定義
MLCC（Multi-Layer Ceramic Capacitor，積層陶瓷電容）是以陶瓷介電層與金屬電極層交錯堆疊形成的電容器。AI 伺服器中，MLCC 被大量放在 GPU 周邊，負責高頻濾波與瞬間補能，是 PDN 中最靠近 GPU 的第一道防線。
圖解
圖說：高階 MLCC 的競爭核心是微米級堆疊。來源指出低階產品只需數十層，高階 MLCC 需要 1000 甚至 2000 層，陶瓷層可薄到 1 微米以下。
技術原理
MLCC 的電容量由介電材料、電極面積、介電層厚度與堆疊層數決定。AI 伺服器用高階 MLCC 必須同時滿足極小尺寸、極大容量、耐高溫與低阻抗，技術瓶頸集中在陶瓷粉末純度、粒徑一致性、薄層堆疊、燒結與良率控制。
關鍵參數 / 判斷指標
| 指標 | 意義 | 觀察重點 |
|---|---|---|
| 尺寸 / 容值 | 單位體積儲能能力 | 008004、0201 高容值是頂層 AI / 車用主戰場 |
| 堆疊層數 | 決定同體積內電容量 | 高階 MLCC 需千層級堆疊 |
| 耐溫 | GPU 周邊高溫可靠性 | AI 伺服器滿載時周邊溫度可突破 100°C |
| Low ESR | 低阻抗、快速供電響應 | 高頻突波與瞬間補能能力 |
| DC Bias | 高壓下實際容量衰減 | AI 伺服器高壓環境下，實際容量可能大幅縮水 |
| 交期 | 供需緊張程度 | 來源指出 2026 年高階 MLCC 交期約 24-32 週 |
技術瓶頸 / 風險
- 材料瓶頸：高階 MLCC 的「麵粉」是鈦酸鋇陶瓷粉末，來源指出日系材料商如堺化學、共立材料、富士鈦工業具關鍵地位。
- 製程良率：千層級薄層堆疊對潔淨度與燒結控制極敏感，微小灰塵就可能造成短路。
- 三層市場分化：AI / 車用頂層是日韓寡占，中段是台廠戰場，底層通用品仍可能過剩。
- 替代與互補：鉭質電容容量更穩定，但價格高且供給有限，因此 MLCC 仍是 GPU board 大量部署的主力。
- 一般 IT MLCC 外溢漲價：報告_JPM_國巨AI被動元件_20260601 認為 AI 高階 MLCC 使日韓同業產能被占用，可能讓一般 IT / 非 AI MLCC 漲價早於高階 AI MLCC，台廠受惠重點在中段標準品稼動率與 ASP。
- 日商高階料號交期與產能優化（華南投顧，2026-09-18）：村田、太陽誘電 8-9 月高階 AI 料號（0402 47µF／0603）B/B ratio 攀升至 1.7-1.9，日商 2H26 將積極優化產能、收縮中低階產出，外溢缺口預期持續至 2Q27-3Q27；2027 年 AI MLCC 需求與成長量預估 2-3 倍，高端 MLCC 2H26-2H27 持續結構性缺口。國巨 BB ratio 2-2.2（客戶簽數月至年 LTA）、稼動率約 80%→90%。
關鍵廠商
| 層級 | 廠商 | 角色 / 市占（CY25） |
|---|---|---|
| 頂層 AI / 車用超微高容（日韓寡占） | 6981.JP(murata)（村田） | 市占 40.8%（MS 2026-06-22）；AI 伺服器訂單達產能 2 倍，稼動率 90-95%；競爭優勢：垂直材料整合、008004 超小型式領先 |
| 頂層 AI 高階 | 009150.KR(semco)（三星電機） | 市占 22.5%（MS 2026-06-22）；天津廠滿載；從低毛利消費電子轉向高毛利 AI/車用；AI MLCC 佔 MLCC 銷售 ~15%（1Q26），目標 2026E 升至 ~20%；embedded MLCC 與矽電容為新成長引擎 |
| 頂層利基 | 6976.JP(taiyo_yuden)（太陽誘電）、6762.JP(tdk) | 太陽誘電市占 11.3%、TDK 6.9%（CY25）；太陽誘電因產能擴充保守，可能無法充分把握 AI/DC 需求 |
| 中段標準高容 | 2327_國巨（市）、2492_華新科（市） | 國巨市占 5.4%（CY25）；日韓轉向頂層後的中段窗口受惠者；國巨 YTD +379% |
| 利基 / 客製化 MLCC | 3026_禾伸堂（市）、6173_信昌電（櫃） | 高壓、高容、高溫、特殊 MLCC 與材料整合觀察；法人認為禾伸堂 NP0 MLCC 有進 Vera Rubin 相關 AI server power 應用 |
