定義
以玻璃取代傳統有機材料（FR4/ABF）作為封裝基板芯材或中介層，具備更低翹曲、更低訊號損耗、更大尺寸優勢。依應用分為三個層次：Glass Carrier、Glass Core、Glass Interposer。
野村 2026-05-21 報告將玻璃芯基板定位為先進封裝的新興技術：Intel 已公開展示玻璃核心基板，但定位為本世代後段的基礎研究，並非即將高量產；Absolics（SKC 子公司）已取得美國 CHIPS Act 初步支持，規劃在喬治亞建立玻璃基板廠；AGC、Corning、Schott 則投入低 CTE 玻璃與封裝級材料格式。
三層分類架構
flowchart TD
Glass[玻璃基板技術]
Glass --> Carrier["Glass Carrier<br>臨時鍵合載板<br>暫時固定晶圓用<br>技術最成熟"]
Glass --> Core["Glass Core Substrate<br>封裝基板芯材<br>取代有機 ABF 芯<br>TGV 深寬比 ~10:1<br>晶呈 LADY 製程已達到"]
Glass --> Interposer["Glass Interposer<br>取代矽中介層<br>深寬比需求更高<br>目前仍在開發"]
與有機載板比較
| 特性 | 玻璃芯基板 | 有機載板（ABF） |
|---|---|---|
| 翹曲 | 低（CTE 接近矽） | 高（有機材料 CTE 差異大） |
| 訊號損耗 | 低（低 Df） | 較高 |
| 最大尺寸 | 大（面板級） | 受限於基板廠設備 |
| 厚度 | 薄 | 較厚 |
| 成本 | 高（初期） | 成熟低成本 |
| 易碎性 | 高（玻璃脆） | 低 |
野村歸納玻璃相對 ABF 的核心優勢為：平整度高、較少翹曲、散熱較佳、低損耗有利高速訊號，以及支援大尺寸整合；這些優勢對 AI / HPC 封裝的高功耗、大面積、高 I/O 數需求特別重要。
PI 提升與成本佔比邏輯（郭明錤 2026-06-11）
針對台積電 CoWoS 玻璃核心基板（memo_郭明錤_台積電玻璃芯基板oS解讀_20260611）：
- PI（電源完整性）提升機制：玻璃核心變薄 → TGV 垂直導通通道變短 → 通道電阻 R 與迴路電感 L 雙降 → PI 提升 → 釋放更多 Power Headroom → 可整合更多電晶體 / 拉高時脈 → 更強 AI 算力。客戶願為「AI 算力增長」付溢價（≠ 為生產效率付溢價），是 Nvidia 積極導入主因。
- 成本佔比邏輯：玻璃單片成本雖比現有 ABF 高數倍，但基板僅佔 AI 晶片 BOM 的低個位數（1–5%），而封裝良率損失金額常達基板成本的 5–10 倍；玻璃核心提高良率、降低封裝良率損失，故高單價不阻礙採用。此與本頁前述「BOM 需降至 USD 400/片」的絕對成本門檻為兩種互補視角（絕對降本 vs 相對 BOM 佔比）。
- 三層 oS 結構與 ABF 規格：玻璃核心夾於兩層 ABF 增層之間（CoPoS 的「oS」）；ABF 增層主用味之素 GL107 混 ABF-GCP、測試 24–28 層（2027–2028 AI 晶片主流 ABF 規格）。架構與切割轉移細節見 技術_CoPoS。
TGV 製程（Through Glass Via）
flowchart TD
A[玻璃基板] --> B["TGV 成孔<br>乾式蝕刻 LADY 製程<br>或 濕式 HF 蝕刻"]
B --> C["側壁清洗<br>勝一清洗劑"]
C --> D["絕緣層塗布<br>PSPI/光阻<br>永光/長興"]
D --> E["圖形化顯影<br>三福化顯影材料"]
E --> F[種子層濺鍍]
F --> G[電鍍填銅]
