玻璃芯基板

定義

以玻璃取代傳統有機材料（FR4/ABF）作為封裝基板芯材或中介層，具備更低翹曲、更低訊號損耗、更大尺寸優勢。依應用分為三個層次：Glass Carrier、Glass Core、Glass Interposer。

野村 2026-05-21 報告將玻璃芯基板定位為先進封裝的新興技術：Intel 已公開展示玻璃核心基板，但定位為本世代後段的基礎研究，並非即將高量產；Absolics（SKC 子公司）已取得美國 CHIPS Act 初步支持，規劃在喬治亞建立玻璃基板廠；AGC、Corning、Schott 則投入低 CTE 玻璃與封裝級材料格式。

三層分類架構

圖說：玻璃基板依應用分三層。① Glass Carrier：薄晶圓加工（薄化、TSV 顯露、混合鍵合）時用釋放層與黏著層暫時鍵合，完成後雷射解鍵合、載板移除再利用，技術最成熟；② Glass Core Substrate：玻璃取代有機 ABF 芯，TGV 貫穿玻璃，上下兩面做增層線路，留在封裝基板內（TGV 深寬比約 10:1，晶呈 LADY 製程已達到）；③ Glass Interposer：玻璃 TGV 中介層取代矽中介層，放在有機載板上，深寬比需求更高，目前仍在開發。自繪剖面，層序參考元大 2026-07-21 與 IEEE EPS John Lau 2026-09-24 的玻璃基板剖面。

與有機載板比較

野村歸納玻璃相對 ABF 的核心優勢為：平整度高、較少翹曲、散熱較佳、低損耗有利高速訊號，以及支援大尺寸整合；這些優勢對 AI / HPC 封裝的高功耗、大面積、高 I/O 數需求特別重要。

PI 提升與成本佔比邏輯（郭明錤 2026-06-11）

針對台積電 CoWoS 玻璃核心基板（memo_郭明錤_台積電玻璃芯基板oS解讀_20260611）：

• PI（電源完整性）提升機制：玻璃核心變薄 → TGV 垂直導通通道變短 → 通道電阻 R 與迴路電感 L 雙降 → PI 提升 → 釋放更多 Power Headroom → 可整合更多電晶體 / 拉高時脈 → 更強 AI 算力。客戶願為「AI 算力增長」付溢價（≠ 為生產效率付溢價），是 Nvidia 積極導入主因。
• 成本佔比邏輯：玻璃單片成本雖比現有 ABF 高數倍，但基板僅佔 AI 晶片 BOM 的低個位數（1–5%），而封裝良率損失金額常達基板成本的 5–10 倍；玻璃核心提高良率、降低封裝良率損失，故高單價不阻礙採用。此與本頁前述「BOM 需降至 USD 400/片」的絕對成本門檻為兩種互補視角（絕對降本 vs 相對 BOM 佔比）。
• 三層 oS 結構與 ABF 規格：玻璃核心夾於兩層 ABF 增層之間（CoPoS 的「oS」）；ABF 增層主用味之素 GL107 混 ABF-GCP、測試 24–28 層（2027–2028 AI 晶片主流 ABF 規格）。架構與切割轉移細節見 技術_CoPoS。

玻璃芯基板量產進度全景（JPM SBR 研討會，2026-07-21）

報告_JPM_FCBGA_ABF基板研討會_20260721 引述 SBR Technology 西尾俊彥的獨立訪查，逐廠盤點玻璃芯（Glass Core）量產進度：

兩代路線與 500 µm 甜蜜點（專家會議 2026-07-22）

TGV 專家會議（講師具近十年孔內金屬化經驗）給出的世代框架與厚度定義：

• 第一代＝玻璃 Carrier（暫時性，最終分離移除）：現階段主流應用；CoPoS 第一代型態為 FOPLP，預計 2028 年量產（非 FOPLP 路線則更難）。
• 第二代＝Core Substrate（800–1,100 µm）與 Glass Interposer（500 µm 以下）：兩者邊界模糊——台積電口中的 Core Substrate，對封裝 / PCB 業界可能就是 Interposer，定義因觀察角度而異。
• 500 µm 是技術甜蜜點：機械強度優於 300 µm（300 µm 以下 handling 幾乎不可行）、製程時間優於 800 µm（厚板立體導線每段都花時間，甚至以天計）；且 500 µm 級是 Foundry、Package House、PCB 載板、Display 各類廠商都能參與的區間。講師以 Intel EMIB 玻璃基板實測佐證：標稱 800 µm、依比例尺量測實際僅約 600 多 µm——與本頁 NEPCON 2026 段「標稱 800 µm、實測推測 ~625 µm」獨立交叉一致；600–750 µm、AR 接近 10 或略低即可為佳解。
• 尺寸擴張路徑：工程版 250×250 mm → 量產版 300 mm 級；510×515 mm 挑戰極大（大面積挖孔、設備與均勻度、孔數檢測時間），須先在一定尺寸內拉良率再放大——「良率拉不起來根本無法推廣，良率比利用率重要」（此觀點與力成早期大尺寸玻璃廠投資形成對照）。講師判斷 TGV substrate（core 或 interposer）尺寸會落在 310×310 範圍，600 級難度極高。

