PDF 原檔：定錨_2026年中產業趨勢講座_MEMO(4)_original.pdf

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202873—TM 20 • 84018E • 2029~20305A14213

定錨產業筆記

2026 年中產業趨勢講座

1. 無塵室

1. 受惠於AI對先進製程需求非常強勁，無塵室已成為目前先進製程擴產最大瓶頸，預估台積電2026年資本支出 580億美元，2027、2028年進一步提高至720、840億美元。2029~2030年A14製程進入ramp up階段，並開 始啟動A10製程早期投資，資本支出至少維持在高原期，也不排除進一步提高的可能性。
2. 與2018年擴產循環的差異，第一點是Arizona廠務成本大幅提高5~6倍，未來都會轉化成供應鏈的營收；第二 點是前一波循環，供應鏈集中在漢翔、和淞、兆聯、帆宣……等嫡系廠商，這波開始外溢至亞翔、洋基工 程……等二線廠商，顯示需求非常強；第三點是本次循環其他產業也在擴產，未能切入台積電供應鏈的廠務 公司，也有記憶體、封測廠、資料中心……等機會
3. 台灣建廠一座約200億元，無塵室、機電合計佔100~120億元，水、氣、化各佔30億元。美國建廠一座約 1,000~1,200億元，無塵室、機電合計佔500~600億元，水、氣、化各佔180~200億元。以上均不含土建，台 灣建廠土建約100~120億元，美國建廠土建約400~500億元。
4. Fab21 P2主系統裝機時程從6~8季縮短至5~6季，P3從2027Q1提前至2026下半年，P4主系統裝機從2028Q1 提前至2027下半年。Fab22 P3主系統裝機從2026Q2提前至2026Q1，P4從2027Q1提前至2026Q3，P5從 2027Q2提前至2027Q1。Fab22 P4、P5規劃一半N2、一半A16，Fab22 P7改為A16，進度有可能提前，因應 NVIDIA需求上修。
5. 未來可能發生的催化劑有兩點，第一點是台積電2026年資本支出有可能會上修約30~40億美元，下季法說會 有可能會將區間往上平移至540~580億美元；第二點是2026Q3 Arizona P3、Fab22 P4、Fab20 P3開始進場 後，廠務工程供應鏈合約負債逐步墊高。