G --> H[完成 Glass Core 基板]
乾式 vs 濕式蝕刻
| 方式 | 特點 | 台灣廠商 |
|---|---|---|
| 乾式蝕刻（LADY 製程） | 精準、高深寬比、適合 Glass Core | 4768_晶呈科技（櫃）（深寬比 10:1） |
| 濕式蝕刻（HF） | 成本低、速度快、但等向性蝕刻 | — |
晶呈科技 LADY 製程
- LADY（Laser-Assisted Dry Etch）：結合雷射與乾式蝕刻，深寬比達 10:1
- Glass Core 已達：滿足封裝基板芯材需求
- Glass Interposer 仍開發中：需要更高深寬比（超過 10:1）
Innolux TGV 驗證現況（MS 2026-06-22）
3481_群創（市） 目前正向 major foundry（推測為台積電）供應含 TGV 的玻璃芯基板，用於驗證模擬玻璃芯 ABF 基板的效益，是面板廠跨入玻璃芯基板供應鏈目前最具體的進度揭露。
| 技術面向 | 內容 |
|---|---|
| 驗證優點 | 更佳共平面度（coplanarity）、更低 CTE、更高有效彈性模數（effective modulus）、更佳電源完整性（power integrity） |
| 主要瓶頸 | TGV 製程良率（yield）是量產的關鍵 gating factor，對群創目前仍有挑戰 |
| 導入路線 | 預計先從 CoWoS 起步，後延伸至 CoPoS |
| 量產時程 | meaningful revenue 不早於 2028 |
| 競爭格局 | 多家供應鏈廠商同步瞄準此機會，量產競爭可能加劇 |
來源：260622_2409_3034_ms_2h-june-panel-px（Morgan Stanley，2026-06-22），信心：中高
圖說：群創股價 vs. 32" TV Open Cell 面板均價，顯示面板景氣周期對估值的主導性。玻璃芯基板題材貢獻時程（不早於 2028）在當前估值中尚未實質體現。（來源：MS Research，2026-06-22）
技術瓶頸 / 風險
- 玻璃脆性：製程中破裂風險，良率挑戰
- TGV 成本：乾蝕刻設備與氣體成本高
- 大面積均勻性：面板級製程的鑽孔均勻性
- RDL 剝離 / 脫層（野村 2026-05-21）：銅 RDL 與 ABF 介電層因 CTE 不匹配，在熱循環或機械處理後從表面剝落；是目前 Glass Core 量產的主要技術瓶頸之一
- BOM 成本目標：玻璃芯基板 BOM 成本需降至 USD 400/基板以下方能具競爭力（目前仍高於有機載板）
- 導入時程：主要 IC 載板廠（Ibiden、Samsung E-M）商業化進度緩慢；Broadcom Switch ASIC 是最早可能採用者（野村：最快 2027F）
- 採用時程偏長：Corning 2026-05 call memo 指出半導體玻璃基板仍屬早期階段，大規模採用可能落在 2030 年以後；短中期投資主軸不宜過度提前反映玻璃基板營收。
- 面板廠玻璃封裝貢獻遞延：Morgan Stanley 2026-06-07 TFT-LCD 報告認為玻璃用於先進封裝具長期成本與電性優勢，但供應鏈流程仍在優化，因此 2026-2027 年較難成為面板廠明顯營收貢獻。
兩大不確定性（野村 2026-05-21）
- 成本與技術未解：TGV 小量試產仍可收 USD 400-500/片，使整片玻璃芯基板 ASP 可能超過 USD 1,500，顯著高於大尺寸 ABF 約 USD 200；量產至少需降至 USD 400/片才具成本競爭力。技術上，RDL 介電層剝離 / 脫層仍是載板廠瓶頸，玻璃、ABF、銅之間 CTE 不匹配與表面附著力屬於基礎物理問題，不只是工程微調。
