PDF 原檔：報告_富果_先進封裝SoIC產業_20260620_original.pdf
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| 檔名 | size | 分類 | 親眼所見內容 |
|---|---|---|---|
報告_富果_先進封裝SoIC產業_20260620_001.png |
148KB | 真資料圖 | 2.5D Packaging (CoWoS) 結構剖面：HBM Stack 1/4 與 Logic Die 1/2 並列於 Silicon Interposer 上，下接 RDL、C4 Bumps、Substrate，左側 DTCs |
報告_富果_先進封裝SoIC產業_20260620_002.png |
96KB | 真資料圖 | 3D Packaging (SoIC) 結構剖面：Logic Die 1、Logic Die 2 垂直堆疊、頂置 HBM Stack，以 TSV（Through-Silicon Vias）貫穿，底 C4 Bumps 接 Substrate |
報告_富果_先進封裝SoIC產業_20260620_003.png |
128KB | 真資料圖 | AMD MI300 架構剖面：Carrier Si 下 XCD/XCD 與 CCD/CCD 堆疊於 IOD（SoIC-X），兩側 HBM，下方 Silicon Interposer（CoWoS），底 LGA pads，頂 LID |
報告_富果_先進封裝SoIC產業_20260620_004.png |
87KB | 裝飾·banner | 富果／德信吉盈「$500 好禮即享券」手機廣告圖，非資料圖 |
原始內容
產業 台 股 美 股 法說 會 投 資 顧 問 其他
產業 分 析
富 果 研究 富 果學 院
我的
2026 年 先 進 封 裝 產業 深 度報告 ：台 積 電 SoIC 引 領 全新 世 代 3D 先 進 封 裝 ，開 啟 新一 波 算 力 革 命
初 次 發 布 ：
2026.06.20
最 後更 新：
2026.06.21 11:16
觀 點
- 單 一 晶 片 在電 晶 體 密 度 、 訊號傳 輸 效 率 、 功 耗 與 散 熱等三 大 瓶 頸 下， 3D 垂 直 堆 疊 已成 為 晶 片 效 能 的 唯 一 解 方 。 AMD 已 在 伺 服 器 晶 片 MI300 率 先 採 用 此 技術量 產 ， NVIDIA 則 於 Rubin Ultra/Feynman 世 代 跟 進 ，以 維 持 其 AI 晶 片 霸 主 地 位 ； 蘋 果 則因 邊 緣 算 力 需求 提 升 ， 且 降 低 裝 置 能 耗 與 發 熱 下， 旗 下 M 系列 晶 片將 採 此 技術 。 三間 廠 商將 於 2026 年起 陸 續 導 入 晶 片 ， 將 支 撐 台 積 電 SoIC 月 產能 於 2026~2028 年 由 1.6 萬 片 擴 張至 7.8 萬 片 。
- SoIC 的 加工精度與 潔淨 度要 求 已 比照 前 段 晶 圓 製造標 準 ， 使 具備 晶 圓 代工 能力 的台 積 電、 Intel 在 3D 封 裝 佔 絕 對 優 勢； 傳 統 後 段 封 裝 廠 受限 於 設 備 精 度與無 塵 室 等 級 ， 難 以 跨 越 這道 技術 高 牆 。
- 台 灣 供 應 鏈 將 分 兩 波 受 惠 ： 第 一 波 為 「設 備 端 」 ， 弘 塑 、家 登 、 均 華 、 萬 潤 等 廠 商 在 CoWoS 階 段 已與 台 積 電 共 同 開發，可 順勢 延 伸 進 入 SoIC 製 程 驗 證 ； 第二 波 為 「 耗 材 與 零 組 件 端 」 ， SoIC 量 產 啟 動 後 ，中 砂 （ CMP 鑽 石 7
碟 ） 、 頌 勝 （ 研 磨墊 ） 、 長 興 （ 研 磨 液 ）等高 毛 利 耗 材 商將進 入 長線成長 週
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超 越 CoWoS ： SoIC 3D 堆 疊 可 望 進 一 步 提 升 晶 片 AI 算 力 密 度
