報告_CTBC_半導體耗材成長爆發期_20261022

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半導體耗材迎來成長爆發期 2026.10 主講人：張敦翔

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全球客戶擴產、技術升級趨勢

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台積電上修全年Capex至600-640億美元 2 大廠展望 資料來源：TSMC，中信投顧彙整

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建廠能見度已達2028年後 3 資料來源：TSMC、供應鏈訪查，中信投顧彙整 大廠展望 土建 機電主系統 ◎ 量產 年份 合計在建 2025 10 2026 15 2027 16 2028 10 2029 8 2030 5 台灣 時程(年) 土建 0.5-1 廠務 0.5-1 美國 時程(年) 土建 0.8-1.5 廠務 1-1.5 德國 時程(年) 廠務 2 Process 1H25 2H25 1H26 2H26 1H27 2H27 1H28 2H28 1H29 2H29 1H30 2H30 Fab18 P9 3nm P10 現暫無清晰計畫 P11 - Fab20 P1 2nm P2 2nm P3 1.4nm P4 - Fab22 P1 2nm P2 2nm P3 2nm P4 - P5 - P6 - (Tainan) P7 Fab25 P1 1.4nm P2 1.4nm P3 - P4 - P5 - P6 - Fab26 P1 - P2 - P3 - P4 - P5 - P6 - P7 - AP7 P1 CoWoS/WMCM P2 CoWoS/SoIC P3 CoWoS P4 CoWoS P5 SoIC P6 CoPoS P7 CoPoS AP8 P1 CoWoS P2 CoWoS P3 CoWoS Fab21 P1 4nm ◎ P2 3nm P3 2nm P4 2nm/A14 P5 - AZ AP P1 SoIC/CoW JSMC P2 3nm ESMC P1 12/16/22/28/40nm 2 5 4 7 3 4 3 1 2 3 0 1 5 1 2028 year phase Semiannual Total ●/phase 2025 2026 2027 2028 2028 annual Total ●/phase 7 11 7 4

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先進製程/先進封裝產能加速擴張 • 台廠半導體耗材持續受惠以下趨勢：(1)TSMC、甚至美光均持續大舉擴產、(2)供應鏈在地化 占比提升已是顯學、(3)製程複雜度提升對於同等階段良率要求更為注重。 • 其中(1)最直接對應整體需求規模翻揚、(2)更與share gain關聯、(3)代表同等時間下半導體耗 材消耗量將優於過往，我們認為前述幾項趨勢持續利好台積電耗材供應鏈。 • 預期N2/N3 2025~2028年擴產CAGR達77%/19%；先進封裝中預期AP7 P3/P4將轉向 CoWoS優先生產，估其2025~2028年擴產CAGR達43%；SoIC短期增量速度仍待觀察。 4 TSMC N2/N3擴產規劃 TSMC CoWoS/SoIC擴產規劃 資料來源：TSMC，中信投顧彙整 大廠展望

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台積電COUPE為SoIC重點動能 • 光電整合亦為本次論壇亮點，其中COUPE on substrate方案預計藉由光子引擎(PIC)直接整 合於封裝內部，規劃於2026年量產，較傳統Cu Wire方案提升4倍能效、並降低10倍延遲。 • 台積電也持續開發COUPE on Interposer進階版本，由於光子引擎(PIC)與運算晶片距離更近 ，預期將較on substrate方案再提升2.5倍能效、及降低2倍延遲，惟也因技術更為困難，故 預期於2028年才能進入量產。 • 我們認為CPO中電子引擎(EIC)與光子引擎(PIC)存在3D堆疊需求，故將顯著挹注SoIC產能躍 增；我們也預期Hybrid Bonding將成為核心技術，並驅動更多CMP研磨需求。 5 台積電先進製程產能預估 資料來源：台積電，中信投顧整理 大廠展望

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磨-研磨需求蔚為可觀

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CMP為當前半導體重點製程環節 • CMP，全名為化學機械研磨製程(Chemical Mechanical Polishing)，通常位於半導體前段製 程，製程中會利用研磨液(Slurry)，並對晶圓進行減薄。 • 如果在每一道製程下，表面平整度不夠均勻，將會影響最終成品良率；故需利用CMP製程， 降低反覆鍍膜下各層數的高低誤差，最後再透過拋光將表面殘留物去除。 • CMP流程通常可拆分為三個階段：(1)第一研磨盤：用以快速平整薄膜間高度差、(2)第二研 磨盤：用以精準控制研磨終點、(3)第三研磨盤：主要負責最後表面的精拋及清潔。 7 CMP製程簡介 使用/未使用CMP製程差異 資料來源：大塚科技、MKS，中信投顧彙整 線切割 切片處理 晶圓 研磨-CMP製程 研磨後晶圓 矽晶圓棒 線切割 未使用 有使用 每層表面平整度差異明顯 產業展望