- EMIB-T 排擠產能優先順序：Intel 對 Ibiden、Unimicron / 欣興、Shinko 等領先基板夥伴承諾強，促使基板廠優先為 技術_EMIB-T 共投擴產；在 ABF 與 EMIB-T 需求強勁下，玻璃芯基板產能投資可能被延後。
玻璃載板六大關鍵製程設備
| # | 製程 | 國際主要設備商 | 臺廠自主化階段 | 技術瓶頸重點 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | TGV 雷射改質 | DISCO（日）、Orbotech（以）、MKS（美）、Corning、Samsung | 系統整合與光路優化；雷射源仍仰賴進口 | 皮秒/飛秒超短脈衝雷射、波長選擇（355/532/1030nm）、能量穩定±1% |
| 2 | 蝕刻通孔（濕蝕刻） | MEC Company（日）、RENA、Manz（德） | IC 載板濕製程設備廠持續投入，可從化學配方+整機切入 | HF/HNO₃ 酸性 or KOH 鹼性，PTFE/石英耐腐蝕槽體；孔徑±3μm、AR 15:1~20:1 |
| 3 | AOI 光學檢測 | Camtek、Orbotech（以）、SCREEN（日）、Mycronic（美）、Onto Innovation | 已成熟，2.5D 檢測延伸；惟透明材料 < 3μm 缺陷 + 內層線路檢測仍待突破 | 多波段照明、AI 缺陷分類；玻璃透明性致對比不足 |
| 4 | 種子層 PVD 鍍膜 | Evatec（瑞士）、Applied Materials（美）、ULVAC（日） | ITO/光電面板 PVD 經驗延伸，可導入磁控濺鍍 | 高真空 < 10⁻⁶ Torr、Ti/Cr 靶材、膜厚控制 < 5%；鍍膜均勻性目標 ≥ 98% |
| 5 | 電鍍銅填孔 | MacDermid Alpha（美）、UYEMURA（日）、MKS Atotech（德） | PCB / IC 載板電鍍經驗延伸；填孔模組化開發 | AR > 10:1 微孔填銅；多段電流密度、脈衝反轉、添加劑配方；雙面均勻沉積為升級重點 |
| 6 | 研磨（技術_CMP） | Applied Materials（美）、DISCO（日）、Okamoto | 半導體 CMP 經驗延伸；浮動真空載台、低應力 slurry | 厚度 < 100μm 玻璃易破片；TTV < 5μm（目標 3μm）；Cu/玻璃硬度差異致選擇性研磨難 |
自主化現況評估（TPCA 2026-05）
臺灣已具備自主化基礎：AOI 光學檢測、濕蝕刻模組整合、自動化系統、電鍍設備系統、研磨設備系統、精密機構設計、材料反應調控。 仍須仰賴國外：超短脈衝雷射模組、磁控 PVD 靶材模組、高階即時演算法軟體。 通孔孔徑已達 5μm，目標朝 ±3μm 精度與更高速加工提升；Via 真圓度 ≥ 90%、鍍膜均勻性 ≥ 95%（目標 ≥ 98%）。
臺廠六大製程設備商對應（2026-05 memo 補充）
| # | 製程 | 臺廠主要設備商 | 切入策略 / 進度亮點 |
|---|---|---|---|
| 1 | TGV 雷射改質 | 8027_鈦昇（櫃）、8064_東捷（櫃） | 鈦昇已切入 Intel 玻璃載板供應鏈驗證；東捷以面板修補雷射經驗轉攻大尺寸玻璃載板鑽孔 |
| 2 | 蝕刻通孔 | 6658_聯策（市）、2493_揚博（市）、6405_悅城（市） | 聯策主攻 PCB 藥劑+視覺自動化；揚博主攻精密化學蝕刻藥劑；悅城以面板玻璃化學減薄老牌切入 |
| 3 | AOI 光學檢測 | 3455_由田（櫃）、3535_晶彩科（市） | 由田為國內 AOI 龍頭，玻璃透光特性專用 2D/3D 檢測；晶彩科以面板檢測經驗轉攻 TGV 孔徑/垂直度量測 |
