基本資料
Lam Research（科林研發，NASDAQ: LRCX），全球蝕刻設備與薄膜沉積設備龍頭之一，總部位於美國加州費利蒙。核心產品線為乾蝕刻（etch）、化學氣相沉積（CVD）及原子層沉積（ALD）設備，在記憶體（DRAM/NAND）與邏輯製程市場具重要地位。
在先進封裝領域，Lam Research 提供 SoIC 製程所需的矽穿孔（TSV）蝕刻設備及相關薄膜沉積設備，為 SoIC 3D 堆疊製程的設備供應商。富果研究（2026-06-20）將 Lam Research 列為 SoIC 製程設備供應商（TSV etch/沉積設備環節）。
Lam Research 在全球蝕刻設備市場佔有率與 Applied Materials 並列前茅，記憶體設備業務佔比高，但先進封裝業務持續擴張。財務數字見下方 EPS 記錄與財測假設。
最新一季（FY1Q27＝CY3Q26，富邦法說 memo，2026-10-22）：營收 US$8.22bn（QoQ +22%、YoY +54%），連續五季創高；毛利率 52.4%、營業利益率 40.2% 皆創高；CSBG 營收近 US$2.5bn；NAND 系統設備營收 QoQ 約 +40%；中國占營收 35%（前季 26%）。
資料來源：報告_富果_先進封裝SoIC產業_20260620
產品與應用
| 產品 / 服務 | 應用 | 相關客戶 / 下游 |
|---|---|---|
| 乾蝕刻設備（etch） | TSV（矽穿孔）深孔蝕刻；SoIC 圖形轉移 | 2330_台積電（市）、三星、SK Hynix |
| CVD/ALD 薄膜沉積設備 | TSV 絕緣層/阻障層/銅填充；SoIC 互連層 | 晶圓代工廠、記憶體廠 |
| 化學機械研磨（CMP）— 部分產品 | 平坦化 | 半導體廠 |
核心技術／競爭優勢
- 全球蝕刻設備市場份額領先（與 TEL、Applied Materials 三強競爭）
- 深孔 TSV 蝕刻技術成熟，SoIC 與 3D DRAM 堆疊製程需求帶動高深寬比蝕刻設備需求
- 記憶體市場基本盤穩固，先進封裝為額外成長動能
- 管理層說法（GS SEMICON West 會議，2026-10-14）：2027 年預期 8-10 座新廠動工／投產，產品成長依序由 DRAM、先進晶圓代工／邏輯、NAND 帶動；新長期毛利率目標約 55%，未訂達成時程，GS 預期數年內達成、主要靠產品組合（新品 Akara）與海外製造效率而非同規格漲價；對 Logic、DRAM 與先進封裝競爭位置審慎樂觀（蝕刻與沉積強度隨硬遮罩、表面前處理、TSV 等新元件結構增加）。
- 與台積電等領先客戶長期合作，設備驗證門檻高
EPS 記錄
| 季度 | EPS (元) | YoY | 備註 |
|---|---|---|---|
| FY1Q27（CY3Q26） | US$2.20（GAAP 文字）／2.19（non-GAAP 表列，待核對） | — | 營收 US$8,219mn（YoY +54.4%）、毛利率 52.3–52.4%、EBIT US$3,301mn、淨利 US$2,768mn（來源，2026-10-22；幣別美元，非「元」） |
EPS 預估
| 季度／年度 | 營收（US$mn） | 毛利率 | EBIT（US$mn） | non-GAAP EPS（US$） | 備註 |
|---|---|---|---|---|---|
| F2Q27F | 8,595 | 51.9% | 3,412 | 2.34 | YoY +60.8%；公司指引營收 8.6bn±0.4bn、GM 52.5%±1、EPS 2.33±0.15 |
| F3Q27F | 8,849 | 52.1% | 3,530 | 2.43 | YoY +51.5% |
| F4Q27F | 9,273 | 52.3% | 3,732 | 2.57 | YoY +37.9% |
| FY26A | 23,233 | 50.6% | 8,320 | 5.82 | YoY +26.0% |
| FY27F | 35,103 | 51.9% | 14,009 | 9.51 | YoY +51.1% |
| FY28F | 41,902 | 52.4% | 17,505 | 11.93 | YoY +19.4% |
| FY29F | 48,099 | 53.2% | 20,476 | 14.35 | YoY +14.8% |
（來源：富邦證券法人業務處整理表，2026-10-22；Lam 會計年度截至 6 月）
財測假設
| 來源（日期） | 模型 / 推導鏈 | 關鍵假設 | 產出 |
|---|---|---|---|
| 公司法說（2026-10-22） | CY27 WFE >US$200bn；公司成長優於 WFE | 先進封裝 CY26 +70%；CSBG CY27 >+15%；長期毛利率 mid-50s | F2Q27 營收 US$8.6bn±0.4bn、GM 52.5%±1ppt、營業利益率 40.5%±1ppt、EPS 2.33±0.15 |
目標價與評等
| 券商 | 報告發布日 | 評等 | 目標價 | 評價基礎 | 來源 |
|---|---|---|---|---|---|
