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IET-KY

4971 上櫃 更新 2026-09-29

化合物半導體磊晶

基本資料

IET-KY 是 III-V 族化合物半導體磊晶廠,核心能力在 MBE(molecular beam epitaxy)磊晶生長,產品涵蓋 InP、GaAs 與 GaSb 磊晶片。2026-06-11 call memo 顯示,公司營收結構以 InP 約 50% 為最大,GaAs 約 20%,GaSb 約 15%;目前機台利用率約 60%,訂單量已超過兩季平均銷售額,但 InP 基板供給仍是主要限制。

成長主軸有三條:第一是 InP 用於 AI 基礎設施互連的 PD、太赫茲裝置與高速光通訊元件;第二是 GaSb 逐步切入美國國防鏈;第三是硬體 / 機台與美國晶片法案相關潛在簽約機會。2026 年 5 月營收下滑主要受日本黃金週停機維修與 InP 基板即到即用、零庫存供應狀態影響,管理層表示屬特殊情況,仍維持原先預期並持續增加機台。

核心技術/競爭優勢

  • MBE 磊晶專長:高速 PD、QD Laser 等產品偏 MBE-centric;公司強調 MBE 與 MOCVD 各有適用產品,關鍵是用對技術而非單純比較成本。
  • InP 研磨與回收能力:累積 20 多年 InP 研磨經驗,可利用 epi 層與基板厚度差異,將不合格晶片輕研磨至 epi-ready 狀態;新機台預計 2026 年底或 2027 年初到貨,可同時研磨 GaSb 與 InP。
  • 高速 PD 量產進展:100G 與 200G PD 均屬高毛利產品;200G 產品約占總量 25%,已有客戶進入正式量產。
  • 基板供應調度:目前絕大多數 InP 基板來自日本供應商,德國供應商少量供應(<10%)且仍在研發線轉量產線,IET 透過技術轉移協助其爬坡。

產品與應用

產品 / 服務 應用 觀察重點
InP 磊晶 / PD AI 光互連、高速光通訊、太赫茲裝置 InP 基板供給、100G / 200G PD 出貨比重、客戶量產節奏
GaAs 磊晶 RF、VCSEL、部分光電元件 與 MOCVD 產品分工、GaAs 產品線需求
GaSb 磊晶 國防、紅外 / 特殊感測 美國國防鏈滲透與高單價產品占比
QD Laser / MPIN 研發 可插拔光源、冗餘光源、高速 PD 替代路線 QD Laser 仍在 pre-production;MPIN 為研發重點
客製機台 / 生長服務 國家實驗室 / EUV 相關客戶 專用機台採租賃加購買模式,合約時點需追蹤

圖片 / 架構圖

flowchart LR
    A[InP / GaAs / GaSb 基板] --> B[IET-KY<br/>MBE 磊晶生長]
    B --> C[InP PD<br/>100G / 200G]
    B --> D[QD Laser / MPIN<br/>研發]
    B --> E[GaSb<br/>國防鏈]
    B --> F[GaAs 元件<br/>RF / 光電]
    C --> G[AI 光互連 / 光通訊]
    D --> G
    E --> H[美國國防應用]
    F --> I[RF / VCSEL / 感測]

圖說:IET-KY 位於 III-V 化合物半導體上游 MBE 磊晶環節,短期營收看 InP PD 與基板供給,中期看 QD Laser / MPIN 與 GaSb 國防鏈滲透。來源:memo_IET-KY_4971_call_memo_20260611

月營收(近 24 個月)

下次公布12/7(一)–12/8(二) 11月營收 預估:可能 12/7–12/8 公布(近 7 次有 7 次落在此區間;最常見:每月第 5 個工作天,信心中)

月份營收(億元)MoMYoY備註
2026-121.53—+38.3%本站推算†
2026-111.45—+35.5%本站推算†
2026-101.16—+14.3%本站推算†
2026-091.08+2.0%+11.4%
2026-081.06+0.9%+33.0%
2026-071.05+46.2%+39.6%
2026-060.72-7.9%-6.3%
2026-050.78-26.6%+1.1%
2026-041.06-2.9%+25.2%
2026-031.09-1.6%+16.0%
2026-021.11-0.2%+43.1%
2026-011.11+1.0%+13.2%
2025-121.10+3.4%+25.9%
2025-111.07+4.9%+31.1%
2025-101.02+4.7%+79.9%
2025-090.97+21.8%+89.3%
2025-080.80+5.9%+146.5%
2025-070.75-1.9%+21.1%
2025-060.77-0.7%+68.3%
2025-050.77-9.0%+65.7%
2025-040.85-10.0%+29.8%
2025-030.94+21.3%+68.6%
2025-020.78-21.0%+18.3%
2025-010.98+12.3%+46.6%
2024-120.88+7.7%+88.2%
2024-110.81+43.9%+29.6%
2024-100.57+10.2%-11.4%

