基本資料
聯亞光電（LandMark Optoelectronics）是專業磊晶廠（epi-house），以 MOCVD 生產 技術_InP磷化銦 / GaAs 磊晶片。野村本報告在 InP-Based Lasers 受益廠名單中列入 Landmark，代表其是 InP 光通訊材料升級的受益者之一；但報告僅列名，未提供公司層級財務預估或目標價。
- 主要產品 / 服務：InP / GaAs 磊晶片
- 應用場景：LD、PD 等 技術_光通雷射元件 基礎材料，AI 帶動 800G / 1.6T 高速光模組雷射光源需求
- 供應鏈位置：InP 供應鏈上游磊晶
- 資料來源：野村《Greater China Semi: A Guide to Semi Renaissance in 2026-30F》InP-Based Lasers 受益廠名單；使用者提供查證資料
核心技術／競爭優勢
- 專業 epi-house 定位：專注 InP / GaAs 磊晶片，位於光通訊元件材料上游。
- MOCVD 生產能力：InP 磊晶片製造需 MOCVD 製程與長期參數調校，技術門檻高。
- 全球光通訊 InP 磊晶指標廠：磊晶片是 LD / PD 等光通訊元件基礎，受 AI 資料中心高速光模組升級帶動。
- 上游磊晶受惠順序：野村預期 InP epi wafer、InP substrate 與 photonics SOI 是光通訊關鍵材料，上游材料供需變化會先影響磊晶廠。
產品與應用
| 產品 / 服務 | 應用 | 供應鏈位置 |
|---|---|---|
| InP 磊晶片 | EML、CW laser、PD 等光通訊元件 | 上游磊晶 |
| GaAs 磊晶片 | 化合物半導體與光電元件 | 上游磊晶 |
圖片 / 架構圖
flowchart LR
A[InP基板] --> B[3081_聯亞光電（櫃）]
B --> C[InP/GaAs磊晶片]
C --> D[[技術_光通雷射元件]]
D --> E[800G/1.6T光模組]
E --> F[AI資料中心]
圖說：聯亞光電位於 InP 上游磊晶環節，磊晶片是 LD / PD 等光通訊元件的基礎。
圖說：Goldman Sachs 對聯亞光電評等與目標價歷史圖，2023-2026；藍色方塊標示歷次目標價自 434 逐步上調，維持 Buy 評等，最新目標價已上調至 NT$4,401。來源：報告_GS_聯亞光電3081_20260813，2026-08-13。
圖說：聯亞光電（3081.TWO）12 個月遠期本益比走勢，2026 年初起大幅攀升至近 200x。來源：報告_GS_聯亞光電3081_20260813，2026-08-13。
月營收追蹤
| 月份 | 營收 | MoM | YoY | 備註（歸因／來源） |
|---|---|---|---|---|
| 2026-04 | NT$395m | +15% | +115% | 實際優於 GS 估 14%（GS 2026-07-28） |
| 2026-05 | NT$405m | +3% | +119% | 實際優於 GS 估 12%（GS 2026-07-28）；與既有記錄「5 月營收 4.05 億元創歷史新高」一致 |
| 2026-06 | NT$421m | +4% | +128% | 實際優於 GS 估 1%；2Q26 合計 NT$1.2bn（QoQ +35%／YoY +121%），反映 800G/1.6T SiPh 光模組需求強勁、InP 基板供應改善、產能擴張（GS 2026-07-28） |
| 2026-07 | NT$501m | +19% | +177% | 實際優於 GS 前估 14%；800G/1.6T SiPh 需求強勁、InP 基板供應改善、產能擴張持續（GS 2026-08-13） |
| 2026-08E | NT$506m | +1% | +173% | GS 預估（2026-08-13，原估 464m 上修） |
| 2026-09E | NT$505m | +0% | +171% | GS 預估（2026-08-13，原估 498m 上修） |
| 2026-10E | NT$520m | +3% | +158% | GS 預估（2026-08-13） |
EPS 記錄
只放實績（A）。
| 季度 | EPS (元) | 備註 |
|---|---|---|
| 2Q26 | 4.60 | GM 57.5%（1Q26 54.8%／2Q25 43.3%），NI +384% YoY 至 NT$468m，優於 GS 估 9%／Bloomberg consensus 21%（GS 2026-08-13） |
| 1Q26 | 3.12 | NI +651% YoY |
| 4Q25 | 1.87 | |
| 3Q25 | 0.97 | |
| 2Q25 | 0.95 | |
| 1Q25 | 0.42 | NI +20% YoY |
| 2025 全年 | 4.21 |
EPS 預估
