基本資料
力積電(Powerchip Semiconductor Manufacturing, PSMC)是台灣晶圓代工廠,業務涵蓋成熟製程、類比、邏輯與記憶體代工。Morgan Stanley 將力積電視為成熟製程上行週期受惠者,主要受惠 2H27 成熟製程缺料、AI power IC 需求,以及 AP Memory(愛普 6531) S-SiCap 代工業務切入 EMIB 供應鏈。
資料來源:報告_MS_力積電6770_20260519(Morgan Stanley, 2026-05-18)。
公司營運概況(2026 Q1 法說):採 Open Foundry 開放式晶圓代工 模式(允許客戶導入自有技術;3Q26 法說董事長表示不再強調此商業模式,改簡化製程平台);現有 5 座晶圓廠(2 座 8 吋、3 座 12 吋;原 P5 廠已售予美光 Micron),員工逾 8,200 人;2025 年營收 472 億元、晶圓出貨 163 萬片(約當 12 吋);2026 年營收預期成長逾 50%(需求回溫+記憶體漲價)。2026 Q1 產品結構:邏輯 52.8%/記憶體 44%/3D AI Foundry 3.2%,記憶體全年佔比預期升至 50%;本業轉虧為盈、小幅獲利約 5 億元,產能近滿載、已過損益兩平點,新增營收多直接轉淨利。來源:活動_力積電法說_2026Q1_20260630。
2Q26 財報摘要(JPM/中信投顧,2026-07-15):營收 NT$172.9 億(QoQ +27%)、毛利率大增至 28%(vs 1Q26 10%)、EPS NT$0.76;產能利用率 87%(vs 1Q26 88%)、出貨 42.2 萬片;1H26 營收 NT$308.6 億(YoY +38%)。營收 YoY 幅度兩份報告揭露不一:JPM 揭露 +53%、中信投顧揭露 +43%(可能基期或口徑不同,未查得原因,並列標注)。區域別:台灣 51%、亞洲 26%、歐美 23%。客戶別 Fabless 90%/IDM 10%。產品組合:DRAM 46%、Discrete 12%、PMIC 15%、HV 7%、Flash 6%、CIS 4%、IMC 3%、3D AI Foundry 5.4%。來源:報告_JPM_力積電6770_20260715、報告_CTBC_力積電6770_20260715。
2Q26 晶圓代工營收與毛利雙揚(華南投顧,2026-09-24):晶圓代工營收 4.32 億美元(QoQ +11.9%),受惠終端需求復甦與消費型記憶體出貨放量,毛利率回升至 28.3%;消費型記憶體營收 QoQ +167.8%,占比過半(52%)。1H26 稅後 EPS 4.12 元。董事會於 2026 年 8 月決議擬配發每股現金股利 0.23 元,盈餘發放率約 50%。來源:報告_華南_力積電6770_20260924。
3Q26 法說(2026-10-21):營收 NT$213 億(QoQ +23%、ASP 約 +24%)、毛利率 48%(2Q26 28%)、稅後淨利 NT$65 億(淨利率 30%)、EPS NT$1.38(增資後股數約 47.1 億股);9M26 營收 NT$522.1 億、毛利率 31%、稅後淨利 NT$240.2 億、累計 EPS NT$5.42(公開資訊觀測站 2026-10-21 自結重訊);現金約 NT$760–770 億、總資產逾 NT$2,000 億。4Q26 整體營收預期雙位數成長,2027 年營收與獲利持樂觀看法。營運策略轉為「趁牛市最大化產出、不再強調 Open Foundry 模式、簡化製程平台、汰除低毛利無成長性接單」。來源:活動_力積電6770_3Q26法說memo_20261021(2026-10-21)。
3Q26 營運細節(財報後券商,2026-10-22):晶圓出貨 41.6 萬片(12 吋約當,QoQ -1.4%,銅鑼廠機台搬遷所致)、產能利用率由 87% 升至 97%、美元 ASP 約 +24%(富邦;宏遠揭露 ASP +20%、邏輯與記憶體產品價格季增約 20%);3D AI Foundry 營收占比 2Q26 5.4%→3Q26 1.4%(約 9.3 億→3 億元,富邦推算†);現金逾 NT$760 億、總資產逾 NT$2,000 億、2026 年資本支出約 US$4.13 億(華南)。來源:報告_富邦_力積電6770_20261022、報告_宏遠_力積電6770_20261022、報告_華南_力積電6770_20261022。
核心技術/競爭優勢
- 成熟製程缺料受惠:MS 預期 2H27 成熟製程產能短缺,AI power IC 成長可抵銷消費與手機半導體疲弱。
- AP Memory(愛普) S-SiCap 代工夥伴:S-SiCap 估占力積電營收 2026 年 3%、2027 年 5%、2028 年 9%。
- EMIB 供應鏈滲透:AP Memory S-SiCap 業務可能在 2027/28 供應 IPD 給 Humufish TPU,帶動力積電代工需求。
- 中國 AI GPU 出貨成長:AP Memory S-SiCap 業務亦受惠中國 AI GPU 出貨高成長。
- 記憶體代工漲價:傳統記憶體代工持續與客戶逐月議價,MS 預期價格上行延續。
- Si-Cap 產能外溢觀察:Morgan Stanley 2026-05-21 報告指出 legacy DRAM process 適合 Si-Cap 製造,但 PSMC capacity is full;這代表力積電既有 S-SiCap 代工價值被驗證,同時也可能讓客戶尋找第二來源。
- MS 維持 OW:2026-05-21 MS 報告維持對力積電 Overweight,看法是類比、邏輯、記憶體全產品線滿載且價格上行。
- 記憶體代工結構性漲價:2M26 已做結構性價格調整,7M26 記憶體代工投片價再調漲約 45%(實際貢獻約 11M26 顯現);邏輯代工 8/12 吋 1H26 同步調漲 10–15%,3Q26 訂單投片比達 1.4 倍,供給持續短缺。JPM 估 2026/27 blended ASP 分別成長 50+%/25+% YoY。來源:報告_JPM_力積電6770_20260715、報告_CTBC_力積電6770_20260715(2026-07-15)。
- 銅鑼廠附近自建計畫(CTBC,2026-09-11):CTBC 觀察到公司將於原銅鑼廠(P5 廠已售予美光)附近展開自建計畫,視為目前市場需求仍舊強勁的訊號;具體產能規模與時程尚未揭露,待後續法說確認。
- P5 廠處分細節(華南投顧,2026-09-24):銅鑼 P5 廠策略性轉讓予美光,藉此移除高額折舊負擔並獲取 18 億美元資金,轉向「輕資產、高價值」營運模式,專注於高毛利產品回流;P5 廠處分後力積電與美光由競爭轉為共生,承接美光 HBM 後製程(PWF)代工服務。
- 印度 Fab IP 授權模式(華南投顧,2026-09-24):透過 Fab IP 模式協助印度塔塔集團(Tata)興建 12 吋廠,收取技術授權費與權利金,開闢高毛利、輕資產的獲利管道,為股價目標區間上修理由之一。
- 20 奈米高階特殊記憶體新製程(華南投顧,2026-09-24):預計 2026 年底完成技術開發,1H27 提供初期月產能 1,000 片,並正與國際大廠深度研發,於竹科優先建立初始約 5,000 片試產線。
- 全球唯一持續代工傳統 DRAM(3Q26 法說,董事長):三大廠與國內兩家競爭者轉向高階產品,傳統 DRAM 客戶需求緊迫;38/25/20 奈米預期仍有 10–15 年需求,63 奈米仍有多款產品生產。來源:活動_力積電6770_3Q26法說memo_20261021(2026-10-21)。
- 中國以外唯一 NoFlash 代工業者(3Q26 法說,總經理):AI 伺服器 NoFlash content per box 為傳統伺服器 3–5 倍,256MB 以上大容量供不應求;NOR Flash 已布局 48 奈米,打入消費性、PC 與伺服器 BIOS,之後拓展車用(需終端客戶驗證,耗時較長)。
產品與應用
| 產品 / 服務 | 應用 | 主要客戶 / 下游 |
|---|---|---|
| 成熟製程晶圓代工 | AI power IC、類比、邏輯 | AI infrastructure 客戶 |
| 記憶體代工 | 傳統記憶體 | 記憶體客戶 |
| S-SiCap 代工 | IPD、EMIB 供應鏈、AI GPU | 6531_愛普(市) |
圖片 / 架構圖
MS 估 2027E 力積電營收結構:記憶體約 48%、類比約 30%、邏輯約 22%(Morgan Stanley,2026-05-19)。
月營收(近 24 個月)
下次公布11/9(一)–11/10(二) 10月營收 預估:可能 11/9–11/10 公布(近 8 次有 8 次落在此區間;最常見:法定期限當天,信心中)
| 月份 | 營收(億元) | MoM | YoY | 備註 |
|---|---|---|---|---|
| 2026-12 | 75.6 | — | +77.1% | 本站推算† |
| 2026-11 | 76.2 | — | +86.1% | 本站推算† |
| 2026-10 | 78.5 | — | +90.0% | 本站推算† |
| 2026-09 | 76.7 | +9.4% | +94.0% | |
| 2026-08 | 70.1 | +5.1% | +76.2% | |
| 2026-07 | 66.7 | +3.0% | +70.5% | |