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2. 設備

半導體設備商受惠CoWoS、SoIC、CoPoS擴產

1. 2026年CSP持續投入AI算力的建置，觀察到從前段製程、到封裝、載板、PCB許多節點都呈現產能不足的瓶 頸，對於相關設備商成長賽道很明確。
2. 首先看到台積電CoWoS 先進封裝目前持續供不應求，2027、2028年持續擴充CoWoS產能，預估2027、2028 年底CoWoS月產能分別會達到19萬片、25.5萬片。
3. 2027年底有機會開始大幅度擴充SoIC先進封裝產線，新增需求包括NVIDIA CPO、Feynman、MTK TPU v10t Icefish的需求，初步估計到2026年底、2027年底 SoIC月產能分別達到20,000片、45,000片。
4. NVIDIA內部也有推出non-SoIC版本的Feynman，如果屆時生產良率未達標準，也可能會延後導入，所以現階 段還是存在一些風險。
5. 台積電也持續針對CoPoS進行研發，目前在12x reticle size的封裝尺寸遇到一些逆風，CoPoS第一條量產線最 快將會在2028年投產，初步預估2028年CoPoS產能約10,000片/月，但仍需觀察客戶在最先進產品導入進 度，仍然可能提前在2027年開始建置第一條量產線。
6. 此外也觀察到，2027下半年聯發科的TPU v9t Humufish，預計會採用Intel EMIB-T先進封裝，主因為 Humifish封裝尺寸約為10x的reticle size，台積電CoWoS-L目前最大封裝尺寸僅支援到9x多的reticle size。
7. 另外在2027下半年Broadcom 的Pumafish目前開案停止，改由2顆Sunfish直接封裝在載板上。
8. 依據目前客戶在GPU、CPU需求持續供不應求，CoWoS先進封裝在2027、2028年將會持續擴產，擴產幅度的 成長率持續提升，比較值得留意的是，2027年開始，台積電有可能在SoIC先進封裝的擴產幅度開始有顯著的 提升，資源投入開始變多，相關設備商能夠受惠。
9. 因為N2以下將邏輯核心以及SRAM製作成同一塊的SoC，會導致SoC大部分的面積被無法繼續微縮的SRAM佔 據空間，IC 設計成本會大幅度提高，將SRAM、運算核心改成垂直堆疊的SoIC，屬於SoC降成本、提升效能的 最佳替代方案。
10. 除了在邏輯製程，台積電的COUPE光引擎也會需要更大量的SoIC先進封裝，去製作電晶片、光晶片(EIC、 PIC)的Hybrid bonding製程。
11. 對於設備商來說，2027~2028年持續受惠台積電擴充CoWoS先進封裝產能，既有合作的設備廠弘塑、辛耘、 志聖、均華、萬潤、倍利科…..等持續受惠，2027年開始，SoIC先進封裝對於設備商營收貢獻佔比有機會開始 顯著提升，2028設備商將開始受惠SoIC、CoPoS擴產效應。
12. 因SoIC所要求的潔淨度、精密度較CoWoS大幅提升，潔淨度可能需要奈米等級，精密度2um以下。CoPoS設 備除了在設備體積、載具機構變大，monitor、量測等機構件也更為高階，整體來說，SoIC、CoPoS設備資 本密集度大約較CoWoS提升約50%。
13. 現有的SoC將GPU、SRAM….等功能整合在同一個晶片當中，SoIC屬於Chiplet架構，是把所有小晶片拆開來 整合在一起。
14. 為了提升效能、降低成本，未來會把製程微縮的重點放在邏輯核心，SoIC的垂直堆疊，相較過去平行溝通的 傳輸面積會更多、傳輸距離會更短。

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Apick and place • bonding#™## › ‡ETop die • bottom di

1. SoIC是用封裝技術完成SoC，理論上它還是一顆Die，不會讓CoWoS封裝用量更少，基本上使用越多SoIC， 也會需要更多CoWoS產能，到了2028年在SoIC新應用的帶動下，加上CoWoS當中的HBM層數還會持續增 加，對於需要投資設備的產值有機會持續提高。
2. SoIC製程當中將會衍生一些設備供應鏈的機會。
3. SoIC較過去先進封裝不同的是，製程當中沒有透過任何的micro bump，或是solder bump….等凸塊互聯， 而是直接透過銅對銅、介電絕緣層對介電絕緣層的互聯，這種技術就稱為Hybrid bonding。
4. 製程大致重點會把top die、bottom die分別做出TSV、銅接墊的結構。
5. 接著會透過CMP研磨將銅接墊磨到稍微有點凹陷的程度，在這一個CMP屬於非常重要的製程站點，磨太多鍵 合時會有空隙、磨太少鍵合時會把銅墊撐爆，所以在CMP是很關鍵的站點。
6. 在做完CMP後，會進入pick and place、bonding製程站點，把Top die、bottom die鍵合在一起。
7. 最後就是進入熱製程讓銅原子擴散協助鍵合。
8. 整段製程的top die、bottom die也會用到大量濕製程清洗，因為Hybrod bonding完全沒有空隙，無法容忍 任何particle，潔淨度要求高。
9. 整體來說，SoIC包含大量CMP、濕製程、Pick&place、bonding、熱製程。相關設備商皆已切入供應鏈例如 Besi、弘塑、志聖…..等有望受惠。SoIC會需要更多道CMP製程，對Carrier Wafer、鑽石碟……等供應鏈有 利。
10. 日月光、矽品將會持續受惠台積電擴大委外CoWoS先進封裝，以及客戶第二供應鏈自建產線需求，預估2026 年CoWoS擴充至25,000/月，2027年擴充至42,000/月，2028年擴充至50,000~60,000/月。
11. 對於已經切入製程站點的相關檢測設備商如倍利科、由田、政美應用，將持續受惠客戶建置產能需求。
12. 此外，在RDL線路製作過往主要由國外大廠把持，不管是正面、背面的PVD鍍膜製程，台系設備商天虹目前透 過FOPLP去切入製程站點，主打規格是310*310mm，天虹在方形封裝進度領先原本國外廠商，有機會在 2027年拿到FOPLP相關的repeat order，也有機會藉此去切入過往比較少做的CoWoS先進封裝站點。

