力積電 (6770 TT) 2026 年第三季線上法人說明會 Call Memo 20261021
※重點摘要 1. 3Q26 營收 213 億元（QoQ +23%、美元計 +22%），ASP 約 +24%；毛利 102 億元、毛利率 48%（2Q26 28%，毛利增加 53 億元）；稅後淨利 65 億元、淨利率 30%（2Q26 33 億元、19%）；EPS 1.38 元（9M26 累計 5.42 元）。 2. 9M26 營收 522 億元，毛利率 31%，淨利逾 240 億元；3Q26 現金約 760–770 億元，總資產逾 2,000 億元。 3. 4Q26 整體營收預期雙位數成長；2027 年營收與獲利持樂觀看法；2027 年成熟製程代工價格目標再調升 10–20%。 4. 3D AI Foundry 3Q26 占營收降至 1.4%（2Q26 5.4%），主因銅鑼廠設備搬遷停產與分母放大；4Q26 起逐步復原，2027 年每季成長；PWF 驗證至 2028 完成後加入營收。 5. 無塵室已用罄，正評估台灣、新加坡、日本新廠或收購舊廠，目標 2028 年後接上成長，並希望 3–5 年內取得 2–4 萬片小廠。
※3Q26 財務 1. 營收 213 億元，QoQ +23%（美元計 +22%），ASP 約 +24%；9M26 營收 522 億元。 2. 毛利 102 億元、毛利率 48%，QoQ +20 個百分點；9M26 毛利率 31%。 3. 稅後淨利 65 億元、淨利率 30%；2Q26 為 33 億元、19%；9M26 淨利逾 240 億元。 4. 利多為 ASP 上升，不利為所得稅增加與移機費用。 5. 營業利益 78.3 億元、稅前淨利 81.4 億元、稅後淨利 65.0 億元，EPS 1.38 元；增資後已發行股數約 47.1 億股。 6. 9M26 營收 522.1 億元、營業利益 257.4 億元、稅後淨利 240.2 億元，累計 EPS 5.42 元。 7. 晶圓出貨 416 萬片，略低於 2Q26 [數字存疑：疑為 41.6 萬片]，主因銅鑼廠搬遷交接美光、產能略降。 8. 營業費用略增：銅鑼廠停產後費用由銷貨成本轉列營業費用，3Q26 每月約 2.2 億元、合計約 6.6 億元，預計 2Q27 降至零。 9. 3Q26 認列美光技術服務收入約 10 億元，對應移機費用約 10 億元，兩者相抵；移機費用高峰在 3Q26 及 1Q27，技術服務合約總額約 65 億元，增額預計不超過 20 億元。 10. 1Q26 美光交易認列廠房處分約 200 億元，扣除設備減損後獲利約 150 億元。 11. 2027 年折舊預估約 90–95 億元，因銅鑼廠處分較去年微降。 12. 營業費用未來增加主要來自獲利成長帶動分紅與酬勞。 13. 無庫藏股買回計畫。 14. 資本支出 2026 年約 4.13 億美元，用於新竹廠區改裝與設備汰換；未來 2–3 年集中於美光 PWF 產線與 1P 製程，金額有限。
※產品組合與區域 1. 30 奈米以下以記憶體為主；邏輯集中於 0.18 與 0.25 微米 8 吋製程。 2. DRAM 營收中 30 奈米以下占 57% 以上，加 63 奈米車用 DRAM 超過 60%；記憶體（DRAM 與 Flash）約占 63%。 3. PMIC 比重因分母放大略降；3D AI Foundry 5.4% → 1.4%。 4. 區域：歐美比重提升，主要來自 PMIC、車用與 12 吋邏輯代工；DRAM 主要銷往台灣與亞洲。
※記憶體代工 1. HBM 持續消耗先進製程產能，供需失衡；大廠轉進 HBM 並退出利基型 DRAM，公司預估利基型 DRAM 代工價格維持高檔。 2. DDR3 因拆板貨供應，3Q26 現貨價小幅走弱，公司認為屬短期；DDR4 以上持平，無明顯變化。 3. 公司將成為全球唯一持續代工傳統 DRAM 的廠商；38、25、20 奈米預期仍有 10–15 年需求；63 奈米仍有多款產品生產。 4. 與美光合作的 DRAM 1P 製程：PDK 2026 年底完成，新機台 2027 年 1Q 到位，2Q 進入市場；P3 廠建置 1P DRAM 產線。 5. Flash：三星、鎧俠逐步退出 MLC，MLC 嚴重短缺，消費性廠商轉 SLC NAND；SLC NAND 代工平台推進到 24 奈米，4GB 等大容量需求擴大；與客戶合作開發 MLC NAND，預計 2026 年底推出新品。 6. NoFlash：AI 伺服器 content per box 為傳統伺服器 3–5 倍，256MB 以上大容量供不應求；公司為中國以外唯一 NoFlash 代工業者。 