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AI伺服器板上電源

更新 2026-06-20

主題

AI 伺服器板上電源(Board-level Power Delivery)供應鏈,聚焦 GPU / ASIC 加速器與伺服器 CPU 的 Vcore VRM:從 12V(或 48V)伺服器 PSU 端,經多相位 技術_DrMOS + 控制器 + 技術_TLVR電感 / 分立電感降壓到 sub-1V 高電流核心。AI 加速器世代(Hopper → Blackwell → GB300 → Rubin)核心電流逐代上升至千安培級,板上 VR 相數爆量、DrMOS 用量倍增,DrMOS / 多相位 DCDC / 高端電源被點名為下一波明確漲價方向memo_專家調研_矽力杰_20260515)。

與相關供應鏈頁的區隔

  • 本頁:板上電源(Vcore VR / DrMOS / 多相位 DCDC / 板上電感與電容),核心是 IC 設計廠與被動元件
  • 供應鏈_AI資料中心電力機房外電力(SOFC、UPS、PDU),核心是發電與配電系統
  • 供應鏈_AI伺服器被動元件:板上被動元件(MLCC、電容、電感)整體

三者鏈路相連,但供應商生態與股票標的差異大。

圖解

AI伺服器電力於Computex-轉向800V高壓直流;SST崛起 20260604 富邦_003

圖說:富邦 2026-06-03 Computex 報告中的台達電固態變壓器(SST)展示;SST 直接將 22.8kV / 33kV 中壓交流轉為 800V / 850V 高壓直流,代表 AI 資料中心電力鏈由機櫃電源向中壓配電上移。

AI伺服器電力於Computex-轉向800V高壓直流;SST崛起 20260604 富邦_006

圖說:台達電 ±400VDC / 800VDC 電源系統展示;富邦認為 ±400VDC 電源櫃 2026H2 可能早於 800VDC 出貨。

flowchart LR
    subgraph PSU[伺服器電源]
        P1[12V / 48V<br/>PSU]
    end

    subgraph CTRL[控制器]
        C1[Multi-phase<br/>PWM Controller]
    end

    subgraph PWR[功率級 DrMOS]
        D1[MPS]
        D2[Infineon]
        D3[矽力杰<br/>6415]
        D4[杰華特<br/>688141]
        D5[晶丰明源<br/>688368]
        D6[TI / Renesas]
    end

    subgraph IND[電感]
        I1[TLVR 電感]
        I2[分立電感]
    end

    subgraph CAP[去耦電容]
        E1[聚合物鋁電容]
        E2[MLCC]
        E3[鉭質電容]
    end

    subgraph LOAD[終端負載]
        L1[NVIDIA GPU<br/>H100/B200/GB300/Rubin]
        L2[CPU Vcore<br/>Intel/AMD]
        L3[ASIC 加速器<br/>TPU/Trainium 等]
    end

    P1 --> C1
    C1 -->|PWM x N| PWR
    P1 --> PWR
    PWR --> IND
    IND --> CAP
    CAP --> L1
    CAP --> L2
    CAP --> L3

    classDef ctrl fill:#a5d8ff ,color:#1a2b35
    classDef pwr fill:#ffd8a8 ,color:#1a2b35
    classDef ind fill:#b2f2bb ,color:#1a2b35
    classDef cap fill:#c3fae8 ,color:#1a2b35
    classDef load fill:#fff3bf ,color:#1a2b35
    classDef src fill:#ffc9c9 ,color:#1a2b35
    class C1 ctrl
    class D1,D2,D3,D4,D5,D6 pwr
    class I1,I2 ind
    class E1,E2,E3 cap
    class L1,L2,L3 load
    class P1 src

▲ AI 伺服器板上電源主鏈:12V/48V → 多相位控制器 + N 顆 DrMOS → 電感 + 去耦電容 → GPU / CPU / ASIC 核心。

各環節廠商

多相位 PWM 控制器

廠商 地位 備註
MPS(Monolithic Power Systems) 主導 AI VR 領導者;多代 NVIDIA 平台參考設計指定供應
Infineon(英飛凌) 高階 多相位 DCDC 高毛利、高可靠性
TI(Texas Instruments) 主流 伺服器與工業電源傳統大廠
Renesas 主流 含 Intersil 收購後的 VR 產品線

