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先進封裝發展方向全景

更新 2026-07-22

對外簡報(24 頁、16:9,2026-07-22 v2):

(07-20 初版留檔 先進封裝技術發展方向簡報_20260720.pdf) 性質:vault 既有封裝各主題頁(CoWoS/SoIC/玻璃/WMCM/CoPoS/VPD/CPO/ECTC 五大戰線)的全景整合+技術對話沉澱。v2 納入 07-20~22 新 ingest:JPM SBR 研討會、Jefferies 井上史大研討會、MS 記憶體創新、Citi 美國行銷、群益定錨設備講座、元富景碩、群益台玻、SemiEng FOPLP/CPO/混合鍵合系列。

結論

  • 一句話 thesis:性能提升重心從 die 內微縮轉到 die 之間組裝,封裝技術世代交替快於製程節點——價值量每 12–18 個月重分配一次,是台股設備/材料/OSAT 的機會與風險共同來源。
  • 框架:八條戰線=訊號怎麼走(2.5D 水平/3D 垂直/光互連/記憶體整合)+電怎麼進(垂直供電 VPD)+熱怎麼出(晶內微流道)+載體怎麼變(面板化/玻璃基板)。戰線互鎖,單一戰線遞延會連鎖影響其他戰線。

投資重點 memo

重點 投資含義 相關標的 信心
2026-27 兌現層:CoWoS 產能 160→250+kwpm、2027 需求 +93% 設備/測試介面/OSAT 訂單能見度最高的主線 3131_弘塑(櫃)6187_萬潤(櫃)6515_穎崴(市)3711_日月光投控(市)
WMCM 非 AI 第二引擎,長興 LMC 獨供為最硬指標 月營收可當高頻溫度計;受惠段挑規格升級段 1717_長興(市)2467_志聖工業(市)6640_均華精密(櫃)
2027-28 放量層:SoIC 耗材第二波+EMIB-T 商業化 CMP 耗材有 1-3nm dishing 物理依據;EMIB-T=ABF 結構性緊缺論佐證 1560_中砂(市)7768_頌勝科技(市)4755_三福化(市)3037_欣興(市)
垂直供電 VPD:DrMOS 近期漲價+中期架構翻新重排 BOM 同時押現役 VRM 與嵌入式/模組兩端 6415_矽力-KY(市)6920_恆勁科技(興)2308_台達電(市)
2028+ 結構層:玻璃 HVM/混合鍵合全面化/微流道 設備先行 vs 載板遞延兩個時間尺度不可混用;散熱 TIM1 價值量重分配警訊 8027_鈦昇(櫃)3481_群創(市)3017_奇鋐(市)(⚠️)、3653_健策精工(市)(⚠️)
載板漲價循環(07-22 新增):T-glass 缺口至 2H27、載板 2H26 漲幅擴至每季 ~15%、景碩 ABF 4,000→8,000 萬顆/月(2029) 且設備由 AI 客戶出資 封裝巨大化把緊缺傳導到最上游玻纖布;客戶出資擴產=需求能見度至 2029 的最強旁證 3189_景碩(市)3037_欣興(市)1802_台玻(市)、富喬(1815) 中高
CoWoS-L 巨大化執行風險(07-22 新增):JPM SBR 稱 Rubin Ultra(5.5× reticle)導入評估不順、9.5× 銲接問題列 1H27 議題 若 9.5× 不成,Feynman 2029 恐受封裝上限拖累;同時是高剛性基板/玻璃芯/EMIB-T 的導入催化 2330_台積電(市)4062.JP(ibiden)、EMIB-T 鏈 中(獨立訪查單一來源,與官方口徑並列)

Insight

  • 「矽橋比 RDL 快」是錯誤問法:每 lane 速度 RDL 可勝(SerDes 場景),總頻寬矽橋 10×+ 壓倒性勝——結構選擇由頻寬型態決定,CoWoS-R 吃網通、-L 吃 GPU↔HBM。
  • 供電與訊號在走同一條演化路:水平→垂直。EMIB-T 橋內 TSV(壓降 −68~80%)本質是垂直供電工程;封裝設計從 2D 平面配置變成 3D 體積配置。
  • 兩個時間尺度不可混用(玻璃為代表):設備商 2026-27 先行、載板廠營收 2028+ 遞延——同一名單不分層追會套在估值高點。
  • 封裝巨大化=載板高剛性化(07-22 新增):reticle 5.5×→9.5× 對應基板 110×110→130×140mm,翹曲/銲接可靠度把高剛性 core(玻璃芯/HDI 芯)與 T-glass 從備選推成必要條件——載板層「漲價循環+材料轉換」雙主線由同一物理驅動。
  • CoWoP=日系載板廠尾部風險、台系 PCB 免費選擇權(07-22 新增):NVIDIA 意向去 ABF 化轉台/中 PCB 鏈,但 SLP 線寬需 ≤10µm(現行 15-20µm)、JPM 對可行性存疑——追蹤即可,不宜當主線定價。
  • 推論端去 HBM 化警訊(07-22 新增):Qualcomm HBC 不用 CoWoS 達 133TB/s/卡;edge AI=DDR×3D 堆疊——CoWoS/HBM 綁定敘事的長線稀釋因子。
  • 反證條件:台積電法說下修先進封裝 capex、AP 廠 SoIC 配比續縮、BESI 訂單連兩季低於預期(任兩項→下修 3D 主線);雲端 capex 下修=全戰線同步降溫;TBDB/載具鏈遠期反證(Jefferies):有機 RDL interposer 若整合進玻璃芯基板(~2030 起),carrier glass/臨時鍵合膠/厚膜光阻需求同步縮。

驗證清單

追蹤指標 為什麼重要
Intel EMIB-T 36/35µm @4.5× reticle 年底認證 TPU v9 供應鏈時程+ABF 緊缺論驗證
微軟微流道叢集級 MTBF 數據 散熱終局時程,決定散熱鏈長線模型
NVIDIA Feynman cHBM base die 代工歸屬 台積電邏輯代工 TAM 增量
玻璃 SeWaRe 解法+創新服務 2026H2 銅柱驗證 玻璃層營收能否自 2028 提前
2026 秋 iPhone 拆解(A20 WMCM)+長興 LMC 4Q26 佔比 4-5% 非 AI 第二引擎兌現度
Rubin Ultra(5.5× reticle)導入評估進展+9.5× 銲接議題(1H27) CoWoS-L 巨大化執行力;Feynman 2029 時程風險(JPM SBR 單一來源,待台積電法說/設備拉貨交叉驗證)
載板 2H26 漲價兌現度(每季 ~15%)+T-glass 缺口 2H27 緩解節奏 載板/玻纖布漲價循環持續性(景碩/欣興/台玻/富喬)
EMIB-T 量產化:IFS 對外產能+Amkor 組裝外包落地 CoWoS-L 替代方案成真度;矽電容/欣興鏈第二引擎

依據

信心水準與假設

  • 中。產能與分配數字全為券商模型且口徑分歧(MS/GS/野村/UBS 並列於 供應鏈_CoWoS);2028+ 結構層(玻璃/微流道/SoW)時程不確定性大。引用數字前需回源核對。