基本資料
三星電子（Samsung Electronics），韓國綜合半導體與電子集團，全球最大記憶體原廠（DRAM/NAND/HBM 全線），KOSPI 掛牌。MS 2026-07-02 NAND 產業報告中為 Asia Tech team 的 DRAM Top Pick（Overweight），理由是市場領導地位與潛在更強的股東回報。依 vault 既有脈絡（分析_Chipflation記憶體危機_MS_20260602），三星與 SK hynix、Micron 三雄合計掌握約 90% DRAM 與 100% HBM 供給，為 AI 記憶體超級週期的核心定價者。與華邦電在電容器（推估 Si-Cap/CUBE 方向）有合作討論（見 2344_華邦電（市），2026-06-12 閉門會資訊）。
3Q26（公司法說，2026-10-29）：營收 195.3 兆韓元（QoQ +14%）、營業利益 107.4 兆韓元（QoQ +20%，營業利益率 55%），連續第四季創高，為全球科技公司首度單季營業利益逾 100 兆韓元；淨利 75.1 兆韓元，普通股 EPS 11,462 韓元。記憶體創高（DRAM ASP 約 +20%、NAND ASP high-teens），HBM4 銷售 QoQ 逾 3 倍、占 HBM 銷售 60%，2027 年 HBM 供給已全數售罄。2026 年資本支出預估 84.4 兆韓元（DS 76.8 兆）。（來源：活動_Samsung_3Q26法說memo_20261029）
3Q26 分部補充（廣發海外紀要，2026-10-29）：毛利率 69.3%（QoQ -0.3ppts）、淨利率 38.5%（QoQ -3.3ppts），營收／營業利益大致符合彭博預期（營收 195.3 兆較預期 196.79 兆略低，淨利 75.1 兆低於預期 84.6 兆）；記憶體銷售 140.7 兆（QoQ +16%、YoY +427%），3Q26 位元出貨 DRAM QoQ low-to-mid-single%、NAND mid-single%；DS 營收 147.1 兆、營業利益 106.5 兆（約占公司營業利益 99%），晶圓代工 8nm 及以下稼動率看超過 100%、2nm 年訂單 YoY 翻倍以上、Taylor 一廠投產；DX 營收 52.1 兆（營業虧損 0.8 兆，MX 37.3 兆），SDC 營收 8.0 兆／營業利益 1.1 兆，Harman 營收 4.3 兆／營業利益 0.6 兆（含一次性關稅退稅）。3Q26 每股股利 4,601 韓元（約 2Q 的 12 倍，11/27 發放），股利殖利率普通股約 1.7%、特別股約 2.2%；3Q 現金流回購庫藏股 12.5 兆，8 月另批約 15 兆員工補償用回購（不計入 35 兆）；廣發觀點：盤中衝高後轉跌，主因新股東回報尚未公布。（活動_Samsung_廣發海外3Q26業績紀要_20261029）
- 主要產品：DRAM（含 HBM）、NAND Flash、晶圓代工、SoC、面板、手機與消費電子
- 供應鏈位置：記憶體原廠（最上游），下游為 CSP/伺服器/手機/PC OEM；同時是全球主要手機/消費電子品牌
- 資料來源：報告_MS_NAND產業_20260702（Morgan Stanley，2026-07-02）；產業結構脈絡引自 分析_Chipflation記憶體危機_MS_20260602
核心技術／競爭優勢
- 記憶體全線布局：DRAM/HBM/NAND 皆為全球領導者之一；HBM 供給為三雄壟斷結構
- 定價權：MS 估 3Q26 DRAM 漲價 20-30% 以上，足以讓 YoY 漲幅持續加速；定價權轉化為盈餘上修並支撐 P/E 穩定（2027e 約 5.2x）
- LTA 重評：MS 認為有利的 LTA 條款可持續推動估值重評（re-rate）；估值重置框架見 分析_記憶體估值重置_大摩閉門_20260612
- 股東回報：Top Pick 理由之一為潛在更強的股東回報
