Stock LLM Wiki

半導體特化耗材

更新 2026-10-27

定義

以台積電 2nm/A16/A14 先進製程與 BSPDN 技術導入為需求核心的台灣特化耗材主題鏈,涵蓋前段光阻/洗邊劑、CMP 研磨、晶圓薄化、ALD 前驅物,以及先進封裝 PSPI/TSV 蝕刻氣體/清洗等環節。

供應鏈結構圖

flowchart TD
    TSMC[台積電
2nm / A16 / A14
先進製程 + BSPDN]

    subgraph 前段耗材 [前段製程耗材]
    PhotoR[光阻/洗邊劑
4749_新應材
TSMC 在地化 66% 2026E]
    CMP輪[CMP 研磨輪
1560_中砂]
    CMP墊[CMP 研磨墊
7768_頌勝科技
+40-60 道 BSPDN 受惠]
    Wafer[晶圓再生/薄化代工
8028_昇陽半導體]
    ALD[ALD 前驅物
7887_宇川精材]
    Gas[電子特用氣體/矽乙烷
4772_台特化
N2 最大矽乙烷供應商]
    end

    subgraph 封裝耗材 [先進封裝耗材]
    Cleaner[封裝清洗劑
1773_勝一]
    PSPI正[正型 PSPI
5234_達興材料
1711_永光
1717_長興]
    PSPI負[負型 PSPI 顯影
4755_三福化]
    Etch[TSV/玻璃蝕刻氣體
4768_晶呈科技]
    end

    TSMC --> 前段耗材
    TSMC --> 封裝耗材

各環節廠商

前段光阻/洗邊劑

廠商 地位 備註
4749_新應材(櫃) 台灣在地化主力 2nm/A16/A14 光阻特規配方;TSMC 在地化比例 2026E ~66%、2030E ~68%
300054.SZ(dinglong) 中國 KrF / ArF 替代 野村指出中國 KrF 國產化率約 15%、ArF 僅 2-3%,鼎龍已有 3 款 ArF / KrF 穩定量產;詳見 技術_KrF_ArF光阻

EUV / MOR 光阻升級

環節 代表廠商 備註
MOR 材料 JSR / Inpria 金屬氧化物 EUV 光阻,對應 High-NA EUV 與 DRAM critical layers;詳見 技術_MOR金屬氧化物光阻
Dry resist 設備 / 流程 Lam Research Aether dry photoresist 走 deposition / dry development / etch 整合路線,可能改變傳統濕式輔材價值分配
台灣輔材 optionality 4749_新應材(櫃) 短期是 rinse / BARC,長期才是 KrF PR、EUV PR、MOR 輔材或本體選擇權

光罩(成熟製程 merchant mask)

廠商 地位 備註
2338_台灣光罩(市) 台灣獨立光罩廠,55–180nm 主力 40nm 2H26 量產、28nm 2027 放量;14 吋大光罩 4Q26 起貢獻;先進製程光罩多為晶圓大廠自製(工商時報 2026-09-10、MoneyDJ 2026-09-18);詳見 技術_光罩

CMP 研磨耗材

廠商 地位 備註
1560_中砂(市) CMP 研磨輪主力 受惠 N2→A16 CMP step +15-20%,BSPDN 晶圓薄化需求
7768_頌勝科技(市) CMP 研磨墊 BSPDN 額外 +40-60 道研磨需求,2026E EPS +147%(福邦);中信 2026-10-22 因 1H26 不如預期下修至 2026F/27F EPS 6–7/13–15 元,2027 中國廠量產預期產出翻倍

CMP 耗材成本結構(中信投顧,2026-10-22):研磨液 49%、研磨墊 33%、鑽石碟 9%、清洗液 5%、其他 4%。CMP 需求驅動:2nm CMP 道數為 7nm 的 2 倍以上;A16 導入晶背供電(TSMC 2H26、Intel 18A 已導入、三星 2027 SF2Z)使 CMP content value 較 2nm 再增 15–20%;Hybrid Bonding/SoIC 帶動先進封裝 CMP。中砂鑽石碟月產能 4Q26/4Q27 70k/95k,TSMC 市占 N2/A16 80%、N3 70%、先進封裝 80%(詳見 1560_中砂(市))。