TGV 製程（已併入 TGV 頁）

→ TGV 成孔路線比較、LADY 製程、23 道完整製程與金屬化兩路線詳見 技術_TGV（製程材料台廠對應圖已一併移入）。

Innolux TGV 驗證現況（MS 2026-06-22）

3481_群創（市） 目前正向 major foundry（推測為台積電）供應含 TGV 的玻璃芯基板，用於驗證模擬玻璃芯 ABF 基板的效益，是面板廠跨入玻璃芯基板供應鏈目前最具體的進度揭露。

來源：260622_2409_3034_ms_2h-june-panel-px（Morgan Stanley，2026-06-22），信心：中高

圖說：群創股價 vs. 32" TV Open Cell 面板均價，顯示面板景氣周期對估值的主導性。玻璃芯基板題材貢獻時程（不早於 2028）在當前估值中尚未實質體現。（來源：MS Research，2026-06-22）

面板供應鏈玩家進度總表（MS 2026-07-26）

來源：報告_MS_玻璃先進封裝_20260726（Morgan Stanley，Derrick Yang / Vivi Huang / Andy Meng）。本份的觸發點是藍思科技宣布與 Intel 在玻璃芯基板合作；MS 認為對市場情緒有幫助，但實質營收貢獻仍需時間。

MS 的技術判斷：

• 玻璃在先進封裝的多種可能用途中，目前絕大多數投入集中在玻璃核心基板。
• 面板供應鏈廠商在 TGV 與銅電鍍（copper plating）兩道製程上取得的進展較多——這正是他們既有本業能力可延伸之處。
• 但門檻不在設備能力，而在製程控制（process control）：先進封裝要求的精度與密度遠高於面板業慣常處理的等級。
• MS 的結論帶條件：若面板廠能持續改善良率，量產階段他們有機會吃下相對大一塊的附加價值。

技術瓶頸 / 風險

• 講座口徑量產挑戰（AI 晶片封裝講座，kevin 2026-10-14）：玻璃核心載板永久保留在封裝體內作結構與線路核心（不同於 PLP 製程後剝離的暫時玻璃載具），垂直導通需 TGV 成孔與金屬化；挑戰含高深寬比 TGV 成孔無裂紋、薄玻璃易碎搬運、超細線路重布層良率、長期冷熱循環可靠度。相對有機載板：L/S 可達 2µm 級（有機約 10µm 以上）、剛性高抗翹曲、導熱與耐熱較佳，但較重。
• 玻璃脆性：製程中破裂風險，良率挑戰
• 微裂紋與檢測（MS，2026-10-26；新光電氣口述）：微裂紋與衍生的封裝可靠度為玻璃核心兩大瓶頸；現有 AOI 難偵測玻璃核心微裂紋，多層 ABF 壓合其上後更無法檢測；一家設備商另指高深寬比 TGV 金屬化極具挑戰（該設備商不做銅柱大量轉移）。MS 判斷玻璃核心載板未來 2-3 年不具商業可行性（報告_MS_TPCA2026觀展_20261026）。
• 裂紋（SeWaRe）與 CTE 取捨（BofA，2026-10-26）：玻璃核心翹曲僅有機核心約 1/3、CTE 較低、楊氏模量較高（玻璃 CTE 3～4 ppm/K、70～90 GPa，對照低 CTE 有機核心 5～7 ppm/K、35～37 GPa），但低 CTE 玻璃在切單後出現 SeWaRe（7-2-7）且熱循環 1000 次可靠度測試未通過，中 CTE 為 10-2-10 通過、高 CTE 無 SeWaRe 但翹曲高；裂紋可能在熱循環、搬運、組裝後才出現，更接近終端產品階段而更棘手；AT&S 認為整體供應鏈距量產仍遠；BofA 路線圖：2026 有機低 CTE、2028 有機加早期玻璃核心、2030 年起玻璃核心於大型封裝成為主流（報告_BofA_TPCA2026_20261026；陶瓷核心受限於面板尺寸）。
• 增層與翹曲（珩石 Jason，2026-10-25；observation，信心中）：TGV 過往瓶頸已跨過，現主要在增層（刷膠貼合溢膠或不均勻→疊加烘烤翹曲，每層都要處理）；客戶偏好專精廠商分工，過度一站式反而失去競爭力，純代工或純設備較理想（活動_TPCA2026觀展心得_珩石筆記_Jason_20261025；與 技術_TGV 既有展場觀察一致）。
• TGV 成本：乾蝕刻設備與氣體成本高
• 大面積均勻性：面板級製程的鑽孔均勻性
• RDL 剝離 / 脫層（野村 2026-05-21）：銅 RDL 與 ABF 介電層因 CTE 不匹配，在熱循環或機械處理後從表面剝落；是目前 Glass Core 量產的主要技術瓶頸之一
• BOM 成本目標：玻璃芯基板 BOM 成本需降至 USD 400/基板以下方能具競爭力（目前仍高於有機載板）
• 導入時程：主要 IC 載板廠（Ibiden、Samsung E-M）商業化進度緩慢；Broadcom Switch ASIC 是最早可能採用者（野村：最快 2027F）
• 採用時程偏長：Corning 2026-05 call memo 指出半導體玻璃基板仍屬早期階段，大規模採用可能落在 2030 年以後；短中期投資主軸不宜過度提前反映玻璃基板營收。
• 面板廠玻璃封裝貢獻遞延：Morgan Stanley 2026-06-07 TFT-LCD 報告認為玻璃用於先進封裝具長期成本與電性優勢，但供應鏈流程仍在優化，因此 2026-2027 年較難成為面板廠明顯營收貢獻。

