家積極 validation 規格，並傳三星電機（SEMCO）搶到部分 share。此題材須與先進封裝、載板廠、北美 CSP 自研 ASIC 客戶逐關驗證，從設備到齊到放量約需 2-3 年，短期營收貢獻不顯著（技術導入期）；但在高功耗、立體堆疊、背面供電等物理趨勢不變下，矽電容＋iVR 被視為必經之路（thesis，中信心）。此為既有 EMIB-T/CoWoS 去耦應用之外的前瞻新應用場景。來源 memo_愛普矽電容_iVR供電架構_20260610。
- 公司口徑澄清（2026-08-06 法說）：愛普在 iVR 的服務模式是與業界夥伴合作、提供高密度電容與先進封裝關鍵技術服務，無計畫直接生產或銷售 iVR；電容與技術服務已有採用，但 iVR 市場仍需時間，量產時間尚不確定。投資上應把 iVR 視為矽電容需求的拉動因素，而非愛普的新產品線。
- IPD 先行者優勢與競爭：市場傳出同業跨入 IPD。公司認為 IPD 市場才剛開始、規模潛力大，新競爭者屬正常；IPD 開發須與多家供應鏈夥伴合作驗證、客戶驗證流程繁複耗時，愛普耕耘多年具領先優勢，目前「機會未被壓縮」（法說，2026-08-06，公司口徑，中信心）。驅動力為 AI 加速器功耗上升，IPD 需求與功耗成正比成長。
產品與應用
三大產品線＝IoT RAM／SCCAP（矽電容，含 IPC、IPD、LSC）／VHM；SCCAP 為公司自 2026Q2 起統一使用的產品線名稱（原 S-SiCap）。
| 產品 | 應用 | 相關客戶 / 下游 |
|---|---|---|
| IoT RAM（含 ApSRAM） | Connectivity（WiFi/Cellular）、Wearable、Display 等 IoT 終端 | 2Q26 Connectivity 占 IoT RAM 36%、第三/四代裝置 26%、其他（Display 帶動）38%；MCU 國際大廠採用 ApSRAM 支援 HAI 應用（法說，2026-08-06） |
| IPC（矽電容中介層，Interposer with SCCAP） | AI/HPC 先進封裝去耦、PI/SI 改善 | 市場少數符合客戶容值要求的矽中介層，多專案穩定量產；Google TPU（EMIB-T）、CoWoS 供應鏈 |
| IPD（分離式 SCCAP，嵌入基板 embedded substrate） | AI 加速器載板內嵌電容 | 單一機板需近百顆 IPD，2Q26 起量產出貨，需求能見度已達 2028（法說，2026-08-06） |
| LSC（Landside Cap，貼於封裝基板底部） | 手機晶片封裝 | 已穩定量產 |
| VHM（1+N 堆疊記憶體） | AI accelerator / data center / edge AI；穿戴 | 第一個 1+8 層 VHM stack 已展示功能，量產落在 2027 年底至 2028 年初（法說，2026-08-06） |
| WoW packaging | AI 記憶體頻寬與功耗改善 | Morgan Stanley 視為 2027-2028 EPS 上修的核心變數之一 |
月營收追蹤
| 月份 | 營收 | MoM | YoY | 備註（歸因／來源） |
|---|---|---|---|---|
| 2026-04 | — | — | — | 未揭露營收；淨利 NT$186mn（YoY +227%）、EPS NT$1.14（YoY +227%）、淨利率 23.1%（260601_6531_愛普_ms_apmemory，MS，高信心） |
| 2026-06 | — | — | — | 未揭露營收；淨利 NT$327mn（YoY +785%）、EPS NT$2.01（YoY +784%）、淨利率 40.3%——高於 4 月（23.1%）與 1Q26（32.2%），亦高於 MS 2Q26E 淨利率估 28.9%（報告_MS_愛普6531_20260730，MS，2026-07-30，高信心） |
| 2026-07 | NT$11 億 | — | — | 單月創歷史新高（2Q26 月均約 NT$7.9 億）；管理層表示受 IoT RAM 強勁需求、ApSRAM 新品量產與 SCCAP／IPD 放量帶動，趨勢可延續（活動_愛普6531_2Q26法說memo_20260806，法說 Q&A，2026-08-06，高信心） |