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CMP製程環節涵蓋上/中/下游應用 • 隨AI晶片對於奈米級先進製程晶圓、CoWoS、HBM等需求爆發，CMP設備重要性從傳統晶 圓製造延伸到先進封裝製程，並涵蓋上游矽晶圓、中游晶圓製造、及下游拋光應用。 • CMP即為將晶圓表面處理至平坦度均勻性的製程，核心目標為厚度均勻性、缺陷控制，其中 關鍵設備包含：晶圓切割機(Dicer)、研磨機(Grinder)、化學機械研磨機(CMP Machine)、拋 光機(Polisher)；耗材涵蓋：研磨液(Slurry)、研磨墊(CMP Pad)、鑽石碟(CMP Disk)、薄膜 (CMP Membrane)、拘束環(Retained Ring)等。 8 CMP在上/中/下游均扮演重點角色 資料來源：頌勝科技，中信投顧整理 產業展望

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CMP重點耗材介紹 • CMP流程涵蓋幾項重點耗材： • (1)研磨墊：提供研磨液與晶圓混合的平台，須確保黏貼均一性，也存在溝槽設計以輔助研磨 液流動去除材料碎屑(成本占比33%)； • (2)鑽石碟：用於平坦化、表面修整，如修整研磨墊、移除表面多餘材料等(成本占比9%) ； • (3)研磨液：作為潤滑劑與散熱材料使用，並與鑽石碟、研磨液共同作用，可依客戶需求進行 材質調整(成本占比49%) 。 • 晶圓拘束環則用於固定待研磨晶圓、Membrane則用於緩衝研磨時產生之碰撞。 9 CMP CMP製程細節耗材 CMP耗材成本分析 資料來源：NOVACAM、SEMI，中信投顧彙整 CMP研磨墊 研磨液分配器 晶圓 拘束環 晶圓 鑽石碟 旋轉載盤 研磨液

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先進製程/先進封裝持續升級驅動CMP需求 • 先進製程持續微縮使製程複雜度顯著提升，電晶體由FinFET進入GAAFET架構，令元件由平 面轉向立體，故需多次高精度平坦化過程，以確保後續曝光與蝕刻的對準及良率。 • 而為支持IC對效能、功耗的益增要求，金屬互連層數也持續增加，帶動CMP道數躍增；以 2nm為例，其CMP所需製程道數已是7nm 2倍以上，有效驅動CMP耗材需求放量。 • 先進封裝技術亦大幅提升晶片堆疊與互連密度，對表面均勻性要求持續攀升，將同步成為 CMP耗材用量成長主力引擎。 10 CMP需求將隨節點升級持續提升 資料來源：頌勝科技，中信投顧整理 產業展望

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晶背供電導入也為重要推手 • 相較正面供電將供電與訊號電路皆置於電晶體上方，晶背供電將電源移至矽基板下方，有效 釋放上層金屬佈線空間，更能增加電晶體密度以提升運作效能。 • 晶背供電由於正/背面均須晶圓減薄，故對CMP研磨需求亦有增值。以TSMC為例，過往3nm 進入2nm時，對CMP研磨content value約提升15~20%，但A16製程因配置晶背供電(SPR) 設計，光2nm升級至A16製程即可產生15~20%加值效果。 • 觀察主要廠商導入近況：(1)台積電預期2H26於A16製程導入、(2)Intel已於18A製程導入、 (3)三星則預期於2027年應用於自家2nm家族。 11 CMP需求將隨節點升級持續提升 資料來源：各公司、IMEC，中信投顧整理 大廠導入狀況 廠商 主要業者 TSMC 2H26導入A16節點 Intel 於Core Ultra Series 3(18A製程)導入 三星 2027年應用於SF2Z 產業展望