- HBM4 放量與 2027 售罄（3Q26 法說，2026-10-29）：HBM4 占 HBM 銷售 60%，HBM 市占已提早（原訂 2H26）對齊 DRAM 整體市占；HBM4E 5 月全球首家出貨樣品，2027 上半年開始量產、下半年放大量；2027 年 HBM 供給已以反映產品競爭力的目標價格全數售罄；多年期供貨合約已簽 10 家主要客戶、另 10 家洽談，目標占中長期產能 60–70%。沿革：UBS 估 2027E HBM 位元占比 40.0% 反超 SK hynix（2026-08-07）→ 公司稱 3Q26 HBM 市占已對齊 DRAM 整體市占。（來源：活動_Samsung_3Q26法說memo_20261029）
- 晶圓代工 × 記憶體整合（3Q26 法說）：以 4 奈米與記憶體共同開發 HBM4 base die（稱達業界領先效能與 base die 良率，量產初期）；2 奈米專案數 2026 年預期較前一年增加逾一倍，HPC 預期占晶圓代工銷售組合逾 50%；德州泰勒廠首座晶圓廠開始運轉；8 奈米以下製程需求超過產能，稼動率預期逾 100%；矽電容技術已接獲多家主要客戶量產需求。（來源：同上）
- NAND 產品（3Q26 法說）：V10 TLC（bonding 技術）3Q26 完成量產準備，預備 2027 年初商用化 256TB QLC（V9 2Tb）；PCIe Gen6 伺服器 SSD 早期領先，agentic AI 的 KV cache 與個人 AI 代理服務帶動 TLC 與 QLC SSD 需求。（來源：同上）
- 高頻寬 NAND 路線（HBF 對應）：尚未公布 HBF 細節但已申請「zHBF」商標；已發表 TSV 整合的 zNAND-O（TSV 串接 4 或 8 層 V-NAND，鎖定手機／PC 等裝置端 AI），並另開發 zHBM（記憶體堆疊於 AI 加速器之上）供資料中心；GS 認為其全球最大 NAND 產能、成本管理與封裝競爭力，加上為唯一同時具 DRAM／NAND／晶圓代工／先進封裝能力的廠商，將能在多層級 AI 記憶體階層保持領先（GS，2026-10-12）；詳見 技術_NAND近記憶體化_KV Cache卸載與HBF
-
HBM 位元佔比估 2027 年反超 SK hynix：UBS 2026-08-07 模型顯示三星 HBM 位元出貨佔比由 2026E 31.3%（落後 SK hynix 47.3%）快速拉近，估 2027E 升至 40.0%、反超 SK hynix（38.4%），為三星於 HBM4/HBM4E 世代追趕、乃至取代 SK hynix 領先地位的量化訊號
-
OCP 2026 記憶體三支柱（2026-10，公司簡報，含自家實驗室數據）：Samsung 在 OCP 以速度、記憶體擴展、持久性三支柱論述 KV Cache 需求（每 token 讀取量 2 年增 6 倍、單一 CSP 每月產生 KV cache 140EB 為口述，來源 Google I/O 未驗證；video_OCP2026_Samsung_高擴展記憶體_20261015）：
- 速度：zHBM 直接貼合 GPU、去除矽中介層與微凸塊，對 HBM5 頻寬 4–8x、能效 3x；LPDDR PIM 有效頻寬 8x、TPS 3x；皆無年份與規格，廠商值。
- 擴展（CXL）：CMM-D MD310 可供客戶 POC、MD320（LPDDR 基）開發中；單系統 5.5TB、1.6TB/s、約 100ns（CXL 3.2、Gen6）；2027 次世代池 20TB、最高 5TB/s（路線圖）；與 Marvell、Liquid 共建 CXL appliance；OCP Pangaea v3 做 Kubernetes 整合與動態注入 CXL 記憶體。自測 CXL 對 RDMA 吞吐 2x、TTFT 650→200ms（video_OCP2026_Samsung_代理記憶體分層KVCache_20261015）。細節見 技術_CXL。
- 持久（SSD）：Gen6 PM1763 28GB/s；E3.S QLC PM1773 16–256TB、0.6 DWPD；TLC PM1753／PM1763 定位 KV 溫層、PM1773 定位冷層；KV 需 DWPD 3+，FDP 使 WAF 3–4→1（Lustre 多租戶實測 3.4→1.1）；混合媒體 SSD；預取使前段 TTFT 約 -35%。見 技術_FDP與SSD資料放置。