| 中國廠（國內 AI 伺服器鏈） | 三環集團（CCTC）、廣東風華、朝一三環、億洋科技 | 進入國內伺服器供應鏈；商品級廠商主要供應消費電子 |
| 上游粉末 | 堺化學、共立材料、富士鈦工業 | 高階鈦酸鋇陶瓷粉末供應 |
| 導電漿 / 厚膜導體材料 | 4760_勤凱（櫃） | MLCC 端電極與厚膜導體材料上游觀察 |
供應鏈
- 技術_AI伺服器被動元件
- 技術_嵌入式基板：AI 電源封裝中，MLCC / 電容由表面貼裝走向低 ESL、矽電容、embedded capacitor substrate；公開資料需區分「標準 MLCC 內埋」與「嵌入式電容結構」。
- 供應鏈_AI伺服器被動元件
- 分析_被動元件供應鏈比較
- 技術_鋁電解電容
AI 伺服器 MLCC 規格升級（Aletheia，2026-06-12）
Vera Rubin 世代的高容值 MLCC 採用側邊間距（side-gap）構造，屬於相對新的 SKU，良率僅約 70%（vs 通用型 95%+）。高介電強度的 X6S（耐 105°C）、X7R（耐 125°C）規格需要介電層緊密堆疊，技術門檻高。Aletheia 指出 HVDC 800V 導入 Vera Rubin 將使每 rack NP0 高壓 MLCC 需求增加 60-100%。
| 伺服器世代 | 每 GPU MLCC 用量 | 高容值佔比（>1µF） | 每 rack 總量 |
|---|---|---|---|
| 一般伺服器 | ~1,000 | 75% | 2,000 |
| Blackwell HGX | ~3,125 | 80% | — |
| GB200/300 NVL72 | ~6,111 | 85% | 440,000 |
| Vera Rubin NVL72 | ~13,194 | 90% | >900,000 |
圖說：Aletheia 整理的 MLCC 介電材料與製程技術示意（來源：Murata）；X6S/X7R 規格需緊密堆疊、粒子控制與電極薄化，構成高階 AI 伺服器 MLCC 的技術壁壘。（來源：Rippling Effect of Capacity Shift Will be Large，2026-06-12）
電源端高壓大容值 MLCC 規格演進（群益投顧，2026-09-22）
與上方「AI 伺服器 MLCC 規格升級」表不同：上表為 GPU/compute board 端 MLCC 用量，本表為 PSU／Power Rack／HVDC 電源側大尺寸高壓 MLCC 的規格與耐壓演進，是 6173_信昌電（櫃） 等電源端 MLCC 廠商的利基市場。
| 時間與 GPU 世代 | 功耗 (W) | 高階 MLCC 用料規格 | 單機使用數量 (pcs) |
|---|---|---|---|
| 2020 (A100) | 1600-2200W | ≥1206 NPO 10nF 630V | 800 ~ 1000 |
| 2022 (H100) | 3000-3200W | ≥1210 NPO 22nF 1000V | 1800 ~ 2000 |
| 2026 (GB300) | 5500-18000W | ≥1210 NPO 33nF 1000V | 3000 ~ 5000 |
| 2027 (Rubin Ultra) | >30KW（800V HVDC） | ≥1210 NPO 47nF 630V／33nF 1250V | >3000 ~ 5000 |
隨伺服器功耗與電壓等級持續攀升，高階 MLCC 用料規格（電容值、耐壓）與單機用量同步放大；800V HVDC 架構下大尺寸高壓 MLCC 需求呈結構性成長，供需缺口預估延續至 2028 年。（來源：報告_群益_信昌電6173_20260922，2026-09-22）
AI 主板料號與 DC Bias 實測（日電貿 channel check，2026-07-08）
GPU 主板三大主力料號：0201 10µF X6T 2.5V、0402 47µF X6S 2.5V、0603 100µF X6S 2.5V；完全供貨能力僅村田與三星電機，京瓷（良率差，4Q26 可能改善）與太陽誘電次之。
- DC Bias 實測衰減 ~40%：0402 47µF X6S 施加 1V 後實效 27.5µF、0603 100µF X6S 施加 1V 後 54.7µF——印證「關鍵參數」表中 DC Bias 高壓下實際容量大幅縮水；容值升級後同空間總容值仍提升 40-67%（20 顆計）。