| 2026-06 | 64.7 | +12.2% | +68.8% | |
| 2026-05 | 57.7 | +14.3% | +58.9% | |
| 2026-04 | 50.5 | +6.6% | +32.5% | |
| 2026-03 | 47.3 | +12.1% | +28.2% | |
| 2026-02 | 42.2 | -8.6% | +12.0% | |
| 2026-01 | 46.2 | +8.2% | +26.3% | |
| 2025-12 | 42.7 | +4.3% | +21.9% | |
| 2025-11 | 40.9 | -1.0% | +10.1% | |
| 2025-10 | 41.3 | +4.6% | +5.6% | |
| 2025-09 | 39.5 | -0.7% | +1.3% | |
| 2025-08 | 39.8 | +1.7% | +0.8% | |
| 2025-07 | 39.1 | +1.9% | +2.8% | |
| 2025-06 | 38.4 | +5.6% | +3.1% | |
| 2025-05 | 36.3 | -4.6% | -2.5% | |
| 2025-04 | 38.1 | +3.2% | +3.5% | |
| 2025-03 | 36.9 | -2.1% | +0.3% | |
| 2025-02 | 37.7 | +3.1% | +5.5% | |
| 2025-01 | 36.6 | +4.4% | +2.4% | |
| 2024-12 | 35.0 | -5.8% | +2.1% | |
| 2024-11 | 37.2 | -5.0% | -4.4% | |
| 2024-10 | 39.1 | +0.3% | +1.7% |
2026 年已公布累計 522.1 億元;全年推算 752.4 億元(YoY +61.0%)†
† 本站推算,非券商預估:以最新一個月營收為基準,乘上過去兩年同期月對月變化的中位數(季節因子限 0.75–1.33 倍)。券商的年度營收與 EPS 預估見本頁「EPS 預估」「財測假設」。
資料:珩石資料庫+公開資訊觀測站,更新於 2026-11-09 01:26。下次公布日依公司近 12 個月公布習慣(公開資訊觀測站、鉅亨營收速報、FinMind)推估,以公司公告為準。
月營收追蹤
| 月份 | 營收 | MoM | YoY | 備註(歸因/來源) |
|---|---|---|---|---|
| 2026-08 | NT$7.01bn | +5.1% | +76.2% | 達成率市場預期 71%,優於預期;累計前 8 月 NT$44.54bn(YoY+47.1%);除記憶體/邏輯代工漲價效益逐步放量外,Interposer 已復線並加速生產,12 吋矽電容規劃 2027 年月需求可達數千片,為營收占比高速成長主力來源;並觀察到公司將於原銅鑼廠附近展開自建計畫,顯示市場需求仍強,維持逢低偏多布局建議(CTBC,2026-09-11) |
| 2026-09 | NT$7,665mn | +9% | +94% | 9M26 累計 NT$52,205mn(YoY +52%);3Q26 QoQ +23%(共識 11%,達成率 112%)(Citi,2026-10-12);9 月營收 76.65 億元,累計 YoY +52.49%(華南,2026-10-22);富邦認為 9 月 MoM +9.4% 顯示價格動能延續 |
EPS 記錄
| 期間 | EPS / 淨利 | 備註 | 來源 |
|---|---|---|---|
| 2026-04 | 淨利 NT$552mn,YoY +243.46%;EPS NT$0.13,YoY +244.44%;淨利率 10.94% | fact;信心:高 | 260601_6770_力積電_ms_psmc |
| 2026-04 | 4 月 EPS 已占 MS 2Q26E EPS NT$0.29 的 66%;10.94% 淨利率高於 MS 2Q26E 7.1% | estimate;信心:高 | 260601_6770_力積電_ms_psmc |
| 1Q26 | 淨利率受 Fab P5 處分利益 NT$20.1bn 與相關減損 NT$5.5bn 扭曲;排除後 1Q26 淨利率為 -2.7% | 4 月代表實質轉盈;context;信心:中高 | 260601_6770_力積電_ms_psmc |
| 3Q26A | 營收 NT$213 億(QoQ +23%);毛利 NT$102 億、毛利率 48%(vs 2Q26 28%);營業利益 NT$78.3 億;稅後淨利 NT$65.0 億(淨利率 30%);EPS NT$1.38 | fact(公開資訊觀測站 2026-10-21 自結重訊,未經會計師核閱);信心:高。股本已擴張至約 47.1 億股,65.0 億 ÷ 47.1 億股 ≈ 1.38;9M26 營收 NT$522.1 億、稅後淨利 NT$240.2 億、累計 EPS NT$5.42。MS 點評(2026-10-21):營收 NT$21.34bn(QoQ +23%、YoY +80%)低於 MS 預估 2%;毛利率 47.5%(QoQ +19.3ppt、YoY +54.1ppt)高於 MS 預估 21.2ppt;EPS 高於 MS 預估 84%(QoQ +82%);3Q26 有 NT$660mn 銅鑼廠相關費用由銷貨成本重分類至營業費用。券商財報初探校正(2026-10-22):營收 NT$213.42 億(YoY +80.2%)、毛利 NT$101.5 億(華南列 102.5 億,口徑差待核對)、毛利率 47.5%、營業利益 NT$78.3 億(營益率約 36.7%)、稅前淨利 NT$81.4 億、稅後 NT$65.0 億(淨利率 30.5%)、EPS 1.38(QoQ +81.6%);對比富邦預估 EPS 0.83(超預期 66%)、華南預估 0.81、市場同業 0.84–1.04。宏遠引營收 212.78 億、毛利率 47.69%(與自結值有微差,待核對)。BofA(2026-10-22):EPS 1.38 高於 BofAe 0.98/Street 0.96;營收 213.42 億、毛利率 47.5%(QoQ +2,000bps)、營益率 36.7%、稅後 65.0 億(BofA 稅率 20.1%) | 活動_力積電6770_3Q26法說memo_20261021、報告_MS_力積電6770_20261021、報告_富邦_力積電6770_20261022、報告_宏遠_力積電6770_20261022、報告_華南_力積電6770_20261022、報告_BofA_力積電6770_20261022 |
| 2Q26A | 營收 NT$172.9 億(QoQ +27%);毛利率 28%(vs 1Q26 10%);EPS NT$0.76;淨利 NT$32.9 億 | fact(法說直接揭露);信心:高。JPM 表列 Actual EPS NT$0.78(JPMe 0.76、BBG 0.84),與法說 0.76 略有差異,可能為 Reported 對 Adjusted EPS 口徑不同(待核對) | 報告_CTBC_力積電6770_20260715、報告_JPM_力積電6770_20260715 |
EPS 預估
| 年度 | MS EPS(報告日:2026-10-21,數字同 08-16,3Q26 財報後維持) | JPM EPS(報告日:2026-07-15) | 備註 |
|---|---|---|---|
| 2025 | -1.87(自 -1.64) | -1.87 | 兩家一致 |
| 2026E | 5.66(舊 4.80,+18%) | 6.61(自 6.41,+3.1%) | JPM 較 MS 高約 17%(差距較前次 38% 明顯收斂) |
| 2027E | 6.54(舊 5.61,+17%) | 7.16(自 6.52,+9.8%) | JPM 較 MS 高約 9.5%(前次 28%) |
| 2028E | 8.11(舊 7.16,+13%) | 8.40 | JPM 較 MS 高約 3.6%(前次 17%),兩家估值已高度收斂 |
MS 2026-10-21 財報點評列示 Refinitiv 共識 EPS 2026E/2027E/2028E 為 6.43/8.30/9.28(MS 5.66/6.54/8.11 低於共識 12%/21%/13%†);MS 估值未於 3Q26 財報後調整(Prior EPS 欄空白),但 3Q26 EPS 高於其預估 84%,隱含 4Q26 以外的年度數字有上修壓力(† 推論,待 MS 後續更新)。
MS vs JPM EPS 預估分歧(規則 #14,已隨 MS 上修收斂)
舊看法(2026-06-25→07-15):兩家券商同期維持 Overweight,但 2026–28E EPS 絕對值差異達 17–38%(JPM 全面高於 MS);MS 估值基準為 2026-06-25,未納入 7 月最新一輪 DRAM 漲價(約 45%)。 新看法(MS,2026-08-16):MS 將 2026-28E EPS 上修 18%/17%/13% 至 5.66/6.54/8.11 元,與 JPM(6.61/7.16/8.40)的差距已由 17-38% 收斂至 3.6-17%,2028E 幾乎持平。惟 2026E MS 仍低於市場共識均值 6.28 元(詳見 MS Estimates vs Consensus 圖),是本次調整四家中唯一 MS 低於共識者。