4 月 EPS NT$1.14 占 MS 2Q26E EPS NT$3.98 的 29%（2026-06-01 Morgan Stanley）；6 月 EPS NT$2.01 占 MS 2Q26E EPS 估 NT$3.98 的 51%（2026-07-30 Morgan Stanley），反映定價能力改善。
EPS 記錄
| 期間 | 營收 | 毛利率 | EPS | 重點 |
|---|---|---|---|---|
| 2026Q1 | NT$20.99 億 | 46% | 4.15 元 | GM 較前季下滑，主因高毛利 VHM 權利金占比降低；後續 GM 指引 45-46% |
| 2026Q2 | NT$23.6 億（QoQ +13%、YoY +78%） | 49%（QoQ +3pp、YoY +7pp） | 4.18 元（調整後 4.29 元） | 單季營收歷史新高；營益 NT$7.3 億（QoQ +23%、YoY +169%）、營益率 31%；歸母淨利 NT$6.8 億、淨利率 29.9%；GM 上升主因客戶組合有利＋售價調漲抵銷單位成本上升。調整後 EPS 為排除 GDR 資金匯兌損益後之擬制值（活動_愛普6531_2Q26法說memo_20260806） |
2Q26 其他財務數字（法說，2026-08-06）：營業費用 NT$4.3 億（QoQ +14%、YoY +49%，其中研發 QoQ +17%、YoY +52%），費用率 18%（與前季相當、YoY -4pp）；業外淨收入 NT$1.1 億（利息收入 NT$0.96 億、金融資產評價利益 NT$0.31 億、兌換損失 NT$0.24 億）；稅前 NT$8.4 億、有效稅率 20%。資產負債表：總資產 NT$169 億，現金及約當現金 NT$97 億＋按攤銷後成本衡量金融資產 NT$26 億（合計占總資產 73%）；應收帳款 NT$7.9 億（收款 1-2 個月）；存貨 NT$15.8 億（QoQ +32%，約 4-5 個月）；負債比 24%；每股淨值 NT$77.04。
| 產品線 | 2026Q2 法說資料點 | 後續觀察 |
|---|---|---|
| IoT RAM | 營收 NT$16.9 億（QoQ +15%），占比 71%；WiFi QoQ +55%；Connectivity 占 36%（QoQ -3%、YoY +17%）、第三/四代裝置占 26%（QoQ +11%、YoY +37%）、其他（Display）QoQ +41%／YoY +153% | 2H26 維持滿產能，後段測試為瓶頸；成長主要來自反映成本的價格調整；2027 動能來自 ApSRAM 等新品 |
| SCCAP（矽電容合計） | 營收 NT$6.4 億（QoQ +11.5%、YoY +273%），占比 27% | 2027 營收預期數倍成長，占比有機會超越 IoT RAM |
| ├ IPC（矽電容中介層） | 多專案穩定量產，為 SCCAP 本季主要成長來源 | 力積電銅鑼廠設備遷廠使 3Q26 營收可能延遲，4Q26 恢復成長 |
| ├ IPD（嵌入基板） | 2Q26 開始量產出貨，單一機板需近百顆 | 2H26 快速拉升、2027 大規模放量，需求能見度已達 2028 |
| └ LSC（Landside Cap） | 手機晶片封裝應用已穩定量產 | — |
| VHM | 營收 NT$0.37 億（占 2.2%，QoQ -NT$0.17 億），主要為 NRE 收入 | 第一個 1+8 層 stack 已展示功能、驗證進行中，量產 2027 年底至 2028 年初；2028 起貢獻營收 |
成長動能／催化劑
| 類型 | 內容 | 來源 / 信心 |
|---|---|---|
| thesis | 4 月 margin 低於 1Q26 32.2% 與 MS 2Q26E 28.9%，MS 視為短期波動，仍看好 S-SiCap 結構性供給短缺與 VHM / edge AI | 260601_6531_愛普_ms_apmemory / 中 |
| fact | 6 月淨利率跳升至 40.3%（4 月 23.1%、1Q26 32.2%），MS 視為愛普定價能力改善的具體驗證；重申 S-SiCap 結構性供給短缺與 VHM／edge AI 為多重成長動能，維持 OW | 報告_MS_愛普6531_20260730 / 高 |
