基本資料
SanDisk（閃迪），美國 NAND Flash 原廠，2025 年 2 月自 Western Digital（WDC）分拆獨立掛牌（NASDAQ: SNDK）。與 Kioxia 有 NAND 晶圓製造合資關係（BiCS 技術聯盟脈絡，細節待補）。MS 2026-07-02 NAND 產業報告維持 Overweight（美國團隊 Joseph Moore，與 Micron 同段論述）：AI 為 bit 需求主要驅動、供應鏈近零庫存，預期盈餘持續上修、<10x P/E 估值有擴張空間，並預期 2027 年進行有意義的庫藏股回購。韓國 Fadu 為其關鍵 eSSD 控制晶片供應商。
核心技術／競爭優勢
- 純 NAND 原廠曝險：分拆後為美股純 NAND 標的，直接受惠 NAND 漲價週期與 AI eSSD 需求
- LTA 下檔保護：伺服器/企業需求受 LTA 定價保護，是 MS「偏好供應商甚於模組廠」邏輯的直接受惠者
- 資本回報題材：MS 預期 2027 年與 Micron 同為有意義的庫藏股回購故事
- eSSD 生態：與 Fadu 的控制晶片合作切入 hyperscaler eSSD 市場
- HBF（High-Bandwidth Flash）共同提出者：與 SK Hynix 合作提出 HBF（OCP 開放標準），GS 認為其技術領導加上透過 Kioxia 製造夥伴關係維持的低資本密集度，在 HBF 這類資源密集（TSV、混合鍵合、晶圓消耗約 3.5x）產品上特別具差異化；預期 HBF 商業樣品 CY27 開始出貨，同時傳統 NAND 核心業務受惠產品組合改善與 BiCS 進展（GS，2026-10-12）；技術細節見 技術_NAND近記憶體化_KV Cache卸載與HBF
產品與應用
| 產品 |
應用 |
說明 |
| NAND Flash 晶圓 |
eSSD、消費 SSD、嵌入式 |
與 Kioxia 合資製造（細節待補） |
| 企業級 eSSD |
CSP / 資料中心 |
Fadu 為關鍵控制晶片供應商 |
| 消費級 SSD / 記憶卡 |
PC、零售通路 |
品牌業務 |
圖片 / 架構圖
flowchart LR
JV[Kioxia–SanDisk NAND 合資製造] --> SNDK[SanDisk NAND 原廠]
FADU[Fadu eSSD 控制晶片] --> SNDK
SNDK --> CSP[CSP / 企業 eSSD（LTA）]
SNDK --> RETAIL[消費 SSD / 記憶卡通路]
圖說：依 報告_MS_NAND產業_20260702（2026-07-02），Fadu 為 SanDisk 關鍵 eSSD 控制晶片供應商；與 Kioxia 的合資製造關係本報告未展開（待補）。
在手訂單
| 時間 |
在手訂單 |
備註 |
| FY1Q27（截至 2026-10-02） |
NBMs（新型商業模式）長期供應協議 8 家（與上季同），涵蓋資料中心與邊緣客戶；加權平均合約期 4–5 年；最低合約收入 US$93.9bn，剩餘履約義務（RPO）US$88.9bn，客戶現金存款等財務擔保維持 US$16.5bn |
已預訂 FY2027 超過 50%、FY2028 超過 2/3 的位元出貨量（與上季同）；客戶需求延伸至 FY2030 以後（中信，2026-10-30）。法說補充：1Q 兩份 NBM 於上季財報前已簽成（非新增）；與最大客戶已簽第二輪；95% 的 NBM 對象為投資等級公司（合計年營運現金流約 US$130bn）；預期 2028 年比例略高於 2/3；保證金多為第三方金融機構持有的財務保證、不入資產負債表（活動_SanDisk_FY27Q1法說memo_20261029，2026-10-29）。TP 與估值假設「2030 年前獲利維持高檔」建立在此保護上 |
EPS 記錄
| 期間 |
EPS (美元，Non-GAAP，拆分前股數) |
YoY |
備註 |
| FY1Q27（截至 2026-10-02） |
49.51 |
— |