DrMOS / 智能功率級

廠商 地位 在 AI / 車規進度
MPS 主導 NVIDIA AI 參考設計多代採用
Infineon 高階 多相位 DCDC 高毛利定位;面臨 AI 國產化長期壓力
6415_矽力-KY(市) 國產領先群 早期布局伺服器;B 公司汽車項目已落地
杰華特(688141.SH) 國產領先群 與矽力杰進度相當、部分領域更佳;多代 NVIDIA AI 參考設計
晶丰明源(688368.SH) 國產追趕 高壓 MOS 出身、已通過車規;大規模量產尚未跟上
7712_博盛半導體(櫃) 台廠驗證中 SGT MOSFET / Hot Swap MOS 已切入 AI 伺服器 DC-DC、BBU、Cooling 與熱插拔防護;DrMOS / SPS 仍在送樣 / 平台可靠度驗證
6920_恆勁科技(興) 功率封裝載板 / C2iM ALF / xQFN 已量產,法說指出可用厚銅柱與 molding compound 載板支援 SPS / 電源模組,並可埋入晶片或被動元件
TI / Renesas 主流 伺服器與工業傳統供應商

電感

廠商 / 技術 角色
技術_TLVR電感 多相位 VR 配套,瞬態響應與漣波對消關鍵
村田 / TDK / Vishay 等 分立電感主流供應

去耦電容

廠商 / 技術 角色
技術_聚合物鋁電容 VR 輸出端高頻去耦
技術_MLCC 高密度去耦電容陣列
技術_鉭質電容 高密度低 ESR 去耦
技術_嵌入式基板 將電容 / 電感 / 功率晶片移入基板內,縮短 技術_VPD 電流路徑
→ 整體 詳見 供應鏈_AI伺服器被動元件

終端平台 / 客戶

平台 板上 VR 需求
NVIDIA GB200 / GB300 單卡 VR 相數逐代上升,DrMOS 用量倍增
NVIDIA Rubin 下一代功耗預期再升級;高頻、高電流密度推動 90A+ DrMOS
Intel / AMD 伺服器 CPU CPU Vcore VR;單顆 CPU 多顆 DrMOS 配置
Google TPU / AWS Trainium / 其他 ASIC ASIC 加速器板上 VR;數量視出貨量決定

競爭格局

  • 海外大廠:MPS(領導)、Infineon(高階)、TI / Renesas(主流),合計仍是 AI VR 主要供應,多代 NVIDIA 參考設計以 MPS 為主
  • 國產替代:矽力杰、杰華特已切入多代 NVIDIA AI 參考設計,是國產 DrMOS 領先群;晶丰明源以高壓 MOS 跨入,車規認證取得但量產尚未起量
  • 價格 / 商務:國產廠商價格約海外大廠 70–75%;矽力杰與圣邦(電源類比 IC,非 DrMOS 主力)價差 5–10%,矽力略高、技術指標通常優於圣邦
  • 長期挑戰:英飛凌等歐洲公司原本因產品唯一性、高可靠性享有高毛利低競爭,AI 帶動國產廠商大量湧現後,市場飽和時內部競爭力不足的風險可能顯現
  • 架構演進技術_VPD(Vertical Power Delivery)、48V 直接到核心、3D Power 等架構可能改變未來 DrMOS 用量結構

觀察重點(投資視角)

  1. 漲價週期:DrMOS / 多相位 DCDC / 高端電源被點名為下一波漲價方向,利好 MPS / 矽力 / 杰華特 / 英飛凌等同時參與廠商
  2. 國產進度:矽力杰、杰華特在 NVIDIA 參考設計中的相數佔比、是否進入下一代(Rubin)平台 BOM
  3. 車規滲透:DrMOS 在汽車(智慧座艙、ADAS)滲透速度,矽力杰 B 公司案是領先指標
  4. 電感配套技術_TLVR電感 與分立電感供給是否跟上 GPU 相數爆量
  5. 架構翻新風險:Vertical Power / 48V 架構若快速普及,可能重塑 DrMOS 用量與 BOM 結構