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3D堆疊、Hybrid Bonding為先進封裝催化劑 • 為解決摩爾定律漸遇瓶頸，先進封裝亦為重點發展方向，隨CoWoS誕生，現今AI/HPC晶片 對性能、功耗、散熱等要求均無法偏廢，使未來記憶體、邏輯晶片對3D堆疊需求日益倍增。 • 而為改善微凸塊(Microbump)在功耗、散熱逐步面臨瓶頸，Hybrid Bonding技術便應運而生 ；其透過銅對銅直接連接，藉此有效縮小晶片間距與堆疊高度，並同時提升效能，可望成為 驅動HBM4/HBM5/SoIC等技術發展的重要推手，其中CMP製程更是把關晶片間平整度，以 確保堆疊良率的主角。 12 資料來源：台積電，中信投顧整理 先進封裝亦為CMP需求推升催化劑 產業展望

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再生晶圓同因製程升級推動需求拉升 • 隨半導體製程往越高階推進，晶圓光罩層數提升、四大循環次數增加及製程容錯降低等因素 ，刺激再生晶圓需求大增。 • 以製程節點為例，28nm時每10片Prime Wafer便需8片再生晶圓，但現今3nm時每10片 Prime Wafer上修至25片，且若進入2nm或甚至A14製程，預期消耗比例持續成長。 • 觀察各家產能擴充計畫，昇陽半規劃量體最為積極，預期在中科廠及既有產線去瓶頸支持， 2026/2027年月產能可望增至至少110/140萬片；日商RS則透過日本、台南、中國廠同步增 產，2028規劃達到超過百萬片水準。另外中砂、辛耘均同步穩健擴產因應緊俏需求。 13 資料來源：各公司，中信投顧整理 產業展望 各節點對應乘數持續上修 各公司再生晶圓月產能擴充計畫(單位：千片) 節點 原先預估 現今預估 A14 - 4 A16 - 1：3.3~3.4 N2 1：2.8 1：3 N3 1：2.3 1：2.5

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中砂鑽石碟持續gain share • 上修鑽石碟產能預估：4Q26/4Q27將達70k/95k，且中國廠產能亦可望於2Q27開出額外1萬 顆；公司更直接給出2034年月產能規劃至少達20萬顆，凸顯客戶客戶訂單需求綿延且強勁。 • 鑽石碟除於台積電先進製程、先進封裝掌握主要市占、目前在MU新廠、Intel各廠也持續 gain share；另可留意未來中國廠尚有10萬顆產能backup可用。 • 再生晶圓現已開滿40萬片，預期明年升至43萬片；ABU展望亦隨工具機復甦同步上修，且 DBU/SBU/ABU目前GM已達55%+/35%+/25%(vs先前50%+/30%+/20%)。 • 預估2026/2027年EPS至14.7/22.7元，仍為TSMC耗材供應鏈最優質首選。 14 中砂 CMP製程簡介 使用/未使用CMP製程差異 資料來源：中砂，中信投顧彙整 客戶 節點技術 市占 TSMC N2/A16 80% N3 70% N5 40% 先進封裝 80% 成熟製程 30-40% Intel 30%，持續擴散至14A或成熟節點 Micron 20-30%，新廠今年挑戰50%

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昇陽半為Tier-1再生晶圓供應商 • 近期下修2H26展望主因：(1)營收上，受限部分機台瓶頸問題，預期年底再生晶圓僅擴至110 萬片(原120萬片)、(2)獲利上，考慮近期匯率轉差及夏季電費影響。 • 惟中長期展望已更加明確，如再生晶圓2025~2029年擴產CAGR為25~30%、目前也積極評 估美國擴產計畫當中，對應大客戶在美建廠至少9座需求。 • 薄化業務也迎上修，預期2025~2028年營收CAGR達45%，產能擴充規劃於2H26/2027年再 擴至5/6萬片(當前4萬片)，並看好2H26產能利用率即可達到自然滿載。 • SiC Carrier為中長期重點可期商機，現預估2026/2027年EPS 7.3/10.6元，評價不貴。 15 昇陽半近期展望更新 SiC Carrier具龐大商機 資料來源：昇陽半，中信投顧彙整 昇陽半 項 目 再生晶圓 SiC Carrier 單價 15美元 再生晶圓數十倍， 達千元等級 規劃 總規劃達200萬片 2027年pilot run， 2028年量產 市占 狀況 台積電Tier-1供應商 與環球晶競爭中 Base Case計算： 如果市占為30%，可帶來20~25億營收 調整項目 原先投顧自行預期 現修正後投顧預期 2026/2027年底 再生晶圓月產能 120/155萬片 110~120/140~145萬片 薄化月產能 預期今年底由40k 增至50k 2027有機會再增至60k 更新項目 目前預期 再生晶圓擴產CAGR 2025~2029年朝25~30%推進 薄化業務成長CAGR 2025~2028年估可達45%