Glass Interposer、Glass core substrate前沿技術

1. 近期也有許多TGV製程相關討論，不論是CoWoS、CoPoS製程當中都不會將玻璃留在封裝結構當中，也不會 有TGV相關的製程，以下會透過製程來說明。
2. 這兩張圖是封裝完的樣子，CoWoS-S透過整片Si Interoser讓上方的晶片做互聯，CoWoS-L透過RDL Interposer上的LSI局部矽互聯讓晶片溝通。
3. 以CoWoS-L來說明，CoWoS-L會先在12吋圓形玻璃載具上，植入種子層，確保後續RDL層順利黏著在玻璃 上。
4. 接著再透過曝光、蝕刻製程製作RDL線路，並在上方塗佈一層絕緣PI膜，重複多次，形成多層RDL結構。
5. 接著在製作完畢的多層RDL結構上方植入Micro Bump，再放置晶片，並完成填膠，最後覆蓋上第二層玻璃載 具。
6. 移除第一層玻璃載具後，植入C4 Bump，最後移除第二層載具，進行on Substrate封裝，玻璃載具都是用來 支撐的，不會留在封裝裡面。
7. 以量產技術難度來看，以玻璃載具替代載板結構，需要Interposer等級的孔徑深寬比，Glass Core Substrate 的難度較低，在Glass Core Substrate實現量產以前應該不用考慮這條路徑。

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LEE&COWOS-L• FAT##interposerEALSI • DTCA1#

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1. 台積電現在也很積極在開發CoPoS先進封裝，會想要由原轉成方形主要是因為封裝利用率的問題。
2. NVIDIA Blackwell GPU採用CoWoS-L先進封裝技術，Package Size達到3.3X Reticle Size。到了Rubin將I/O die獨立成一顆chiplet，Package Size達到4.0X Reticle Size。Rubin Ultra包含4顆GPU chiplet，預估 Package Size達到7.5X Reticle Size，每片12吋圓形Glass Carrier只能放4~6顆，且邊緣產生許多損耗，封裝 效益不佳，所以才開始很積極開發方形封裝。
3. CoPoS的技術路徑完全是沿襲CoWoS-L，同樣在有機interposer埋入LSI、DTC元件，只是將Glass Carrier改 為方形，增加每片Carrier的封裝效率。
4. 台積電最終定案方形載具尺寸310*310mm Glass Carrier，Glass Carrier僅用於暫時性承載，不會成為晶片結 構的一部份，無須TGV製程，但有可能會需要Glass Defect AXI檢測設備，規格不算高，多家設備廠都有能力 供應。
5. 目前除了台積電，封測廠也積極開發方形封裝，力成FOPLP良率約95%，接近量產，初期只會用來封裝一些 結構比較簡單的晶片，不涉及較複雜的TSV製程，例如AMD消費級CPU。
6. 矽品有投資310310mm CoPoS產線，包含前段Chip on Panel，日月光則是以310310mm FOPLP為主，前 者的技術門檻比較高。今年底以前，日月光、矽品有可能會透過收購廠房，進一步擴充先進封裝產能，矽品 較專注在前段CoW、CoP，日月光較偏重後段oS、CP、FT。

