問題背景
富果研究（Wayne Chang，2026-06-20）的產業深度報告主張：隨 AI 模型參數由千億級邁向兆級，2.5D 封裝（CoWoS）在算力提升下已近極限，3D 垂直堆疊（SoIC）成為新解方，自 2026 年起需求快速放量。本頁沉澱 SoIC 導入廠商路線、台積電產能節點與台灣設備／耗材供應鏈兩波受惠標的。技術細節見 技術_SoIC。
三大瓶頸驅動 3D 堆疊
| 瓶頸 | 內容 | SoIC 解方 |
|---|---|---|
| 算力密度 | 先進製程微縮趨緩、SRAM 幾乎停止微縮，靠電晶體密度提升算力邊際效益遞減 | 垂直疊加晶片，相同面積增加算力 |
| 訊號傳輸效率 | 邏輯晶片每次從外部 HBM 存取耗能高且延遲 | 將 SRAM／邏輯／光引擎／ASIC 垂直貼合，縮短資料路徑 |
| 功耗與散熱 | AI 伺服器晶片功耗已逾 1,000W | 銅對銅直接鍵合降低訊號阻抗，功耗與發熱同步下降 |
圖說：2.5D Packaging（CoWoS）結構——HBM Stack 與 Logic Die 並列於 Silicon Interposer 上，經 RDL／C4 Bumps 接 Substrate。
圖說：3D Packaging（SoIC）結構——Logic Die 垂直堆疊、頂置 HBM Stack，以 TSV 貫穿連接，縮短晶片間傳輸路徑。
各大晶片廠導入路線
| 廠商 | 應用 | SoIC 導入路線 |
|---|---|---|
| AMD.US(amd) | 資料中心 AI 加速器 | 全球首款大規模採用 SoIC 的伺服器晶片：MI300 以 SoIC-X 將 CCD／XCD 垂直堆疊於 IOD 上、再以 CoWoS 連 HBM；源自 3D V-Cache（X3D）成功經驗 |
| NVDA.US(nvidia) | 資料中心 AI 加速器、CPO | Feynman／Rubin Ultra 世代導入，將 SRAM 與邏輯晶片垂直堆疊；並用於台積電 CPO 的 技術_COUPE 平台（EIC／PIC 垂直堆疊），CPO 預計 2026 下半年量產，用於 Quantum-X Photonics 交換器 |
| Apple | 電腦／平板處理器（邊緣算力） | M 系列在不增加晶片尺寸與系統能耗前提下提升 CPU／GPU 效能，符合邊緣 AI 裝置效能與能耗平衡 |
圖說：AMD MI300 架構剖面——Carrier Si 下 XCD／CCD 堆疊於 IOD（SoIC-X），兩側 HBM，下方 Silicon Interposer（CoWoS），底 LGA pads。
SoIC 需求跨邊緣與雲端
Apple（地端邊緣）與 AMD／NVIDIA（雲端資料中心）同步導入，說明 SoIC 需求非單一產業驅動，而是邊緣運算與 AI 運算晶片的全面性升級。
台積電 SoIC 產能節點
| 時間 | 月產能 | 備註 |
|---|---|---|
| 2026 | 約 2 萬片 | 主要擴增 SoIC-X |
| 2027 | 約 4.8 萬片 | 配合客戶量產時程 |
| 2028 | 約 7.8 萬片 | 較 2026 年成長近 5 倍 |
報告內口徑略有出入
富果觀點摘要稱「2026~2028 由 1.6 萬擴張至 7.8 萬片」，內文產能布局則列 2 萬／4.8 萬／7.8 萬片。2026 起始值並列保存（約 1.6–2 萬片），2028 年 7.8 萬片一致。此口徑與 技術_SoIC 既有野村（2027F 約 30k wpm）／WMCM 調研（2027 底 4.5–5 萬、2028 7–8 萬）並列追蹤。
台灣供應鏈兩波受惠
SoIC 雖屬後段封裝，製程環境與規格已提升至前段晶圓製造標準，進入門檻極高、核心機台由歐美日大廠壟斷，台廠以特用耗材與關鍵零組件為主要切入點。
第一波：設備端（CoWoS 已與台積電共同開發，延伸進 SoIC 製程驗證）
| 環節 | 台廠 |
|---|---|
| 濕製程／清洗 | 3131_弘塑（櫃） |
| 設備 | 3167_大量（市）、3535_晶彩科（市）、7822_倍利科（市）、6640_均華精密（櫃） |
第二波：耗材與零組件端（SoIC 量產啟動後，高毛利耗材進入長線成長）
| 環節 | 台廠 | 角色 |
|---|---|---|
| CMP 鑽石碟 | 1560_中砂（市） | CMP 製程關鍵耗材 |
| 研磨墊 | 7768_頌勝科技（市） | CMP 研磨墊 |
| 研磨液 | 1717_長興（市） | CMP slurry |
| TSV 特用氣體 | 4768_晶呈科技（櫃） | TSV 製程氣體 |
| 晶圓夾持環 | 7556_意德士（櫃）、6532_瑞耘（櫃）、8098_慶康（興） | 晶圓夾持／陶瓷零組件 |
| 晶圓薄化服務 | 8028_昇陽半導體（市） | 堆疊前薄化 |
國際核心設備供應商
LRCX.US(lam_research)、AMAT.US(applied_materials)、KLAC.US(kla)、ONTO.US(onto_innovation)、BESI.NL(besi)、0522.HK(asmpt)、6383.JP(daifuku)、Muratec（未）、6146.JP(disco)。
關鍵 Claim
| Claim | 類型 | 來源 | 日期 | 信心 |
|---|---|---|---|---|
| SoIC 自 2026 年起需求快速放量、為 3D 封裝量產主流 | thesis | 報告_富果_先進封裝SoIC產業_20260620 | 2026-06-20 | 中 |
| 台積電 SoIC 月產能 2028 年達約 7.8 萬片（較 2026 近 5 倍） | estimate | 同上 | 2026-06-20 | 中 |
| 台灣供應鏈分設備端與耗材零組件端兩波受惠 | analyst | 同上 | 2026-06-20 | 中 |
| 具晶圓代工能力者（台積電、Intel）在 3D 封裝佔絕對優勢 | analyst | 同上 | 2026-06-20 | 中高 |
結論／投資觀點
2 奈米以下高效能運算晶片將轉向 SoIC 搭配 CoWoS／CoPoS／InFO 的混搭封裝架構。投資映射：設備端（弘塑、均華等已隨 CoWoS 切入，延伸 SoIC 驗證，能見度較高）；耗材零組件端（中砂、頌勝、長興、晶呈科、昇陽半等，待 SoIC 量產放量、屬高毛利長線）。耗材端彈性大但須等量產確認，設備端為先行受惠。 信心水準：中
待確認事項
- [ ] 追蹤台積電 SoIC 進機與 2027 月產能（4.8 萬片 vs 既有野村／WMCM 口徑收斂）
- [ ] 確認耗材端（鑽石碟／研磨墊／研磨液）實際進入 SoIC 製程驗證與出貨時點
- [ ] 晶圓夾持環三家（意德士／瑞耘／慶康）的 SoIC 認證進度
來源
- 報告_富果_先進封裝SoIC產業_20260620（富果研究，Wayne Chang，2026-06-20）