兩大不確定性（野村 2026-05-21）

1. 成本與技術未解：TGV 小量試產仍可收 USD 400-500/片，使整片玻璃芯基板 ASP 可能超過 USD 1,500，顯著高於大尺寸 ABF 約 USD 200；量產至少需降至 USD 400/片才具成本競爭力。技術上，RDL 介電層剝離 / 脫層仍是載板廠瓶頸，玻璃、ABF、銅之間 CTE 不匹配與表面附著力屬於基礎物理問題，不只是工程微調。
2. EMIB-T 排擠產能優先順序：Intel 對 Ibiden、Unimicron / 欣興、Shinko 等領先基板夥伴承諾強，促使基板廠優先為 技術_EMIB-T 共投擴產；在 ABF 與 EMIB-T 需求強勁下，玻璃芯基板產能投資可能被延後。

玻璃載板六大關鍵製程設備

臺廠六大製程設備商對應（2026-05 memo 補充）

AOI 段為 TPCA 報告明確點名「台廠具相對優勢」的環節；其他段台廠仍處追趕地位，需突破驗證平台、雷射光源進口依賴、電鍍液配方等核心門檻。 無股號廠商（暉盛/暉盛創、亞智 Manz、上儀、海納光電、誠霸、翔緯光電、豪逸達、波色、富臨、駿光、多米諾）詳見 供應鏈_玻璃芯基板。

NVIDIA / Broadcom 供應鏈確認（2026-07-06）

來源：隨手記_定錨_玻璃核心載板NVIDIA陣營TGV_20260706、web_ABF載板_hackmd定錨產業筆記_20260706

玻璃芯基板製程流程圖（2026-07-06 HackMD 驗證圖）

圖說：玻璃核心載板製程流程：玻璃基板 → TGV 成孔（雷射改質 + 蝕刻）→ 銅電鍍填孔 → ABF 增層（前段 panel 廠；後段 ABF 廠）。（來源：定錨産業筆記，2026-07-06，© HackMD，版權圖）

ECTC 2026 進展檢核（SemiAnalysis 2026-07-02）

SemiAnalysis 觀察：玻璃光環今年略為黯淡，ECTC 創新論文減少；本屆數據仍支持「製造開發階段」定位而非高量產導入。

• SeWaRe 側向裂紋仍是未解問題：裂紋自切割後的玻璃邊緣在 RDL 應力下橫向擴展。Georgia Tech 做實驗表徵；Corning 以 FEA/peridynamics 建模發現剛性銅層把裂紋推向玻璃中面、柔性聚合物層可改變裂紋路徑，低 CTE 聚合物 + 適當玻璃選型可降風險
• STATS ChipPAC 74×74mm 玻璃芯封裝可靠度：無邊緣塗佈（edge coating）時每項測試全數失敗；加邊緣塗佈後全數通過，且翹曲 −33.5%。Build-up pull-back + 邊緣塗佈漸成玻璃芯組裝必要條件
• Intel 業界首發 510mm×515mm、24 層（10-2-10）玻璃芯 panel：TGV 全銅填孔 + 內嵌 2 個 EMIB 橋 + TGV 間共形成光波導；在既有有機載板產線加工，切單後熱衝擊測試無 SeWaRe
• Amkor / STATS ChipPAC（OSAT 採用方）：較薄玻璃芯 vs 有機參考基板量測到 30–40% 更低基板級翹曲，但組裝缺陷與 TGV 填孔問題顯示製程仍不成熟