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頌勝慢工出細活，前景仍佳 • 1H26營收不如預期主因(1)醫療/鞋材部分持續受制關稅影響客戶拉貨保守、(2)近期最大客戶 Nexchip調整營收認列方式使營收delay 1.5個月開出，不過僅為短期因素。 • 同步調整產能轉換產出比例，主因(1)部分產出現仍需支應中國廠前期試產、(2)另一部份需持 續給TSMC等客戶run sample使用，故實際貢獻片數並不如原先預期。 • 惟中國廠客戶採用態度積極，預期2027年可望如期量產，故現今仍預期明年年產出能夠翻倍 成長，加上此部分毛利率佳，故初步修正2026/2027年EPS至6~7/13~15元。 • TSMC軟板專線持續驗證當中，估以再生晶圓/先進封裝為出發點，先進製程暫屬長期題材。 16 頌勝現今總擴產規劃(非對應產出) 預估頌勝半導體營收CAGR將超越3成 資料來源：頌勝科技，中信投顧彙整 頌勝

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測-測試介面多點動能開花

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測試為IC良率把關重點環節 • CMP，全名為化學機械研磨製程(Chemical Mechanical Polishing)，通常位於半導體前段製 程，製程中會IC完整生產線流程包含以下：(1)IC設計、(2)IC製造、(3)晶圓測試、(4)先進封 裝及(5)IC封裝測試等階段，並分別對應Fabless、Foundry、OSAT等廠商業務環節。 • 其中晶圓測試(CP，Chip Probing)、封裝後測試(FT，Final Test)分別對應Wafer-Level、 Die-Level測試，為確保IC良率環節，尤在如今AI晶片功耗要求、規格更高下更佔重要角色。 18 資料來源：漢測，中信投顧彙整 產業展望 上游 中游 下游 IC設計 IC製造 晶圓測試 先進封裝 IC封裝測試 ➢功能描述與技 術評估 ➢系統/邏輯/實 體設計 ➢電路模擬佈局 ➢Tape-out ➢設計規則檢查 ➢光罩製作晶圓 製造 ➢晶圓驗收測試 (WAT) ➢晶圓測試 (CP) ➢缺陷檢測 ➢對應技術如 CoWoS ➢晶粒切割與封 裝 ➢晶片封裝後成 品可靠度測試

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測試複雜度提升挹注耗材需求放量 • 在CP測試與FT測試亦有固定搭配測試介面耗材，如CP測試主要包含探針卡(由 PCB/Interposer/Probe Head組成)、FT測試則有Socket、Load Board等耗材需求。 • 近年隨AI驅動高速傳輸晶片需求成長，晶片複雜度提高正刺激晶片接觸點間距不斷縮小，並 推升探針卡針腳數增加，這對探針卡製造精度的要求顯著提高，有助ASP、用量同步提升。 • 現今AI晶片對熱管理、功耗要求亦大幅增加，必須透過老化測試、系統級測試以確保晶片實 際運作的可靠性和性能表現，同樣使相關耗材規格、數量迎顯著成長。 19 產業展望 測試流程及使用耗材示意圖 資料來源：大塚科技、MKS，中信投顧彙整 CP測試 FT測試 Tester Test Head Prober PCB Interposer Probe Head Wafer Probe Card Tester Handler Test Head IC Socket Load Board

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精測 – MEMS探針新故事發酵 • 精測主力產品為FT段Load Board，長年約貢獻營收70~80%；另20~30%則為探針卡貢獻( 含CP PCB)，主要客戶包含MTK、NVIDIA、QCOM等國際大廠。 • 公司後段客戶更加多元，近年因應AI刺激測試介面耗材需求倍增，精測正加速擴建PCB產能 因應，包含8M26已開出較2025年底1倍產能、3M27再增加50%、2H28再增1倍。 • 近期亮點：(1)NVIDIA認購MTK ECB，後續可望掌握更多專案商機、(2)探針卡市場供不應求 狀況難以解決，有機會爭取更多客戶訂單，目前精測也規劃MEMS探針卡將翻倍擴產。 • 我們預估2026/2027年EPS為66/125元，預估2025~2027年稅後淨利CAGR>100%。 20 精測 精測各業務季度營收變化 精測PCB擴產計畫 資料來源：精測，中信投顧彙整 時間 產能 來源 2025年底 1x(基準值) - 8M26 2x 租賃廠房 3M27 3x 租賃廠房 2028年 6x 自建三廠