| fact | IPD（嵌入基板）2Q26 進入量產出貨，單一機板用量近百顆，需求能見度已達 2028；2H26 快速拉升、2027 大規模放量，管理層預期 2027 SCCAP 營收占比超越 IoT RAM | 活動_愛普6531_2Q26法說memo_20260806，2026-08-06 / 高 |
| fact | 與 力積電、ASE 簽長期產能保障協議，鎖定未來 3-4 年產能（保證金分別 NT$5.3 億、US$2,200 萬），解決「需求大於供給」瓶頸 | 同上 / 高 |
| fact | 7 月營收 NT$11 億創單月新高，管理層表示成長趨勢可延續 | 同上 / 高 |
| thesis | 客戶訂單能見度看到 2027 年、目前需求大於供給；成長瓶頸在產能（尤其 IoT RAM 後段測試）而非需求 | 同上 / 中高 |
| thesis | 萊傑（PMIC 設計，愛普接任董事長）與愛普電容＋先進封裝技術結合，開發 3D IC／HPC 供電新產品；目前僅「有一些進展」，無具體成果 | 同上 / 低（早期） |
| fact | MS 產業報告「Old Memory: No LTAs Is Not Necessarily Bad」（2026-08-16）重申愛普為記憶體族群 Top Pick，主因 SiCap 業務；本次報告的 EPS／目標價調整名單僅涵蓋旺宏／華邦電／GigaDevice／力積電，不含愛普，故無新 EPS／PT 數字 | 報告_MS_記憶體產業_20260816，2026-08-16 / 高（Top Pick 重申），無新財測數字 |
EPS 預估
| 年度 | 富邦 EPS（報告日 2026-04-23） | MS EPS（報告日 2026-05-12，2026-05-21／2026-06-01 維持） | CTBC EPS（報告日 2026-08-07） | 備註 |
|---|---|---|---|---|
| FY25 | 7.74（A） | — | 7.73（A） | |
| FY26F | 20.26（富邦預估較市場共識高 +53%） | 17.65 | 19.67（調整前 19.54，+0.7%） | |
| FY27F | 30.08（較市場共識高 +36%） | 34.34（MS 預估 earnings grow 60%+） | 35.75（調整前 30.50，+17.2%） | |
| FY28F | — | 60.74（MS 預估 earnings grow 60%+） | — |
YoY（FY26F/FY25，富邦）：+162%
法說 vs 券商預估差異
2026Q1 法說 memo 記錄 1Q26 EPS 4.15 元、GM 46%，並指引後續 GM 約 45-46%；富邦 2026-04-23 報告則估 1Q26 EPS 4.72 元、2Q26 GM 51%。 2Q26 實績（法說 2026-08-06）為 GM 49%、EPS 4.18 元（調整後 4.29 元），高於公司自身指引、低於富邦估的 51%。公司對長期 GM 仍給「約 45%、穩中有進」的保守口徑（IoT RAM 約 45%、SCCAP 量產初期接近平均），與近兩季實際 46-49% 有落差，實績優於指引為近期常態。
財測假設
| 來源（日期） | 模型 / 推導鏈 | 關鍵假設 | 產出 |
|---|---|---|---|
| 公司法說指引（2026-08-06） | 產能保障（LTA）→ 出貨量成長 ＋ 成本轉嫁的價格調整 → 營收成長；費用率隨規模下降 | 長期整體 GM 約 45%、穩中有進（IoT RAM 約 45%、SCCAP 量產初期接近平均，大量產後略高於此水準）；2H26 營業費用率低於 2Q26 的 18%；IoT RAM 2H26 滿產能、瓶頸在後段測試；3Q26 IPC 受力積電銅鑼廠遷機影響、4Q26 恢復成長 | 未提供營收／EPS 數字指引；質化指引為「2026 下半年與 2027 營收成長動能強勁、明後年倍數成長」，2027 SCCAP 營收有機會超越 IoT RAM |