| 4 | 種子層 PVD 鍍膜 | 3580_友威科（櫃） | 真空濺鍍領導；玻璃孔壁銅種子層 |
| 5 | 電鍍銅填孔 | 3485_敘豐（櫃） | 濕製程電鍍自動化本土標竿，2026-05-06 興轉櫃 |
| 6 | CMP 研磨 | 5443_均豪精密（櫃） | 半導體設備聯盟核心，亞微米級平整度 |
AOI 段為 TPCA 報告明確點名「台廠具相對優勢」的環節；其他段台廠仍處追趕地位，需突破驗證平台、雷射光源進口依賴、電鍍液配方等核心門檻。 無股號廠商（暉盛/暉盛創、亞智 Manz、上儀、海納光電、誠霸、翔緯光電、豪逸達、波色、富臨、駿光、多米諾）詳見 供應鏈_玻璃芯基板。
NVIDIA / Broadcom 供應鏈確認（2026-07-06）
來源：隨手記_定錨_玻璃核心載板NVIDIA陣營TGV_20260706、web_ABF載板_hackmd定錨產業筆記_20260706
| 陣營 | 前段 TGV | 後段 ABF 增層 |
|---|---|---|
| NVIDIA | 3481_群創（市） | 3037_欣興（市） + Ibiden |
| Broadcom | 3481_群創（市）（推測） | 詳見 技術_TGV |
玻璃芯基板製程流程圖（2026-07-06 HackMD 驗證圖）
圖說：玻璃核心載板製程流程：玻璃基板 → TGV 成孔（雷射改質 + 蝕刻）→ 銅電鍍填孔 → ABF 增層（前段 panel 廠；後段 ABF 廠）。（來源：定錨産業筆記，2026-07-06，© HackMD，版權圖）
ECTC 2026 進展檢核（SemiAnalysis 2026-07-02）
SemiAnalysis 觀察：玻璃光環今年略為黯淡，ECTC 創新論文減少；本屆數據仍支持「製造開發階段」定位而非高量產導入。
- SeWaRe 側向裂紋仍是未解問題：裂紋自切割後的玻璃邊緣在 RDL 應力下橫向擴展。Georgia Tech 做實驗表徵；Corning 以 FEA/peridynamics 建模發現剛性銅層把裂紋推向玻璃中面、柔性聚合物層可改變裂紋路徑，低 CTE 聚合物 + 適當玻璃選型可降風險
- STATS ChipPAC 74×74mm 玻璃芯封裝可靠度：無邊緣塗佈（edge coating）時每項測試全數失敗；加邊緣塗佈後全數通過，且翹曲 −33.5%。Build-up pull-back + 邊緣塗佈漸成玻璃芯組裝必要條件
- Intel 業界首發 510mm×515mm、24 層（10-2-10）玻璃芯 panel：TGV 全銅填孔 + 內嵌 2 個 EMIB 橋 + TGV 間共形成光波導；在既有有機載板產線加工，切單後熱衝擊測試無 SeWaRe
- Amkor / STATS ChipPAC（OSAT 採用方）：較薄玻璃芯 vs 有機參考基板量測到 30–40% 更低基板級翹曲，但組裝缺陷與 TGV 填孔問題顯示製程仍不成熟
圖說：Intel 510mm×515mm 24 層玻璃芯 panel 實照（斜視角）與 TGV 剖面特寫（銅填孔陣列）。來源：Intel, ECTC 2026 © SemiAnalysis
圖說：STATS ChipPAC 74×74mm organic vs glass 測試載具規格對照表——玻璃芯 8L(3-2-3)、core 0.6mm、TGV 90µm、總厚 0.92mm vs 有機 14L(6-2-6)、1.81mm。來源：STATS ChipPAC, ECTC 2026 © SemiAnalysis
與定錨（2026-07-06）樂觀敘事的對照