報告_CTBC_半導體耗材成長爆發期_20261022_p10

圖說:CMP 製程細節耗材示意(研磨墊、研磨液分配器、鑽石碟、晶圓拘束環、旋轉載盤)與 CMP 耗材成本圓餅圖(研磨液 49%、研磨墊 33%、鑽石碟 9%、清洗液 5%、其他 4%)(中信投顧,2026-10-22)。

報告_CTBC_半導體耗材成長爆發期_20261022_p14

圖說:再生晶圓各節點對 Prime Wafer 乘數(N2 1:3、N3 1:2.5、A16 1:3.3~3.4、A14 4)與各公司月產能(千片):PSI 850→1100(2026F)→1400(2027F)、RS 690→760→940、Kinik 330→400→430、Scientech 210→250→300(中信投顧,2026-10-22)。

晶圓再生 / 薄化

廠商 地位 備註
8028_昇陽半導體(市) 晶圓再生/薄化代工 BSPDN 薄化、12inch 面積成長,2026E EPS +57%;再生晶圓月產能規劃 2026F/27F 110/140 萬片(年底口徑 110–120/140–145 萬,中信 2026-10-22 下修自 120/155 萬)、薄化 5/6 萬片;SiC Carrier 2027 pilot、2028 量產
1560_中砂(市) SBU 再生晶圓 12 吋再生晶圓已開滿 40 萬片,2027 升至 43 萬片(中信 2026-10-22)
3583_辛耘(市) 再生晶圓 月產能 2025/26F/27F 約 21/25/30 萬片(中信簡報圖表;公司頁未更新)
RS Technologies(日) 再生晶圓國際大廠 月產能 2025/26F/27F/28F 約 69/76/94/119 萬片,日本、台南、中國廠同步增產

再生晶圓需求驅動:每 10 片 Prime Wafer 對應再生晶圓片數,28nm 8 片→N3 約 25 片→N2 約 30 片→A16 33–34 片→A14 約 40 片(中信 2026-10-22 上修)。詳見 技術_再生晶圓。

矽晶圓(上游基材)

廠商 地位 備註
6488_環球晶圓(櫃) 台灣矽晶圓龍頭 2Q26 全球矽晶圓出貨面積 35.73 億平方英吋(年增、季增);2H26 全球大廠續漲 10–20%(信越)/約 10%(勝高),環球晶 4Q26 預估漲 15–30%;唯一明顯擴廠者(德州 P1 有望提前滿載);與美光 10 年 LTA+5 億美元資金;中信 2026/27 EPS 20.2/33.3 元(中信,2026-10-22)。詳見 分析_環球晶Micron十年LTA與超級循環_20260717
5483_中美晶(櫃) 環球晶母公司 見公司頁

測試介面(探針卡/Socket/Load Board)

測試介面耗材(CP 的探針卡、FT 的 Socket 與 Load Board)受 AI 晶片測試複雜度推升,另立 供應鏈_半導體測試硬體;中信 2026-10-22 簡報涵蓋精測 6510_精測(櫃)、旺矽、穎崴、創新服務 7828_創新服務(櫃)、FORM.US(formfactor)、TPRO.MI(technoprobe) 之 MEMS 探針擴產(FORM 800→1,300 萬針、TPI 750→2,000 萬針、精測 PCB 產能 2028 年 6x)。

ALD 前驅物

廠商 地位 備註
7887_宇川精材(興) 台灣主要廠商 高介電材料(La2O3、Y2O3)前驅物;目前仍虧損,高成長潛力

電子特用氣體(矽烷氣體 / AHF)

廠商 地位 備註
4772_台特化(櫃) 台灣唯一、全球僅四家半導體級矽乙烷量產商 矽乙烷 N2 較 N3 用量 +50~100%、N3 市佔↑→N2 最大供應商;AHF(戰略管制)在地化、ALD precursor 開發中;台灣特殊氣體自製率僅 ~5%。詳見 分析_台特化_矽乙烷與2nm在地化_20260629