營收 US$11.03bn（QoQ +23.0%／YoY +377.9%），毛利率 85.1%（財測 83–85%），稅後淨利 US$7.62bn；EPS 高於財測 44–46 與市場預期 46.36。營收成長 QoQ 中 40% 來自價格、60% 來自位元出貨量（上季 2/3 價、1/3 量）。來源：中信投顧，2026-10-30 |
公司已宣布 1 拆 8 股票分割，11/20 起以分割後股數掛牌；本頁 EPS 與目標價皆為拆分前口徑。
EPS 預估
| 期間 |
中信投顧 EPS（2026-10-30，拆分前） |
市場共識（BBG） |
備註 |
| FY2Q27 |
57.03（前 48.64，+17.3%） |
52.72 |
公司財測 55–57 美元，中信取上緣 |
| FY2027 |
234.38（前 204.94，+14.4%） |
213.69 |
較共識高 9.7% |
| FY2028 |
300.48（前—） |
262.63 |
較共識高 14.4% |
財測假設
| 來源（日期） |
模型 / 推導鏈 |
關鍵假設 |
產出 |
| 公司財測（FY1Q27 財報，2026-10-29） |
價格溫和上漲＋位元出貨量增加 |
FY2Q27 營收 US$12.2–12.6bn（QoQ +10.6–14.2%）、毛利率 84.5–85.5%、營業費用 US$540–560mn、稅率 14.3%、EPS 55–57 美元；FY2027 全年價格預期溫和上漲；2027 年 NAND 市場仍強勁成長，資料中心預期占市場 55% 以上、位元需求年增最高 40% |
營運展望略優於市場預期（營收 12.1bn／毛利率 84.8%／EPS 52.72） |
| 中信投顧（2026-10-30） |
公司財測上緣＋NBMs 合約保護 |
FY2Q27 營收 US$12,467mn、毛利率 85.5%；FY2027／28 營收 US$51.8／67.3bn（前 47.9bn，+8.2%；共識 49.1／59.0bn）、毛利率 84.9%／83.1%、營益率 80.3%／79.3% |
FY2027／28 EPS 234.38／300.48 美元 |
| 公司法說（FY1Q27，2026-10-29） |
資料中心傾斜＋量價並進 → FY2Q27 |
營收成長 60% 來自量、40% 來自價（上季價為主）；FY2Q27 毛利率財測僅含 modest like-for-like 漲價，全年價格溫和上升；CY27 位元需求 +40%（CY26 逾翻倍）、資料中心占市場逾 55%；位元成長指引維持 mid-to-high teens，不加速 BiCS 轉換；晶圓週期約 120 天，短期無法調整 TLC／QLC／SLC 配比；3 月季（FY3Q27）歷來最弱（上年同季位元 QoQ −19%），建議保守看 QoQ |
不給 FY3Q27 指引；見 活動_SanDisk_FY27Q1法說memo_20261029 |
| 公司口徑產品結構（FY1Q27） |
產能向資料中心傾斜 |
Datacenter 營收 US$4.80bn（QoQ +61%，占 43.5%，TLC：QLC 約 70：30）、Edge US$5.84bn（占 52.9%，汽車與 IoT 高階需求強、低階萎縮）、Consumer US$397mn（QoQ -29%，連三季下滑，占 3.6%，市場適應高價）；FY2027 資本支出主要支持 BiCS8 技術投資，FY1Q27 公司口述毛資本支出 US$378mn（占營收 3.4%；中信記 US$202mn，口徑待核對），FY2027 全年預期升至營收 mid-single-digit %，投向 BiCS／HBF 技術路線 |
— |
目標價與評等
| 券商 |
報告發布日 |
評等 |
目標價 |
評價基礎 |
來源 |
| 廣發香港（GFHK） |
2026-11-05 |
Hold（轉移覆蓋） |
US$1,310 |
4x CY27 BVPS 327（約 4.4x／4.2x CY27／28E PE），潛在上行約 21%；FY27E／28E 營收 US$51-52／64bn、EPS 242／324；資料中心占出貨約 45%（F1Q27），NAND 需求分化、消費疲弱；8 份 NBM 現金保證金 US$16.5bn |