- 2030 願景（報告_OCP2026_Samsung_2030推論資料中心記憶體Pod_20261015）：記憶體中心推論資料中心，十層階層 L0 SRAM 至 L4 TLC／QLC SSD；僅有定性量級，無規格與年份，勿當產品數字。其中 zNAND-O 與 CXL Pool 同在 L2.5、KV SSD 在 L3，即 Samsung 把 zNAND-O 放在資料中心 context 層；GS 則稱 zNAND-O 鎖定手機／PC 裝置端，兩種定位並列保留。
- 除上述 2027 CXL 池外，OCP 簡報無任何量產日期；除 Marvell／Liquid 外夥伴為軟體定義儲存廠（Hammerspace、Weka 等）與 TensorMesh，非訂單。
- 兩相浸沒 SSD 相容性（OCP 2026，2026-10）：Samsung 企業級 Gen4／Gen5 SSD 於 LiquidStack 兩相槽、Chemours Opteon 2P50 中運行 >15,000 小時（約 1.7 年，仍進行中）JESD219 下 0% 失效；SSD 溫度氣冷約 80°C→兩相浸沒 54–55°C；Soxhlet 72 小時＋80°C 浸泡 2 週，零組件質量變化皆 <2%；剩餘風險是 PCBA 清潔度（助焊劑殘留在沸點沉積、枝晶橋接細間距 BGA 球），對策水洗→DI 沖洗→乾燥；倡議把 OCP 材料測試指南延伸到產品級。簡報未提量產出貨計畫（報告_OCP2026_Samsung_SSD兩相浸沒相容性_20261015）。
產品與應用
| 產品 | 應用 | 說明 |
|---|---|---|
| DRAM / HBM | AI 伺服器、一般伺服器、PC/手機 | 三雄之一；HBM 100% 由三雄供給（vault 既有脈絡） |
| NAND Flash | eSSD、消費 SSD、嵌入式 | 全球主要 NAND 原廠 |
| CMM-D（CXL 記憶體模組／池） | AI 推論 KV Cache 池化 | MD310 可 POC、MD320 開發中；2027 池 20TB／5TB/s（OCP 2026，路線圖） |
| PM1763／PM1773 SSD | KV 溫／冷層、企業儲存 | Gen6 28GB/s；E3.S QLC 最高 256TB、0.6 DWPD；支援 FDP（OCP 2026） |
| 晶圓代工 / SoC / 消費電子 | 手機、家電、面板 | 本報告未展開（待補） |
圖片 / 架構圖
flowchart LR
SAMSUNG[三星電子 DRAM/HBM/NAND 原廠] --> AI[CSP / AI 伺服器（LTA 鎖量）]
SAMSUNG --> OEM[PC / 手機 OEM（殘量池）]
SKH[SK hynix] & MU[Micron] -. 三雄壟斷 ~90% DRAM / 100% HBM .- SAMSUNG
圖說：依 分析_Chipflation記憶體危機_MS_20260602 的雙層市場結構：三雄供給優先分配 LTA 鎖量的 CSP，非 AI 買家在殘量池競爭；報告_MS_NAND產業_20260702（2026-07-02）重申此框架下三星為 DRAM Top Pick。
EPS 記錄
| 季度 | EPS (KRW) | YoY | 備註 |
|---|---|---|---|
| 3Q26 | 普通股 11,462；特別股 11,492 | 待核對 | QoQ 均 +6%；營收 195.3 兆韓元、營業利益 107.4 兆韓元（營業利益率 55%，2Q26 為 52%）、淨利 75.1 兆韓元（QoQ +5%）；匯率對營業利益 QoQ 負面影響約 10 兆韓元（活動_Samsung_3Q26法說memo_20261029，2026-10-29） |
財測假設
| 來源（日期） | 模型 / 推導鏈 | 關鍵假設 | 產出 |
|---|---|---|---|
| 公司 3Q26 法說（2026-10-29） | 4Q26 位元出貨與 2027 展望 | 記憶體需求續超過供給，4Q26 位元出貨 DRAM QoQ mid-to-high teens、NAND mid-teens；2027 年手機與 PC 需求調整，AI 伺服器投資加速；供給吃緊延續至 2028，2027 年資本支出增加但多用於空間與設備價格上升，對 2028 位元產出貢獻有限 | 2026 年資本支出 84.4 兆韓元（DS 76.8 兆、顯示器 3.9 兆）；晶圓代工 4Q26 營收 QoQ 與 YoY 雙位數成長；2027 年整體業績預期超越 2026 年再創紀錄，DX 部門承壓 |