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旺矽 – 掌握探針擴產、CPO設備雙點動能 • 旺矽為邏輯探針卡全球前三強廠商，且有別其他同業更具設備雙點動能。 • 公司探針卡主要客戶涵蓋ASIC、GPU大廠，官方VPC/MEMS擴產計畫：4Q26達200/350萬 針、4Q27至少達250/600萬針，然基於客戶需求觀察，我們認為後續還會上修。此外，目前 CPC已向客戶進行20%漲價、VPC/MEMS則回收10%折扣，有助後續季度GM持續提升。 • CPO設備於Insertion(後簡稱為INS)-1/2/3均有研發，其中INS 3 4Q26出貨OSAT、INS 2最 晚4Q26初有驗證結果，2027年仍有機會轉為量產訂單；INS 1則仍與客戶RD端配合中。 • 我們預估2026/2027年EPS為69/138元，並看好2028年將迎來CPO設備爆發年。 21 旺矽 旺矽探針卡市占排名 旺矽探針擴產展望(月產能) 資料來源：旺矽，中信投顧彙整 總排名 僅邏輯(不含記憶體) 項目 4Q26 4Q27 價格狀況 CPC 50萬 50萬 漲價20% VPC 200萬 250萬 取消10% 折扣 MEMS 350萬 至少600萬

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穎崴 – 關注HyperSocket放量時間 • 穎崴為全球領先Socket業者，除積極開發更高規格之HyperSocket外，亦基於服務重點客戶 NVIDIA著墨探針卡領域，目前Socket：探針卡營收占比約為7：3。 • 規劃1H26探針(Pogo pin)產能達600萬針、2H26擴至900萬針、1H27再達1,400萬針，新增 產能主要由仁武租賃、及楠梓廠區共同貢獻。仁武二廠也已於5M26動土，規劃於4Q27完工 、2028年導入量產，我們認為如進展順利將刺激產能進一步增至2,000萬針以上。 • MEMS探針卡隨與TPI合作深入毛利率逐步轉佳、HyperSocket也有望在CPO斬獲更多貢獻。 • 預估2026/2027年EPS 96/192元，新成長動能觀察產能開出速度及HyperSocket滲透率。 22 穎威 穎崴亦掌握完整產品線 公司探針擴產規劃 資料來源：穎威，中信投顧彙整 時間 探針產能 滿足自製率 1H26 600萬 - 2H26 900萬 50% 1H27 1,400萬 60%

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其餘測試大廠總覽 • 測試介面仍有兩家不可忽視大廠：FormFactor(FORM)、Technoprobe(TPI)。 • FORM為全球探針卡市佔龍頭，2025年專注HBM市場，2026年則重拾AI/ASIC商機，目前主 要客戶為記憶體原廠；產能規劃上，現MEMS月產能800萬針、估2027年擴至1,300萬針。 • FORM亦耕耘Insertion-1機台研發並聚焦PIC KGD檢測，近期更上修全年CPO貢獻至顯著高 於200萬美元(原100~200萬)；此外，公司近期重返台積電專案也為潛在上行動能。 • TPI為邏輯探針卡龍頭(不含記憶體)，主要配合台積電統包案件，目前約70%產能皆由其包下 ，並吃下大多數終端客戶如Apple、NVIDIA、Google…等訂單。現MEMS產能約750萬針， 並積極進行重組及擴產，規劃2027年產能翻倍。近期通過美光HBM3E驗證將為全新契機。 • 市場預估2026/2027年EPS：FORM 3/4美元、TPI 0.4/0.8歐元。 23 TPI/FORM 各家MEMS探針卡擴充規畫總表 資料來源：TPI、FORM，中信投顧彙整 公司 2026年月產能 2027年月產能 備註 FORM 800萬 1300萬 德州擴產計畫持續加速 TPI 750萬 2000萬 有機會於1H27即達2000萬針、且仍有新廠計畫