報告_廣發香港_記憶體產業_20261105 |
| Morgan Stanley |
2026-07-02 |
Overweight（維持） |
待補（本報告未載明 PT 數字） |
<10x P/E、盈餘上修、2027 買回題材、durable memory cycle |
報告_MS_NAND產業_20260702 |
| 中信投顧 |
2026-10-30 |
買進（維持） |
US$1,875（自 US$1,640 上修，+14.3%；拆分前股數） |
FY2027E PER 8 倍；前日收盤 US$1,330.1，潛在漲幅 41%；財報與展望優於預期、NBMs 保護至 2030 年獲利維持高檔 |
報告_CTBC_SanDisk_20261030 |
| Goldman Sachs |
2026-10-12 |
Buy（維持，GS 稱 continue to favor） |
US$2,200（現價 US$1,607，2026-10-09；潛在漲幅 36.9%）；前次 PT 本報告未載 |
HBF 技術領導、低資本密集度（Kioxia 製造夥伴）、傳統 NAND 產品組合改善；估值方法本報告未載明 |
報告_GS_HBF高頻寬快閃記憶體_20261012 |
Andrew（賣方）通路訪查（2026-07-04）美股 top picks 名單列入 SanDisk（與 BE、SK Hynix、STX、VSH 並列），屬券商推薦名單而非財測/評等變化，未附目標價或具體論述；與同表 MS Overweight 方向一致。來源：memo_AI半導體硬體_Andrew通路訪查_20260704。
關鍵 Claim
風險與注意事項
風險與注意事項
- 中信（2026-10-30）列示風險：2027 年 NAND 供不應求狀況反轉、報價走弱；FY2027 目標價僅用 8 倍 PER，反映獲利高度週期性
- 本報告未提供 SanDisk 具體 PT/財測數字，待補（可回源 MS 美國個股報告）
- 純 NAND 曝險：NAND 漲價遇客戶抗性（MS 通路查證：客戶願為 DRAM 付價保供、NAND 有 push back）意味上行不如 DRAM 順
- 2028 年 YMTC 擴產情境若成真，純 NAND 標的估值敏感度最高（見 分析_NAND產業週期_MS_20260702）
- 最大共同風險：AI capex 放緩
- 3 月季（FY3Q27）為季節性最弱季，管理層建議保守看 QoQ；公司不提供資料中心市占或產品組合目標，也未揭露 HBF 與 SLC 的規模
- HBF 仍屬早期：頻寬（HBM4E 高約 50%）、寫入與讀寫比、耐久／散熱與成本（約為傳統 NAND 3-4 倍）皆為採用障礙（GS，2026-10-12）
時間軸
| 時間 |
事件 |
類型 |
重要性 |
備註 |
| FY2027 |
HBF 首顆記憶體晶粒已完成 tape-out、製造進行中；base die（控制器）尚待 tape-out；預計 CY27 送樣，HBF 未納入 Investor Day 長期財務模型，TAM 待客戶實測後再說明 |
產品 roadmap |
⭐⭐ |
公司法說 2026-10-29（活動_SanDisk_FY27Q1法說memo_20261029）；與 GS 預期 CY27 商業樣品出貨方向一致 |
| FY2027 以後 |
BiCS8 為主力、BiCS9 開始少量放量、BiCS10（1Tb TLC／2Tb QLC，讀寫頻寬為 BiCS8 的 2 倍）「還有一段距離」 |
製程 roadmap |
⭐⭐ |
公司法說 2026-10-29 |
| CY27 |
HBF（與 SK Hynix 共同提出）商業樣品開始出貨 |
產品 roadmap |
⭐⭐⭐ |
GS 預期，價格尚未公布；多頭情境 HBF 於 4Q28 占 SanDisk 出貨約 14%（假設 SanDisk 100% 市占之示意值，GS 2026-10-12）；跨公司見 時程_2026_記憶體循環 |