| 年度 | 華南投顧 EPS(報告日:2026-10-22) | 富邦投顧 EPS(報告日:2026-10-22) | 宏遠投顧 EPS(報告日:2026-10-22) | 備註 |
|---|---|---|---|---|
| 2026E | 7.12(舊 5.68,+25.4%;2026-09-24) | 7.04(舊 6.26,+12.5%) | 6.58(含售廠給美光利益) | 三家 3Q26 財報後均上修/更新,高於 MS(5.66)與 JPM(6.61,07-15);富邦對照市場共識 6.41 |
| 2027E | 7.84 | 8.29(舊 6.39,+29.8%) | 8.63 | 宏遠最高;富邦對照市場共識 7.23;華南 2027F 持平 |
| 2028E | — | 9.40 | — | 富邦 |
| 4Q26E(單季) | — | 1.54 | 1.64 | 兩家皆預期營收季增 10–15%(富邦 244.4 億、宏遠 234.3 億)、毛利率 48.8%/51.8% |
| 年度 | BofA EPS(報告日:2026-10-22) | BofA 舊值 | Street(BofA 引) | 備註 |
|---|---|---|---|---|
| 2025 | -1.86 | — | — | 實績 |
| 2026E | 7.78(+14.7%) | 6.78 | 6.35 | 營收 790.6 億元(YoY +69.2%)、毛利率 37.8%、營益率 46.3%、稅後 338.2 億元 |
| 2027E | 8.47(+12.9%) | 7.50 | 7.47 | 營收 1,121.9 億元(YoY +41.9%)、毛利率 49.8%、營益率 39.3%、稅後 368.0 億元 |
| 2028E | 8.55(+6.9%) | 8.00 | — | 營收 1,135.8 億元(YoY +1.3%)、稅後 371.9 億元 |
| 4Q26E(單季) | 2.25 | 1.77 | 1.46 | 營收 268.6 億元(QoQ +25.8%,舊 234.9 億)、毛利率 50.2%、營益率 40.5% |
BofA 2026E–2028E EPS 7.78/8.47/8.55,高於 JPM(6.61/7.16/8.40)與 MS(5.66/6.54/8.11);2026E 亦高於本土三家投顧(6.58–7.12),2027E 則落在其區間(7.84–8.63)內,4Q26E 單季營收 268.6 億元高於富邦 244.4 億、宏遠 234.3 億。BofA 2026E 營收 790.6 億元與華南 761.7/富邦 766.4/宏遠 755.7 億元相近,EPS 差異主要來自毛利率與稅率假設(BofA 2026E 稅率 8.9%)。
3Q26 財報後三家本土投顧(華南/富邦/宏遠)2026E EPS 落在 6.58–7.12、2027E 落在 7.84–8.63,普遍高於 MS(5.66/6.54)與 JPM(6.61/7.16);上修主因毛利率遠優於預期(3Q26 47.5% vs 富邦預估 34.3%)。分歧主要在目標價評價倍數(見下方目標價表)。富邦引用的市場共識(6.41/7.23)與 MS 引用的 Refinitiv 共識(6.43/8.30)2027 年不同,來源口徑待核對。
財測假設
| 來源(日期) | 模型 / 推導鏈 | 關鍵假設 | 產出 |
|---|---|---|---|
| JPM(2026-07-15) | 記憶體+邏輯 ASP 上修 → GM 加速爬升 → EPS 上修 | 2026/27 blended ASP YoY +50+%/+25+%;GM 估 YE26/27 達 43%/48%,2028 中突破歷史高點 51%;2026E EPS 含出售銅鑼廠一次性利益 | 2026E EPS 上修至 6.61(舊 6.41)、2027E 7.16(舊 6.52,+9.8%) |
| 公司 guidance(2026-07-15 法說/座談) | 記憶體結構性漲價 + 邏輯供給短缺 → 營運逐季走升 | 7M26 DRAM 投片價再漲約 45%(貢獻約 11M26 顯現);邏輯 8/12 吋 1H26 已漲 10–15%;3Q26 訂單投片比 1.4 倍 | 公司預期 3Q/4Q26 毛利率逐季提升、年底動能達高峰 |
| 公司 guidance(3Q26 法說,2026-10-21) | ASP 續漲 + 邏輯代工調價 + 記憶體投片價遞延反映 → 4Q26 營收雙位數成長 | 4Q26 整體營收雙位數成長(毛利率與 2027 營收成長不給財測,「增加的營收基本上就是利潤」);2027 年成熟製程代工價格再調升 10–20%;2027 年折舊約 NT$90–95 億;2026 年資本支出約 US$4.13 億;3D AI Foundry 4Q26 起復原、2027 年每季成長、PWF 2028 驗證完成後貢獻 | 公司對 2027 年全年營收與獲利持樂觀看法(未量化) |
| Morgan Stanley(2026-10-21,3Q26 財報點評) | 3Q26 毛利率大幅優於預期 → 邏輯/記憶體價格追趕延續 → 維持 P/B 評價 | 記憶體出貨 ASP 仍落後投片價約 30%,在約四個月產品週期內續追;管理層目標 2027 年邏輯代工再漲 10–20%(視 LTA 協商);4Q26 營收 QoQ 雙位數成長 | EPS 維持 5.66/6.54/8.11;PT NT$111(base case 2.0x 2027E P/B,高於 2021 年以來均值 1.5x) |
| 自建(回推,† ) | 現價 ÷ JPM 13x 12M forward P/E | JPM PT NT$100(Jun-27),較前次估值多頭一檔下修至 13x(因近期記憶體情緒轉弱) | 隱含 Jun-27 12M forward EPS ≈ NT$7.7†(待報告確認) |
| Morgan Stanley(2026-08-16) | 產業報告:DDR4/SLC NAND/NOR 代工報價全面續強 → EPS 上修;ERP 上升 → 目標倍數下修 | DDR4 3Q26 QoQ +50%、4Q26 再漲雙位數;SLC NAND 3Q/4Q26 各再 +50%+;NOR 4Q26 可能再漲一波;equity risk premium 上升,2027E P/B 目標倍數由 2.1x 下修至 2.0x(仍高於 2021 年以來歷史均值 1.5x) | 2026-28E EPS 上修 18%/17%/13% 至 5.66/6.54/8.11(舊 4.80/5.61/7.16);PT 維持 NT$111 不變(EPS 上修與倍數下修互相抵銷) |
| 華南投顧(2026-10-22) | 3Q26 財報後上修:ASP 調升+稼動 97%+成本轉列 → 毛利率大增;3D AI Foundry 轉型、輕資產授權、9-12x 2027F P/E 評價 | 2H26 邏輯代工報價再調高 10-15%;高容值 IPD 2026-04 放量、年底月產能 3,000 片、2027 擴至 8,000 片,2027 目標 4,500nF;HBM PWF 2027 試產、4Q27 量產、長線月產能 2 萬片;Interposer/WoW 1H27 量產;20 奈米特殊記憶體 1H27 月產 1,000 片;2026F 地區營收美洲 55.1%/歐洲 17.7%/亞洲 27.2% | 2026F 營收 761.7 億元(舊 686.9 億)、毛利率 37.6%(舊值 0924 報告列 26.1%、10-22 報告原估欄列 28.0%,待核對)、EPS 7.12(舊 5.68);2027F 營收 1,062.3 億元、毛利率 52.5%、EPS 7.84;產品別 2026F 邏輯 55%/記憶體 40%/3D AI 5% |
| 富邦投顧(2026-10-22) | 3Q26 毛利率優於預期 → 上調 FY26/27 EPS;4Q26 漲價帶動營收續增 | 4Q26 營收 244.4 億元(QoQ +14.5%)、毛利率 48.8%、EPS 1.54;記憶體投片至產出落差 3–4 個月、邏輯 2–3 個月,先前漲價尚未完全反映;2027 邏輯晶圓代工價格 +10–20%;3D AI Foundry 占比 4Q26 回升至約 4%(約 9.8 億元),2027 因中介層復甦、晶圓堆疊量產、IPD 擴展成長,PWF 自 2028 起貢獻 | FY26F 營收 766.4 億元/毛利率 37.0%/EPS 7.04;FY27F 營收 1,184.1 億元/毛利率 52.2%/EPS 8.29;FY28F 營收 1,306.1 億元/毛利率 53.5%/EPS 9.40;淨值預估 FY27 34.9 元 |
| 宏遠投顧(2026-10-22) | 投片與產出落差 30% → 4Q26 出貨與 ASP 續升;2027 記憶體價格維持高點+成熟製程再漲 10–20% | 4Q26 營收 234.3 億元(QoQ +10.1%)、毛利率 51.8%、EPS 1.64;Interposer 與 WoW 11–12 月逐步恢復生產、Interposer 2027 滿載;IPD 產能僅約 1 萬片/月 vs 2027 全球需求 3–5 萬片/月;1P 製程 2026 完成 PDK、2Q27 試產、2028 貢獻全年營收;PWF 4Q27 量產、2028 貢獻全年營收 | 2026E 營收 755.7 億元(YoY +61.7%)/毛利率 37.8%/EPS 6.58(含售廠給美光);2027E 營收 1,223.4 億元(YoY +61.9%)/毛利率 49.9%/EPS 8.63 |