| 富邦投顧（2026-04-23） | S-SiCap / IPD 放量 → 營收成長 → 毛利率/營益率提升 → EPS 成長 | FY25 營收 5,666 百萬（YoY +35.2%）、GM 46.5%、營益率 24.7%、稅後淨利 1,258 百萬；FY26F 營收 9,948 百萬（YoY +75.6%）、GM 50.1%、營益率 34.6%、稅後淨利 3,299 百萬；FY27F 營收 14,364 百萬（YoY +44.4%）、GM 50.7%、營益率 38.4%、稅後淨利 4,896 百萬 | EPS FY25 7.74（A）／FY26F 20.26／FY27F 30.08（詳見「EPS 預估」）；FY26F/FY25 YoY +162% |
| CTBC（2026-08-07） | 2Q26 營收/獲利優於中信預估 → 上修 FY26F/FY27F → 以 FY27E EPS × 40 倍 PER 回推目標價 | FY26F 營收 10,473 百萬（YoY +84.8%，調整前 9,401，+11.4%）、GM 47.6%、營益率 31.3%、稅後淨利 3,172 百萬；FY27F 營收 18,838 百萬（YoY +79.9%，調整前 14,083，+33.8%）、GM 47.8%、營益率 35.0%、稅後淨利 5,820 百萬；FY27E EPS 35.75 元 × 40 倍 PER† | EPS FY26F 19.67（調整前 19.54，+0.7%）／FY27F 35.75（調整前 30.50，+17.2%）；TP NT$1,430（前次 NT$1,280） |
目標價與評等
| 券商 | 報告發布日 | 評等 | 目標價 | 評價基礎 | 來源 |
|---|---|---|---|---|---|
| 富邦投顧 | 2026-04-23 | 買進 | NT$911 | 45× FY26F | 報告_富邦_愛普6531_IPD潛力_20260423 |
| Morgan Stanley | 2026-05-12 | Overweight | NT$1,555 | 88× 2026E EPS／45× 2027E EPS | 報告_MS_愛普6531_20260512 |
| Morgan Stanley | 2026-05-21 | Overweight | NT$1,555（維持） | Residual income model；MS 認為市場過早擔心 SEMCO Si-Cap 競爭 | 260521_6531愛普_ms_ |
| Morgan Stanley | 2026-06-01 | Overweight / Attractive | NT$1,555（維持） | 對 2026-06-01 收盤 NT$1,125 隱含 +38% | 260601_6531_愛普_ms_apmemory |
| Morgan Stanley | 2026-07-30 | Overweight（維持） | NT$1,555（維持） | 6 月淨利率 40.3% 驗證定價能力改善；EPS 預估未修正（2026E 17.65／2027E 34.34／2028E 60.74 皆與前次一致）；對 2026-07-30 收盤 NT$607 隱含 +156% | 報告_MS_愛普6531_20260730 |
| CTBC | 2026-08-07 | 買進（維持） | NT$1,430（前次 NT$1,280，+11.7%） | FY27E EPS 35.75 元 × 40 倍 PER；IPC／IPD 矽電容進入量產、需求能見度已達 2028，三大產品線 2026 起進入快速成長期 | 報告_CTBC_愛普6531_20260807 |
- 股價（報告日）：NT$792；潛在漲幅 +15%
- 52 週高低：792 / 213.58
- 主要風險：(1) 矽電容訂單速度不如預期；(2) IoT RAM 競爭加劇；(3) CTBC：專案出貨進度、匯率波動
- Morgan Stanley bull / base / bear case：NT$1,830 / NT$1,555 / NT$620；base case 以 residual income model 估算，假設 cost of equity 9.2%、payout ratio 67%、terminal growth 3.0%、medium-term growth 16.0%。
- CTBC 2026-08-07 股價（報告日）：NT$900；潛在漲幅 +58.9%。CTBC 目標價 NT$1,430 相較 MS NT$1,555 略保守（皆用倍數法但基期年與倍數不同）；兩家評等方向一致（買進／Overweight）。