圖說：Intel 510mm×515mm 24 層玻璃芯 panel 實照（斜視角）與 TGV 剖面特寫（銅填孔陣列）。來源：Intel, ECTC 2026 © SemiAnalysis

圖說：STATS ChipPAC 74×74mm organic vs glass 測試載具規格對照表——玻璃芯 8L(3-2-3)、core 0.6mm、TGV 90µm、總厚 0.92mm vs 有機 14L(6-2-6)、1.81mm。來源：STATS ChipPAC, ECTC 2026 © SemiAnalysis

商業化時程

四大應用場景、良率分解與中國供應鏈

來源：報告_群益上海_玻璃材料AI產業地基_20261020（群益金鼎證券上海，朱吉翔／何利超，「玻璃材料：AI 産業的下一代地基」；中國大陸賣方視角，國產鏈推薦與供應關係推演成分高，使用時需分辨）。

核心論點：封裝尺寸超過約 8 倍光罩後，有機基板與矽的 CTE 失配是物理級硬約束；Rubin Ultra 原規劃 4-Die＋16×HBM4E（CoWoS-L）因基板翹曲、供應鏈口徑測試良率不足 35% 而取消，改 2-Die＋8×HBM4E（2027 量產，SemiAnalysis 確認取消），群益據此論證玻璃基板將取代有機基板（analyst，中信心；取消與良率數字為群益轉述）。三種架構：CoWoS（ABF 保留，量產主力）、CoWoP（取消 ABF 與 BGA、強化 PCB，驗證探索中）、CoPoS（玻璃中介＋玻璃基板，2028H2–2029 量產）。

圖說：三種封裝架構對照：CoWoS（量產主力，ABF 基板保留）、CoWoP（驗證探索中，取消 ABF+BGA）、CoPoS（2028H2–2029 量產，玻璃中介＋玻璃基板換料）（群益金鼎證券上海，2026-10）

材料對比（群益）：玻璃芯 CTE 3–5 ppm/℃（ABF 12–17、矽中介層 2.6–3）、Df@10GHz 0.001–0.002（約 ABF 的 1/3）、RDL 理論 <2μm（508mm 面板已實現 8/8μm）、具透光性可集成光波導（CPO）；單位成本目前高 30–50%、未來可降 20–30%；量產良率玻璃 <70% 爬坡中、ABF 90%+。

圖說：有機 ABF／玻璃芯基板／矽中介層對比表（CTE、Df、RDL 線寬、透光性、成本、良率、供應鏈成熟度、最優場景）（群益金鼎證券上海，2026-10）

四大應用形態與進度（群益口徑）：

圖說：傳統 ABF 基板（ABF 增層／BT 樹脂芯板 CTE≈15／ABF 增層）對照玻璃芯基板（玻璃芯 CTE≈3 匹配矽，夾於上下 ABF 增層）剖面示意；只換芯材、不改架構，可先導入現有 CoWoS 產線（群益金鼎證券上海，2026-10）

難點與良率分解（群益自行測算，estimate，中低信心）：工藝鏈為來料→TGV 成孔→TGV 金屬化→增層×N 層→臨時鍵合→薄化研磨→終檢修復，任一後段失效即損失累計投入。基準分配下整體良率約 70.2%（來料 99.5→成孔 98→金屬化 92.6→增層×20 層 75.8→鍵合 73.1→薄化 70.9→終檢 70.2）；敏感性以增層單層最大（99.0%→98.0% 之類 1pct 降幅使整體拖累約 12.9pct），其餘節點各約 0.7–0.8pct；提良率優先級：增層單層＞金屬化＞鍵合＞成孔。銅填孔（空洞、厚度均勻性、沉積應力）為難度最高環節。

圖說：玻璃基板製造流程與六大環節難點表：TGV 成孔→金屬化→增層×N 層（每層循環）→臨時鍵合→薄化研磨→終檢修復；銅填孔難度 5 星最高、增層與 RDL 4 星（群益金鼎證券上海，2026-10；資料來源 Corning、群益）

圖說：累計良率折線圖（來料 99.5→終檢 70.2）與各節點良率降 1pct 的整體良率敏感性表，增層布線單層 99.0% 時整體 57.3%（群益金鼎證券上海測算，2026-10）

廠商時程對照（群益 p14）：台積電 CoPoS 2026 建成 310×310mm 試產線、2027 試產／小批量、2028H2–2029 量產；2026-06 發布「CoWoS 玻璃基板開發計畫」與 Ibiden、群創聯合驗證 0.8mm 玻璃核心基板（5×Reticle CoW，85×110mm），玻璃基板全面量產推估 2030 年後。英特爾 2026-01 NEPCON 展出 78×77mm 樣品（10-2-10 結構、22 層），2027 年發布玻璃芯基板 CPU、2030 年全面商用。三星電機＋住友化學世宗廠試產線運行、2027 下半年量產、已向蘋果送樣。英偉達依托台積電 CoPoS、玻璃芯基板評估中。