| 年度 / 季度 | 元大 EPS（報告日：2026-07-02） | GS EPS（報告日：2026-08-13） | 備註 |
|---|---|---|---|
| 3Q26F | — | 4.74 | GS 3Q26 展望，QoQ +3%／YoY +388% |
| 4Q26F | — | 5.25 | GS 4Q26 展望 |
| 2026F | 18.90 | 17.72（原 17.06，上修 3.9%） | 元大 YoY +308%；GS 反映 2Q26 優於預期＋SiPh CW laser 需求＋7 月營收優於前估 14%，兩者相差約 6% |
| 2027F | 41.05 | 35.38（原 35.10，持平） | 元大：矽光應用占比提升為核心驅動；GS 大致維持，兩者相差約 16% |
| 2028F | — | 58.06（原 57.71，持平） | GS 揭露，YoY +64% |
| 2029F | — | 87.47（原 86.26，上修 1.4%） | GS 揭露，YoY +49% |
5 月營收 4.05 億元創歷史新高（YoY +118.8%），5 月 EPS 1.64 元。1Q26 營收組成：Datacom 80-85%、Telecom 5-10%、Others 5%；矽光應用占比預估 2024 → 2027F 為 33% → 62% → 85% → 90%（GS 2026-07-28 估算 2025E/2026E/2027E 矽光營收貢獻為 70%/87%/93%，2028E 起達 96%，兩份報告數字口徑略有差異，並列保留）。
財測假設
| 來源（日期） | 模型 / 推導鏈 | 關鍵假設 | 產出 |
|---|---|---|---|
| Goldman Sachs（2026-07-28） | 6 月營收 + CW laser 需求優於預期 → 2026E 營收/獲利小幅上修，2027-29E 大致維持 | 6 月營收 NT$421m（+128% YoY，優於 GSe 1%）；7-9 月預估 MoM +5%/5%/7% 至 442/464/498m；矽光（SiPh）營收貢獻 2025E 70% → 2029E 96% | 2026E 營收上修 1% 至 NT$5,047m（原 4,992m）；EPS 2026E NT$17.06（原 16.81，+1%）；2027-29E EPS 大致不變（35.10/57.71/86.26） |
| Goldman Sachs（2026-07-28） | Discounted P/E：61.0x 目標倍數 × 2029E EPS，貼現至 2027E | COE 10.5%（beta 1.7x、無風險利率 1.6%、風險溢酬 5.1%）；61.0x 源自光通訊同業 PEG&M 比率（同業：Mitac／HG Tech／Shennan 平均 34x，PEG&M 0.62） | TP NT$4,307.00（前次 NT$4,307.27，實質持平）；隱含 2028E P/E 75x（介於同業均值 56x 與 +1SD 82x 之間） |
| Goldman Sachs（2026-08-13） | 2Q26 實績＋7 月營收優於預期 → 2026-29E 盈餘上修 | 2Q26 GM 57.5%（優於 GS 估 2.6ppt／優於 Bloomberg 估 1.7ppt）；7 月營收 NT$501m（YoY +177%／MoM +19%，優於 GS 前估 14%）；Aug/Sep 2026E YoY +173%/171% 至 NT$506m/505m，3Q26E 營收 QoQ +24% 至 NT$1,512m | 2026-29E 營收上修 2%/1%/1%/1%；淨利上修 5%/1%/1%/1%；GM 上修 0.2-1.3ppt；2026E EPS 上修至 17.72（原 17.06） |
| Goldman Sachs（2026-08-13） | Discounted P/E：61.5x（原 61.0x）目標倍數 × 2029E EPS，貼現至 2027E | COE 10.5%（beta 1.7x、無風險利率 1.6%、風險溢酬 5.1%，未變）；61.5x 源自同業 PEG&M 比率（Mitac／HG Tech／Shennan 均值 0.62，未變） | TP NT$4,401.00（原 NT$4,307.00，+2.2%）；隱含 2028E P/E 76x（介於同業均值 56x 與 +1SD 82x 之間） |
目標價與評等
| 券商 | 報告發布日 | 評等 | 目標價 | 評價基礎 | 來源 |
|---|---|---|---|---|---|
| 元大 | 2026-07-02 | 買進（持有 / 超越同業 → 買進） | NT$2,650（NT$3,400 → NT$2,650） | 改採 2027 EPS × 65 倍（前 85 倍）；收盤 NT$1,940 隱含 +36.6% | 報告_元大_3081聯亞_20260702 |