VR200 電源 BOM 與 HVDC 路線圖(Morgan Stanley,2026-05-20)

VR200 Power supply BOM

電源項目 GB300 VR200 增幅
Power supply $57,600 $76,000 +32%

整機功耗(MS Exhibit 7): - VR NVL72 總功耗:380kW+(4 × 110kW power shelf,N+1 配置) - 每 compute tray:18.3kW(18 compute trays × 18.3kW ≈ 329kW compute 部分) - Rubin Ultra(Kyber,2H27):整機 600kW,每 compute unit 30kW,>10x 效率提升

HVDC / 800V DC 路線圖

時程 架構 說明
2026(目前) 標準 400V AC → 50V DC,110kW power shelf VR NVL72 reference design
2026(部分) HVDC 獨立電源機櫃(Standalone power rack),400V AC → 800V DC 至少 1 家美系 CSP 採用 Vera Rubin 平台
2H27 800V DC(Rubin Ultra 平台,Kyber) NVIDIA 預計規模化部署;600kW+ 整機

台達電(Delta)HVDC 布局: - 目前與至少 3 家美系 CSP 合作 HVDC 平台採用(ASIC 電源機櫃專案) - 預計 2H26 初步上線 - 長期受惠電源架構升級,供電 content 持續提升

台股連結

電源 +32% content 直接受惠;HVDC 800V 路線受惠廠商:Delta(台達電)、高力(CDU / 冷卻配套)

Computex 2026:800V HVDC / SST 架構轉向(富邦,2026-06-03)

來源:AI伺服器電力於Computex-轉向800V高壓直流;SST崛起 20260604 富邦

  • HVDC 成為新一代 AI 資料中心標準討論主軸:台達電與光寶科展示 800VDC 660kW 電源櫃,以及整合 BBU 的 110kW AC/DC 電源機架,對應 NVIDIA 660kW 參考設計;Vertiv 展示 900kW 800VDC 電源櫃,Schneider 800VDC Sidecar 仍在開發。
  • ±400VDC 可能早於 800VDC 出貨:台達電展示 180kW 電源架與 150kW BBU 的 ±400VDC 架構,轉換效率最高 98.2%;富邦預期 2026H2 可能有部分 ±400VDC 電源櫃出貨,早於 800VDC。
  • BBU 成為主流備援:HVDC 架構下 BBU 與超級電容模組尺寸外型標準化,可按電網穩定度調整配置;富邦調查認為相較超級電容,BBU 配置仍是市場主流。
  • SST 由低壓配電上移至中壓轉換:台達電 SST 可直接接收 22.8kV / 33kV 中壓交流,轉為 800V / 850V HVDC;富邦認為 FY27 可能少量出貨,台達電技術位置領先。

部署時程口徑差異

既有 MS 口徑強調 Rubin Ultra / Kyber 於 2H27 進入 800VDC 規模化部署;富邦 2026-06-03 調查則指出 NVIDIA 正加速 Vera Rubin 採用 HVDC,2026H2 可能已有少量出貨,且 ±400VDC 可能早於 800VDC。兩者可解讀為「2026H2 小量驗證 / 初始出貨,2H27 規模化」的階段差異,後續以客戶實際機櫃出貨驗證。

時程補充

時間 事件 相關公司 重要性
2026H2 ±400VDC 電源櫃可能少量出貨 2308_台達電(市) ⭐⭐⭐
2026H2 Vera Rubin HVDC 架構少量出貨 / 驗證 NVDA.US(nvidia)2308_台達電(市)2301_光寶科(市) ⭐⭐⭐
FY27 SST 可能少量出貨 2308_台達電(市) ⭐⭐⭐

來源

2026-06-12 定錨年中講座補充:VR200 電源 / BBU / 800V HVDC 產值

VR200 Power Rack 產值(定錨 2026-06-12)

