定義
MLCC（Multi-Layer Ceramic Capacitor，積層陶瓷電容）是以陶瓷介電層與金屬電極層交錯堆疊形成的電容器。AI 伺服器中，MLCC 被大量放在 GPU 周邊，負責高頻濾波與瞬間補能，是 PDN 中最靠近 GPU 的第一道防線。
圖解
圖說：高階 MLCC 的競爭核心是微米級堆疊。來源指出低階產品只需數十層，高階 MLCC 需要 1000 甚至 2000 層，陶瓷層可薄到 1 微米以下。
技術原理
MLCC 的電容量由介電材料、電極面積、介電層厚度與堆疊層數決定。AI 伺服器用高階 MLCC 必須同時滿足極小尺寸、極大容量、耐高溫與低阻抗，技術瓶頸集中在陶瓷粉末純度、粒徑一致性、薄層堆疊、燒結與良率控制。
關鍵參數 / 判斷指標
| 指標 | 意義 | 觀察重點 |
|---|---|---|
| 尺寸 / 容值 | 單位體積儲能能力 | 008004、0201 高容值是頂層 AI / 車用主戰場 |
| 堆疊層數 | 決定同體積內電容量 | 高階 MLCC 需千層級堆疊 |
| 耐溫 | GPU 周邊高溫可靠性 | AI 伺服器滿載時周邊溫度可突破 100°C |
| Low ESR | 低阻抗、快速供電響應 | 高頻突波與瞬間補能能力 |
| DC Bias | 高壓下實際容量衰減 | AI 伺服器高壓環境下，實際容量可能大幅縮水 |
| 交期 | 供需緊張程度 | 來源指出 2026 年高階 MLCC 交期約 24-32 週 |
技術瓶頸 / 風險
- 材料瓶頸：高階 MLCC 的「麵粉」是鈦酸鋇陶瓷粉末，來源指出日系材料商如堺化學、共立材料、富士鈦工業具關鍵地位。
- 製程良率：千層級薄層堆疊對潔淨度與燒結控制極敏感，微小灰塵就可能造成短路。
- 三層市場分化：AI / 車用頂層是日韓寡占，中段是台廠戰場，底層通用品仍可能過剩。
- 替代與互補：鉭質電容容量更穩定，但價格高且供給有限，因此 MLCC 仍是 GPU board 大量部署的主力。
- 一般 IT MLCC 外溢漲價：報告_JPM_國巨AI被動元件_20260601 認為 AI 高階 MLCC 使日韓同業產能被占用，可能讓一般 IT / 非 AI MLCC 漲價早於高階 AI MLCC，台廠受惠重點在中段標準品稼動率與 ASP。
關鍵廠商
| 層級 | 廠商 | 角色 / 市占（CY25） |
|---|---|---|
| 頂層 AI / 車用超微高容（日韓寡占） | 村田（Murata） | 市占 40.8%（MS 2026-06-22）；AI 伺服器訂單達產能 2 倍，稼動率 90-95%；競爭優勢：垂直材料整合、008004 超小型式領先 |
| 頂層 AI 高階 | 009150.KR(semco)（三星電機） | 市占 22.5%（MS 2026-06-22）；天津廠滿載；從低毛利消費電子轉向高毛利 AI/車用；AI MLCC 佔 MLCC 銷售 ~15%（1Q26），目標 2026E 升至 ~20%；embedded MLCC 與矽電容為新成長引擎 |
| 頂層利基 | 太陽誘電、TDK | 太陽誘電市占 11.3%、TDK 6.9%（CY25）；太陽誘電因產能擴充保守，可能無法充分把握 AI/DC 需求 |
| 中段標準高容 | 2327_國巨（市）、2492_華新科（市） | 國巨市占 5.4%（CY25）；日韓轉向頂層後的中段窗口受惠者；國巨 YTD +379% |
| 利基 / 客製化 MLCC | 3026_禾伸堂（市）、6173_信昌電（櫃） | 高壓、高容、高溫、特殊 MLCC 與材料整合觀察；法人認為禾伸堂 NP0 MLCC 有進 Vera Rubin 相關 AI server power 應用 |
| 中國廠（國內 AI 伺服器鏈） | 三環集團（CCTC）、廣東風華、朝一三環、億洋科技 | 進入國內伺服器供應鏈；商品級廠商主要供應消費電子 |
| 上游粉末 | 堺化學、共立材料、富士鈦工業 | 高階鈦酸鋇陶瓷粉末供應 |