圖說：台積電、英特爾、三星、英偉達、華為在玻璃中介層與玻璃芯基板的進度對照表（群益金鼎證券上海，2026-10）

中國供應鏈（群益）：已披露進度包括沃格光電武漢產線綜合良率 90%+（8 層全玻璃載板，國內唯一穩定小批量供貨）、京東方 20 層／>100×100mm 樣品送客戶驗證（目標 2027 年底爬坡量產）、藍思科技 Intel 合作與 3 萬㎡廠房 2026 年底投產、凱盛科技 8 吋 TGV 中試（暫無成熟量產方案）；設備端帝爾激光（TGV 雷射改質）批量交付京東方與沃格、台灣客戶下二批複購。群益稱產線建設設備投資占比逾 70%。完整分環節清單見 供應鏈_玻璃芯基板；華為鏈部分群益自承除沃格（CPO 送樣）、京東方（送測）外為「能力映射推演」。

應用場景

• AI 加速器封裝：高功耗 GPU/NPU 的大尺寸封裝基板
• HPC 應用：低損耗高頻訊號傳輸
• Switch ASIC：Broadcom 被野村點名為 Glass Core Substrate 最早商業採用者（Switch ASIC 封裝），最快 2027F 量產；是全球玻璃芯基板進入量產的關鍵觸媒
• 記憶體封裝：取代部分 ABF 載板

台灣相關廠商

材料端

設備端

相關技術

• 技術_TGV（玻璃芯基板的垂直導通孔與核心製程）
• 技術_EMIB-T（Intel 先進封裝路線，可能排擠基板廠玻璃芯基板產能優先順序）
• 技術_TSV（矽版通孔技術，Glass 版為 TGV）
• 技術_RDL（玻璃芯基板上的 RDL 製程）
• 技術_PSPI（TGV 後絕緣材料）
• PVD（TGV / RDL 種子層）
• 技術_CMP（玻璃載板平坦化）

2026-06-07 面板廠投資時程提醒

260607_TFT-LCD_ms_1h-june-panel-px 將玻璃封裝視為面板廠潛在新業務，但明確提醒 meaningful contribution 需要時間。其理由是供應鏈仍在優化製程流程，且面板廠不是唯一想切入先進封裝玻璃市場的參與者。對 3481_群創（市） 這類面板廠，玻璃 / FOPLP 題材應與傳統 TFT-LCD 景氣拆開看：本業 3Q26 起可能面臨 TV 面板價格下行，而玻璃封裝尚不足以在 2026-2027 年抵銷本業週期。

玻璃四種封裝角色（元大講座 2026-07）

元大講座（張佑祥）把玻璃在先進封裝的角色細分為四類，成熟度與價值遞增：

玻璃核心材料對比（元大講座 2026-07）

講座列出主流先進封裝 TGV 玻璃 / 材料規格，關鍵在 CTE（越接近矽 2.6 / 有機 PCB 越平衡整體應力）、低 Df（高頻）、加工性：

玻璃核心基板厚度佔 IC 載板總厚約 60%（目前 500-1500 µm，業界續減薄），玻璃芯最大基板尺寸約 240×240 mm²；肖特（Schott）BF33 為浮法硼矽代表，康寧、AGC、Schott 為原料玻璃切入者。 專家會議（2026-07-22）補充：商用合適型號 Corning 佔三款、SCHOTT 兩款、HOYA 與 AGC 亦有；共通弱點為熱導率偏低（散熱是 3D 封裝可靠性驗證最大挑戰），唯 SiC 類材料導熱佳——講師認為 SiC 更可能取代 EMIB 中的矽橋（HBM–SoC 互連、訊號量大需散熱）而非整片板材，可能成為下一代 EMIB-T 的變形，前提是解決邊緣加工。 陶瓷基板為潛在替代：京瓷、日本電氣硝子（NEG）已投入特殊陶瓷取代玻璃研究（另有台灣載板廠對 TGV 沒興趣、改押陶瓷）；優點是避開玻璃難加工，瓶頸在大尺寸燒製，講師估時程比玻璃路線再晚 1–2 年。陶瓷通孔技術見 技術_TCV。

增層材料與平衡膜（元大講座 2026-07）

玻璃核心兩側沿用有機 IC 載板的 ABF + RDL 對稱增層（每層介電約 5-15 µm）；味之素 ABF 引領，關鍵要求為與玻璃良好附著、Tg ≥ 200°C、低 Df/Dk。ABF 系列規格：