在生 成式 AI 發 展 對 算 力 需求 提 升 的 趨 勢 下， 增 加單 一 晶 片 算 力 、 晶 片間傳 輸 提 升 為 業 界 兩 大 方 向 讓整 體 晶 片性能提 升 ， 前者 可 透 過 先 進 製 程 的 微 縮 來提 升 電 晶 體 密 度 ， 後者 則 透 過 先 進 封 裝 縮 短 晶 片間 的 溝 通 距 離 達 成 。 然而 ， 目前 技術 瓶 頸 已 在於 晶 片之間 溝 通 的 效 率 跟 不上 算 力提 升 的 速 度 ， 因 此 ， 晶 圓 廠 正 透 過 封 裝 方式 的 改 進 ， 讓 晶 片 距 離 更 近 ， 實現更高 速 的 互 連 頻 寬 。
現 在 主 流 的 2.5D 封 裝 （如 台 積 電 CoWoS 技術 ） ， 透 過 中 介 層 打造 晶 片訊號傳 遞 的 橋 樑 ， 然而 這 樣 的 傳 輸 路 徑 並非 最 短 路 徑 ，在 處 理資料 中心 海量 資料 交 換 時，會 有 訊號傳 輸 延 遲 、 阻 抗 升 高 、 能 耗 上 升 等問題 ， 成 為 AI 晶 片 效 能提 升 的 阻礙 。 另 外 ， 透 過 CoWoS 製造 的 晶 片 有 面 積 限 制 ， 無法無 限 地 水平 擴 張 ， 故 半 導 體產業 開 始 將 晶 片 封 裝 架 構 由 平面 排列 轉 向 立體 堆 疊 ， 立體 堆 疊 即 為 「 3D 封 裝 」 概 念 ，可 讓 訊號傳 輸 延 遲 、 功 耗 下 降 、 提 升 通訊 頻 寬 ， 故 3D 封 裝 成 為 技術 演 進過程 中的 必然 趨 勢 。
以 白 話 的 方式 舉 例 ， 2.5D 封 裝 （如 左 下 圖）好 比 平 房 擴 建 （ 可 參 考 之前 的文 章 ：台 積 電 CoWoS-L 迎 來 爆 發， AI 算 力重 塑 臺 灣設 備供 應 鏈 成長 趨 勢 ） ， 各 房 屋 之間要運 輸 物資 仍 須 透 過聯外道路 ， 而 3D 封 裝 （如 右 下 圖）如同 建造 摩 天 大 樓 ， 物資 直接 透 過 電 梯 來運 輸 ， 傳 輸 路 徑 大 幅 縮 短 ， 所 以 包 含 I/O 密 度（ 電 梯 ） 、 應力 管 理（ 地 基 承 重） 、 散 熱（ 空 調 系統 ）等設計 須 更精 密 。
💬 開 始 討 論
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2.5D
、
3D
封
裝比
較
示
意圖
7
.2
N41:49
HBM Stack 1
DTCs
資料來 源 ：
自 行 整 理
各 大 晶 片 廠陸 續 開 始 採 用 SoIC 以 提 升 晶 片性能 、 降 低 功 耗
各 大 晶 片 廠 選 擇 導 入 SoIC 的 根 本 原 因 在於 傳 統 2.5D 封 裝 面對 AI 算 力提 升 已 近 極 限 ， 隨 AI 模 型參 數 規 模 由 千 億 級 邁 向 兆 級 ， 單 一 晶 片同 時 面 臨 運 算密 度 、 訊 號傳 輸 效 率 、 功 耗 與 散 熱 等三 大 瓶 頸 ， 使 3D 堆 疊 封 裝變 成 新 興 解 方 ， 也 是 SoIC 技術 自 2026 年起 需求 快 速放量 的 核 心 原 因 。
首 先 是 算 力 密 度 瓶 頸 ：在 先 進 製 程 微 縮 趨 緩 、 SRAM 幾 乎 停止 微 縮 的 情 況 下， 僅 靠 電 晶 體 密 度提 升算 力 的 邊 際 效 益 遞 減 ， 廠 商 必 須 在 垂 直 方 向 疊 加 晶 片 ， 才 能 在 相同面 積 下 增 加 算 力 ， 故 3D 封 裝 為 未 來高 階 晶 片 的 必然 選 擇 。
其次 是 訊號傳 輸 效 率 ： 現 在的 AI 運 算 瓶 頸 主要 在於 晶 片間 的 訊號傳 輸 效 率 ， 邏 輯 晶 片 每 次 從 外部 HBM 存 取 一 次資料 ， 所 耗 費 的 能 量 高 ， 且 訊號 會 延 遲 。 SoIC 將 SRAM 、 邏 輯 晶 片 、 光 引 擎 、 ASIC 等 垂 直 貼 合 ， 縮 短 資料傳 輸 路 徑 。
最 後 是 功 耗 與 散 熱 限 制 ： 目前 AI 伺 服 器 晶 片 的 功 耗 已提 升 至 1,000W 以上，發 熱 逐 步增 加 。 SoIC 的 銅 對 銅 直接 鍵 合 不 僅 大 幅 降 低 訊號傳 輸 阻 抗 ， 也 讓功 耗 與 發 熱同 步 下 降 ， 成 為 高 功 率 AI 晶 片 在 性能與 功 耗 之間 取 得平 衡 的關 鍵 解 方 。