電子級化學品 / 蝕刻液

廠商 地位 備註
7742_天弘化(興) 電子級化學品觀察 草酸、電子級酸鹼液、蝕刻液與金屬純化能力;半導體切入重點在濕製程化學品、金屬離子控制與客戶認證

先進封裝清洗劑

廠商 地位 備註
1773_勝一(市) 清洗劑供應商 RDL/TSV/Bump/UBM/暫時鍵合等製程清洗

先進封裝 PSPI 材料

廠商 類型 備註
5234_達興材料(市) 正型 PSPI CoWoS-R/FOCoS RDL 介電材料
1711_永光(市) 正型 PSPI 感光材料/光阻,含玻璃芯基板布局
1717_長興(市) 正型 PSPI 封裝材料,RDL/TSV/FC BGA 應用
4755_三福化(市) 負型 PSPI 顯影液 有機溶劑系,技術成熟
3354_律勝(櫃) 正型感光 PBO/PSPI、可剝 PSPI RDL 與 VCSEL passivation 介電材,同時供應 PCB 製程保護材(法說 2026-10-08)

TSV / 玻璃蝕刻氣體

廠商 地位 備註
4768_晶呈科技(櫃) TSV 蝕刻氣體/玻璃芯基板 LADY 製程深寬比 10:1;2026E EPS +397%
6959_兆捷科技(興) TSV 蝕刻氣體(福邦標為代理商) 四大類電子特氣自產+子公司泰實代理 Nova Gas;2026-07 申請創新板上市

先進封裝 UV 膠帶(背磨 / 切割)

廠商 角色 備註
4766_南寶樹脂(市) 配方核心(樹脂/溶劑) UV-debonding 膠帶與暫時鍵合膠高純度樹脂基;經 JV 切入
6667_信紘科技(櫃) 設備整合 化學品輸送與次微米精度自動塗佈
4749_新應材(櫃) 品質 / 通路 高純度過濾、法規、TSMC/OSAT 通路
Advanced_Pao_Trusval(未) JV 製造主體 UV 背磨/切割膠帶量產;佔南寶營收 1-2%→年底 4-5%

對應技術 技術_半導體膠帶;UV 膠帶全球市場約 US$3.3bn、9.7% CAGR(自 2024)。來源:報告_CLSA_南寶4766_20260521。

觀察重點(投資視角)

  1. TSMC 2nm 月產能爬坡:4Q25 ~4萬片/月 → 4Q26 ~8-10萬片/月,耗材需求同步放量
  2. BSPDN A16 量產時程:CMP step 大幅增加,中砂、頌勝、昇陽最直接受惠
  3. A14 光阻驗證進度:新應材驗證中,通過後進入下一成長階段
  4. 正型 PSPI 國產替代:達興/永光/長興能否取得台積電供應商資格
  5. 宇川精材虧損改善:ALD 前驅物市場滲透速度是否達預期
  6. 2H26 折舊逆風 → FY27 收割(國泰證期 2026-06-01):台積電要求上游材料商提前擴產+異地備援,新廠折舊先行認列而營收貢獻尚在初期,2H26 材料廠毛利率短期承壓(新應材高雄二期、勝一 PM 二廠/鴻勝 IPA、上品、中砂 SBU);FY27 台積電新廠持續開出後,營收成長性高於 FY26、規模經濟抵銷折舊,獲利成長優於 FY26。來源 報告_國泰證期_特化產業展望2H26_20260601

  7. TSMC 擴產能見度(中信,2026-10-22):TSMC 上修全年 Capex 至 600–640 億美元;建廠能見度達 2028 年後;N2/N3 月產能 2025–2028 CAGR 77%/19%(N2 由 2025 年底 35k 升至 2028 年約 190–200k),CoWoS 月產能 2025 年底 75k→2028 年約 200–230k、SoIC 5k→約 40–50k;COUPE(光子引擎整合封裝)2026 量產、on Interposer 版 2028 量產,EIC/PIC 3D 堆疊將挹注 SoIC 與 Hybrid Bonding CMP 需求。來源 報告_CTBC_半導體耗材成長爆發期_20261022

相關技術

來源

相關頁面