PCB板廠、ABF載板廠擴充產能

1. EMIB-T先進封裝類似CoWoS-L，都有局部矽互聯的原件，但是EMIB-T不會用Interposer，是直接封裝在載板 上，透過矽橋去讓上方晶片做溝通。
2. EMIB Process: (a.)先用雷射設備挖出凹槽，接著把做好的EMIB Die(矽橋)，帶有DAF膜的矽橋，鍵合在載板裡 面。(b.)接著壓膜介電層、製作RDL線路結構(c.)再進入鑽孔、電鍍製程讓ubump、C4 bump能夠導通(d.)最 後才把ASIC die 鍵合在載板上(最後這邊應該是送去osat廠)
3. Google TPU Humufish改採EMIB-T封裝，2027下半年推出，根據我們研調，目前EMIB-T先進封裝在載板段 的良率大約20~50%，在濕製程的複雜度提升不少，可能會耗用非常多載板產能，且GOOGLE 2028年目標出 貨1,000萬顆，載板廠很可能會在今年提前開始採購設備，去為2028年的產能做準備。
4. EMIB-T現在屬於實驗線開發階段，為了滿足ASIC客戶2027年底~2028年需求，今年底、明年初有可能在既有 廠區擴充3倍產能，還沒有包含在未來新廠的部分。
5. 以台系載板廠來說欣興今年開始積極地擴充產能，資本支出約接近500億元，也針對一些比較長交期的設備提 前預訂產能，因此開始投入2027年資本支出。
6. 因EMIB-T目前良率狀況不好可能會消耗很多ABF載板產能，GPU、ASIC在載板設計上層數更多、面積變大狀 況下，加上其他客戶的GPU、ASIC需求，蠻多客戶已提前預訂未來好幾年產能，載板廠2027、2028年將會大 幅度擴充產能。
7. 欣興目前將光復1廠產能、楊梅1廠產能擴充到最大化，楊梅1廠原本就有EMIB先進封裝產能，今年度也開始 擴充設備，光復2新廠預計明年要量產，今年會開始進設備，楊梅2新廠2028年投產，預計2027年中開始進設 備，也規劃未來擴充楊梅3、4廠產能、以及光復3廠。
8. 除欣興外，景碩、臻鼎目前也積極擴充ABF載板產能，日系廠商IBIDEN、凸版也開始進行擴產，但在台系的 欣興目前擴產速度最快，預期載板設備商2027~2028年將會受惠載板廠產能建置需求。
9. 以EMIB-T供應鏈來看這些設備商將會受惠客戶產能建置需求，當中有些除了EMIB-T，在CoWoS相關產品也能 同步受惠。