7. NOR Flash 已布局 48 奈米，打入消費性、PC 與伺服器 BIOS，之後拓展車用；需終端客戶驗證，耗時較長。 8. 記憶體 LTA 仍在與客戶協商：2027 年 1P 導入、空間有限、舊產線轉換，產能分配尚未明確，不急於簽約；LTA 可能邀客戶共同投資，尚無定論。 9. 產業看法：2027 年供給仍未跟上，新廠擴建僅美光新廠開始投產，2028 年擴建較多；需求面無結構性改變，整體偏樂觀。 10. 記憶體代工產出 ASP 較投片 ASP 落後約 30%；循環時間邏輯約 2–3 個月、記憶體約 4 個月，4Q26 價格與出貨價格將更高。
※邏輯代工 1. 產能仍短缺；3Q26 8 吋與 12 吋邏輯代工價格調升約 10–15%，未簽年度合約客戶平均調升約 8–10%。 2. 2027 年成熟製程代工價格目標再調升 10–20%，與客戶協商並以 LTA 綁定 2027 年價量，產能優先分配給 LTA 客戶。 3. PMIC：由 0.15 微米切入 55 奈米 BCD，用於 AI 伺服器並已量產；客戶要求保留 3 年供貨保障。 4. 手機：記憶體短缺與終端漲價下，2026 年手機出貨預計下降 20%，但手機大廠對 2027 年 PMIC 產能需求仍積極；IC 庫存預期調整至較健康水位。 5. MOSFET 與 IGBT：2027 年約 80% 產能已簽 LTA。 6. GaN：已小量投產，主力客戶推廣仍需時間，貢獻時機未成熟。 7. 車用 TDDI：海外外銷成長帶動車用觸控面板 IC，面板廠多次來廠催貨，交期延長未改善。 8. 營運策略：趁牛市最大化產出，不再強調 Open Foundry 模式，簡化製程平台、提高設備利用率，持續檢討低毛利且無成長性的接單。
※3D AI Foundry 1. IPD：AI 與 HPC 晶片不可或缺，能見度延伸至 2028 年；8 吋與 12 吋均已量產、產能持續擴大；電容密度 12 吋現為 2,300nF，2027 年導入 4,500nF 新品；8 吋為約 10nF 低容值，用於通訊模組與 PCIe。 2. IPD 產能：12 吋高容值由 DRAM capacitor 製程生產，目前規劃約 8,000–10,000 片，董事長稱最多約 1 萬片為目前限制，超過將犧牲 DRAM 代工產能；2027 年下半年後月需求約 3–5 萬片；低容值 8 吋約 3,500 片 [待核對：原句語意錯置]。 3. 深溝槽（deep trench）技術原在 8 吋開發，部分移至 12 吋，目標 2,000nF/mm²；DRAM capacitor 2027 年目標超過 4,000–4,500nF/mm²。 4. 對 EMIB 雜訊：未聽聞 EMIB 有下修，涉及客戶不評論。 5. Interposer：2025 年進入穩定量產並與國際 OSAT 接軌；產線由銅鑼廠移至新竹廠，中間有 1–2 季干擾，目前已復線爬坡，預計年底恢復滿載水準。 6. Wafer-on-Wafer：由 Microbump 轉向 Hybrid bump 為趨勢，已打入國際大廠新品；產線已移至新竹廠並小量試產，2027 上半年正式量產。 7. PWF：與美光密切合作，2026 年底完成試產線設置，2027 年第四季量產，一切依計畫；預計 2028 年驗證完成後加入營收成長。 8. PWF 落於 P1、P2 廠；客戶出資模式：設備由美光全額預付，未來 DRAM Wafer-on-Wafer 等新產線也希望客戶以租賃或預付方式出資 30–60%。 9. 3D AI Foundry 自 4Q26 起逐步恢復營收動能，2027 年每季持續成長。
※產能與擴廠 1. 銅鑼廠預計 2027 年 1Q 完成交接給美光；設備搬回 P1、P2、P3 並汰換老舊機台。 2. 無塵室已全數使用；待 P5 機台搬回並於 P1、P2 局部擴充後定案。 3. 新廠：在台灣、新加坡、日本調研，聚焦 3D AI Foundry，與策略客戶共同評估投資；時程為 2028 年之後，亦不排除購買舊廠，地點、規模、時間尚無法回答。 4. 董事長：期望 3–5 年內取得另一座約 2–4 萬片小廠；新產能可能是下一波景氣下行後才開出。 5. 新廠擴充將以 IPD、Interposer 等 3D AI 產品為主，不全做記憶體，因這類產品較有機會吸引客戶共同投資。 6. 印度 Tata：非合資，公司提供建廠顧問服務並收取技轉費，今年底前將收到約 27%。 7. 利基：NVIDIA GaN 進度不便透露；8 吋光通訊矽電容客戶多為中國大陸。