2026 年已公布累計 9.08 億元;全年推算 13.2 億元(YoY +22.3%)†
† 本站推算,非券商預估:以最新一個月營收為基準,乘上過去兩年同期月對月變化的中位數(季節因子限 0.75–1.33 倍)。券商的年度營收與 EPS 預估見本頁「EPS 預估」「財測假設」。
資料:珩石資料庫+公開資訊觀測站,更新於 2026-11-09 01:26。下次公布日依公司近 12 個月公布習慣(公開資訊觀測站、鉅亨營收速報、FinMind)推估,以公司公告為準。

營運與財務觀察

項目 內容 性質
2026/5 營收下滑 日本黃金週造成日本機器停機維修約 10 天,且 InP 基板零庫存、到貨即用 fact
產品線占比 InP 約 50%、GaAs 約 20%、GaSb 約 15% company estimate
機台利用率 約 60%,仍有提升空間 company estimate
訂單能見度 訂單量已超過兩季度平均銷售額,交期約 6-8 週 company comment
200G PD 約占總量 25%,已有客戶正式量產 company estimate
2026Q1 營收 3.32 億元,EPS 1.97 元;InP PD 約占營收 4 成 華南 2026-06-25

2Q26 營運與 InP 基板瓶頸(國泰 call memo,2026-08-27)

來源:活動_IET-KY4971_國泰call_memo_20260827

2Q26 財務 - 合併營收 NT$2.56 億(YoY +7.3%、QoQ −22.9%);毛利 8,710 萬元(YoY +5.9%、QoQ −45.2%),毛利率 34.0%(1Q26 為 47.8%)。 - 營業費用 6,551 萬元(YoY +12.1%、QoQ +5.0%);營業利益 2,159 萬元(YoY −9.3%、QoQ −77.6%),營益率 8.4%;稅後淨利 1,888 萬元(YoY −43.6%、QoQ −76.0%),EPS 0.43 元。 - 截至 6 月底:資產總額 47.13 億元、股東權益 44.14 億元、負債比率 6.3%;現金 1.14 億元、存貨 2.73 億元、其他非流動資產 23.64 億元。

營收結構(2Q26) | 產品別 | 占比(1Q26) | 應用別 | 占比 | |--------|---------------|--------|------| | InP 磊晶片 | 48.7%(54.5%) | 光纖網路 | 36.6%(1Q26 45.1%) | | GaSb 及勞務收入 | 27.0%(32.3%) | 高速傳輸元件 | 19.8% | | GaAs 磊晶片 | 24.0%(12.4%) | 紅外線偵測 | 16.6% | | 其他 | 0.3% | 硬體構件/車用/射頻 | 10.1%/9.3%/7.6% |

2Q26 季減主因(管理層):日本黃金週期間主要 InP 基板供應商停產維修逾兩週,基板到貨中斷使 InP 產品出貨下降——公司並未流失訂單;部分 GaSb 國防訂單遞延至 3Q26,硬體構件收入亦較 1Q26 減少。

InP 基板:營收成長的關鍵瓶頸 - 全球短缺持續,大廠訂單維持,中小型客戶因搶排程而加速下單;客戶已開始接受不同基板廠商生產的磊晶片。 - Freiberger 研磨能力已改善並開始供貨,目前占公司 InP 基板用量約 5%,比重可望逐步提高,但完整擴產時程與可供應數量仍無法估計。 - 因無法使用中國基板,供應來源分散仍為當前重要工作;供應狀況較 2026 年 5–6 月略為改善。 - 若可取得不受限制的 InP 基板供應,依目前產能與客戶需求,InP 業務營收具倍增潛力——此為供應完全解除限制下的情境說明,非正式營收指引。

其他產品線 - GaAs:基板材料及鎵等磊晶晶源材料 3Q26 再度漲價,大廠需求持續增加,公司維持穩定生產出貨並調整整體售價;自 2Q26 開始恢復,3Q/4Q26 訂單動能延續。 - GaSb:因原料成本上漲已進行第一波調價、第二波調價進行中;國防大廠訂單依約生產,2027 年有望取得量產訂單;非國防應用(潛在市場規模可能高於既有國防用途)正與大廠洽談。2026 年 6–7 月明顯回升。 - GaN 二次生長已逐步過渡至量產訂單,採台灣在地生產及交貨模式。 - 客製化 MBE 機台採由租轉買、買後代管模式,正與半導體設備大廠洽談,2026 年可望完成簽約;機台銷售、維修及零件收入目標約占營收 10%–20%,受技術人力限制每年約可承接 1–2 台。