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1. 敘豐為濕製程設備主要供應商，除了設備單價昂貴外，因為在EMIB-T先進封裝濕製程屬於關鍵瓶頸製程，預 期將會耗用很多產能，設備需求量非常大。
2. 內嵌式載板所涉及的複雜Pick and place、bonding製程，主要設備供應商為Toray，Toray主要提供內嵌晶片 的bonding。
3. ASMPT提供電鍍、被動元件的SMT，長廣主要提供高頓數的壓膜設備，群翊做內層塗佈、烘烤，偉勝屬於群 翊外包商，盟立為自動化設備主要供應商，只要欣興擴廠都會持續受惠。
4. 載板也有討論是否要把有機核心層載板，改成玻璃核心層載板，現階段仍處於技術前期發展階段，仍有許多 問題未解，預期最快可能導入的終端產品會在tomahawk7、8 部分CPO版本，仍有些供應鏈值得長期關注。
5. 玻璃核心載板製程大致可以分為四個部分，分別是玻璃雷射改質、蝕刻穿孔、金屬化、ABF增層。
6. 玻璃材料商例如DNP、康寧、凸版、AGC…..等會採購TGV雷射改質設備，形成玻璃通孔的結構，主要供應商 包括鈦昇以及德系LPKF，除了日系、韓系玻璃材料廠商以外，台系面板廠群創也為了活化面板產線，目標今 年去通過客戶認證，未來也有可能自建產線。
7. 做完TGV後，接著進入蝕刻把不要的地方移除，形成一個高縱橫比的通孔。
8. 接著進入金屬化製程，會先植一層種子層，在用單面或雙面的方式去鍍銅，做為一個導電連接的通孔。
9. 最後進入與傳統有機ABF載板類似的增層製程，在玻璃核心層的上下去增層ABF膜。
10. 除了雷射改質設備以外，值得留意的是當中非常多的製程站點會用到檢測設備，例如TGV完，蝕刻、電鍍都會 用到檢測設備確認改質的品質，或是有沒有一些破裂問題，主要代表的廠商為台系的蔚華科。
11. 最後看到PCB設備的狀況，PCB板廠去年開始小幅度的擴產，今年開始許多廠商都相較去年有好幾倍的資本支 出，主要因為CSP 算力建置的需求遠大於PCB廠商現有產能，板子供不應求，而且現在規格、層數皆有提 升，消耗更多良率、產能，因此許多PCB板廠今年開始大幅度擴產，PCB設備供應商將會持續從這波擴產浪潮 受惠。
12. 勝宏2026年大幅增加資本支出，提升至將近200億人民幣，用於泰國、越南以及惠州總部的擴產，HLC/HDI製 程皆有擴充，目前年營收快200億人民幣，營收目標2030年達到1000億人民幣，因此未來擴產具有想像空 間；WUS擴充高多層板為主，還有少部分msap；金像電今年資本支出170億，用在泰國一廠、台灣廠擴產， 中國、台灣也有去瓶頸去增加產值，泰國一廠2期今年也會加入貢獻，今年月產值提升到80多億，公司未來三 年分別在泰國、蘇州、台灣都會持續擴產；ZDT今年好幾度上修資本支出，300到500到800，今年總共有10 個廠區都在擴產，包括淮安6個廠，泰國，中國地區擴產速度會比較快，因為中國的人力、技術都比較成熟， 主要擴的產能是HDI、HLC，其他還包括FPC、載板，也預期臻鼎未來三年會繼續大幅擴產；DY今年投的資本 支出基本上都是在泰國地區擴產，AI伺服器板的HLC/HDI，還有一條msap for光模塊orCoWoP，是轉型最明 顯的公司，過去是做車用、記憶體板比較多。
13. 下列PCB設備供應鏈都是AI伺服器主板主要供應商重要合作的設備商，AOI檢測設備商牧德今年會受惠大客戶 勝宏、臻鼎擴產，目前觀察PCB客戶明年也會持續擴充產能，2027年也將持續受惠，也開始在載板設備有切 入一些新的站點能夠加入貢獻，志聖旗下的創鋒也持續受惠AI主板供應商大幅擴產，提供去膠渣設備；揚博在 HDI濕製程設備在今年、明年也同步受會客戶擴產需求，訂單能見度達2027年；內層塗佈、烘烤設備 群翊目 前產能滿載，持續根據客戶擴廠進度交付設備，待楊梅2廠產能開出將會迎來下一波成長動能；尖點、大量將 會持續受惠AI伺服器板材層數提高帶來的鑽孔需求。

11100 • 26Q2GBЗ0010

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ElOW •0 1400 •

3. ODM電子零組件

iter Tray,9/ Switch Tray, 4/2 Power shelf(110kW), 2/ TOR Swit

VR200零組件拆解

1. 26Q1:GB200/300機櫃落在11000櫃，26Q2:GB300增加至13000櫃，主要還有受到平台轉換期影響，之後 Q3~Q4產量就會上來整體出貨落在5.5-6萬
2. 26H2 ASIC放量， AWS TR3 氣冷解決方案25000櫃 、AMD 4000櫃左右 、Google 3000櫃
3. GB200到VR200架構可以看到整體架構以兩顆package (GPU)+1顆CPU設計
4. GB200單顆晶片功耗1200W， GB300單顆晶片功耗1400W，到了VR200單顆晶片功耗1800W，Rubin Ultra有 機會來到2800W以上，整體單顆晶片功耗呈現急速上升
5. GB200:18層Computer Tray,9層Switch Tray,2層TOR Switch Tray,6~8層Power shelf(33kW)
6. VR200:18層Computer Tray,9層Switch Tray,4層Power shelf(110kW), 2層TOR Switch Tray
7. 主要差異在power shelf 部分GB200一層power shelf 33kW，由6顆5.5Kw PSU構成，VR200 一層power shelf 主要110 kW由6顆18.3kW PSU構成
8. 整體機櫃功耗從GB200:198kW到了VR200:444kW，機櫃功耗1.5倍成長