- 尺寸 / 價格關係：容值類似時，AI server 要求更小尺寸又耐溫耐壓，價格可能 5-10 倍；0603 47µF X5/X6 一般 NB 料 vs AI 料價差 20-30 倍。
- 用量與缺貨結構詳見 供應鏈_AI伺服器被動元件。
MLCC 超級週期：供需動態（MS，2026-06-22）
Morgan Stanley 三星電機超級週期報告（2026-06-22）提供了最新的供需與報價數據：
通路報價動態
- 現貨報價：深圳華強北現貨市場自 5 月初起大幅漲價，部分規格漲幅 2-10 倍（如 0805 27µF 年初至今漲約 6 倍）
- 合約報價：主要供應商對通路商 2Q26 報價上漲 20-30% QoQ；部分廠商移除量折扣並停止以 1Q 低價接單
- 交期：高階產品交期超過 20 週；通路商期望 3Q26 進一步漲價，積極洽談類 LTA 長期供貨協議
- 庫存：供應鏈庫存在兩年去庫存後保持低位；通路商平均約 1.5 個月庫存，下游客戶不足 1 個月
AI 伺服器 MLCC 需求爆發（MS，2026-06-22）
- AI 伺服器 MLCC TAM：2022 US$3M → 2025 US$206M → 2026E US$338M → 2027E US$893M（遠超 MS 2024 年原估 2030 年 US$550M）
- 全球 MLCC 市場總規模：2025 US$147 億 → 2028E US$243 億（CAGR 18%，vs 過去 10 年趨勢 6.5%）
AI 伺服器 MLCC 需求美元規模（US$M）：2027 年接近 US$900M，遠超 MS 2024 年預估的 2030 年 US$550M；AI/DC 是全球 MLCC 市場成長的主要增量驅動力。（來源：260622_三星電機_ms_MLCC-super-cycle，2026-06-22）
Rubin 世代 VR200 高容值 MLCC（47µF+）佔比升至 31%（vs GB300 僅 18%），反映 AI 伺服器每代升級均帶動高容值 MLCC 用量比例提升。（來源：260622_三星電機_ms_MLCC-super-cycle，2026-06-22）
為何此次為結構性週期（MS 分析）
MS 指出 MLCC 今日類似兩年前的 DDR4 DRAM 狀況——高階製造商將固定產能轉向更高利潤的 AI 硬體，觸發結構性漲價： 1. 現有 EV 相關 MLCC 產能與 AI 伺服器不可互換（規格、封裝、電源轉換、電容 - 電壓要求差異大） 2. 新建產能前置時間長：Greenfield MLCC 廠從決策到量產需約 2 年，設備高度內製，無法快速提升效率 3. 代理 AI 需求新浪潮：推論成長與代理 AI 的 CPU 密集特性帶來 GPU 以外的增量需求 4. 廠商要求持續定價上行才願意投資新產能；多數廠商以年 10-15% 的輸出成長為目標，避免投機性投資 5. 高進入壁壘：AI 伺服器與車用高容值低 ESL MLCC 需嚴格資格認證，限制低階廠商進入
VR200/Rubin 機櫃拆解與高容值排擠效應（MS 全球 MLCC 產業報告，2026-09-15）
本節數字取代 2026-06-22 三星電機報告的初步估算：單機櫃 MLCC 美元含量增幅最終定案為 +166%（原初步估「+182%」，見「MLCC 超級週期」段，屬報告完稿前的初步估算，以本節數字為準）。
每種伺服器 / 機櫃 MLCC 假設（Exhibit 11）
| 伺服器 / 機櫃 | 顆數 | 金額（US$） |
|---|---|---|
| 一般伺服器 | 2,000 | 43 |
| HGX Hopper（8x GPU） | 22,000 | 505 |
| HGX B200（8x GPU） | 36,000 | 886 |
| HGX B300（8x GPU） | 48,000 | 1,240 |
| GB200（NVL72） | 337,500 | 5,370 |
| GB300（NVL72） | 319,500 | 4,664 |
| VR200（NVL72） | 571,050 | 12,411 |
| Vera Rack | 494,048 | 8,339 |