時間軸
| 時間 | 事件 | 類型 | 信心 | 備註 |
|---|---|---|---|---|
| 2026Q1 | 1Q26 營收 21.01 億元，YoY+115.5% | fact | ⭐⭐⭐ | S-SiCap 出貨超預期 |
| 2026Q1 | 1Q26 法說 memo：營收 NT$20.99 億、GM 46%、EPS 4.15 元 | fact | ⭐⭐⭐ | 活動_愛普_2026Q1法說memo_20260512；與富邦估算略有差異 |
| 2026Q2 | IPD 開始量產 / 交貨，Intel EMIB 供應鏈開始有營收貢獻 | fact | ⭐⭐⭐ | 法說 memo；北美大單非獨供但首家完成驗證 |
| 2026Q2 | IPD 開始放量，毛利率挑戰 51% | estimate | ⭐⭐ | 富邦預估；法說 GM 指引較保守為 45-46% |
| 2026 | 力積電 12" IPD 取得 Intel EMIB 認證 | fact | ⭐⭐⭐ | 4/21 法說揭露 |
| 2026Q2 | VHM 部分 tape out | fact | ⭐⭐ | 1+8Hi VHM stack 測試中，轉向 AI accelerator |
| 2027 | IPD 營收占比挑戰 >35% | thesis | ⭐⭐ | 富邦看好 |
| 2027 | AI 眼鏡 / wearable 專案開始貢獻 IoTRAM | thesis | ⭐⭐ | 法說 memo |
| 2026Q2 | 第一個 1+8 層 VHM stack（1 邏輯＋8 DRAM）成功展示產品功能，產品驗證進行中 | fact | ⭐⭐⭐ | 活動_愛普6531_2Q26法說memo_20260806 |
| 2026Q3 | IPC 出貨受力積電銅鑼廠設備遷廠影響（影響落在 3Q 中至 4Q 初，3Q 底完全反映）；產線已陸續恢復生產 | fact | ⭐⭐⭐ | 同上；4Q26 IPC 業績恢復成長 |
| 2026H2 | IoT RAM 維持滿產能量產（瓶頸在後段測試）；IPD 嵌入基板進入快速拉升階段 | fact | ⭐⭐⭐ | 同上 |
| 2027 | IPD 大規模放量、IPC 需求顯著成長，SCCAP 產品線營收數倍成長、占比有機會超越 IoT RAM | thesis | ⭐⭐ | 同上（公司口徑） |
| 2027 起 | 力積電、ASE 長期產能保障協議生效，鎖定未來 3-4 年 IPD 產能 | fact | ⭐⭐⭐ | 同上；保證金 NT$5.3 億／US$2,200 萬 |
| 2027Q4 | VHM 預期開始顯著營收成長 | thesis | ⭐⭐ | 法說 memo；長期三大產品線目標 1:1:1 |
| 2027年底-2028年初 | VHM 1+8 層產品預計進入量產（2026-08-06 更新，較「2027Q4 起顯著成長」口徑略延後並具體化） | estimate | ⭐⭐ | 活動_愛普6531_2Q26法說memo_20260806 |
| 2028 | IPD 嵌入基板應用需求能見度已達 2028 | fact | ⭐⭐⭐ | 同上 |
| 2028 | Morgan Stanley 估新機會占營收 74% | estimate | ⭐⭐ | 來源假設 SiCap 與 WoW 帶動 2027-2028 earnings grow 60%+ |
| 2027-2028 | SEMCO W1.5 兆 Si-Cap 長約供應期 | 產業驗證 | ⭐⭐ | 非愛普訂單，但驗證 Si-Cap TAM 擴大與長約化 |
| 2026-2028 | non-TSM Si-Cap 供給短缺延續 | 供需 | ⭐⭐⭐ | MS 估 2026 / 2027 / 2028 短缺 57% / 16% / 11% |
供應鏈位置
- 所屬供應鏈：AI 先進封裝 IPD 供應鏈
- 上游（晶圓製造）：力積電（8"、12" IPD 代工）；上游封測：ASE（日月光投控）
- 下游（封裝整合）：Intel EMIB-T 平台、台積電 CoWoS
- IPD 營運模式：與客戶合作後交貨給下游載板商，毛利率約 45-46%（2026Q1 法說 memo）