在上 述 三 個 原 因 下， Apple 、 AMD 、 NVIDIA 三 家公 司 開 始 轉 向 採 用 SoIC 技術 封 裝 晶 片 。 各 廠 產品路線 比 較 如 下：
Apple
（
電
腦
、
平
板
處
理
器
）
：
因
應
消
費
端
對
邊
緣
運
算
性能
、
功
耗
表現要
求 提 升 Powered by Protico
HBM Stack -
Apple 採 用 SoIC 的 核 心 目 的，在於不 增 加 晶 片 尺 寸 與 系統 能 耗 的 前提 下，可 提 升 CPU 與 GPU 的 運 算效 能 。 從近 期 OpenClaw 引 發 Mac mini 搶 購風 潮 觀 察 ， 反 映 出 消 費者對 於 裝 置 的 邊 緣 運 算 性能 有 更高要 求 ， 及 裝 置 執 行地 端 AI 高 強 度 運 算 時， 高 功 耗 引 發的發 熱問題 仍 須 進 一 步 改 善 ， 而 SoIC 技術 將 晶 片傳 輸 路 徑 縮 短 ，可 提 升 晶 片 效 能 並 降 低 功 耗 ， 符 合 邊 緣 AI 裝 置 對 於 效 能與能 耗 間平 衡 的 要 求 。 Silicon Interposer LGA pads
隨 著未 來 AI Agent 等應 用 普 及 ， 終 端 裝 置 須 具備 更 強 大的 算 力 以 處 理 複 雜 的 推 論任 務 ， 進 而帶 動 Mac 與 iPad 等產品實現 生 成式 AI 在地 端 運 行的 需求 。
AMD （資料 中心 AI 加 速器 ） ： 採 用新 技術 搶 佔 晶 片市場 的 先 行 者
過 去 AMD 藉 由 台 積 電的 SoIC 製 程 ， 研 發出 3D V-Cache （ 又稱 X3D ） 技術 ， 透 過 在 CPU 垂 直 堆 疊 SRAM 記 憶 體 ， 成 功 在 遊 戲 效 能 上 取 得 優 勢 並 超車當 時的 處 理 器 龍 頭 Intel 。在 嚐 到 3D 封 裝帶 來 的 競 爭 優 勢 後 ， AMD 決 定將此 模 式 複 製 到 AI 領 域 ， 自 Instinct MI300 系列 起 全 面 導 入 SoIC 技術 進 行 垂 直 堆 疊 （如 下 圖） ， 試 圖 在 伺 服 器 市場再次 逼 近 龍 頭 NVIDIA 。
AMD Instinct MI300 系列 是全 球 首款 大 規 模 採 用 SoIC 技術 的 伺 服 器 晶 片產 品 。下 方 為 MI300 架 構 圖 ， MI300 將運 算 晶 片（ CCD ） 、 加 速器 晶 片（ XCD ） 透 過 SoIC-X 技術 垂 直 堆 疊 在 輸 出入 晶 片（ IOD ） 上 方 ， 並 以 CoWoS 技術 ， 透 過 下 方 矽 中 介 層 與 HBM 水平相連 。
資料來 源 ：
IEEE Spectrum
AMD 是全 球 首 家 將 SoIC 技術 大 規 模 導 入 資料 中心 晶 片 的 先 行 者 ， MI300 的 成 功量 產 不 僅 驗證 了 SoIC 在 高 功 耗 AI 晶 片 上的可行 性 ， 也成 為 其他資料 中心 廠 💬 開 始 討 論
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AMD
商加 速 跟 進 3D 封 裝 的 催 化 劑 。 預 計後 續 AMD Instinct MI 系列 晶 片也將 持 續 採 用 SoIC 技術 封 裝 。 SolC-X # Instinct MI300 1E
NVIDIA （資料 中心 AI 加 速器 、 CPO ） ： 鞏 固 AI 伺 服 器 晶 片 霸 主 地 位
NVIDIA 採 SoIC 的 原 因 有 進 一 步 提 升 記 憶 體傳 輸 效 率 ，以 及結合 CPO 矽 光 子 技術 ， 同 時 也 是為 了應對 AMD 在 先 進 封 裝 領 域 領 先 所 帶 來 的 競 爭 壓 力 ， 面對 AMD 率 先 利 用 SoIC 垂 直 堆 疊 技術持 續追 趕 算 力 ， NVIDIA 必 須 透 過更高 效 的 3D 封 裝 架 構 來 鞏 固 其 AI 晶 片 的 霸 主 地 位 。