| STX Rack | 326,256 | 3,184 |
| LPX Rack | 581,024 | 12,371 |
VR200 NVL72 機櫃 MLCC 用量較 GB300 增加約 80%（57.1 萬顆 vs 32.0 萬顆），源自 compute board 與 switch board 上 MLCC 顆數提升，以及 BlueField／ConnectX Orchid 等新增模組拉高整體 PCB 含量。
GB300 vs VR200 每板 MLCC 含量拆解（Exhibit 12）
| 每板 MLCC 含量（US$） | GB300（單元數） | VR200（單元數） |
|---|---|---|
| Compute PCB | $3,527（36x） | $9,239（36x） |
| Switch PCB | $515（9x） | $1,997（9x） |
| BlueField DPU Module | $0（0x） | $366（18x，新增） |
| ConnectX Orchid Module | $0（0x） | $498（72x，新增） |
| 其他周邊 PCB | $622（90x） | $311（45x） |
| 單機櫃合計 | $4,664 | $12,411（+166%） |
高容值（47µF+）MLCC 排擠中低階：與玻纖布同構的機制
- VR200 高容值佔比躍升：47µF+ 高容值 MLCC 用量佔比由 GB300 的 <20% 升至 VR200 的 30%+（Exhibit 15）。VR200 機櫃可用於安裝 MLCC 的空間相較 GB300 未明顯放大，因此在 ABF 封裝基板與 AI 加速器板有限空間內須改用更高容值 MLCC，加速小型化與高容量化。1608 尺寸 100µF、1005 尺寸 47µF、0603 尺寸 10µF 需求將隨 VR200 大幅成長；1608 尺寸 100µF 單價估為 2012 尺寸 100µF 或 1608 尺寸 47µF 的 5-10 倍。
- 47µF+ 佔增量 TAM 過半：MS 估 47µF+ MLCC 可能佔 CY27 雲端 AI MLCC增量 TAM 的 50-60%（約 +US$20 億市場機會）；對應需求量由 CY25 約 40 億顆增至 CY27 逾 400 億顆（約 10 倍）。
- 供應集中、排擠效應（capacity crowding-out）：高容值 MLCC 供應集中在少數日韓廠（Murata、Taiyo Yuden、SEMCO）。MS 明確使用「capacity crowding-out」一詞，判斷隨 AI 基礎設施需求加速，這些廠商的高容值產能利用率可能持續吃緊，排擠效應可能擴及其他終端市場與應用。
圖說：MS「AI/DC MLCC Demand Split by High/Low-Cap (US$M)」柱狀圖：低容量（22µF 以下）754／709／1,069／1,398／2,056／3,704（2022–2027），高容量（47µF 以上）1／5／26／218／514／2,476。來源：報告_MS_MLCC產業_20260915
與玻纖布排擠標準品是同一種機制
高容值 MLCC 排擠中低階供給，與高階玻纖布（Low-Dk／Q 布）排擠標準品 E-glass 產能屬同一種結構性機制——頂層產能被 AI 高毛利料號吸走後，供給真空外溢至下游／中低階市場，帶動非目標族群的漲價與稼動率上行。玻纖布側細節見 技術_玻纖布。
材料與製程：MLCC 微型化與高容量化的技術基礎
MLCC 微型化與高容量化主要透過薄層化（介電層與電極層變薄）與多層化（堆疊層數增加）達成；AI/DC 高容值產品進一步擴大每片介電片上介電層與內電極的面積。MS 認為關鍵技術要素為：(1) 開發更優異的介電與電極材料；(2) 製造高均勻度、高可靠度的漿料（slurry）；(3) 精密疊層堆疊技術；(4) 無氧化控制氣氛燒結技術。