機型 Power Rack 產值(USD) 說明
GB200 NVL72 $3.7 萬 舊 AC 電源機架
VR200 Power Rack $8.12 萬 含 BBU、HV 匯流排、PSU 升級;YoY +119%
800V HVDC Power Rack $56 萬 外掛 HVDC 轉換機櫃(CSP 選配;高力 / 台達電受益)
  • BBU 由選配(Optional)變標配(Standard):VR200 架構下,每個電源機架內建 BBU 模組,標準化後可靠性要求提高,年度 BBU 模組需求大幅成長。
  • 受益:3211_順達(櫃)(台達電 BBU 主要供應商之一)、2308_台達電(市)2301_光寶科(市)
  • SST 台達電 2.5MW 明年上市:台達電固態變壓器(SST)從 FY27 起由少量商業化推向 2.5MW 等級;對應下一代超大規模資料中心中壓配電取代低壓 AC。
  • 800V HVDC power rack $56 萬:定錨講師說明 HVDC 電源機架單位產值遠高於標準 PSU;目前至少 1 家美系 CSP 在 VR 平台採用,2027H2 有望規模化部署。

定錨 2026 年中講座(2026-06-12)

GB200 power rack $3.7萬 → VR200 $8.12萬(+119%);800V HVDC power rack $56萬;BBU 由選配變標配;台達電 SST 2.5MW 明年推出。

VRM / SPS 定價與供應商資格(Edgewater 通路訪查,2026-06-18)

來源:_AI_Datacenter_Power_Semis_Demand_and_Pricing_Continue_Higher_HVDC_Timing_Matte(Edgewater Research,Kevin Rottinghaus)

定價與 content(持續上行)

項目 數據 備註
VR200 SPS 報價 ~$1.20/顆(原預期 $0.80–0.90、近期 ~$1) CY26 鎖定;2027 初可能再漲;NVDA 為保供被迫接受
ASIC 程式 VRM 漲幅 ≥ +15%(老世代漲更多)
VR200 VRM content vs GB300 +20~40% 視 Rubin SKU / TDP 配置
Google TPU8 VRM semi content ~$140(vs TPU7 $50–60)
TPU8 HotSwap FET/板 14(vs TPU7 4 顆) 供應商 AOSL.US(alpha_omega) / IFX / Rohm
CPU SPS(Intel Lunar Lake) YTD 漲兩次 OEM 照單全收

NVIDIA VR200 VRM 供應商資格

供應商 狀態 備註
MPS.US(monolithic_power_systems) 主供 與 NVDA 關係深,VR200 初期 share 略高
Infineon(未) 合格 分食 MPWR 以外份額;重配 Auto 產能(6–12 月)至 DC
6723.JP(renesas) 合格 SPS 5x 擴產、3 年內 80% 自製;35–50M/季 → 100M/季(1Q27)
TXN 送驗中 約 1 個月可完成 VR200 VRM 認證,但 CY26 難有量;技術競爭力存疑
ON.US(onsemi) 送驗中 VR200 自家 SPS + controller、Vera CPU、Groq LPU;產能未受限

Google TPU8 VPD

  • 三家合格:Infineon(未) / 6723.JP(renesas) / MPS.US(monolithic_power_systems);IFX、Renesas 多賣 SPS / IC 給模組廠,MPWR 則 IC + 完整 VPD 模組都賣給 Google(模組售價約 IC content 2x)。
  • TPU8 VRM 由 4–6 個 VPD brick 組成,每 brick 24 phases。
  • VPD 真正部署者目前僅 Google;META gen4 MTIA 評估中,NVDA 最快 Feynman 才導入 VPD。

HVDC 與板上電源的關係

技術_HVDC 的分工

本頁聚焦板上 VRM / SPS / DrMOS 與其定價、供應商資格;HVDC 機櫃供電架構(±400V / 800V / SST / 12kW brick / GaN vs SiC)統整於 技術_HVDC。Edgewater 核心論點「HVDC 時點 < 部署 kW 成長、定價持續上行」沉澱於 分析_AI資料中心功率半導體_HVDC節奏與定價_20260623

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