| Goldman Sachs | 2026-07-28 | Buy（維持） | NT$4,307.00（前次 NT$4,307.27，實質持平） | Discounted P/E：61.0x 2029E EPS，貼現至 2027E，COE 10.5%；當時股價 NT$1,805.00 | 報告_GS_聯亞光電3081_20260728 |
| Goldman Sachs | 2026-08-11 | Buy（重申，未提供 TP） | — | 光通訊政策風險主題報告，對「China optical coverage」名單（FOCI／RoboTechnik／Landmark／Eoptolink／VPEC）全數維持 Buy，未附新目標價 | 報告_GS_光通訊_20260811 |
| Goldman Sachs | 2026-08-13 | Buy（維持） | NT$4,401.00（NT$4,307.00 → NT$4,401.00） | Discounted P/E：61.5x（原 61.0x）2029E EPS，貼現至 2027E，COE 10.5%；當時股價 NT$2,725.00，隱含漲幅 61.5% | 報告_GS_聯亞光電3081_20260813 |
目標價與 EPS 估值分歧
GS 目標價 NT$4,401（原 NT$4,307）遠高於元大 NT$2,650（+66%），估值方法不同（GS：61.5x 2029E EPS discounted P/E；元大：65x 2027E EPS）為主因；2026-27F EPS 元大亦較 GS 高約 6-16%（2026F 18.90 vs 17.72；2027F 41.05 vs 35.38）。兩者評等皆為 Buy/買進方向一致，僅目標價與估值基礎差異大，並列保留。
GS「中國光通訊覆蓋」名單含聯亞，是覆蓋團隊標籤不是產地判定
報告_GS_光通訊_20260811 討論美國擬限制中國製光模組進口的政策風險，GS 對其 China optical coverage 名單五家全數維持 Buy，聯亞（Landmark，3081.TWO）在列。該名單 5 家中 3 家為台股掛牌（上詮 3363.TWO／聯亞 3081.TWO／全新 2455.TW），另兩家 RoboTechnik 300757.SZ、Eoptolink 300502.SZ 為中國掛牌，故此標籤指的是 GS 大中華區覆蓋團隊的範圍，不是產地或中資判定。若政策以「中國製造」為準繩，產能在台灣的聯亞可能反而是轉單受惠方；實際方向須看產地占比，本報告未揭露。完整分析見 分析_美國中國光模組進口限制_政策風險三大爭論_GS_20260811。
成長動能／催化劑
CW Laser 供應商地位
- 定錨 2026 年中講座（2026-06-12）確認，聯亞光電為台廠 CW Laser 供應商，受惠 SiPh CPO 需求擴張及 Lumentum / Coherent 產能緊缺轉單。
- OFC2026（定錨確認）：EML 供給緊至 2027；CW Laser 需求同步強勁，台廠聯亞 / 環宇 / 全新為補充供應。
- 聯亞光電 CW Laser 在客戶認證環節較聯亞 / 全新三者中進度具競爭力，量產放量規劃 2027H1。
- 元大 2026-07-02 指出，相較傳統 EML 雷射，CW Laser 擴廠更快，適用 2 公里以下（機櫃內、資料中心內部與資料中心間）傳輸，採用 CW Laser 的客戶增加。InP 基板供需吃緊，AXT 美國公司產能在中國具出口文件審核不確定性，過關量約用至 2Q26；聯亞與 Sumitomo 五年 InP 基板合約有助料源穩定。
產能與 MOCVD
- 2027 年底產能較 2026 年底增加 100%；已自 AIXTRON 採購 8.37 億元 MOCVD。
- 董事會 2026/6 再通過 30.09 億元資本支出，包含 MOCVD 與替代 E-Beam 的第二種微影製程設備；第二種微影已獲美系客戶認證，第三種微影技術則布局 2028 量產。
- 全球 800G 以上光收發模組 2025/26/27 出貨量估 2,500 萬 / 5,500 萬 / 1.05 億個，年增 +120% / +91%。
- GS（2026-08-13）：管理層目標 2027/28E 產能三位數 YoY 成長，由 InP Epi-Wafer 與 CW laser 雙軌擴產支撐，與 6 月已取得的 AIXTRON 設備（NT$837m，金額與前次揭露一致）呼應。
時間軸
| 時間 | 事件 | 類型 | 信心 | 備註 |
|---|---|---|---|---|
| 2026-06-12 | CW Laser 供應商地位確認 | 供應鏈認證 | ⭐⭐ | 定錨 2026 年中講座；OFC2026 觀察 |
| 2026/6 | 董事會通過 30.09 億元資本支出 | 擴產 | ⭐⭐⭐ | MOCVD + 第二種微影製程設備 |
| 2027H1 | CW Laser 量產放量規劃 | 放量 | ⭐⭐ | 定錨 2026 年中講座 |
| 2027 底 | 產能較 2026 底增加 100% | 擴產 | ⭐⭐⭐ | CW Laser / 矽光需求帶動 |