| Goldman Sachs | 2026-10-14 | Buy | US$380 | 35x P/E × 正常化 EPS US$10.75 | 報告_GS_SEMICONWest2026_20261014 |
外資目標價彙整（二手表列）
來源：富邦 memo，2026-10-22。12 個月平均目標價 US$379.10；評等 31 買進／6 持有／0 賣出；收盤 US$260.81（10-21，市值約 US$3,264 億；近 1 年區間 US$135.50–438.50；近 1 月 -13.7%）。
| 券商 | 日期 | 評等 | 目標價 |
|---|---|---|---|
| Bernstein | 2026-10-21 | outperform | US$385 |
| Evercore ISI | 2026-10-20 | outperform | US$315 |
| Aletheia Capital | 2026-10-20 | buy | US$400 |
| Deutsche Bank | 2026-10-19 | buy | US$375 |
| Stifel | 2026-10-19 | buy | US$425 |
| TD Cowen | 2026-10-16 | buy | US$400 |
| Wells Fargo | 2026-10-15 | overweight | US$355 |
| Morgan Stanley | 2026-10-05 | Overwt／In-Line | US$385（前次 US$404，2026-07-23，見 報告_MS_半導體生產設備月報_20260723） |
| Citi | 2026-09-09 | buy | US$450 |
| JP Morgan | 2026-07-30 | overweight | US$340 |
| HSBC | 2026-07-30 | hold | US$325 |
| Jefferies | 2026-07-29 | buy | US$335 |
| Oppenheimer | 2026-07-29 | outperform | US$400 |
| Susquehanna | 2026-07-29 | Positive | US$475 |
| Barclays | 2026-07-29 | equalweight | US$335 |
| Goldman Sachs | 2026-07-05（表列日期，較 10-14 報告舊） | buy | US$380 |
下檔風險（GS）：DRAM／HBM 需求轉弱、無塵室與晶圓廠擴建延遲、先進封裝與 3D 架構內容增量不如預期。
成長動能／催化劑
- WFE 展望（法說，2026-10-22）：CY26 全球 WFE 約 US$155bn（年初約 135bn，逐季上修，主因客戶提高既有無塵室安裝密度並提前部分擴產）；CY27 預估超過 US$200bn（成長近 30% 以上，初步預測），成長排序 DRAM、Foundry Logic、NAND，與三個月前相同；CY27 約有 10 座 Tier-1 新廠陸續投產，需求能見度延伸至 2028 年；管理層稱若無無塵室與供應鏈限制，實際需求會高於 US$200bn，未量化；下一季法說再更新。（來源，2026-10-22）
- 公司優於 WFE：蝕刻與沉積強度隨先進製程、先進封裝、記憶體演進提升；管理層稱每 US$100bn AI CapEx 約帶動 US$10bn WFE 概念下，2027 年公司可服務市場高於 2026 年。CSBG（Customer Support Business Group）2026 年前九個月營收 +36%、全年預期 >+30%，CY27 預期 >+15%；備品為最大單項，Equipment Intelligence、Dextro Cobots、績效導向服務合約為新成長來源（已與多家記憶體客戶簽約）。
- NAND：128 層升 200 層需求延續至 2027 年，300–400 層為下一輪升級；AI 儲存架構（SLC Class NAND、HBF）使位元密度降低，管理層估每 1 個百分點 NAND 位元需求轉向 SLC 約需增加 2% 晶圓產能；未提供 2027 年 SLC 滲透率預測。CY3Q26 NAND 營收成長同時含升級與新設備，未揭露比重。
- DRAM／邏輯：DRAM 無論續用平面架構（先進圖案化需求：Akara Conductor Etch、Aether Dry Resist）或跳過 4F2 直接轉 3D，均提升蝕刻與沉積強度，3D 轉換可能使原預期較晚的需求提前；Foundry Logic 每片晶圓 SAM 翻倍目標進度約達一半，來源為先進圖案化、背面供電、GAA（ALD、表面處理）與先進封裝，部分表面處理設備採用優於 2025 Investor Day 預期；先進邏輯新廠消息未改變 2027 年各終端成長排序。