- 矽電容三種形態（法說，2026-08-06）：①IPC＝帶電容的矽中介層（Interposer with SCCAP），對應 AI/HPC 先進封裝去耦；②IPD＝分離式矽電容，主戰場為 embedded substrate（嵌入載板，單一機板近百顆），另有手機晶片封裝應用；③LSC（Landside Cap）＝IPD 貼於封裝基板底部，手機晶片封裝已穩定量產。
- IPC / IPD 產能共用性：電容段製程相同、可共用；後段製程不同、無法共用（法說，2026-08-06）。
- 上游成本轉嫁：2026 年 foundry 與 OSAT 代工價格漲幅明顯，公司對客戶適度調漲報價共同分擔（法說，2026-08-06）；2Q26 售價調漲已抵銷單位成本上升對 GM 的負面影響。
- 第二晶圓來源分散：已有數個客戶驅動專案在其他 fab 配包，距量產約 1-2 年，尚無明確產能數字（法說，2026-08-06）。
- 市占：IPD／IPC 市場先前主要集中台積電；台積電以外市場愛普市占「相當高」，市場規模目前約每月數千片但成長快速（法說，2026-08-06，公司口徑）。
- IPD 與 VHM 放量節點同步整理於 時程_2026_先進封裝產能。
- Si-Cap 技術與供應鏈詳見 技術_矽電容。
相關公司
| 公司 | 關係 | 說明 |
|---|---|---|
| 6770_力積電（市） | 代工夥伴 | 8"、12" IPD 晶圓製造，已取得 Intel EMIB 認證 |
| 2330_台積電（市） | 潛在下游 | CoWoS 先進封裝 IPD 導入機會 |
| Intel EMIB | 下游平台 | 法說 memo 指出 IPD 已收到 Intel EMIB 訂單，2Q26 開始交貨 |
| 009150.KR(semco) | Si-Cap 國際供應商 / 題材驗證 | SEMCO W1.5 兆 Si-Cap 長約驗證 TAM 擴大，但不代表愛普直接分單 |
| 2344_華邦電（市） | 潛在同類製程資產 | MS 認為 legacy DRAM process 適合 Si-Cap；華邦電可能成為 SEMCO potential partner |
| 3711_日月光投控（市） | 封測夥伴（LTA） | 2026-08 簽長期產能保障協議，愛普 8 月預付 US$2,200 萬加工款，鎖定 IPD 未來 3-4 年封測產能 |
| 萊傑 | 轉投資／合作（愛普接任董事長） | 萊傑專長 PMIC 設計，與愛普電容＋先進封裝技術結合，開發 3D IC（尤其 HPC 供電）新產品；目前僅初步進展 |
| Intel Thin Memory、立基電 | 論文共同發表 | 2026 夏威夷 VLSI Symposium 發表 Tri-Angle Memory 論文，愛普貢獻為 VHM 技術 |
資金與產能保障
- 長期產能保障協議（LTA，2026-08-06 法說／2Q26 季報）：為確保晶圓與封測產能穩定，分別與 6770_力積電（市）、ASE 簽長期協議，鎖定 IPD 未來 3-4 年產能；預計 2027 年中支付晶圓廠保證金 NT$5.3 億，2026 年 8 月預付封測廠 US$2,200 萬加工款。
- 2022 年 GDR 資金轉用途：2026 年 5 月下旬取得央行核准，將原「購置機台設備」用途全數轉為充實營運資金；2Q26 已支用約 18%，預計 2027Q1 動用完畢。公司美元資金部位約 US$2 億，主要來自未使用 GDR 資金，是帳面匯兌損益波動的主因。
- 新一輪 GDR 現金增資：2026-07-24 臨時董事會通過辦理現金增資發行普通股參與 GDR，發行股數 不超過 1,500 萬股、股權稀釋度 不超過 8.13%，發行價不低於參考市價 9 折，預計 2026-09-11 股東臨時會通過。目的為支應明後年營收倍數成長所需營運資金（保證金、庫存、應收增加）；公司選擇股權而非 CB，理由是 fabless 商業模式本質已屬高槓桿，且 GDR 可擴大國際投資人覆蓋。
- 稀釋度口徑差異：財務長說明為 8.13%，總經理結語口誤為 8.43%，以 8.13% 為準（活動_愛普6531_2Q26法說memo_20260806）。
CTBC 報告 GDR 股數/稀釋度與法說 memo 不一致