定錨產業筆記描繪 NVIDIA/Broadcom 兩陣營積極導入（見上節），SemiAnalysis 從 ECTC 技術數據給出較保守判讀（SeWaRe 未解、TGV 填孔缺陷、仍屬製造開發期）。兩者時間尺度不同：供應鏈設備下單（2026 確認）與 HVM 良率成熟（2028+）並不矛盾，但投資上需區分「設備商營收先行」與「載板廠玻璃營收遞延」。
商業化時程
| 時間 | 里程碑 |
|---|---|
| 2026（確認） | NVIDIA 陣營：群創（前段 TGV）+ 欣興 + Ibiden（後段 ABF 增層）正式確認。Broadcom 陣營亦已在 2026 年確認。（來源：定錨産業筆記，2026-07-06） |
| 2026（進行中） | 群創向 major foundry 供應 Glass Core + TGV，驗證模擬 ABF substrate 效益；TGV 良率為量產 gating factor（MS，2026-06-22） |
| 2027 | 玻璃載板小量導入高階 AI/HPC 封裝；Broadcom Switch ASIC 最早採用者（野村） |
| 2026-2027 | MS 認為玻璃先進封裝仍在流程優化期，對面板廠獲利貢獻有限 |
| 2028（最早） | Innolux 玻璃芯基板 meaningful revenue 不早於 2028（MS，2026-06-22）；路線 CoWoS 起步→延伸 CoPoS |
| 2028 | Chip-Last FOPLP + 玻璃載板進入實質量產期 |
| 2030 | 玻璃載板於 IC 載板市場市占率 10–15% |
| 2030+ | Corning 管理層認為半導體玻璃基板可能進入大規模採用期 |
應用場景
- AI 加速器封裝：高功耗 GPU/NPU 的大尺寸封裝基板
- HPC 應用：低損耗高頻訊號傳輸
- Switch ASIC：Broadcom 被野村點名為 Glass Core Substrate 最早商業採用者（Switch ASIC 封裝），最快 2027F 量產；是全球玻璃芯基板進入量產的關鍵觸媒
- 記憶體封裝：取代部分 ABF 載板
台灣相關廠商
材料端
| 環節 | 廠商 | 角色 |
|---|---|---|
| 玻璃原材料 / 特殊玻璃 | GLW.US(corning) | 具熔融玻璃製程與核心材料技術，為長期玻璃基板機會卡位 |
| TGV 乾蝕刻氣體 | 4768_晶呈科技（櫃） | LADY 製程，深寬比 10:1 |
| 光阻/正型 PSPI | 1711_永光（市） | TGV 後絕緣材料 |
| 光阻/正型 PSPI | 1717_長興（市） | PSPI/光阻 |
| 負型 PSPI 顯影 | 4755_三福化（市） | 顯影材料 |
| 清洗劑 | 1773_勝一（市） | TGV 製程清洗 |
設備端
| 環節 | 廠商 | 角色 |
|---|---|---|
| TGV 雷射改質 | 8027_鈦昇（櫃） | Intel 玻璃載板驗證，每秒數千孔 |
| TGV 雷射改質 | 8064_東捷（櫃） | 大尺寸玻璃載板鑽孔 + 自動化搬運 |
| 蝕刻通孔 | 6658_聯策（市） | PCB 藥劑 + 視覺自動化 |
| 蝕刻通孔 | 2493_揚博（市） | 精密化學蝕刻藥劑與設備 |
| 蝕刻通孔 | 6405_悅城（市） | 玻璃化學減薄老牌大廠 |
| AOI 光學檢測 | 3455_由田（櫃） | 國內 AOI 龍頭 |
| AOI 光學檢測 | 3535_晶彩科（市） | 面板檢測轉攻 TGV 量測 |
| PVD 種子層 | 3580_友威科（櫃） | 真空濺鍍領導 |
| 電鍍銅 | 3485_敘豐（櫃） | 濕製程電鍍自動化標竿 |