上游鈦酸鋇（BaTiO3）粉末製造：由碳酸鋇與氧化鈦經固相法或液相法（草酸鹽法、水熱合成法）製成；粒徑小且均勻的鈦酸鋇是小型化高容量 MLCC 的關鍵。村田、太陽誘電、SEMCO、國巨皆有內製固相法產能；外部採購來源包括堺化學（水熱合成）、日本化學工業（草酸鹽法）、石原化學（草酸鹽法）、Noritake（固相法）、戶田工業（水熱合成）、中國四環（固相＋水熱合成）。村田 2023 年與石原產業及其全資子公司富士鈦工業成立合資公司 MF Materials（村田 20%／石原產業 10%／富士鈦工業 70%），以草酸鹽法生產鈦酸鋇並供應村田，2027 年於宮崎縣延岡市總廠旁新建產能啟用。TDK 於 2026 年 4 月與日本化學工業成立合資公司 TDK-NCI Advanced Materials（TDK 51%／日本化學工業 49%），加速草酸鹽法鈦酸鋇開發。
市占與四家供應商評等變動（MS，2026-09-15）
- CY25 全球 MLCC 出貨值市占：村田 40.8%、SEMCO 22.5%、太陽誘電 11.3%、TDK 6.9%、國巨 5.4%，其餘廠商合計 13.0%。村田＋SEMCO 合計約占高階 AI MLCC 的 85%（日韓雙寡占）。
- MLCC 佔各公司 2025 年營收比重：村田 50%、SEMCO 46%、太陽誘電 70%、2327_國巨（市） 19%。
- 全球 MLCC 出貨值預估上修：2025 US$14.67bn → 2031 US$44.45bn，CAGR 20.3%（相較 2012–25 的 5.0% CAGR 明顯加速）。AI/DC 用 MLCC 出貨值 2031 年達 US$23.33bn（前估 US$10.80bn），CAGR 57.1%（前估 38.1%）。
- 評等與目標價變動：維持 OW 村田（DCF 目標價 ¥12,500→¥11,000，因無風險利率假設由 2.6% 調升至 3.0%）；維持 OW SEMCO；維持 OW 2327_國巨（市）（目標價 NT$1,465→NT$1,050，詳見 2327_國巨（市）「目標價與評等」）；太陽誘電由 Underweight 調升至 Equal-weight（目標價 ¥12,500→¥10,500）。
- 高進入門檻：高階 AI MLCC 需要數百至逾千層介電層且近乎零缺陷、客戶認證嚴格，是阻止 2017-18 缺貨引來新進者、循環自我修正那一幕重演的關鍵門檻。
- Murata 定價態度轉變：Murata CFO 南出雅範於 2026-09-14 日經訪談表示，高階產品產能負荷上升使低階產品越來越難完全供應，防守低階市占的優先序已實質下降；Murata 不願對 AI/DC 用高附加價值 MLCC 簽 LTA，反映其認為現在鎖價未必最佳、未來 MLCC 價格有上漲空間。
供需趨勢（JPM，2026-06-12）
JPM S&D 模型預測 MLCC 供需在 2026-28E 將逐步轉為短缺：
| 年度 | 供需差 | S&D（%） | 備註 |
|---|---|---|---|
| 2025E | +465bn | +10% | 輕微過剩 |
| 2026E | +252bn | +5% | 供需趨於均衡 |
| 2027E | -315bn | -5% | 轉為短缺 |
| 2028E | -395bn | -6% | 短缺加深 |
驅動因素：AI 伺服器 MLCC 需求 CAGR 80%+、產能移轉使有效容量下降（2026E 調整後實際產能 YoY -4%），以及組裝良率下滑（AI 高階 MLCC 耗用 10 倍產能）。
通路庫存與單價指數
UBS Evidence Lab 升級版 Electronics Distributor Inventory Monitor 追蹤全球 100 餘家電子零件通路商（含前十大中逾五家）、逾 100 萬個料號、30 餘家 IT 零件廠，資料自 2021 年 9 月起（舊版僅追蹤單一美國通路商）。（來源：報告_UBS_MLCC通路庫存追蹤_20261022，2026-10-22）
- 近四週（至 2026-10-10 vs 09-12）：MLCC 通路庫存數量 +2%、庫存金額 +8%、單價指數 +6%；庫存數量在 9 月降至 2023 年以來低點後趨穩，庫存金額與單價指數同創歷史新高。
- 依廠牌近四週單價指數：Murata +3%、SEMCO +6%、2327_國巨（市） +9%、TDK +4%、太陽誘電 +5%；YTD 單價指數 Murata +24%、SEMCO +82%、國巨 +38%、TDK +31%、太陽誘電 +68%。
- 2026-09 YoY（同業平均）：庫存數量 -35%、庫存金額 +24%、單價 +34%；各廠單價 YoY：Murata +23%、Samsung +79%、國巨 +34%、TDK +29%、太陽誘電 +65%、華新科 +39%、Kyocera AVX +33%。2026-06 以來通路庫存數量降逾 30%、單價指數升近 30%。
