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聯亞光電

3081 上櫃 更新 2026-07-03

化合物半導體磊晶

基本資料

聯亞光電(LandMark Optoelectronics)是專業磊晶廠(epi-house),以 MOCVD 生產 技術_InP磷化銦 / GaAs 磊晶片。野村本報告在 InP-Based Lasers 受益廠名單中列入 Landmark,代表其是 InP 光通訊材料升級的受益者之一;但報告僅列名,未提供公司層級財務預估或目標價。

  • 主要產品 / 服務:InP / GaAs 磊晶片
  • 應用場景:LD、PD 等 技術_光通雷射元件 基礎材料,AI 帶動 800G / 1.6T 高速光模組雷射光源需求
  • 供應鏈位置:InP 供應鏈上游磊晶
  • 資料來源:野村《Greater China Semi: A Guide to Semi Renaissance in 2026-30F》InP-Based Lasers 受益廠名單;使用者提供查證資料

核心技術/競爭優勢

  • 專業 epi-house 定位:專注 InP / GaAs 磊晶片,位於光通訊元件材料上游。
  • MOCVD 生產能力:InP 磊晶片製造需 MOCVD 製程與長期參數調校,技術門檻高。
  • 全球光通訊 InP 磊晶指標廠:磊晶片是 LD / PD 等光通訊元件基礎,受 AI 資料中心高速光模組升級帶動。
  • 上游磊晶受惠順序:野村預期 InP epi wafer、InP substrate 與 photonics SOI 是光通訊關鍵材料,上游材料供需變化會先影響磊晶廠。

產品與應用

產品 / 服務 應用 供應鏈位置
InP 磊晶片 EML、CW laser、PD 等光通訊元件 上游磊晶
GaAs 磊晶片 化合物半導體與光電元件 上游磊晶

圖片 / 架構圖

flowchart LR
  A[InP基板] --> B[3081_聯亞光電(櫃)]
  B --> C[InP/GaAs磊晶片]
  C --> D[[技術_光通雷射元件]]
  D --> E[800G/1.6T光模組]
  E --> F[AI資料中心]

圖說:聯亞光電位於 InP 上游磊晶環節,磊晶片是 LD / PD 等光通訊元件的基礎。

EPS 預估

年度 / 季度 元大 EPS(報告日:2026-07-02) 備註
2Q26F 4.63 上修 20%,年增 342%
2026F 18.90 YoY +308%,上修 4%
2027F 41.05 YoY +117%,上修 2%;矽光應用占比提升為核心驅動

5 月營收 4.05 億元創歷史新高(YoY +118.8%),5 月 EPS 1.64 元。1Q26 營收組成:Datacom 80-85%、Telecom 5-10%、Others 5%;矽光應用占比預估 2024 → 2027F 為 33% → 62% → 85% → 90%。

目標價與評等

券商 報告發布日 評等 目標價 評價基礎 來源
元大 2026-07-02 買進(持有 / 超越同業 → 買進) NT$2,650(NT$3,400 → NT$2,650) 改採 2027 EPS × 65 倍(前 85 倍);收盤 NT$1,940 隱含 +36.6% 報告_元大_3081聯亞_20260702

成長動能/催化劑

CW Laser 供應商地位

  • 定錨 2026 年中講座(2026-06-12)確認,聯亞光電為台廠 CW Laser 供應商,受惠 SiPh CPO 需求擴張及 Lumentum / Coherent 產能緊缺轉單。
  • OFC2026(定錨確認):EML 供給緊至 2027;CW Laser 需求同步強勁,台廠聯亞 / 環宇 / 全新為補充供應。
  • 聯亞光電 CW Laser 在客戶認證環節較聯亞 / 全新三者中進度具競爭力,量產放量規劃 2027H1。
  • 元大 2026-07-02 指出,相較傳統 EML 雷射,CW Laser 擴廠更快,適用 2 公里以下(機櫃內、資料中心內部與資料中心間)傳輸,採用 CW Laser 的客戶增加。InP 基板供需吃緊,AXT 美國公司產能在中國具出口文件審核不確定性,過關量約用至 2Q26;聯亞與 Sumitomo 五年 InP 基板合約有助料源穩定。

產能與 MOCVD

  • 2027 年底產能較 2026 年底增加 100%;已自 AIXTRON 採購 8.37 億元 MOCVD。
  • 董事會 2026/6 再通過 30.09 億元資本支出,包含 MOCVD 與替代 E-Beam 的第二種微影製程設備;第二種微影已獲美系客戶認證,第三種微影技術則布局 2028 量產。
  • 全球 800G 以上光收發模組 2025/26/27 出貨量估 2,500 萬 / 5,500 萬 / 1.05 億個,年增 +120% / +91%。

時間軸

時間 事件 類型 信心 備註
2025-27F 光收發器與 CPO 需求推升 InP epi wafer 供需 ⭐⭐ 野村預期上游材料需求快速成長
2026F 起 InP-Based Lasers 列為 CAGR >20% 技術主題 產業成長 ⭐⭐ Landmark 列入主要受益廠名單
2026-06-12 CW Laser 供應商地位確認 供應鏈認證 ⭐⭐ 定錨 2026 年中講座;OFC2026 觀察
2026-07-02 元大升評持有 / 超越同業 → 買進,TP NT$3,400 → NT$2,650 評等升級 ⭐⭐⭐ 改採 2027 EPS × 65 倍,收盤價隱含 +36.6%
2026/6 董事會通過 30.09 億元資本支出 擴產 ⭐⭐⭐ MOCVD + 第二種微影製程設備
2027F 1.6T 升級與 SiPh 遷移延續 需求 ⭐⭐ 高速光模組雷射光源需求增加
2027H1 CW Laser 量產放量規劃 放量 ⭐⭐ 定錨 2026 年中講座
2027 底 產能較 2026 底增加 100% 擴產 ⭐⭐⭐ CW Laser / 矽光需求帶動

供應鏈位置

光互連 / 上游卡位(2026-05-25)

聯亞光電是 AI 光互連上游 III-V epiwafer 卡位廠,產品橫跨 Telecom DFB / EML / APD / FP / PIN,以及資料中心 DFB、高功率 CW laser 與 SiPh epiwafer。新一輪 CPO / NPO / 外部雷射架構把瓶頸從收發器外殼推回 InP 基板、外延良率、CW-LD 高功率可靠性與客戶認證。

項目 觀察重點
製造據點 台南南科兩據點,客戶與廠區集中度需追蹤
FY25 營收 22.03 億元、YoY +82%,毛利率 43%,4Q25 毛利率 49%
產品卡位 EML / DFB / APD / PIN 與 SiPh / CPO 所需 CW-LD epiwafer
投資屬性 高 Beta,上游良率與客戶認證一旦通過,毛利槓桿大

風險

客戶、終端應用與廠區集中度偏高;若 CPO 導入延後、CW-LD 規格轉向或海外 IDM 垂直整合加速,訂單能見度可能波動。

相關公司

風險與注意事項

  • 報告只列名為 InP 受益廠,未提供公司層級估值或財務數字。
  • MOCVD 設備 lead time、InP substrate 供給與客戶認證節奏會影響放量速度。
  • 若中國供應商在 2028-30F 積極擴產,InP epi wafer 供需可能由緊轉鬆。

來源

相關頁面