| 2027-2028 | 產能規劃三位數 YoY 成長 | 擴產 | ⭐⭐⭐ | 管理層目標，InP Epi-Wafer／CW laser 雙軌擴產支撐（GS，2026-08-13） |
| 2026-07-28 | GS 重申 Buy，TP NT$4,307.00 維持 | 評等 | ⭐⭐ | 6 月營收優於估 1%；2026-28E 獲利小幅上修 |
供應鏈位置
- 所屬供應鏈：供應鏈_光通訊
- 相關技術：技術_GaAs砷化鎵、技術_InP磷化銦、技術_SiPh、技術_光通雷射元件
- InP 角色：上游磊晶
- CW Laser 角色：定錨 2026 年中講座確認為台廠 CW Laser 供應商，對應 SiPh / CPO 外部光源需求；Lumentum / Coherent 產能緊缺時具補充供應機會。
光互連 / 上游卡位（2026-05-25）
聯亞光電是 AI 光互連上游 III-V epiwafer 卡位廠，產品橫跨 Telecom DFB / EML / APD / FP / PIN，以及資料中心 DFB、高功率 CW laser 與 SiPh epiwafer。新一輪 CPO / NPO / 外部雷射架構把瓶頸從收發器外殼推回 InP 基板、外延良率、CW-LD 高功率可靠性與客戶認證。
| 項目 | 觀察重點 |
|---|---|
| 製造據點 | 台南南科兩據點，客戶與廠區集中度需追蹤 |
| FY25 | 營收 22.03 億元、YoY +82%，毛利率 43%，4Q25 毛利率 49% |
| 產品卡位 | EML / DFB / APD / PIN 與 SiPh / CPO 所需 CW-LD epiwafer |
| 投資屬性 | 高 Beta，上游良率與客戶認證一旦通過，毛利槓桿大 |
風險
客戶、終端應用與廠區集中度偏高；若 CPO 導入延後、CW-LD 規格轉向或海外 IDM 垂直整合加速，訂單能見度可能波動。
相關公司
- 2455_全新（市）、3105_穩懋（櫃）：台灣 III-V / 化合物半導體上游對照。
- COHR.US(coherent)、LITE.US(lumentum)：海外 InP / 雷射 / 光通訊 IDM 對照。
- NVDA.US(nvidia)：CPO / SiPh ecosystem 平台商需求來源。
- 4971_IET-KY（櫃）、4991_環宇-KY（市）、8086_宏捷科（櫃）：InP / GaAs / 化合物半導體供應鏈對照。
- 4979_華星光（櫃）：下游光通訊封裝與收發模組供應鏈對照。
- Sumitomo：InP 基板長約供應商；聯亞與 Sumitomo 五年合約降低料源風險。
風險與注意事項
- 報告只列名為 InP 受益廠，未提供公司層級估值或財務數字。
- MOCVD 設備 lead time、InP substrate 供給與客戶認證節奏會影響放量速度。
- 若中國供應商在 2028-30F 積極擴產，InP epi wafer 供需可能由緊轉鬆。
來源
- 260521_nmr_semi-renaissance，野村，2026-05-21
- 技術_InP磷化銦
- 技術_SiPh
- 技術_光通雷射元件
- 分析_AI光互連百億美元押注_20260525
- 定錨_2026年中產業趨勢講座_MEMO(4) — 定錨 2026 年中講座，2026-06-12；CW Laser 供應 / OFC2026 觀察
- 報告_元大_3081聯亞_20260702 — 元大，2026-07-02；升評買進，TP NT$2,650，EPS 2026F / 2027F 為 NT$18.90 / 41.05，CW Laser 與產能擴張
- 報告_GS_聯亞光電3081_20260728 — Goldman Sachs（Allen Chang／Verena Jeng／Ting Song），2026-07-28；重申 Buy，TP NT$4,307.00（實質維持）；6 月營收 NT$421m（+128% YoY，優於估 1%）、2Q26 合計 NT$1.2bn（QoQ+35%/YoY+121%）；Aixtron 設備採購 NT$837m + 董事會核准追加 NT$3bn 資本支出；2026-28E EPS 17.06/35.10/57.71
- 報告_GS_光通訊_20260811 — Goldman Sachs，2026-08-11；美國對中國製光模組進口限制的政策風險三大爭論，對含聯亞在內的 China optical coverage 名單全數重申 Buy（未附新 TP）
- 報告_GS_聯亞光電3081_20260813 — Goldman Sachs（Allen Chang／Verena Jeng／Ting Song），2026-08-13；重申 Buy，TP NT$4,307.00 → NT$4,401.00；2Q26 NI +384% YoY 優於估、7 月營收 +177% YoY 優於前估 14%；2026-29E EPS 上修 0.6-3.9%