味之素以奈米填料新配方（ABF GL / GX 系列）提升精細 L/S 圖案化與對玻璃附著性；挑戰味之素領先地位的新進者包括晶化科技、積水化學、LG 化學、住友電木（Sumitomo Bakelite）與新創 Thintronics。ABF 材料規格不斷改變，某種程度放慢了玻璃核心基板商業化進程。 抗翹曲平衡膜（Balance Film）是 PLP / CoPoS 的暫時性抗翹曲護航材料（Low-CTE PI / Standard PI / PEN / LCP / PEEK），與永久介電 PSPI 分工——詳見 平衡膜。

玻璃裂痕類型與抑制（元大講座 2026-07）

玻璃脆性 + 玻璃 / 附著層 / 晶種 / 銅 / 介電多材料 CTE 差異，在疊層 / 熱循環 / 切割下產生熱機械應力致裂：

專家會議（2026-07-22）補充裂因：崩孔、CMP 中水分滲入微裂縫（TCT 升降溫時蒸發、壓力升高致破裂）、介面附著問題；並引 群創 長期研究（多篇論文）：裂紋主要出現於 C4 凸塊而非 micro bump——玻璃熱穩定性佳使 micro bump 問題不大，C4 凸塊在製程中產生 microcrack 才是較大問題。CTE 參考值：玻璃 ~3.9（一般 3.4–3.7）、Si ~2.6、Cu ~16（銅是最大失配源）。

抑制手段：更薄增層（降裂紋擴展能量）、CO₂ 雷射熱預 / 後處理修復缺陷、切割後裸玻璃邊緣塗佈（結構支撐 + 防潮 + 施壓應力）、增層膜自切割邊緣回縮（Build-up film pull-back，降自由邊緣應力）。此與既有 SemiAnalysis ECTC 2026 觀察（邊緣塗佈使 STATS ChipPAC 全數通過、翹曲 −33.5%）一致。

玻璃核心基板發展路線圖（元大講座 2026-07）

GCS 定位補完高階有機 IC 基板不足（現高階有機已達 26 層）；生態系採穩健步調朝 1:5 AR 前進（AR 增則金屬化填充問題指數上升），先以 120 mm 級切入再向「更大 / 更小」雙向發展。DNP 已展示玻璃上 1/1 µm L/S，但整體平均能力仍在 5/5 µm。

Intel EMIB 玻璃核心基板（NEPCON 2026）

元大講座引 2026 年日本 NEPCON 展會 Intel 展示的高性能玻璃核心基板（有別於既有 ECTC 2026 揭露的 510×515mm 24 層 panel）：

• 基板尺寸 78×77 mm²（矽 reticle 的 2 倍）、上下各 10 層 RDL（ABF 增層）、內嵌 2 個 EMIB
• 玻璃無微裂紋（No SeWaRe）
• TGV：孔徑 75 µm、孔深（板厚）標稱 800 µm（實測推測僅 ~625 µm）、AR 標稱 10.6（推測實際 8.3）、μbump pitch 45 µm

SEMICON Taiwan 2026 展場紀錄（華南投顧，2026-09-03）

TGV 面板實測規格（AUO／Corning，510×515mm、100µm 孔徑、20:1 深寬比、840,000+ 孔、0 缺陷）已移入 技術_TGV，本節只記玻璃芯基板架構與圓轉方經濟性觀察。

工研院（ITRI）圓轉方經濟性比較：現場展示圓形晶圓與方形面板的實體樣品比較——12 吋圓形晶圓只能切出 4 片完整晶片，而 310×310mm 方形面板可切出 9 片相同尺寸晶片，凸顯面板級（panel-level）製造在晶片利用率與單位成本上的優勢，是玻璃基板／面板級封裝相對晶圓級製造的核心經濟論點之一。

AGC 次世代先進封裝架構：展示結合玻璃核心（Glass Core）、玻璃中介層（Glass Interposer）、盲腔（Blind Cavity）、xPU、HBM、PIC 及高分子光波導（Polymer Optical Waveguide）的立體剖面模型，並以 Ferrule／Bridge／PCB 呈現由玻璃基板向下整合到 PCB 的完整堆疊，具體呈現光電共封裝（optical co-packaging）與玻璃基板結合的架構願景。AGC 另展出兩片實體樣品：具金屬化製程的 TGV 玻璃基板，以及具盲腔結構的玻璃樣品，分別對應「填孔導電」與「精密局部挖空」兩種玻璃微加工能力。

LG Chem「Advanced Package」展區：左側模型標示「Solution for AI Semiconductor Packaging」（以 CCL 為核心的疊層模型），右側模型標示「Solution for Next Generation Substrate」（Glass Interposer Solution 與 Glass Core Solution 疊層模型），顯示韓系材料廠同步布局玻璃中介層與玻璃核心兩種形態。