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創新服務 – 成長爆發性已達2028年 • 創新服務為Technoprobe專屬MEMS植針機台供應商，目前積極規劃台中二、三廠擴充計畫 ，並預期2026/2027/2028年設備展望75/150/300台。其中MEMS植針機：非MEMS植針機 (如整線自動化設備/碰焊機/Pogo Pin植針機…等)，預期比重分別為9:1/8:2/7:3。 • 機台ASP考量(1)MEMS植針機代數持續升級、(2)部分加裝AOI檢測的非MEMS植針機台單價 亦可望優於MEMS植針機，我們預估2026~2028年設備ASP也將穩健成長。 • 預期材料包貢獻將由台探針卡Turnkey商首先開出，植針代工客戶群則相對多元，預期貢獻 較早開出，估2026/2027年此塊業務佔營收9%/14%。 • 銅柱模組、TGV-ICP預期2H27、2H28放量，將為2028年起新興營運支柱。 24 創新服務 2025~2028年設備出貨占比、ASP預估 各業務2025年~中長期營收佔比 資料來源：創新服務，中信投顧彙整

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矽-矽晶圓New Cycle Coming

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矽晶圓出貨狀況逐步轉佳 • 根據SEMI統計資料，全球半導體矽晶圓出貨面積已自3Q24重返年增，2Q26全球半導體矽晶 圓出貨面積達35.73億平方英吋，除維持年增趨勢外亦重返季增。 • 目前矽晶圓市場復甦動能來源已更加多元：包含AI需求維持強勁成長及力道持續放大，另在 工業、車用應用也逐步回升。我們認為，隨更多晶圓廠(無論邏輯、記憶體)建廠計畫發生、 及既有廠產能利用率加速改善，預期對上游矽晶圓需求將不斷加溫。 • 目前全球市佔主要由日商信越、勝高位居前二並佔據過半，台廠則以環球晶為主，其餘外商 尚有SK Siltron、Siltronic等。 26 全球半導體矽晶圓出貨面積變化 全球矽晶圓主要業者市占情況 資料來源：SEMI、各公司，中信投顧彙整 產業展望

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漲價趨勢明確、LTA價格可望同步受惠 • 目前各家大廠潛在漲價幅度如下， ➢ 信越：1H26調漲5~15%、預估2H26再漲10~20%； ➢ 勝高：1H26調漲10~20%、預估2H26再漲10%； ➢ 部分中國廠商：1H26調漲10~15%、預估2H26再漲10~15%； ➢ 環球晶：根據邏輯、記憶體差異，4Q26可望有15~30%不等漲幅，並可望就新基期與客戶議 價新一輪LTA，惟最終價格仍待4Q26決定。 • 看好2027年邏輯、記憶體新廠加速放量，及當前大廠謹慎擴廠展望(目前僅環球晶存在明顯 擴充計畫)2H27起可望面臨供不應求，預估整體ASP可望再漲10~20%。 • 隨記憶體/邏輯廠調漲自身價格後，矽晶圓BOM cost占比顯著降低，為推升漲價另一利多。 27 矽晶圓漲價趨勢變化 資料來源：供應鏈調查，中信投顧彙整 產業展望 項目 1H26年平均漲價幅度 2H26年平均漲價幅度 2027年平均漲價幅度 矽晶圓價格 10~15% 10~15% 10~20%

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環球晶 – 持續擴產下可望斬獲最大裨益 • 目前12吋既有產線已經滿載，6/8吋產能利用率也穩健回升當中，其中8吋受惠矽光子應用改 善幅度更為顯著，公司也為少數涵蓋SOI、SiC、GaN等全產品線矽晶圓廠。 • 環球晶為少數積極擴廠業者，如德州廠總規劃130萬片產能將基於下游客戶達成率進行擴充 ，其中德州P1(30萬片)原預估2027年底滿載，然如今已有望提前發生；P2也可望提前啟動。 • 7月初宣布將和美光簽訂10年長約，並由其提供5億美元策略性資金，可望有效減輕相關折舊 、生產成本對獲利造成衝擊，且亦藉此收穫客戶明確的中長期訂單支持。 • 目前LTA需求已見更多邏輯、成熟製程廠開始討論(不侷限於記憶體客戶)，更認為未來LTA將 不再只是價格及數量承諾，將納入價格調整機制、產能最佳化、供應彈性等因素評估。 • 我們預估環球晶2026/2027年EPS 20.2/33.3元，考量趨勢明確建議逢回偏多布局。 28 環球晶季度營運表現 產能擴充計畫 資料來源：環球晶，中信投顧彙整 產業展望 廠區 細節 德州 P1(30萬)/P2(40萬)/P3(30萬) 密蘇里 矽光子產品已進入小量試產，為8吋SOI專廠 義大利 規劃20~30萬片 宇都宮 8M26新增產能已到位

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