| 導電漿 / 厚膜導體材料 | 4760_勤凱（櫃） | MLCC 端電極與厚膜導體材料上游觀察 |
供應鏈
- 技術_AI伺服器被動元件
- 技術_嵌入式基板：AI 電源封裝中，MLCC / 電容由表面貼裝走向低 ESL、矽電容、embedded capacitor substrate；公開資料需區分「標準 MLCC 內埋」與「嵌入式電容結構」。
- 供應鏈_AI伺服器被動元件
- 分析_被動元件供應鏈比較
- 技術_鋁電解電容
AI 伺服器 MLCC 規格升級（Aletheia，2026-06-12）
Vera Rubin 世代的高容值 MLCC 採用側邊間距（side-gap）構造，屬於相對新的 SKU，良率僅約 70%（vs 通用型 95%+）。高介電強度的 X6S（耐 105°C）、X7R（耐 125°C）規格需要介電層緊密堆疊，技術門檻高。Aletheia 指出 HVDC 800V 導入 Vera Rubin 將使每 rack NP0 高壓 MLCC 需求增加 60-100%。
| 伺服器世代 | 每 GPU MLCC 用量 | 高容值佔比（>1µF） | 每 rack 總量 |
|---|---|---|---|
| 一般伺服器 | ~1,000 | 75% | 2,000 |
| Blackwell HGX | ~3,125 | 80% | — |
| GB200/300 NVL72 | ~6,111 | 85% | 440,000 |
| Vera Rubin NVL72 | ~13,194 | 90% | >900,000 |
圖說：Aletheia 整理的 MLCC 介電材料與製程技術示意（來源：Murata）；X6S/X7R 規格需緊密堆疊、粒子控制與電極薄化，構成高階 AI 伺服器 MLCC 的技術壁壘。（來源：Rippling Effect of Capacity Shift Will be Large，2026-06-12）
AI 主板料號與 DC Bias 實測（日電貿 channel check，2026-07-08）
GPU 主板三大主力料號：0201 10µF X6T 2.5V、0402 47µF X6S 2.5V、0603 100µF X6S 2.5V；完全供貨能力僅村田與三星電機，京瓷（良率差，4Q26 可能改善）與太陽誘電次之。
- DC Bias 實測衰減 ~40%：0402 47µF X6S 施加 1V 後實效 27.5µF、0603 100µF X6S 施加 1V 後 54.7µF——印證「關鍵參數」表中 DC Bias 高壓下實際容量大幅縮水；容值升級後同空間總容值仍提升 40-67%（20 顆計）。
- 尺寸 / 價格關係：容值類似時，AI server 要求更小尺寸又耐溫耐壓，價格可能 5-10 倍；0603 47µF X5/X6 一般 NB 料 vs AI 料價差 20-30 倍。
- 用量與缺貨結構詳見 供應鏈_AI伺服器被動元件。
MLCC 超級週期：供需動態（MS，2026-06-22）
Morgan Stanley 三星電機超級週期報告（2026-06-22）提供了最新的供需與報價數據：
通路報價動態
- 現貨報價：深圳華強北現貨市場自 5 月初起大幅漲價，部分規格漲幅 2-10 倍（如 0805 27µF 年初至今漲約 6 倍）
- 合約報價：主要供應商對通路商 2Q26 報價上漲 20-30% QoQ；部分廠商移除量折扣並停止以 1Q 低價接單
- 交期：高階產品交期超過 20 週；通路商期望 3Q26 進一步漲價，積極洽談類 LTA 長期供貨協議
- 庫存：供應鏈庫存在兩年去庫存後保持低位；通路商平均約 1.5 個月庫存，下游客戶不足 1 個月
AI 伺服器 MLCC 需求爆發（MS，2026-06-22）
- AI 伺服器 MLCC TAM：2022 US$3M → 2025 US$206M → 2026E US$338M → 2027E US$893M（遠超 MS 2024 年原估 2030 年 US$550M）