- UBS 觀察 3Q 財報重點：①韓、台廠已多輪宣布漲價，向來審慎的日系廠是否跟進及幅度、品項、時點；②擴產與中期需求：AI 需求由 GPU 板擴及電源與光模組周邊，媒體報導 Murata 考慮提前執行 FY3/28 前兩年 800 億日圓的 MLCC 增資並再追加；③通路 MLCC 非 AI 比重相對高，需確認非 AI 直客需求、庫存與價格環境。
- 評等：UBS 看好高階產品比重高的結構性成長廠，Buy Murata（TP ¥13,200）、TDK（TP ¥4,950）、SEMCO（TP 270 萬韓元）、Three-Circle（TP Rmb180），Neutral 太陽誘電（TP ¥17,700）；2026E P/E 分別 33.8x／20.4x／54.5x／47.0x／38.9x（股價截至 2026-10-21）。
圖說：UBS Evidence Lab Figure 6，MLCC 通路單價指數（依廠牌，Sep-21 起約 100）：Murata、Samsung、Yageo、TDK 四線自 2022 年下滑至約 60–80 低檔盤整，2026-06 後陡升，至 Sep-26 Samsung 約 108、Yageo 與 TDK 約 100、Murata 約 85。（來源：報告_UBS_MLCC通路庫存追蹤_20261022，2026-10-22）
來源
- 報告_深入分析_被動元件AI_MLCC鉭質電容TLVR電感_20260514
- memo_台股被動元件架構圖觀察_20260524
- 報告_JPM_國巨AI被動元件_20260601
- 20260612_JPM_Asian MLCC Industry — J.P. Morgan，2026-06-12；長期 S&D 模型
- Rippling Effect of Capacity Shift Will be Large — Aletheia Capital，2026-06-12；Murata 產能移轉與 AI 伺服器 MLCC 規格分析
- 分析_Murata產能移轉_MLCC供給真空與國巨受惠論點
- 260622_三星電機_ms_MLCC-super-cycle — Morgan Stanley，2026-06-22；MLCC 超級週期：AI 伺服器供需、通路報價、廠商格局（CY25 市占）、Rubin 世代高容需求；AI 伺服器 MLCC TAM 2027E US$893M
- 260622_2327_國巨_ms_Yageo — Morgan Stanley，2026-06-22；國巨 2H26 直接客戶漲價 30-40%，MLCC ASP CY26 +30% / CY27 +67%
- 活動_日電貿3090_call_memo_20260708 — 日電貿 call memo，2026-07-08；主板三大料號、DC Bias 實測、AI/NB 價差
- 報告_MS_MLCC產業_20260915 — Morgan Stanley，2026-09-15；全球 MLCC 產業首評更新，VR200/GB300 機櫃拆解（Exhibit 11/12，單機櫃 MLCC +166%）、47µF+ 高容值排擠效應量化、材料與製程（鈦酸鋇/JV）、CY25 市占與四家供應商評等變動（村田/國巨 TP 下修、太陽誘電升評）
- 報告_群益_信昌電6173_20260922 — 群益投顧，2026-09-22；電源端高壓大容值 MLCC 規格演進（A100→H100→GB300→Rubin Ultra 世代用料規格與單機顆數）
- 報告_華南_4Q26投資季刊總經股市產業展望_20260918 — 華南投顧，2026-09-18；4Q26 投資季刊，日商 AI 料號 B/B 1.7-1.9、缺口至 2Q27-3Q27
- 報告_UBS_MLCC通路庫存追蹤_20261022 — UBS Evidence Lab，2026-10-22；通路庫存與單價指數（至 2026-10-10），單價指數與庫存金額創高、庫存數量趨穩，3Q 財報關注日系廠漲價與擴產
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