圖說：工研院（ITRI）展示櫃，內含 3×3 排列的彩虹干涉色玻璃方形樣品、一片暗紅色圓形樣品，以及一片印有 4 個黑色矩形區塊的銅色方形樣品，呈現圓形晶圓與方形面板的形式比較。（來源：研究_華南投顧SEMICON2026展場紀錄_20260903，華南投顧研究部，2026-09-03）

圖說：AGC 展板「Next Generation Advanced Package with Glass Substrates and Optical Waveguide」立體剖面模型，由左至右標示 Glass Core（含銅柱）、Glass Interposer、Blind Cavity、xPU、HBM、PIC、Polymer Optical Waveguide、Ferrule、Bridge，最底層為 PCB。（來源：研究_華南投顧SEMICON2026展場紀錄_20260903，華南投顧研究部，2026-09-03）

圖說：AGC 展示牌「TGV Glass Substrate for Advanced Packaging (with metallization)」（左，半透明白色方片實樣）與「Glass Substrate for Advanced Packaging (with Blind Cavity)」（右，透明玻璃片上可見金屬化矩形孔陣列圖案）。（來源：研究_華南投顧SEMICON2026展場紀錄_20260903，華南投顧研究部，2026-09-03）

圖說：LG Chem「Advanced Package」展區看板，左側模型「Solution for AI Semiconductor Packaging」（CCL 疊層模型），右側模型「Solution for Next Generation Substrate」（Glass Interposer Solution／Glass Core Solution 疊層模型）。（來源：研究_華南投顧SEMICON2026展場紀錄_20260903，華南投顧研究部，2026-09-03）

玻璃封裝定義釐清 + 銲點可靠度反直覺結果（IEEE EPS 講座，John H. Lau，2026-09-24）

來源：報告_IEEE_EPS_JohnLau玻璃封裝與可靠度_20260924（IEEE Santa Clara Valley EPS Chapter Distinguished Lecture「Glass Packaging and Its Reliability」，講者 John H. Lau，Unimicron／欣興）。學術講座非券商報告，內容為講者研究團隊自建 FEA 模型結果，非量產實測數據，信心中高。

定義釐清：玻璃暫時載板 ≠ 玻璃封裝

講者明確澄清一個常見誤用：FOWLP／FOPLP 若只把玻璃當「暫時載板」（製程結束即分離移除），不算玻璃封裝——「玻璃封裝」的定義是玻璃（基板或中介層）本身成為封裝結構的一部分並留在最終產品中。這點對解讀「XX 廠導入玻璃載板」類新聞時的意義判讀重要：玻璃暫時載板（Glass Carrier，本頁「玻璃四種封裝角色」表已列為最成熟一類）與玻璃核心基板／玻璃中介層（真正的玻璃封裝）是不同等級的技術承諾，前者不代表該廠已切入玻璃核心基板供應鏈。

銲點可靠度：玻璃芯是否較佳，取決於有無底部填膠（underfill）保護

講者團隊以有限元素分析（FEA）比較同一結構下，玻璃芯基板 vs 有機芯基板對兩種銲點的熱循環（-40°C ↔ 85°C，5 次循環）累積等效非彈性應變（accumulated equivalent inelastic strain）影響，結果方向相反：

講者建議：玻璃芯 CTE 應盡量貼近 PCB（建議約 10×10⁻⁶/°C），而非貼近矽晶片（2.8×10⁻⁶/°C）。補充驗證：同一模型下比較玻璃 CTE=4.8 vs CTE=10 兩種選材，corner solder joint 應變分別為 16%／cycle 與 8%／cycle——CTE 越接近 PCB，該銲點應變越低，與上述建議方向一致。

圖說：Organic-core substrate（左）vs Glass-core substrate（右）2D 結構剖面對比：CHIP/HBM/CHIPLET 經 C4 bump 或 µbump + underfill 接至基板，基板芯材分別為有機（含 PTH）與玻璃（含 TGV），上下皆為 ABF/PID RDL，再經 solder ball 接至 PCB。（來源：報告_IEEE_EPS_JohnLau玻璃封裝與可靠度_20260924，IEEE EPS 講座，2026-09-24）

圖說：Corner µbump（有 underfill 保護）累積等效非彈性應變時間歷程圖：玻璃芯基板 4.43%／cycle 明顯低於有機芯基板 9.12%／cycle。（來源同上）

圖說：C4 corner solder joint（PCB 側、無 underfill 保護）累積等效非彈性應變時間歷程圖：玻璃芯基板 19%／cycle 反而高於有機芯基板 8.43%／cycle。（來源同上）

電漿表面粗化與面板尺寸（暉盛法人拜訪，2026-10-25）

• 玻璃芯基板在 seed layer 前的表面粗化使用電漿蝕刻，目的是提升後續金屬層附著（設備商 7730_暉盛（創） 說法，fact，高信心）
• 尺寸方面，面板廠群創為 510×515 repeat order、日月光同為 510×515；設備商觀察整體玻璃以 510 尺寸推進較快
• 來源：研究_暉盛7730_法人拜訪速記_20261025