| BofA(2026-10-22) | 3Q26 ASP +24%+稼動提升 → 毛利率大增;電源 IC 與 legacy DRAM 續漲價 → 4Q26/2027 毛利率墊高;利基產品組合降低景氣波動 | 3Q26 營收 +23% QoQ(ASP +24%,出貨量因 P5 廠處分給美光後產能與無塵室調整略減);4Q26E 營收 +26% QoQ(含 2–4 個月投產領先時間,議價自 3Q26 起持續);邏輯代工聚焦供給吃緊且客戶同意 LTA 的電源 IC,2027 年初可能再調價 10–20%;4Q26E 毛利率/營益率 50%/40%;2026–28E 營收 CAGR 約 20%;矽中介層(Interposer)產能因 TSMC 外溢全數滿載,WoW(DRAM/邏輯晶粒堆疊,用於邊緣 AI 如智慧眼鏡)與 8/12 吋 IPD(光模組、EMIB)放量,美光 HBM 晶圓加工自 2028 起為潛在上行空間;2027–28E 毛利率 49–50%(2026E 38%) | 2026E 營收 790.6 億元/毛利率 37.8%/EPS 7.78;2027E 營收 1,121.9 億元/毛利率 49.8%/EPS 8.47;2028E 營收 1,135.8 億元/EPS 8.55;2026E ROE 31.9%、2026E 資本支出 130 億元、2026E 稅後 338.2 億元 |
目標價與評等
| 券商 | 報告發布日 | 評等 | 目標價 | 評價基礎 | 來源 |
|---|---|---|---|---|---|
| Morgan Stanley | 2026-05-18 | Overweight | NT$88(自 NT$71) | 2026E P/B 2.1x,BVPS NT$42.1;隱含 2027E P/B 1.7x | 報告_MS_力積電6770_20260519 |
| Morgan Stanley | 2026-06-01 | Overweight / Attractive | NT$88 | 對 2026-06-01 收盤 NT$87 僅 +1%,屬基本面看多但估值空間有限 | 260601_6770_力積電_ms_psmc |
| Morgan Stanley | 2026-06-25 | Overweight | NT$111(NT$88 → NT$111) | 2.6x 2026E P/B;出貨、ASP 改善與 3D AI foundry 新業務 | 報告_MS_記憶體華邦南亞科旺宏力積電_20260625 |
| J.P. Morgan | 2026-07-15 | Overweight | NT$100(Jun-27 目標) | 13x 12M forward earnings(估值多頭下修一檔,反映近期記憶體情緒轉弱),仍看好美光合作與邏輯代工上行催化劑 | 報告_JPM_力積電6770_20260715 |
| Morgan Stanley | 2026-08-16 | Overweight | NT$111(維持不變) | 2027E P/B 目標倍數由 2.1x 下修至 2.0x(反映 ERP 上升),與 EPS 上修互相抵銷 | 報告_MS_記憶體產業_20260816 |
| Morgan Stanley | 2026-10-21 | Overweight / Attractive(維持) | NT$111(維持不變;股價 NT$66.20,隱含 +68%) | 2027E P/B 2.0x;3Q26 財報點評「Strengthens our thesis」:毛利率優於預期、價格追趕續行 | 報告_MS_力積電6770_20261021 |
| 富邦投顧 | 2026-10-22 | 買進(重申) | NT$85(維持不變);較收盤 NT$66.20 約 +28% | 2.4x FY27F BVPS 34.9 元(舊 2.6x/32.2 元),隱含 FY27F P/E 10.3x;考量記憶體價格循環、IPD 產能取捨、遷廠後良率 | 報告_富邦_力積電6770_20261022 |
| 宏遠投顧 | 2026-10-22 | 買進 | NT$95 | 11x 2027E EPS 8.63;參考價 NT$66.2(2026-10-21 收盤,7.67x 2027E EPS) | 報告_宏遠_力積電6770_20261022 |
| BofA(Merrill Lynch) | 2026-10-22 | Buy(重申,C-1-9) | NT$125(自 NT$110,+13.6%);股價 NT$66.20 | 15x 2027E P/E(歷史區間 8–27x、二線晶圓代工同業 15–20x 之低端;核心本業近期才轉盈、折價合理) | 報告_BofA_力積電6770_20261022 |
| 華南投顧 | 2026-10-22 | 強力買進(升自買進;定義:未來一季報酬預期 25% 以上) | NT$85(維持不變);隱含漲幅 28.4% | 8–12x PER(2027F EPS 7.84);收盤 NT$66.20 | 報告_華南_力積電6770_20261022 |
| 華南投顧 | 2026-09-24 | 買進(重申,前次 2026-07-13 亦為買進) | NT$85(維持不變,與前次 2026-07-13 相同;2026-04-22 為 NT$65) | 9-12x 2027F EPS 7.84 元評價區間;收盤價 NT$73.10,隱含漲幅 16.30% | 報告_華南_力積電6770_20260924 |
MS(NT$111,2026-06-25/08-16 皆維持不變)與 JPM(NT$100,2026-07-15)目標價相差約 10%,評等同為 Overweight;差異主要來自估值法(P/B vs P/E)與模型更新時點,非明確衝突,並列供對照。
華南投顧 TP NT$85(9-12x 2027F P/E)明顯低於 MS/JPM(NT$100-111,P/B 或 12x forward P/E 法),三方評等皆為買進/Overweight、EPS 預估亦高度接近(見「EPS 預估」),差異主要來自評價倍數保守度(華南採較低本益比區間),非基本面分歧,並列供對照。
2026-10-22 財報後三家本土投顧目標價 NT$85(富邦、華南)/NT$95(宏遠),仍低於 MS NT$111 與 JPM NT$100;富邦用 P/B(2.4x)、宏遠 11x、華南 8–12x 2027 本益比,EPS 較高但倍數較保守,非明確衝突。BofA 目標價 NT$125 為庫內最高(15x 2027E P/E × EPS 8.47),風險中列出:產能擴張過於積極拖累資產負債表與現金流、記憶體 IDM 擴大利基記憶體布局;上行風險為非中國客戶轉單加速與稼動/毛利率優於預期。
摩根大通估值(2026-08-22 產業簡報)
摩根大通《Asian Hardware Technology》(Albert Hung/William Yang/Anthony Leng,2026-08-22)估值總表列入本檔,分析師 Gokul Hariharan: - 評等 Overweight,目標價 100.0;報告基準股價 67.3(2026-08-21 收盤),上行空間 +49% - 估值倍數:P/E 10.2 x(2026E)/9.4 x(2027E);P/B 2.0 x/1.9 x;ROE 27%/22% - EPS 估值:2026E 6.6、2027E 7.2(幣別同股價) - 英文名 Powerchip。完整同業對照見 分析_JPM亞洲硬體_AI與一般伺服器雙軌需求與供給瓶頸_20260822「附錄:關鍵表格」表 1/表 2;來源 260822_亞洲硬體_jpm_asian-hardware-technology
成長動能/催化劑
成熟製程 upcycle
- 成熟製程 upcycle 是 MS 重申 OW 的核心之一。來源:260601_6770_力積電_ms_psmc / 信心:中。
- 類比、邏輯、記憶體全產品線滿載且價格上行,AI power IC 成長可抵銷消費與手機半導體疲弱。
- JPM 2026-07-24 晨報引 TXN 2Q26 法說:工業需求回溫但仍低於 2022 高點約 5–6 個百分點,視為對稼動已吃緊的成熟製程代工(VIS/PSMC)的正面訊號。來源:報告_JPM_台灣FirstToMarket_20260724 / 信心:中。
- MS 2026-06-25 將 3D AI foundry(SiCap、wafer-on-wafer、HBM PWF)營收貢獻納入模型,估占 2026/2027/2028 總營收 5%/10%/14%。來源 報告_MS_記憶體華邦南亞科旺宏力積電_20260625,estimate,信心:中高。
AP Memory Si-SiCap / S-SiCap 代工爬坡
- 作為 AP Memory Si-SiCap foundry partner 的量產爬坡,是 MS 重申 OW 的核心之一。來源:260601_6770_力積電_ms_psmc / 信心:中。
- AP Memory S-SiCap 代工業務可能在 2027/28 供應 IPD 給 Humufish TPU,帶動力積電代工需求。