AI 資料中心曝險 - 目前約占營收 40%,主要來自 100G 及 200G Photodiode;後續若 EAM 及 Driver 等高速光通訊產品發展順利,AI Data Center 相關營收占比未來可能達 50% 以上。 - 潛在新產品:EAM、Driver(鎖定 400G 及次世代高速傳輸)、QD 雷射、高頻 VCSEL——均仍處研發階段,量產時程未定。 - QD 雷射目前仍屬公司自身產品驗證及研究機構測試階段,尚未正式進入客戶認證;初步亮度優於預期,仍須確認量子點濃度、波長、品質與製程再現性。對 Innolume 擴產的看法:其投入較早,公司尚未完成產品開發不宜直接比較,但擴產顯示 QD 雷射市場具發展機會。 - 200G VCSEL 主要應用於 AOC 與資料中心伺服器間短距高速傳輸;相較需搭配外部調變器的 CW Laser 方案具成本優勢,持續驗證中。

其他 - 美國聯邦晶片法案簽約可望於 2026 年內完成,新廠二期持續擴建、預計 1Q27 完工;德州晶片法案按期請款。1Q27 新產能不代表 InP 基板來源已穩定——擴產依市場需求與晶片法案承諾推進,新產能亦可配置於 GaSb、GaAs,其中至少約一半規劃用於 InP。 - 3Q26 及 4Q26 希望恢復至 1Q26 水準或更高;不認為需調整原設定的全年營收成長目標,但受 2Q26 基板供應影響,全年表現可能較接近原目標區間低端。 - 與光聖的合作重點為光電材料、技術及市場資訊互補,不是磊晶到封裝銷售的一條龍垂直整合。

EPS 預估

年度 營收 EPS 備註 來源
2026E 13.8 億元 8.05 元 毛利率估 45.4%,AI 資料中心帶動 InP PD 報告_華南_IET-KY4971_20260625
2027E 19.6 億元 12.59 元 InP 基板供給改善與產品組合優化 報告_華南_IET-KY4971_20260625

目標價與評等

券商 報告發布日 評等 目標價 評價基礎 來源
華南投顧 2026-06-25 買進 630 元 42-50x 2027E EPS 區間 報告_華南_IET-KY4971_20260625

風險與注意事項

  • InP 基板短缺不是短期問題;公司在實體清單上,無法使用 AXT 晶圓,短期仍受日本與德國供應商供給限制。
  • 德國供應商量產爬坡沒有明確時間表,公司期待 2026 年底前後供應較穩定,但仍屬待驗證。
  • QD Laser 仍在 pre-production,MBE 生長條件窗口窄,量產學習曲線長。

公司行事曆

  • 11/06週五營收10月營收公布MOPS 公布於 11/6 16:00–16:58 間
  • 今天 2026-11-08
  • 11/12週四法說會(四)14:30召開法說會報名請洽康和證券法人部,02-8787-1888#203黃小姐,112018@concords.com.tw
  • 11/20週五可轉債IET二KY 可轉債到期發行 2.0 億、轉換價 62.5、溢價 108.5%
  • 12/07週一營收11月營收(預估 12/7–12/8)可能 12/7–12/8 公布(近 7 次有 7 次落在此區間;最常見:每月第 5 個工作天,信心中)

近 30 天到未來 120 天的事件,資料與行事曆同一來源(公開資訊觀測站、證交所/櫃買 OpenAPI、珩石資料庫),日期以公司公告為準。

供應鏈位置

  • 所屬環節:#環節/磊晶、#環節/化合物半導體材料。
  • 上游:InP / GaAs / GaSb 基板供應商;InP 目前以日本供應為主,德國供應商仍在量產爬坡。
  • 下游:高速光通訊、AI 光互連、國防、RF 與特殊感測客戶。
  • 合作關係:與 6442_光聖(市) 有數個計畫進行中,IET 提供材料生長經驗,光聖提供下游光纖應用知識;目前尚未簡化成特定雷射產品直接供應關係。

相關公司

公司 關係 說明
6442_光聖(市) 合作 / 下游應用知識 雙方有數個計畫進行中,IET 提供材料生長經驗,光聖提供光纖應用知識

來源

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