| 公司 3Q26 法說（2026-10-29） | 股東回報 | 2026 年回報總額 92–110 兆韓元，已規劃或完成 35 兆（含 3Q26 現金股利 30 兆，每股 4,601 韓元），其餘 55–75 兆以現金股利與庫藏股註銷回饋；2027 年新政策待 2027 年 1 月底董事會決定 | 公司口述 92 與「35＋55」不一致，標待核對 |
目標價與評等
| 券商 | 報告發布日 | 評等 | 目標價 | 評價基礎 | 來源 |
|---|---|---|---|---|---|
| Morgan Stanley | 2026-07-02 | Overweight／Asia Tech team Top Pick（DRAM） | 待補（本報告未載明 PT 數字） | 市場領導地位、股東回報潛力；2027e P/E 約 5.2x | 報告_MS_NAND產業_20260702 |
| UBS | 2026-08-07 | Buy（Key Call，維持） | 未列明數字（月度產業報告未展開個股 TP） | 記憶體月報 top pick；ROE 折價（13.9% vs 2012-22 均值 15.2%）＋ HBM 位元佔比估 2027E 反超 SK hynix（40.0% vs 38.4%） | 報告_UBS_記憶體月報_20260807 |
| Goldman Sachs | 2026-10-12 | Buy（維持；APAC Conviction List） | ₩500,000（現價 ₩262,000，2026-10-09；潛在漲幅 90.8%）；前次 PT 本報告未載 | NAND 產能全球最大、技術領導、成本管理與封裝競爭力；DRAM／NAND／晶圓代工／先進封裝完整能力 | 報告_GS_HBF高頻寬快閃記憶體_20261012 |
關鍵 Claim
| Claim | 類型 | 來源 | 日期 | 信心 |
|---|---|---|---|---|
| 3Q26 營業利益 107.4 兆韓元（營業利益率 55%），為全球科技公司首度單季逾 100 兆韓元；HBM4 占 HBM 銷售 60%，2027 年 HBM 供給已售罄 | fact | 活動_Samsung_3Q26法說memo_20261029 | 2026-10-29 | 高 |
| 供給吃緊延續至 2028；多年期供貨合約已簽 10 家主要客戶、另 10 家洽談，目標占中長期產能 60–70% | fact | 同上 | 2026-10-29 | 高 |
| 三星為 MS Asia Tech team 的 DRAM Top Pick（OW） | analyst | 報告_MS_NAND產業_20260702 | 2026-07-02 | 高 |
| MS 估 3Q26 DRAM 漲價 20-30% 以上，YoY 漲幅持續加速 | estimate | 報告_MS_NAND產業_20260702 | 2026-07-02 | 中高 |
| YoY 定價可能於 4Q26 觸頂，2028 供給紀律能見度前缺乏近期循環催化劑，但 LTA 可續推估值重評 | thesis | 報告_MS_NAND產業_20260702 | 2026-07-02 | 中高 |
| 2027e P/E 約 5.2x（盈餘上修支撐 P/E 穩定） | estimate | 報告_MS_NAND產業_20260702 | 2026-07-02 | 中高 |
| UBS 將三星列為記憶體月報 Key Call Buy（全篇覆蓋券商中唯一使用 Key Call 標籤者），維持首選地位 | analyst | 報告_UBS_記憶體月報_20260807 | 2026-08-07 | 高 |
| UBS：記憶體股平均已自 6 月高點回檔 36%，現價隱含估值已折價至低於 2012-22 平均 ROE（三星 13.9% vs 歷史均值 15.2%） | estimate | 報告_UBS_記憶體月報_20260807 | 2026-08-07 | 中高 |