- 全球 MLCC 市場總規模：2025 US$147 億 → 2028E US$243 億（CAGR 18%，vs 過去 10 年趨勢 6.5%）
AI 伺服器 MLCC 需求美元規模（US$M）：2027 年接近 US$900M，遠超 MS 2024 年預估的 2030 年 US$550M；AI/DC 是全球 MLCC 市場成長的主要增量驅動力。（來源：260622_三星電機_ms_MLCC-super-cycle，2026-06-22）
Rubin 世代 VR200 高容值 MLCC（47µF+）佔比升至 31%（vs GB300 僅 18%），反映 AI 伺服器每代升級均帶動高容值 MLCC 用量比例提升。（來源：260622_三星電機_ms_MLCC-super-cycle，2026-06-22）
為何此次為結構性週期（MS 分析）
MS 指出 MLCC 今日類似兩年前的 DDR4 DRAM 狀況——高階製造商將固定產能轉向更高利潤的 AI 硬體，觸發結構性漲價： 1. 現有 EV 相關 MLCC 產能與 AI 伺服器不可互換（規格、封裝、電源轉換、電容 - 電壓要求差異大） 2. 新建產能前置時間長：Greenfield MLCC 廠從決策到量產需約 2 年，設備高度內製，無法快速提升效率 3. 代理 AI 需求新浪潮：推論成長與代理 AI 的 CPU 密集特性帶來 GPU 以外的增量需求 4. 廠商要求持續定價上行才願意投資新產能；多數廠商以年 10-15% 的輸出成長為目標，避免投機性投資 5. 高進入壁壘：AI 伺服器與車用高容值低 ESL MLCC 需嚴格資格認證，限制低階廠商進入
供需趨勢（JPM，2026-06-12）
JPM S&D 模型預測 MLCC 供需在 2026-28E 將逐步轉為短缺：
| 年度 | 供需差 | S&D（%） | 備註 |
|---|---|---|---|
| 2025E | +465bn | +10% | 輕微過剩 |
| 2026E | +252bn | +5% | 供需趨於均衡 |
| 2027E | -315bn | -5% | 轉為短缺 |
| 2028E | -395bn | -6% | 短缺加深 |
驅動因素：AI 伺服器 MLCC 需求 CAGR 80%+、產能移轉使有效容量下降（2026E 調整後實際產能 YoY -4%），以及組裝良率下滑（AI 高階 MLCC 耗用 10 倍產能）。
來源
- 報告_深入分析_被動元件AI_MLCC鉭質電容TLVR電感_20260514
- memo_台股被動元件架構圖觀察_20260524
- 報告_JPM_國巨AI被動元件_20260601
- 20260612_JPM_Asian MLCC Industry — J.P. Morgan，2026-06-12；長期 S&D 模型
- Rippling Effect of Capacity Shift Will be Large — Aletheia Capital，2026-06-12；Murata 產能移轉與 AI 伺服器 MLCC 規格分析
- 分析_Murata產能移轉_MLCC供給真空與國巨受惠論點
- 260622_三星電機_ms_MLCC-super-cycle — Morgan Stanley，2026-06-22；MLCC 超級週期：AI 伺服器供需、通路報價、廠商格局（CY25 市占）、Rubin 世代高容需求；AI 伺服器 MLCC TAM 2027E US$893M
- 260622_2327_國巨_ms_Yageo — Morgan Stanley，2026-06-22；國巨 2H26 直接客戶漲價 30-40%，MLCC ASP CY26 +30% / CY27 +67%
- 活動_日電貿3090_call_memo_20260708 — 日電貿 call memo，2026-07-08；主板三大料號、DC Bias 實測、AI/NB 價差