NVIDIA 預 計將 於 Feynman 架 構 導 入 此 技術 ， 將 SRAM 與 邏 輯 晶 片 垂 直 堆 疊 ， 藉 此 解 決 記 憶 體 存 取 瓶 頸 ； 這 項 技術 也將應 用在台 積 電的 CPO 解 決 方 案 中， 透 過 COUPE 平 台 實現 EIC 與 PIC 的 垂 直 堆 疊 ， 進 一 步 縮 短 電 訊號傳 輸 路 徑 ， CPO 預 計 於 2026 下 半 年 啟 動 量 產 ， 將 用於 NVIDIA Quantum-X Photonics 交 換
器 中。
採 用 SoIC 封 裝技術 廠 商 、 產品 比 較
資料來 源 ：
自 行 整 理
儘 管 Apple 、 AMD 與 NVIDIA 因 產品定位與市場 需求 的不 同 ，在 切 入 SoIC 的 時 程與 技術 版 本上有 所 差 異 ， 但 這三 家 指標 廠 商 從消 費 型 終 端 到 雲 端 資料 中心 的 同 步 導 入， 說明了 SoIC 的 需求並非由 單 一 產業 驅 動， 而 是 跨 越 了 邊 緣 運 算 （ 地 端 ）與 AI 運 算 （ 雲 端 ） 晶 片 的全 面性 升 級 。
SoIC 技術 準 備 興 起 ， 供 應商 的 機 會
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針 對產能 布 局 ，台 積 電 SoIC 的 擴 產進程明 確 ，為 配 合客 戶 晶 片 量 產 時 程 ， 預 估 2026~2028 年 月 產能 規 劃 分 別 為 2 萬 、 4.8 萬 及 7.8 萬 片 。 因 AI 晶 片對性能 升 級 迫 切 ， 故 主要 擴 增 之產能 為 SoIC-X 技術 ，以 符 合客 戶 需求 。
BESI(BESI) • Applied
供 應 鏈 部 分， 預 期 SoIC 製 程之 供 應商如 下：
HEATH (Grinder) • $
69 3 7L (TSV)
3DEHU
DISCO(6146.JP)
-
-
| Lam Research(LRCX) • | ||
|---|---|---|
| Applied Materials(AMAT) KLAKL) • Onto(ONTO) 34 22(3131) EE * 74(3535) • | ||
| tạo :BIl | BESI(BESI) • | 147U74(7822) |
| ASMPT(0522.HK) # ÷ (6640) Daifuku (6383.JP) • Muratec (3680) |
資料來 源 ：
自 行 整 理
雖 然 SoIC 技術 在 產業 分 類 上 定 義 為 後 段 封 裝 ， 但 其 製 程 環境 與 技術規 格已提 升 至 前 段 晶 圓 製造 的 標 準 ， 進 入 門 檻 極 高 ， 核 心 機 台 仍 由 歐 美 日大 廠 壟 斷 ， 僅 有 少 數 台 廠 可 打 入 設 備供 應 鏈 中， 如 弘 塑 （ 3131 ） 、大 量 （ 3167 ） 、 晶 彩 科 （ 3535 ） 、 倍 利 科 （ 7822 ） 、 均 華 （ 6640 ）等 公 司 。台 廠 現 階 段 以 特 用 耗 材 與 關 鍵 零 組 件 為 主要 切 入 點 ， 具備 成長 潛 力 的台 灣 耗 材 、 零 組 件 供 應 鏈 包 括 ： CMP 鑽 石 碟 廠 商 中 砂 （ 1560 ） 、 研 磨墊 廠 商 頌 勝 科技 （ 7768 ） 、 研 磨 液 廠 商長 興 （ 1717 ） 、 TSV 特 用 氣體 廠 商 晶 呈 科 （ 4768 ） 、 晶 圓夾 持 環 廠 商意 德 士 （ 7556 ） 、 瑞 耘 （ 6532 ） 、 慶 康科技 （ 8098 ） ，以 及 晶 圓 薄 化服務 的 昇 陽 半 8028
💬 開 始 討 論
備註 ：上 述 僅 提及 SoIC 製 程 中 所 需 之設 備 ， 惟 SoIC 製 程後還 可 結合 CoWoS
、
等
封
裝製
程
，
故
備
廠
仍
將
持
續
受
惠
。
、
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CoWoS