CTBC（2026-08-07）記載 GDR「暫定發行股數不超過 1,800 萬股，股權稀釋度不超過 8.43%」，與公司 2Q26 法說 memo 財務長口徑（不超過 1,500 萬股、稀釋度 8.13%）不同，8.43% 恰為法說中總經理的口誤數字。以法說 memo 財務長口徑（1,500 萬股／8.13%）信心較高；CTBC 數字待與後續公告或股東臨時會（2026-09-11）核對。
圖片 / 架構圖
圖說：愛普（6531）富邦投顧封面，含評等、目標價 911 元及 ESG 評等資訊。
圖說：愛普 FY26F 單季預測模型，顯示 S-SiCap 出貨加速帶動毛利率逐季提升至 50%+ 的趨勢。
圖說：Morgan Stanley 2026-05-12 risk-reward chart，將愛普 base case 目標價調升至 NT$1,555，bull / bear case 分別為 NT$1,830 / NT$620。
圖說：愛普（AP Memory, 6531.TW）股價與評等/目標價歷史階梯圖（2023/07-2026/07），目標價自 NT$500 一路上修至 NT$1,555，附評等變動標記（O/A、O/I、E/I）。來源：報告_MS_愛普6531_20260730（Morgan Stanley，2026-07-30）。
圖說：愛普季營收（億元）長條圖＋毛利率折線圖，1Q24–4Q27F，顯示營收逐季放大同時毛利率維持 47%~54% 區間。來源：報告_CTBC_愛普6531_20260807（CTBC，2026-08-07）。
來源
- 報告_富邦_愛普6531_IPD潛力_20260423，報告日：2026-04-23
- 活動_愛普_2026Q1法說memo_20260512，2026Q1 法說 memo
- 報告_MS_愛普6531_20260512，報告日：2026-05-12
- 報告_MS_舊型記憶體SiCapTAM_20260521，報告日：2026-05-21
- 260521_6531愛普_ms_，Morgan Stanley，報告日：2026-05-21
- 260601_6531_愛普_ms_apmemory — Morgan Stanley，2026-06-01；4 月 EPS NT$1.14，S-SiCap 結構性供給短缺與 VHM / edge AI 機會
- memo_愛普矽電容_iVR供電架構_20260610，使用者整理，2026-06-10 — iVR 為 AI 晶片高功耗下供電架構剛需，矽電容為其關鍵被動元件；CSP 2-3 家 validation、傳 SEMCO 搶 share、結構性供不應求、愛普領先（thesis）
- 活動_愛普6531_2Q26法說memo_20260806 — 公司 2Q26 法說會 memo＋逐字稿（AlphaMemo.ai 整理），2026-08-06；2Q26 營收 NT$23.6 億／GM 49%／EPS 4.18 元創高，IPD 量產、能見度達 2028，力積電＋ASE 產能 LTA，GDR 增資 ≤1,500 萬股
- 報告_MS_愛普6531_20260730 — Morgan Stanley，2026-07-30；6 月淨利 NT$327mn（YoY +785%）、EPS NT$2.01（YoY +784%）、淨利率 40.3%，優於 4 月與 1Q26；OW／TP NT$1,555 維持，EPS 預估未修正
- 報告_CTBC_愛普6531_20260807 — CTBC，2026-08-07；解讀 2Q26 法說（同場次見 活動_愛普6531_2Q26法說memo_20260806），上修 FY26F/FY27F EPS 至 19.67／35.75，買進維持、TP 上調至 NT$1,430（前次 1,280）
- 報告_MS_記憶體產業_20260816 — Morgan Stanley（Daniel Yen／Charlie Chan／Daisy Dai／Tiffany Yeh／Ethan Jia），2026-08-16；「Old Memory: No LTAs Is Not Necessarily Bad」；重申愛普為記憶體族群 Top Pick（SiCap 業務），本次未提供新 EPS／目標價數字（不在四家調整名單內）。insight 見 分析_舊世代記憶體無LTA亦佳_MS_20260816