3D AI Foundry 四大業務(公司法說,2026 Q1)
公司定位 3D AI Foundry 為爆發性成長引擎,目標營收佔比由 3.2% 拉升至 20%+(公司目標,較 MS 模型估 2028 的 14% 更積極 → 見 [!warning])。四大業務:
| 業務 | 內容 | 進度(法說) |
|---|---|---|
| Si Capacitor / IPD | 以 DRAM 溝槽式/堆疊式技術生產矽電容,電容密度遠高於純邏輯製程;主要應用為 Intel EMIB(JPM 2026-07-15 揭露),董事長並稱「EMIB 若無公司矽電容支持無法成功」 | 12 吋已獲 EMIB 基礎認證且穩定投片/出貨,現有數千片生產規模(JPM 估目前約 1–2k wfpm);目標 YE27 產能 8–10k wfpm(3Q26 法說:12 吋高容值規劃 8,000–10,000 片,董事長稱最多約 1 萬片為現有空間/DRAM 產能共用之限制,2H27 後市場月需求約 3–5 萬片;12 吋電容密度現 2,300nF、2027 年導入 4,500nF;EMIB 方面未聽聞下修)(12 吋 2H27 到 8–10k 片、8 吋 2H27 到 5k 片,為現有無塵室空間可做之規劃上限),2028 或可爬升至 15–20k wfpm;2Q26 3D AI Foundry 已達公司營收 5.4%(1Q26 3%、2025 全年 2–3%)。華南投顧(2026-09-24)補充:IPD 具全球領先電容密度,2026 年 4 月正式放量,2026 年底月產能達 3,000 片,2027 年將擴至 8,000 片(規模量級與 JPM 揭露之 YE27 8–10k wfpm 目標相近)。3Q26 法說答問補充(珩石筆記,2026-10-26):低容值(DTC/邏輯類溝槽製程,8 吋已量產,用於 power、CPO、光通與 PCIe)另規劃約 3,000–5,000 片;高容值 12 吋 IPD(DRAM 電容製程,HPC 用)規劃 8,000–10,000 片,因僅用約 1/4 DRAM 製程、再擴會犧牲 DRAM 代工;8 吋光通客戶多為陸系。完整技術說明見 技術_矽電容。來源:活動_矽電容Si-Cap_珩石筆記_林子宸_20261026 |
| HBM PWF | 承接美光 HBM 堆疊前晶圓處理(HBM pre-stack wafer fab),採「成本加成」包賺模式 | 美光預付 3 億美元購置設備、進駐 P1/P2;Mini line 目標 YE26 設置完畢,量產目標更新為 4Q27(見下方 ⚠️ 節奏;3Q26 法說:試產線 YE26 設置完成、4Q27 量產依計畫進行,但營收貢獻預計待 2028 年驗證完成後才納入成長動能)。華南投顧(2026-09-24)補充:2027 年開始試產、4Q27 起達成量產,長線月產能目標 2 萬片,毛利穩定且不受現貨價波動影響 |
| WoW(晶圓堆疊) | 以 Hybrid Bonding 將 4/8 層 DRAM 堆疊於邏輯晶片,鎖定低功耗穿戴(智慧眼鏡);公司稱功耗僅約 HBM 的 1/10(hybrid bump 較 HBM micro-bump 密度更高、更輕薄) | 去年出貨 750 套模組驗證;4 層已完成先進代工客戶主要驗證,等待放量;8 層 DRAM 堆疊良率已達 90%+,下一步挑戰 12 層堆疊;WoW 產線已復線並小量試產。3Q26 法說(2026-10-21):產線已由銅鑼廠移至新竹廠並小量試產,2027 上半年正式量產;鍵合架構由 Microbump 轉向 Hybrid bump,已打入國際大廠新品 |
| Interposer(矽中介層) | 內建客製化 IPD,需求受惠 TSMC CoWoS 供給緊俏外溢 | 需求 >月 2,000 片供不應求,相關產能已復線並生產中(3Q26 法說:後段產線由銅鑼廠移新竹廠造成 1–2 季干擾,已復線爬坡、預計 2026 年底恢復先前滿載水準);擴產初期目標月 5,000–6,000 片,預期 2027 隨 P5 廠移轉之 5–6k wfpm 產能上線後貢獻上升。華南投顧(2026-09-24)補充:矽中介層因 P5 廠移轉短暫停線,已於 2Q26 至 3Q26 在新竹廠區復線,12 吋產能全線滿載迎接 2H26 旺季 |
| CPO(共同封裝光學) | 早期階段,規劃兩大方向:(1) 機櫃內主機板 PIC、(2) Interposer 光互連(用光流取代電流) | 屬前期規劃,尚無具體時程;詳見 技術_CPO |
來源:活動_力積電法說_2026Q1_20260630、報告_JPM_力積電6770_20260715、報告_CTBC_力積電6770_20260715(2026-07-15)。
公司目標 vs 券商模型(規則 #14)
3D AI Foundry 營收佔比:公司目標 3.2%(2026Q1)→ 5.4%(2Q26 實績)→ 20%+(3 年內目標,法說重申 2026-07-15) vs MS 模型估 2026/27/28 為 5%/10%/14%(報告_MS_記憶體華邦南亞科旺宏力積電_20260625)。公司願景仍較券商模型積極,兌現關鍵為 HBM PWF 量產與 Si Cap/IPD 客戶放量。
HBM PWF 量產時程後移(規則 #14 節奏)
MS(2026-06)法說摘要曾記錄目標 2027 Q2–Q3 量產;JPM 與中信投顧 2026-07-15 同步揭露最新時程為 Mini line YE26 設置完畢、量產目標 4Q27,較先前揭露的時點約後移 1–2 季。兩份 2026-07-15 報告方向一致(非單一券商誤植),判斷為法說對外時程更新,非資料衝突。
產能/稼動/ASP/產品組合
- ASP 與毛利:3Q26 營收 +23% QoQ,ASP 約 +24%;毛利率 48%(2Q26 28%),主因 ASP 上升、銅鑼廠停線、產能利用率提升。記憶體代工產出 ASP 落後投片 ASP 約 30%(循環時間邏輯 2–3 個月、記憶體約 4 個月),4Q26 價格與出貨價格將更高。
- BofA 觀點(2026-10-22):3Q26 出貨量小幅下滑(P5 廠處分後產能與無塵室調整)被 ASP +24% 完全抵銷;4Q26 起邏輯(8 吋/成熟 12 吋)與記憶體議價持續、反映時間差 2–4 個月;電源 IC 供給吃緊且客戶同意 LTA,2027 年初可能再漲 10–20%;矽中介層產能因 TSMC 外溢滿載;2027–28E 毛利率 49–50%,較純記憶體同業(景氣波動大)更可持續。來源:報告_BofA_力積電6770_20261022(2026-10-22)。
- 邏輯代工價格:3Q26 8/12 吋調升約 10–15%(未簽年度合約客戶平均 8–10%);2027 年成熟製程目標再調升 10–20%,以 LTA 綁定 2027 年價量、產能優先給 LTA 客戶;MOSFET/IGBT 2027 年約 80% 產能已簽 LTA;PMIC 由 0.15 微米切入 55 奈米 BCD、用於 AI 伺服器並已量產,客戶要求 3 年供貨保障;GaN 小量投產,貢獻時機未成熟。
- 記憶體 LTA:仍在協商,2027 年 1P 導入、空間有限、舊產線轉換,產能分配未明確而不急於簽約;LTA 可能邀客戶共同出資。
- 產品組合:3Q26 DRAM 營收 30 奈米以下占 57%+(加 63 奈米車用 DRAM 逾 60%);記憶體(DRAM+Flash)約 63%;3D AI Foundry 占比 2Q26 5.4% → 3Q26 1.4%(銅鑼廠設備搬遷停產+分母放大);歐美占比提升(PMIC、車用、12 吋邏輯)。
- 稼動/交期:下半年晶圓廠普遍滿載,產能短缺與交期延長未改善;車用 TDDI 面板廠多次來廠催貨。
- 成本:銅鑼廠停產後費用由銷貨成本轉營業費用(3Q26 每月約 NT$2.2 億、合計約 6.6 億,預計 2Q27 降為零);美光技術服務合約約 NT$65 億對應移機費用,3Q26 認列收入與費用各約 NT$10 億相抵,費用高峰 3Q26 與 1Q27、增額預計不超過 NT$20 億;2027 年折舊約 NT$90–95 億。
- 資本支出:2026 年約 US$4.13 億(新竹廠區改裝),未來 2–3 年集中於美光 PWF 產線與 1P 製程,金額有限;無庫藏股計畫。
- 無塵室與新廠:無塵室已用罄;銅鑼廠預計 2027 年 1Q 完成交接給美光,機台搬回 P1/P2/P3;正於台灣、新加坡、日本調研新廠(亦不排除購買舊廠),聚焦 3D AI Foundry、與策略客戶共同評估,2028 年後接上成長;董事長盼 3–5 年內取得 2–4 萬片小廠。設備出資模式:PWF 設備由美光全額預付,新產線希望客戶以租賃或預付方式出資 30–60%。
- 印度 Tata:非合資、營收與公司無關,公司提供建廠顧問服務並收取技轉費,今年底前將收約 27%。
來源:活動_力積電6770_3Q26法說memo_20261021(2026-10-21)。
記憶體代工與邏輯製程轉型(公司法說)
- 利基記憶體代工:1Gb 以下 DRAM 市佔 71%,近獨佔長尾市場;主力 25 奈米,透過美光合作預計 2027H2 或 2028 跳世代導入 1x 奈米;NAND 除 SLC 外,今年底至明年上半年推出 MLC 與 8 奈米新品。
- 邏輯代工汰弱留強:DDIC、CIS 已陸續發 EOL 停產通知,全力聚焦 PMIC(電源管理晶片),應用涵蓋白色家電至 AI 伺服器。