（ ）等 。
CoPoS
InFO
CoWoS
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設 備供 應 鏈 可 參 考 先 前 文 章 「 2026 年 先 進 封 裝 產業 深 度報告 ：台 積 電 CoWoSL 迎 來 爆 發， AI 算 力重 塑 臺 灣設 備供 應 鏈 成長 趨 勢 」 ， CoPoS 設 備供 應 鏈 可 參 考 「 2026 年 先 進 封 裝 產業 深 度報告 ： 解 析 台 積 電下一 世 代 2.5D 封 裝技術 CoPoS 與 供 應 鏈 的 機 會 」 。 18:48 B0 5) 34 -3 C3R 9 1R R310 (#0009) *3
UGIGA • ENZANA
SRRIRA
結 論
展 望 未 來 ， 2 奈 米 以下的 高 效 能運 算 晶 片將 不 再 依 賴 單 一 封 裝 形 式 以 及 追 求節 點 微 縮 ， 而 是 轉 向 SoIC 搭 配 CoWoS 、 CoPoS 或 InFO 的 混 搭 封 裝 架 構 ， 隨 AMD 成 功導 入 此方 案 ， NVIDIA 最 快也 預 計 在 Rubin Ultra 世 代 跟 進 。 產能部 分，台 積 電 SoIC 月 產能 預 計 在 2028 年 攀 升 至 7.8 萬 片（ 較 2026 年成長 近 5 倍 ） ，不 僅象 徵 3D 封 裝 轉 為 量 產主 流 ， 也將 帶 動 具備 前 段 技術 能力 的台 灣 耗 材 供 應 鏈 、 後 段 設 備供 應 鏈 ， 進 入新一 波 的 成長 週 期 。
本 篇 文 章 針 對 SoIC 技術 、 未 來產業 趨 勢 進 行分 析 ， 若 各 位 讀 者還 有 興趣 ， 後 續 還 有 更 深 入的 SoIC 製 程 介 紹 與 分 析 ， 請 詳 閱 文 章 「 2026 年 先 進 封 裝 產業 深 度 報告 ：台 積 電 SoIC 製 程 全 解 析 」 。
2026 年 先 進 封 裝 產業 深 度報告 ：台 積 電 SoIC 製 程 全 解
觀 點 隨 AI 晶 片 算 力提 升 ， 透 過水平 排列 的 CoWoS 會 產 生 積 熱與 電
CoWoS
仍
有
2026.05.27
光
罩
面
積
德
的
信
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吉
制
盈
，
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帳戶
致
晶
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伺
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作 者 介 紹
Wayne Chang
政 大 經 濟 系 / 產業 研究 員
對 未 來 科技 充 滿 想 像 ， 喜 愛 認 識 各 行 各 業 的 枝 微 末 節
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解 析 台 積 電下一 世 代 2.5D 封 裝技術 CoPoS 與 供 應 鏈 的 機 會： …
從 台 積 電 技術 藍 圖看 出 未 來 先 進 封 裝 的 三條主要 發 展 路 徑 台 積 電在 2025 年 技術 論 壇 上 表 示 ， 將 透 過 先 進 製 程 微 縮 、 先 進 封 裝技術 升 級 、 矽 光 子 導 入 等三 大 方 …
2026.03.30
- 富 果 研究 部
- Wayne Chang
2026 年 先 進 封 裝 產業 深 度報告 ：台 積 電 CoWoS-L 迎 來 爆 發 …
觀 點 ： 1. CoWoS 製 程 為 目前 全 球 AI 晶 片 最 主 流 的 標 準 封 裝技術 ：為 因 應 AI 晶 片 面 積 急 遽 擴 張 與高 功 耗 需求 ，台 積 電的 先 進 封 裝 重 心正全 面 從 傳 統 的 CoWoS-S…
2026.03.17
- 富 果 研究 部
- Wayne Chang
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