- 先進封裝：維持 CY26 先進封裝業務營收約 +70%，CY27 預期延續成長（未給成長率與占 WFE 比重）；面板級封裝（PLP）仍屬早期，設備已出貨逾 20 家客戶，設備與傳統 SABRE 平台不完全相同，尚無量產時程與營收預測；Hybrid Bonding 公司不供應鍵合設備，經介電與金屬薄膜沉積、蝕刻參與，管理層認為無論最終採用何種先進封裝架構，只要滲透率提高即受惠，未量化貢獻；金屬化、預清洗等 SAM 尚未揭露。Aether Dry Resist 2030 年底累計營收預測上修至約 US$2.5bn（較先前增加約 US$1bn），來自新客戶與既有客戶（HBM）放量，未量化各自貢獻。
- 短期供應鏈：部分零組件供給緊張限制出貨，原定 CY4Q26 出貨設備遞延至 CY1Q27（訂單未流失）；管理層未確認市場所傳 US$300–400mn 遞延，亦稱嚴重度遠低於 COVID 期間；舉辦多場供應商會議，不排除共同投資供應商但目前無大規模計畫；CY4Q26 指引不含一次性收入或漲價效益。存貨 US$4.6bn（QoQ +US$274mn），週轉率 3.4 次（前季 3.0，近七年高）。
- 中國與成熟製程：CY3Q26 中國占比 35%（前季 26%），符合預期；CY4Q26 預期明顯下降，主因中國本土客戶，跨國企業維持強；成熟製程設備（Reliant）已回升，但排除中國後 2026 年不預期顯著成長，2027 年轉強。
- 毛利率與資本回饋：長期毛利率目標 mid-50s（約 55%），動能為新產品（Akara、Aether）、Close-to-Customer 製造、定價；未來數季預期約 52–53%。加速股票回購（ASR）CY3Q26 啟動，CY4Q26 持續，董事會授權餘額約 US$3bn；目標返還約 85% 自由現金流量；另近期宣布季股利 +27%。
關鍵 Claim
| Claim | 類型 | 來源 | 日期 | 信心 |
|---|---|---|---|---|
| Lam Research 列為台積電 SoIC 製程設備供應商（TSV etch/沉積設備） | analyst | 報告_富果_先進封裝SoIC產業_20260620 | 2026-06-20 | 中 |
| CY27 WFE 預估 >US$200bn（CY26 約 US$155bn）；Aether 2030 年底累計營收約 US$2.5bn | public_info | 報告_富邦_LRCX_F1Q27法說memo_20261022 | 2026-10-22 | 高 |
| 每 1 個百分點 NAND 位元需求轉向 SLC 約需增加 2% 晶圓產能 | public_info | 同上 | 2026-10-22 | 中高 |
風險與注意事項
記憶體與晶圓代工資本支出若低於預期、中國需求與出口管制、半導體景氣循環；短期受無塵室與零組件供給限制，營收認列可能遞延（富邦 memo，2026-10-22）。
時間軸
| 時間 | 事件 | 類型 | 重要性 | 備註 |
|---|---|---|---|---|
| 2026（CY） | 面板級封裝設備已出貨逾 20 家客戶（早期布局，非量產） | 技術路線 | ⭐⭐ | 富邦 memo，2026-10-22；詳見 時程_2026_先進封裝產能 |
| 2027 | NAND 128→200 層升級延續；後續 300–400 層升級 | 技術路線 | ⭐⭐ | 同上 |
| 2030 年底 | Aether Dry Resist 累計營收預測約 US$2.5bn（上修 US$1bn） | 產品 | ⭐⭐⭐ | 同上 |
供應鏈位置
- 所屬供應鏈：SoIC 先進封裝設備供應鏈
- 主要客戶：2330_台積電（市）（SoIC TSV etch 設備）、三星、SK Hynix、美光 等；富邦 memo（2026-10-22）列示客戶含英特爾、鎧俠、美光、三星、台積電
相關公司
| 公司 | 關係 | 說明 |
|---|---|---|
| 2330_台積電（市） | 客戶 / 下游 | SoIC 製程 TSV 蝕刻/沉積設備採購方 |
| AMAT.US(applied_materials) | 同業/競爭 | 蝕刻/沉積設備市場重疊 |
| KLAC.US(kla) | 同業 | 半導體設備三大龍頭之一 |
| MU.US(micron)、005930.KR(samsung)、285A.JP(kioxia) | 客戶 | 記憶體設備客戶（富邦 memo 客戶名單，2026-10-22） |
來源
- 報告_富果_先進封裝SoIC產業_20260620
- 報告_富邦_LRCX_F1Q27法說memo_20261022 — 富邦證券法人業務處，2026-10-22；F1Q27 法說 memo，營收 US$8.22bn、WFE CY27 >US$200bn、Aether 累計營收上修至 US$2.5bn
- 報告_GS_SEMICONWest2026_20261014 — Goldman Sachs，2026-10-14；SEMICON West 會議紀要，Buy TP US$380，DRAM 帶動 2027 年新廠投產
- 報告_MS_半導體生產設備月報_20260723 — Morgan Stanley MUFG（Suzune Tamura／Kazuo Yoshikawa），2026-07-23；Tech Monthly Jul 2026，LRCX OW、PT US$404（後於 10-05 調為 US$385）；insight 見 分析_半導體設備月報_MS_20260723