- 漲價策略:利基記憶體齊頭式漲價 10–15%、客戶接受;DDIC 停產前最後一波調漲;PMIC 客戶主動加價搶 2027 產能。
舊世代記憶體代工漲價續強、獲利彈性再度提升(2026-08-16)
MS 產業報告「Old Memory: No LTAs Is Not Necessarily Bad」重申並強化 legacy 記憶體漲價論點(DDR4 3Q26 QoQ +50%、4Q26 再漲雙位數;SLC NAND 3Q/4Q26 各再 +50%+;NOR flash 4Q26 可能再漲一波),力積電作為記憶體代工廠同步受惠。MS 將 2026-28E EPS 上修 18%/17%/13%(由 NT$4.80/5.61/7.16 上修至 NT$5.66/6.54/8.11),主因記憶體與邏輯代工價格皆優於預期,7 月漲價後代工報價續強至 4Q。目標價(base case)維持 NT$111 不變(2027E P/B 目標倍數由 2.1x 下修至 2.0x,反映板塊 equity risk premium 上升;仍高於 2021 年以來歷史均值 1.5x)。
值得留意:本次 MS 上修後 2026E EPS(5.66 元)仍低於市場共識均值(6.28 元)——是本次調整的四家(旺宏/華邦電/GigaDevice/力積電)中唯一 MS 估值低於共識者,與 JPM(2026-07-15)估值的差距也隨之收斂(詳見「EPS 預估」warning)。
完整產業觀點見 分析_舊世代記憶體無LTA亦佳_MS_20260816。來源:報告_MS_記憶體產業_20260816,estimate,信心:高。
關鍵 Claim
| Claim | 類型 | 來源 | 日期 | 信心 |
|---|---|---|---|---|
| MS 將 2026/2027/2028 EPS 上修至 NT$4.80 / 5.61 / 7.16,主因 DDR3/DDR4 價格強於預期與 3D AI foundry 貢獻提高 | estimate | 報告_MS_記憶體華邦南亞科旺宏力積電_20260625 | 2026-06-25 | 高 |
| 3D AI foundry(SiCap、wafer-on-wafer、HBM PWF)估占 2026/2027/2028 總營收 5%/10%/14% | estimate | 報告_MS_記憶體華邦南亞科旺宏力積電_20260625 | 2026-06-25 | 中高 |
| MS 將力積電目標價由 NT$88 上調至 NT$111,評等維持 Overweight | estimate | 報告_MS_記憶體華邦南亞科旺宏力積電_20260625 | 2026-06-25 | 高 |
| 公司目標 3D AI Foundry 營收佔比 3.2% → 20%+(較 MS 模型 2028 估 14% 積極) | thesis(公司目標) | 活動_力積電法說_2026Q1_20260630 | 2026-06-30 | 中(公司願景,待兌現) |
| 美光委託 HBM PWF(堆疊前晶圓處理),預付 3 億美元設備、目標 2027 Q2–Q3 量產 | fact | 活動_力積電法說_2026Q1_20260630 | 2026-06-30 | 高(法說) |
| 利基 1Gb 以下 DRAM 市佔 71%;利基記憶體齊頭漲價 10–15% | fact | 活動_力積電法說_2026Q1_20260630 | 2026-06-30 | 高(法說) |
| WoW 以 Hybrid Bonding 將 4/8 層 DRAM 堆疊邏輯晶片,去年 750 套模組驗證 | fact | 活動_力積電法說_2026Q1_20260630 | 2026-06-30 | 高(法說) |
| WoW 8 層 DRAM 堆疊良率已達 90%+,功耗約為 HBM 的 1/10 | fact | 報告_CTBC_力積電6770_20260715 | 2026-07-15 | 高(董事長訊息,法說座談) |
| 3D AI Foundry Si Capacitor 主要應用於 Intel EMIB;目前約 1–2k wfpm,目標 YE27 8–10k wfpm、2028 潛在 15–20k wfpm | estimate | 報告_JPM_力積電6770_20260715 | 2026-07-15 | 中高 |
| DRAM 缺口因 AI 需求推升,CSP 已預購未來數年產能,預期持續至 2027 年 | analyst | 報告_CTBC_力積電6770_20260715 | 2026-07-15 | 中(座談引述公司說法) |
| JPM 將 2026/2027E EPS 上修至 NT$6.61 / 7.16(+3.1%/+9.8%),維持 Overweight,TP 上調至 NT$100(Jun-27) | estimate | 報告_JPM_力積電6770_20260715 | 2026-07-15 | 高 |
| 記憶體代工技術(NAND/Flash)落後華邦電與旺宏,技術落差對毛利率影響較大;力積電偏向 foundry 定位,NAND 代工的 high density NOR 需求對聯電影響較小、對力積電影響較大 | analyst(channel check) | memo_NAND_eMMC供需分析_20260723 | 2026-07-23 | 低(單一分析者觀點,未經公司確認) |
| MS 2026-08-16 將 2026-28E EPS 上修 18%/17%/13% 至 5.66/6.54/8.11 元;PT 維持 NT$111,2027E P/B 目標倍數由 2.1x 下修至 2.0x | estimate | 報告_MS_記憶體產業_20260816 | 2026-08-16 | 高 |
| MS 上修後 2026E EPS(5.66 元)仍低於市場共識均值(6.28 元),為本次調整四家中唯一 MS 低於共識者 | estimate | 報告_MS_記憶體產業_20260816 | 2026-08-16 | 高 |
| 3Q26 營收 NT$213 億(QoQ +23%)、毛利率 48%(2Q26 28%)、稅後淨利 NT$65.0 億;EPS 1.38 元(MOPS 自結重訊相符) | fact | 活動_力積電6770_3Q26法說memo_20261021 | 2026-10-21 | 高 |
| 2027 年成熟製程代工價格目標再調升 10–20%,以 LTA 綁定價量;MOSFET/IGBT 2027 年約 80% 產能已簽 LTA | public_info | 活動_力積電6770_3Q26法說memo_20261021 | 2026-10-21 | 高(法說) |
| 4Q26 整體營收預期雙位數成長;記憶體代工產出 ASP 落後投片 ASP 約 30%,4Q 價格更高 | public_info | 活動_力積電6770_3Q26法說memo_20261021 | 2026-10-21 | 高(法說) |
| 3D AI Foundry 3Q26 占比降至 1.4%(銅鑼廠搬遷);4Q26 起復原、2027 年每季成長,PWF 驗證完成後(2028)貢獻營收 | public_info | 活動_力積電6770_3Q26法說memo_20261021 | 2026-10-21 | 高(法說) |
| 12 吋 IPD 規劃約 8,000–10,000 片、最多約 1 萬片為限制(與 DRAM 共用),2H27 後市場月需求約 3–5 萬片;新廠評估 2028 年後 | public_info | 活動_力積電6770_3Q26法說memo_20261021 | 2026-10-21 | 中高(法說答問,部分轉寫語意待核) |
| 記憶體代工 LTA 尚未簽、仍協商;公司認為 2027 年供給未完全跟上、2028 年擴建較多,需求無結構性改變 | public_info | 活動_力積電6770_3Q26法說memo_20261021 | 2026-10-21 | 中高(法說答問) |
| 3Q26 財報後本土投顧上修 2026/27E EPS:富邦 7.04/8.29、華南 7.12/7.84、宏遠 6.58/8.63;目標價 85/85/95 | estimate | 報告_富邦_力積電6770_20261022、報告_華南_力積電6770_20261022、報告_宏遠_力積電6770_20261022 | 2026-10-22 | 高 |
| 高容值 IPD(DRAM 製程)12 吋為主、對應 HPC;低容值 DTC 8 吋已量產,8 吋光通客戶多為陸系;高容值規劃上限約 1 萬片因共用 DRAM 產能 | public_info(法說答問,經分析師筆記轉述) | 活動_矽電容Si-Cap_珩石筆記_林子宸_20261026 | 2026-10-26 | 中(筆記轉述,部分容值數字語意待核) |
風險與注意事項
- 成熟製程缺料若延後,2027 上行週期假設需下修。
- S-SiCap 對營收貢獻仍處早期,需追蹤 AP Memory 客戶放量。
- 記憶體代工漲價若不如預期,獲利彈性將受壓。
- MS 3Q26 點評(2026-10-21):AI 封裝仍是執行面觀察點(3D AI Foundry 占比 2Q 5.4%→3Q 1.4%,Interposer 預期年底前滿載);IPD 為結構成長題材,管理層估 2H27 起產業高電容需求 3–5 萬片/月,遠高於公司規劃 8–10k 片;PWF 目標 4Q27 量產、營收貢獻自 2028 起。來源:報告_MS_力積電6770_20261021
