定義
GaAs（Gallium Arsenide，砷化鎵）是 III-V 族化合物半導體，具高電子遷移率、直接能隙與高頻特性。投資上最常見的落點是 RF 前端功率放大器（PA）、Wi-Fi / cellular PA、衛星高頻 TX/RX，以及 VCSEL / PD / 部分 high-speed driver 等光電元件。
在台股供應鏈中，GaAs 可分成兩個主軸：一是手機與 Wi-Fi PA 的成熟基本盤；二是低軌衛星、W-band RF 與 AI 光通訊把 III-V foundry / epi-house 重新拉回成長主題。
材料比較
| 材料 / 製程 | 優勢 | 典型應用 | 限制 / 替代風險 |
|---|---|---|---|
| GaAs | 高頻、低雜訊、PA 效率佳，6 吋 foundry 生態成熟 | 手機 / Wi-Fi PA、LNA、RF switch、VCSEL、部分 driver、衛星 TX/RX | 整合度不如 CMOS；高功率 / 高電壓場景可能轉向 GaN |
| InP | 光電與超高速能力強，適合直接發光與高速光通訊 | EML、CW Laser、PD、coherent / 長距光通訊 | 材料與供應鏈更窄，成本較高 |
| GaN | 高功率、高電壓、高頻承受能力佳 | 基地台、衛星高功率 PA、雷達、電源 | 成本與良率門檻高，應用和 GaAs 並非完全重疊 |
| CMOS / SiGe | 整合度高、成本低，可與 DSP / SerDes / logic 整合 | DSP PHY、TIA / driver、CPO EIC、部分 RF | 極限高頻 / 高效率 PA 不一定優於 III-V |
供應鏈
flowchart LR
A[GaAs基板 / 原料] --> B[GaAs磊晶片]
B --> C[GaAs晶圓代工 / 製程平台]
C --> D[PA / LNA / RF switch / Driver / VCSEL]
D --> E[手機 / Wi-Fi RF前端]
D --> F[衛星TX/RX與地面終端]
D --> G[光通訊 / 3D sensing / LiDAR]
B --> B1[[2455_全新（市）]]
B --> B2[[3081_聯亞光電（櫃）]]
B --> B3[[4971_IET-KY（櫃）]]
C --> C1[[3105_穩懋（櫃）]]
C --> C2[[8086_宏捷科（櫃）]]
圖說：GaAs 投資鏈從上游磊晶到中游 foundry，再落到 RF、衛星與光電元件。上游磊晶看材料供給與客戶認證；foundry 看 PA 景氣、衛星高頻規格與光通訊製程延伸。
應用場景
| 應用 | GaAs 角色 | 觀察重點 |
|---|---|---|
| 手機 / Wi-Fi PA | 成熟主戰場 | Android 庫存、Wi-Fi 7 滲透、PA content、價格競爭 |
| 技術_衛星RF前端 | PA / LNA / TX/RX 高頻元件 | Ku / Ka 往 E / V / W band 升級，GaAs 與 GaN 可能並行 |
| 光通訊 / SiPh | VCSEL、PD、部分 high-speed driver / LD 代工 | 是否被 CMOS / SiGe / InP 替代，客戶認證與量產時點 |
| 3D sensing / LiDAR / AR | VCSEL / EEL / 光電元件 | 終端滲透率、良率、封裝與散熱 |
相關個股
| 公司 | 供應鏈角色 | 投資關聯 |
|---|---|---|
| 3105_穩懋（櫃） | GaAs / InP / GaN 化合物半導體晶圓代工 | 全球大型 GaAs foundry，手機 / Wi-Fi PA 是基本盤；GaAs PP10 / GaN NP10 對應 W-band 衛星 RF，並由 GaAs 6 吋平台延伸到 InP / optical foundry |
| 8086_宏捷科（櫃） | GaAs 晶圓代工 | PA 代工為核心，延伸 TIA / driver / LD；需追蹤 GaAs 高速類比訂單是否被 CMOS / SiGe 分流 |
| 2455_全新（市） | GaAs / InP 上游磊晶 | 以 GaAs 磊晶為既有基礎，應用含手機 PA、PD、VCSEL，並擴充 InP 光通訊材料 |
| 3081_聯亞光電（櫃） | InP / GaAs 上游磊晶 | 主要投資敘事偏 InP 光通訊，但公司頁已列 InP / GaAs 磊晶片，屬 III-V epi-house 對照 |
| 4971_IET-KY（櫃） | III-V 化合物半導體磊晶 | 產品含 GaAs、InP、GaSb 磊晶片，對應 PA、雷射、光偵測器與高速光通訊 |
| 3491_昇達科（櫃） | 毫米波 / 衛星 RF 元件 | 不是 GaAs foundry，但衛星高頻 RF 需求是 GaAs / GaN 製程的下游拉力之一 |
| 6271_同欣電（市） | RF / 光電封裝與陶瓷基板 | 不是 GaAs 材料廠，投資關聯在高頻 RF 與光電元件封裝、散熱與低損耗互連 |
投資判斷
- 最直接受惠：GaAs foundry 與 epi-house，包含 3105_穩懋（櫃）、8086_宏捷科（櫃）、2455_全新（市）、4971_IET-KY（櫃）。
- 衛星升級是新變數：低軌衛星地面終端、gateway 與直連衛星若往更高頻段升級，會拉高 PA / LNA / 射頻封裝要求；但需區分 GaAs、GaN、SiGe 與模組廠的實際分工。
- 光通訊是混合訊號：GaAs 可在 VCSEL、PD、driver / LD 代工等環節受惠，但 CPO / SiPh 也可能提高 CMOS / SiGe / InP 的比重，不能把所有 AI 光通訊需求都直接歸因到 GaAs。
IET-KY 補充：GaAs 作為 MBE 平台與 InP 混合路線
memo_IET-KY_4971_call_memo_20260611 補充，IET-KY 產品線中 GaAs 約占 20%，公司以 MBE 為核心能力，但不把 MBE / MOCVD 做單純成本比較，而是依產品選擇製程：高速 PD 與 QD Laser 偏 MBE-centric，部分 GaAs HPT 類產品則適合 MOCVD。
此 memo 對 GaAs 頁的意義不是把 GaAs 全部改寫成光通訊材料，而是補上兩條「GaAs + InP 混合」研發路線：
| 路線 | 說明 | 投資含義 |
|---|---|---|
| MPIN / Metamorphic PIN | 在 GaAs 上做 InP PD | 可能取代部分速度較高但較低端的 PD 需求，若成熟可緩解純 InP 基板依賴 |
| QD Laser | IET 與 GaAs 大廠合作，仍在 pre-production | 本質仍屬 CW Laser 路線，但 MBE 生長條件窄，短期不宜視為量產主軸 |
IET 同時揭露 GaSb 約占產品線 15%，逐步融入美國國防鏈；這與 GaAs / InP 同屬 III-V 磊晶平台，但投資需求來源偏國防與特殊感測，應與手機 / Wi-Fi PA 景氣分開觀察。
風險與注意事項
- 手機 PA 是成熟市場，需求受 Android / Wi-Fi 終端週期與庫存影響。
- 高速 TIA / driver 可能從 GaAs 轉向 技術_CMOS / SiGe，以換取整合度與成本。
- 高功率、高電壓或部分衛星 PA 需求可能由 GaN 承接，GaAs 與 GaN 的受惠比例需逐案確認。
- 上游磊晶與 foundry 放量仰賴客戶認證，題材成立不等於短期營收立即貢獻。