供應鏈

→ 供應鏈_玻璃芯基板 → 供應鏈_半導體製程設備

圖解

圖說：封裝基板演進四格剖面圖：(a) 有機芯基板 2D →(b) 玻璃芯基板 2D →(c) 玻璃芯中介層 2.5D →(d) 玻璃芯 3D → 3.5D IC 整合（Cu-Cu 混合鍵合、TSV-interposer）；以玻璃芯 / TGV+RDL 取代矽中介層與有機載板，降低 RC time delay。（來源：報告_元大_玻璃基板技術進展與應用_20260721，元大證券講座，2026-07）

圖說：Intel 玻璃核心基板（NEPCON 2026）——上為 TGV 陣列 SEM 剖面（附 75 µm 比例尺）、左下封裝實品照、右下 TGV 剖面微觀照；78×77 mm² 基板、上下各 10 層 RDL、內嵌 2 個 EMIB、No SeWaRe。（來源：報告_元大_玻璃基板技術進展與應用_20260721，元大證券講座，2026-07）

圖說：野村估算玻璃芯基板 BOM 成本與 ABF 對比；試產 TGV 製程成本仍高，使整片玻璃芯基板成本顯著高於大尺寸 ABF，量產需大幅降本。

圖說：TGV 三大應用規格表：轉移玻璃/玻璃芯基板/玻璃中介層，CTE 係數、孔徑、深寬比比較，主要玻璃供應商（AGC、SCHOTT、Corning）。

圖說：TGV + Glass Core Substrate 製程流程圖（23 道製程）：雷射改質→成孔→鍍銅→RDL 佈線。

圖說：玻璃芯基板（Glass Core）vs 有機載板規格比較表：CTE（3–9 ppm/°C vs 12–20 ppm/°C）、平整度、L/S 精細度差異，以及台灣相關供應鏈（蝕刻材料：晶呈科技；ABF：晶化科技；IC載板：南電、欣興）。

MS：先進封裝的玻璃機會「已反映在面板股價中」（2026-09-08，2026-09-21 更新）

MS 在 9 月上旬 TFT-LCD 面板報價報告中，對玻璃於先進封裝的機會給出一個與市場情緒相反的判讀：

「先進封裝的玻璃機會似乎已經反映在價格裡，商業化時程與競爭風險值得持續觀察。」

具體評價依據（2026-09-08）：台系面板廠友達（2409.TW）本淨比 1.5x、群創（3481.TW）1.7x，MS 認為兩者評價已內含部分玻璃於先進封裝的期待，因此風險報酬比不再具吸引力。

同份報告的面板報價判讀（作為背景）： - 9 月電視面板報價全數持平 MoM（32"／43"／55"／65"／75" 主流尺寸），符合 MS 預期；季節性回補庫存加上供給端紀律性控產，可望使電視面板價格在未來數月維持穩定 - IT 面板（監視器、筆電）9 月亦持平，且未來數季預期大致持平；兩者在 2H26 均因先前提前拉貨而面臨需求趨緩

來源：報告_MS_面板報價9月上旬_20260908、報告_MS_面板報價9月下旬_20260921

TGV 與表面裂紋檢測：供應商與技術分工（2026-09-09 產業研究）

核心問題：TGV 孔徑約 30～80µm，比人類頭髮細好幾倍，且成千上萬個銅柱填完銅後光學看不穿。產業以「雷射光學斷層掃描」與「高解析 X-ray CT」兩大技術為主軸攔截裂紋。

三大裂紋檢測技術的物理限制（這是選型的關鍵）

由此推出的量產檢測順序：外觀與光學斷層 In-line 攔截 → 電鍍填銅 → 高速 X-ray In-line 篩選 ＋ 局部 3D CT Off-line 複檢 → 出貨前或特定站點才做電性檢測（開短路）。 順序不能倒過來：先做電性檢測不僅抓不到即將爆開的微裂紋，還會因盲目測試未填好銅的孔而大幅浪費產能。

來源：研究_TSMC_CoPoS供應鏈與TGV玻璃芯基板_20260909（保密課程素材，引用前見該頁警示）

國泰講座：玻璃基板與矽中介層線寬對照（2026-10-29）

來源：memo_國泰證期_先進封裝HBM矽光子技術解析_20261029（講座 Memo，講者口徑）

• 玻璃基板較有機載板耐熱、翹曲小，線寬約 2 µm 以上；Intel Glass Core Substrate 目標為取代 ABF／BT 載板。矽中介層線寬可在 1 µm 以下，講者稱玻璃取代中介層目前未見聚焦。

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