- 財報後 EPS 預估分歧擴大:本土投顧 2027E 7.84–8.63 vs JPM 7.16、MS 6.54,估值倍數與基期差異大,需追蹤 4Q26 毛利率(宏遠 51.8%、富邦 48.8%)能否兌現。來源:報告_富邦_力積電6770_20261022、報告_宏遠_力積電6770_20261022
- 3Q26 法說:無塵室已用罄,IPD 與 DRAM 代工共用產能,擴產受限於空間;新廠最快 2028 年後;移機費用高峰 3Q26 與 1Q27;DDR3 現貨價因拆板貨短期走弱(公司認為短期)。
公司行事曆
- 10/13週二營收9月營收公布營收 76.65 億、年增 +94.0%、月增 +9.4%
- 10/21週三法說會2026年第三季法說會(1)本公司2026年第三季財務暨營運報告。(2)參加方式:https://www.itvcloud.org/Investor/Live/Index/psmc
- 今天 2026-11-08
- 11/10週二營收10月營收(預估 11/9–11/10)可能 11/9–11/10 公布(近 8 次有 8 次落在此區間;最常見:法定期限當天,信心中)
- 12/10週四營收11月營收(預估 12/7–12/10)可能 12/7–12/10 公布(近 8 次有 8 次落在此區間;最常見:法定期限當天,信心中)
近 30 天到未來 120 天的事件,資料與行事曆同一來源(公開資訊觀測站、證交所/櫃買 OpenAPI、珩石資料庫),日期以公司公告為準。
時間軸
| 時間 | 事件 | 類型 | 重要性 | 備註 |
|---|---|---|---|---|
| 2026 | AP Memory S-SiCap 代工占營收 3% | 放量 | ⭐⭐ | 代工業務開始貢獻 |
| 2027 | AP Memory S-SiCap 代工占營收 5% | 放量 | ⭐⭐ | 與 EMIB 供應鏈滲透同步 |
| 2027H2 | 成熟製程缺料 | 供需 | ⭐⭐⭐ | AI power IC 需求驅動 |
| 2027/28 | AP Memory IPD 供 Humufish TPU | 規格升級 | ⭐⭐⭐ | S-SiCap → IPD → EMIB 供應鏈 |
| 2028 | AP Memory S-SiCap 代工占營收 9% | 放量 | ⭐⭐⭐ | 中國 AI GPU 與 EMIB 需求延續 |
| 2027-2028 | SEMCO W1.5 兆 Si-Cap 長約供應期 | 產業驗證 | ⭐⭐ | MS 認為 PSMC capacity is full,可能帶動第二來源需求 |
| 2026 Q1 | Si Cap/IPD 單月破 1,000 片,備妥月 8,000–10,000 片產能 | 放量節點 | ⭐⭐⭐ | 美系大客戶驗證 2 年後出貨。來源 活動_力積電法說_2026Q1_20260630 |
| 2027H2–2028 | 記憶體代工透過美光合作跳世代至 1x 奈米 | 製程升級 | ⭐⭐⭐ | 主力由 25 奈米升級 |
| 2026-06(6M26) | DRAM 1X 自研製程小量生產,良率爬升中 | 製程進度 | ⭐⭐ | 報告_CTBC_力積電6770_20260715 |
| 2026-07(7M26) | DRAM 投片價再調漲約 45%(第二輪結構性漲價) | 漲價 | ⭐⭐⭐ | 實際貢獻預期約 11M26 顯現;來源 報告_JPM_力積電6770_20260715、報告_CTBC_力積電6770_20260715 |
| YE26 | HBM PWF Mini line 設置完畢 | 產能進度 | ⭐⭐⭐ | 報告_JPM_力積電6770_20260715、報告_CTBC_力積電6770_20260715 |
| 2027Q1 | 1P 製程新機台到位(美光合作) | 製程進度 | ⭐⭐ | 報告_CTBC_力積電6770_20260715 |
| 2027 | Interposer 5–6k wfpm(P5 廠移轉產能)上線,貢獻上升 | 產能上線 | ⭐⭐⭐ | 報告_JPM_力積電6770_20260715 |
| 2H27 | Si 電容產能目標:12 吋 8–10k wfpm、8 吋 5k wfpm | 產能目標 | ⭐⭐⭐ | 為目前無塵室空間規劃上限;報告_CTBC_力積電6770_20260715、報告_JPM_力積電6770_20260715 |
| 4Q27 | HBM PWF 量產(時程較先前揭露的 2027 Q2–Q3 後移) | 量產 | ⭐⭐⭐ | 見 ⚠️ 節奏 callout;報告_JPM_力積電6770_20260715、報告_CTBC_力積電6770_20260715 |
| 2028 | 1P 製程量產(美光合作);Si 電容潛在爬升至 15–20k wfpm | 量產/產能 | ⭐⭐⭐ | 報告_CTBC_力積電6770_20260715、報告_JPM_力積電6770_20260715 |
| 2026-09 | 觀察到公司將於原銅鑼廠附近展開自建計畫(具體規模/時程待揭露) | 擴產(觀察) | ⭐⭐ | 報告_CTBC_晶圓代工8月營收評析_20260911,CTBC,2026-09-11 |
| 2026-04 | IPD 矽電容正式放量 | 放量 | ⭐⭐⭐ | 華南投顧,2026-09-24 |
| 2026 年底 | IPD 矽電容月產能達 3,000 片 | 產能節點 | ⭐⭐⭐ | 華南投顧,2026-09-24 |
| 2027 | IPD 矽電容月產能擴至 8,000 片 | 擴產 | ⭐⭐⭐ | 華南投顧,2026-09-24 |
| 1H27 | 20 奈米高階特殊記憶體初期月產能 1,000 片(竹科試產線約 5,000 片) | 新製程 | ⭐⭐⭐ | 華南投顧,2026-09-24;2026 年底完成技術開發 |
| 2027 | HBM PWF 開始試產 | 製程進度 | ⭐⭐⭐ | 華南投顧,2026-09-24;4Q27 起達成量產,長線月產能目標 2 萬片 |
| 2026 年底 | Interposer 產線復線爬坡完成,恢復先前滿載產能水準 | 產能進度 | ⭐⭐ | 活動_力積電6770_3Q26法說memo_20261021,2026-10-21 |
| 2026 年底 | 美光 1P 製程 PDK 完成;HBM PWF 試產線設置完成 | 製程進度 | ⭐⭐⭐ | 活動_力積電6770_3Q26法說memo_20261021,2026-10-21 |
| 2027Q1 | 銅鑼廠完成交接給美光;1P 新機台到位 | 擴產/製程 | ⭐⭐⭐ | 活動_力積電6770_3Q26法說memo_20261021,2026-10-21;1P 2Q27 進入市場 |
| 2027 上半年 | Wafer-on-Wafer 正式量產(產線已自銅鑼廠移新竹廠、小量試產) | 量產 | ⭐⭐⭐ | 活動_力積電6770_3Q26法說memo_20261021,2026-10-21 |
| 2027 | 12 吋 IPD 電容密度由 2,300nF 導入 4,500nF 新品 | 製程升級 | ⭐⭐⭐ | 活動_力積電6770_3Q26法說memo_20261021,2026-10-21 |
| 2027 | Interposer 產能預期滿載(11–12 月 Interposer/WoW 先逐步恢復生產) | 產能進度 | ⭐⭐ | 報告_宏遠_力積電6770_20261022,宏遠,2026-10-22 |
| 2028 | PWF 驗證完成並納入營收成長(4Q27 量產後) | 營收貢獻 | ⭐⭐⭐ | 活動_力積電6770_3Q26法說memo_20261021,2026-10-21 |
| 2028 年後 | 新廠(台灣/新加坡/日本調研,聚焦 3D AI Foundry,與策略客戶共同評估);3–5 年內取得 2–4 萬片小廠 | 擴產(評估中) | ⭐⭐ | 活動_力積電6770_3Q26法說memo_20261021,2026-10-21 |
供應鏈位置
- 代工客戶:6531_愛普(市),S-SiCap 代工夥伴。
- 相關技術:技術_EMIB-T
- 相關技術:技術_矽電容
- 所屬供應鏈:供應鏈_玻璃芯基板
- 2027E 營收結構:記憶體 48%、類比 30%、邏輯 22%(MS,分類基準:記憶體/類比/邏輯)。
- 2026F 營收結構(華南投顧,2026-09-24,分類基準:邏輯/記憶體/3D AI):邏輯代工 55%、記憶體代工 40%、3D AI 技術平台 5%(2025 實績:52.8%/44.0%/3.2%)。
相關公司
| 公司 | 關係 | 說明 |
|---|---|---|
| 6531_愛普(市) | 客戶 / 代工合作 | AP Memory SCCAP(IPC/IPD/LSC)由力積電代工,並可能切入 EMIB IPD 供應鏈。2026-08 簽長期產能保障協議:愛普預計 2027 年中支付產能保證金 NT$5.3 億,鎖定 IPD 未來 3-4 年產能。銅鑼廠設備遷移(P5 售予美光後之產能調度)使愛普 IPC 2Q26-3Q26 中投片量下滑,客戶端業績衝擊落在 3Q26 中至 4Q26 初、3Q26 底完全反映,目前已陸續恢復生產(活動_愛普6531_2Q26法說memo_20260806,愛普 2Q26 法說,2026-08-06) |