| UBS HBM 位元出貨模型：三星 2026E 出貨 11,400M 1Gb（佔比 31.3%，落後 SK hynix）、2027E 出貨 22,189M 1Gb（佔比升至 40.0%），估反超 SK hynix（38.4%）成為 HBM 位元佔比最大廠商 | estimate | 報告_UBS_記憶體月報_20260807 | 2026-08-07 | 中高 |
| UBS DRAM 位元供給市占模型：三星 2026E/2027E 各 37.6%/37.4%，維持全球最大 | estimate | 報告_UBS_記憶體月報_20260807 | 2026-08-07 | 中高 |
| GS 維持三星 Buy 並列 APAC Conviction List，PT ₩500,000（潛在漲幅 90.8%） | analyst | 報告_GS_HBF高頻寬快閃記憶體_20261012 | 2026-10-12 | 高 |
| 三星尚未公布 HBF 具體細節，但已申請「zHBF」商標、發表 TSV 整合 zNAND-O 架構、另開發 zHBM | fact | 報告_GS_HBF高頻寬快閃記憶體_20261012 | 2026-10-12 | 中高 |
風險與注意事項
風險與注意事項
- 本報告未提供三星具體 PT/財測數字，待補（可回源 MS 韓國個股報告）
- MS 提醒記憶體股「變化率」仍關鍵：YoY 定價 4Q26 觸頂後，2028 供需明朗前股價可能缺乏近期循環催化劑
- 3Q26 法說（2026-10-29）：DX 部門（手機、電視）承受記憶體等零組件成本上升，MX 與網通合計營業虧損 0.6 兆韓元，2027 年仍承壓；System LSI 受手機需求疲弱拖累；匯率走弱對營業利益 QoQ 負面約 10 兆韓元；手機與 PC 記憶體需求 2027 年預期調整。
- AI capex 放緩為整個記憶體供給端的共同最大風險（vault 既有脈絡 分析_Chipflation記憶體危機_MS_20260602）
來源
- 活動_Samsung_廣發海外3Q26業績紀要_20261029 — 廣發證券（香港），2026-10-29；3Q26 業績紀要（分部數字、毛利率／淨利率、股利與回購細節）
- 活動_Samsung_3Q26法說memo_20261029 — 公司 3Q26 法說，2026-10-29；營業利益 107.4 兆韓元、HBM4 60%、2027 HBM 售罄、多年期合約、資本支出與股東回報
- video_OCP2026_Samsung_高擴展記憶體_20261015、video_OCP2026_Samsung_代理記憶體分層KVCache_20261015、報告_OCP2026_Samsung_2030推論資料中心記憶體Pod_20261015、報告_OCP2026_Samsung_SSD兩相浸沒相容性_20261015 — Samsung OCP 2026 場次，2026-10-15（兩場為影片 ASR 字幕，型號與口述數字待核）
- 報告_MS_NAND產業_20260702 — Morgan Stanley，2026-07-02；Asia Tech DRAM Top Pick
- 分析_Chipflation記憶體危機_MS_20260602 — 三雄壟斷結構與雙層市場
- 分析_記憶體估值重置_大摩閉門_20260612 — LTA 估值重置框架、bear case 目標價上調 +58%
- 分析_NAND產業週期_MS_20260702
- 報告_UBS_記憶體月報_20260807 — UBS，2026-08-07；Memory Semis Monthly，Key Call Buy，HBM 位元佔比估 2027E 反超 SK hynix、ROE 估值折價論點
- 報告_GS_HBF高頻寬快閃記憶體_20261012 — 高盛（GS），2026-10-12；HBF 脈絡下維持 Buy（APAC Conviction List）、PT ₩500,000，zNAND-O／zHBF 動向
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