| 技術_CMP 研磨 | 5443_均豪精密（櫃） | 半導體設備聯盟核心 |
相關技術
- 技術_TGV（玻璃芯基板的垂直導通孔與核心製程）
- 技術_EMIB-T（Intel 先進封裝路線，可能排擠基板廠玻璃芯基板產能優先順序）
- 技術_TSV（矽版通孔技術，Glass 版為 TGV）
- 技術_RDL（玻璃芯基板上的 RDL 製程）
- 技術_PSPI（TGV 後絕緣材料）
- PVD（TGV / RDL 種子層）
- 技術_CMP（玻璃載板平坦化）
2026-06-07 面板廠投資時程提醒
260607_TFT-LCD_ms_1h-june-panel-px 將玻璃封裝視為面板廠潛在新業務，但明確提醒 meaningful contribution 需要時間。其理由是供應鏈仍在優化製程流程，且面板廠不是唯一想切入先進封裝玻璃市場的參與者。對 3481_群創（市） 這類面板廠，玻璃 / FOPLP 題材應與傳統 TFT-LCD 景氣拆開看：本業 3Q26 起可能面臨 TV 面板價格下行，而玻璃封裝尚不足以在 2026-2027 年抵銷本業週期。
供應鏈
→ 供應鏈_玻璃芯基板 → 供應鏈_半導體製程設備
圖解
圖說：野村估算玻璃芯基板 BOM 成本與 ABF 對比；試產 TGV 製程成本仍高，使整片玻璃芯基板成本顯著高於大尺寸 ABF，量產需大幅降本。
圖說：TGV 三大應用規格表：轉移玻璃/玻璃芯基板/玻璃中介層，CTE 係數、孔徑、深寬比比較，主要玻璃供應商（AGC、SCHOTT、Corning）。
圖說：TGV + Glass Core Substrate 製程流程圖（23 道製程）：雷射改質→成孔→鍍銅→RDL 佈線。
圖說：玻璃芯基板（Glass Core）vs 有機載板規格比較表：CTE（3–9 ppm/°C vs 12–20 ppm/°C）、平整度、L/S 精細度差異，以及台灣相關供應鏈（蝕刻材料：晶呈科技；ABF：晶化科技；IC載板：南電、欣興）。
來源
- 隨手記_定錨_玻璃核心載板NVIDIA陣營TGV_20260706，定錨産業筆記，2026-07-06；NVIDIA/Broadcom 陣營供應鏈確認
- web_ABF載板_hackmd定錨產業筆記_20260706，定錨産業筆記(HackMD)，2026-07-06；玻璃核心載板製程流程圖（圖二已驗證）
- 報告_福邦_半導體特化耗材展望202603，報告日：2026-03（材料供應鏈）
- 報告_呂紹旭_玻璃載板FOPLP_20260508，報告日：2026-05-08（六大製程設備、自主化評估）
- memo_玻璃載板FOPLP台廠設備_20260510，2026-05-10（臺廠六大製程設備商對應）
- 活動_Corning_GLW_線上會議_20260512，2026-05-12（Corning 管理層對玻璃基板採用時程觀察）
- 260521_nmr_semi-renaissance，野村，2026-05-21（Broadcom Switch ASIC 先行採用、RDL 脫層技術瓶頸、BOM 成本目標 USD 400）
- memo_郭明錤_台積電玻璃芯基板oS解讀_20260611，郭明錤，2026-06-11（PI 提升機制、BOM 1–5% 佔比 vs 封裝良率損失 5–10×、味之素 GL107/24–28 層、三層 oS 結構）
- 報告_SemiAnalysis_ECTC2026先進封裝_20260702，SemiAnalysis，2026-07-02（SeWaRe 裂紋、STATS ChipPAC 邊緣塗佈必要性、Intel 510×515mm 24 層玻璃 panel、Amkor/STATS 翹曲 −30~40%）