| 009150.KR(semco) | 國際 Si-Cap 供應商 / 對照 | SEMCO 長約驗證 Si-Cap TAM,但與力積電既有 AP Memory 代工鏈不同 |
| 2344_華邦電(市) | 潛在第二來源 / 同類製程資產 | MS 認為 PSMC 產能滿載下,華邦電可能成為 SEMCO potential partner |
| 2408_南亞科技(市) | 同業 / legacy memory 景氣映射 | 同份 MS 報告列為 DDR4 漲價受惠者 |
| 2337_旺宏(市) | 同業 / legacy flash 景氣映射 | 同份 MS 報告列為 NOR 與 SLC/MLC NAND 漲價受惠者 |
| MU.US(micron) | 客戶 / 設備出資方 | 委託力積電 HBM 堆疊前晶圓處理(HBM PWF,成本加成),預付 3 億美元購置設備;並向力積電購入 P5 廠;記憶體代工 1x 奈米跳世代合作。3Q26 法說:1P 製程 PDK YE26 完成、機台 1Q27 到位;銅鑼廠 1Q27 交接;技術服務合約約 NT$65 億對應移機費用 |
| 005930.KR(samsung)、285A.JP(kioxia) | 同業 / MLC 退出 | 三星與鎧俠逐步退出 MLC 供應,MLC 嚴重短缺,消費性廠商轉 SLC NAND(活動_力積電6770_3Q26法說memo_20261021) |
| Intel | 客戶 / 終端應用 | 3D AI Foundry Si Capacitor 主要應用於 Intel EMIB 先進封裝;董事長稱「EMIB 若無公司矽電容支持無法成功」。來源:報告_JPM_力積電6770_20260715(2026-07-15) |
來源
- 報告_BofA_力積電6770_20261022 — BofA/Merrill Lynch(Haas Liu/Mike Yang/Cathy Hsu),2026-10-22;重申 Buy、PO NT$125(自 110;15x 2027E P/E);2026–28E EPS 7.78/8.47/8.55(上修 7–15%);3Q26 毛利率 +2,000bps 至 48%、4Q26E 營收 +26% QoQ;2027 初電源 IC 再漲 10–20%
- 報告_富邦_力積電6770_20261022 — 富邦投顧(尚子玉/楊皇遠),2026-10-22;財報初探,重申買進、TP NT$85(2.4x FY27F BVPS);FY26/27/28 EPS 7.04/8.29/9.40;3Q26 毛利率 47.5%、4Q26 預估營收 244.4 億元/EPS 1.54
- 報告_宏遠_力積電6770_20261022 — 宏遠投顧(羅金鳳),2026-10-22;法說訪談,買進、TP NT$95(11x 2027E EPS);2026/27E EPS 6.58/8.63;IPD 產能僅約 1 萬片/月 vs 2027 全球需求 3–5 萬片/月
- 報告_華南_力積電6770_20261022 — 華南投顧(楊富寶),2026-10-22;法說會訪談,升強力買進、TP NT$85;2026/27F EPS 7.12/7.84;邏輯/記憶體/3D AI 營收結構與地區占比
- 活動_矽電容Si-Cap_珩石筆記_林子宸_20261026 — 珩石資本林子宸,2026-10-26;矽電容與 MLCC 差異、DTC 封裝內分層位置、力積電 3Q26 法說 IPD/DTC 容值與產能答問(channel check 級筆記)
- 報告_MS_力積電6770_20261021 — Morgan Stanley(Daniel Yen/Charlie Chan),2026-10-21;3Q26 財報點評,毛利率 47.5% 優於預期、EPS 高於預估 84%;維持 OW、PT NT$111(2.0x 2027E P/B);記憶體 ASP 仍落後投片價約 30%、2027 邏輯再漲 10–20%
- 活動_力積電6770_3Q26法說memo_20261021 — 力積電 3Q26 法說(2026-10-21);3Q26 營收 NT$213 億/毛利率 48%/淨利 NT$65 億;4Q26 營收雙位數成長;2027 成熟製程再漲 10–20%;3D AI Foundry 復原節奏與 PWF 2028 貢獻;無塵室用罄、新廠評估;銅鑼廠 1Q27 交接美光
- 報告_華南_力積電6770_20260924 — 華南投顧(楊富寶),2026-09-24;重申買進、TP NT$85(不變);2026F/2027F EPS 5.68/7.84;2Q26 晶圓代工營收 4.32 億美元、毛利率 28.3%;IPD 矽電容 2026-04 放量/年底月產能 3,000 片/2027 擴至 8,000 片;20 奈米特殊記憶體新製程 1H27 月產能 1,000 片;HBM PWF 2027 試產、4Q27 量產、長線月產能 2 萬片;印度塔塔 Fab IP 授權模式;P5 廠處分獲美光 18 億美元資金;每股現金股利 0.23 元
- memo_晶圓代工_產業趨勢與先進封裝藍圖_20260927 — 珩石資本內部產業講座筆記(kevin),2026-09-27;2026Q2 全球晶圓代工排名第 10
- 報告_CTBC_晶圓代工8月營收評析_20260911 — 中國信託投顧(張敦翔),2026-09-11(PDF 頁尾誤植 2026/08/11,內容為 8 月營收評析、以 Drive 上傳日 2026-09-11 為準);力積電 8 月營收 NT$7.01bn(+5.1% MoM/+76.2% YoY,達成率市場預期 71%,優於預期),累計前 8 月 YoY+47.1%;漲價效益放量+Interposer 復線加速+12 吋矽電容需求成長;新增觀察:原銅鑼廠附近自建計畫
- 報告_MS_力積電6770_20260519 — Morgan Stanley(Daniel Yen et al.), 2026-05-18, Beneficiary of mature node upcycle and EMIB supply chain
- 報告_MS_舊型記憶體SiCapTAM_20260521 — Morgan Stanley, 2026-05-21, Old memory: Larger Si-Cap TAM
- 260521_6531愛普_ms_ — Morgan Stanley,2026-05-21,Si-Cap competition / AP Memory 供需模型
- 260601_6770_力積電_ms_psmc — Morgan Stanley,2026-06-01;4 月轉盈,成熟製程 upcycle 與 AP Memory Si-SiCap foundry partner ramp
- 報告_MS_記憶體華邦南亞科旺宏力積電_20260625 — Morgan Stanley,2026-06-25;PT NT$111,2026/2027/2028 EPS NT$4.80 / 5.61 / 7.16
- 活動_力積電法說_2026Q1_20260630 — 力積電 2026 Q1 法說重點;Open Foundry、3D AI Foundry 四大業務、HBM PWF 美光預付 3 億美元、利基 DRAM 71% 市佔、漲價 10–15%、PMIC 聚焦
- 報告_JPM_力積電6770_20260715 — J.P. Morgan(Gokul Hariharan et al.),2026-07-15;重申 Overweight,TP NT$100(Jun-27);2Q26 GM 優於預期,記憶體/邏輯雙漲價,3D AI Foundry Si Capacitor(Intel EMIB)/PWF/Interposer/WoW 五大成長動能
- 報告_JPM_台灣FirstToMarket_20260724 — J.P. Morgan,2026-07-24;台灣晨報(TXN 2Q26 read-through:工業需求回溫、成熟製程稼動吃緊)
- 報告_CTBC_力積電6770_20260715 — 中信投顧(張敦翔),2026-07-15,法說/座談摘要;2Q26 財報優於預期、DRAM 7 月漲價 45%、矽電容 EMIB 認證與 WoW/PWF 進度、董事長訊息與 QA 完整揭露
- memo_NAND_eMMC供需分析_20260723 — 隨手記/研究彙整,2026-07-23;NAND 代工技術落差評論(低信心,單一分析者觀點)
- 活動_愛普6531_2Q26法說memo_20260806 — 愛普 2Q26 法說,2026-08-06(客戶端揭露);銅鑼廠設備遷移影響 IPC 投片、愛普支付 NT$5.3 億產能保證金鎖定 3-4 年 IPD 產能
- 報告_MS_記憶體產業_20260816 — Morgan Stanley(Daniel Yen/Charlie Chan/Daisy Dai/Tiffany Yeh/Ethan Jia),2026-08-16;「Old Memory: No LTAs Is Not Necessarily Bad」;EPS 2026-28E 上修 18%/17%/13% 至 5.66/6.54/8.11;PT 維持 NT$111。insight 見 分析_舊世代記憶體無LTA亦佳_MS_20260816