散熱零組件

1. L2A解熱大概會是150kW與GB200配置是1:1，到了GB300會來到1:1.5，下一個版本VR200來到1:2
2. L2A解熱將熱水帶往後方風牆，風扇往熱交換板降溫把熱帶掉，冷水回到IT RACK L2L將熱帶到後面 In Low CDU藉由冷卻水塔或者冰水機完成熱交換，通常新的架構是8台GB200對上一台In Low CDU ，資料運算中心以16台為一個組合，配上三台In Low CDU，其中一台做為備援，In Low CDU價格 為10-20萬美金， L2A 為4-6萬美金
3. 整體VR200採用模組化、無電纜、無風扇全水冷設計，GB200使用線纜R加風扇佈線限制了散熱元件使用空
4. 間，整體CP用量與gb300相比增加19%， 至於QD部分也增加25% ，VR200多了inner manifold設計，整體來說VR200跟GB300散熱總產值相比提升
5. 40%
6. Compute Tray:9片水冷板，上方6片GPU4片+CPU2片，下方兩片CX-9加上1片DPU Switch Tray:一片水冷板， 水冷片模組大概1500USD，GB200 4片水冷板單片金額200USD，整體產值還是有
7. 上升
8. 兩片式的均熱片採用原因，主要為了克服下方載板翹曲，當使用一片均熱片晶片有可能受力不平均，造成Die Crack

故使用兩片+Stiffener去支撐，但由於散熱問題所以新增Tim2加速散熱效果，

但近期由於tim2溢膠問題，改成一片式利用下方翹曲暫時去克服

• 根據經營層表示2kW以上的功耗就會需要用到兩片式，未來晶片設計越來越大，載板面積也會放大，翹曲機 會越高 就有Die Crack風險，現在部分ASIC也是有再用兩片式配置

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HE #

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電源供應器及BBU

1. 一櫃GB200 power產值金額落在3.7萬USD ，VR200提升至8.12萬USD，產值提升2倍 VR200走到power rack整體單價提升到14.7萬USD，,比原新power shelf 提升1.8倍 未來走向800 HVDC power rack 產值56萬USD ，過去產值提升屬於伺服器內的 PSU模組升級，主要提升的是
2. 單顆電源輸出功率與轉換效率，但到了 VR200 時代，Power Rack 已不只是 PSU 升級，而是進一步整合電源 解決方式去設計、使用HVDC、備援控制與電源管理等功能
3. 傳統AC to DC供電:市電經變壓器降壓後，先經由UPS系統並維持400/480V 交流配電，之後經配電單元與機櫃 電源模組，再到伺服器端，以DC-DC轉換將 50V 匯流排降到0.65 V。
4. HVDC供電會有兩個版本 過渡期的部分依樣會穿越過不斷電系統到了電源機櫃會轉成800HVDC，之後導入至機架式電源轉成50V，伺 服器內經由DC/DC降壓成0.65V FOR GP供電 最終版使用SST直接導出800V直流電經過電源櫃最後降壓會在伺服器內作降轉
5. 整體的效率回從87.6%提升至92.1%
6. Power Rack 將BBU由選配變成標配
7. SST AC33K轉成800V 1MW已有出貨時機，未來標準規格2.5MW預計明年推出，最大容量目標10MW，SST台 達競爭優勢比別人早拿到安規
8. 20.5kW到25kW單價有機會提升2倍，整體BBU產業趨勢，假設2026出55000櫃，滲透率30%，產值落在167 億上下，2027滲透率逐漸提升 也開始採用12kw BBU產值會來到300億 年增落在240%左右
9. 台達供應商部分主要以順達及新勝利為主 5.5kW share兩家差不多
10. AWS TR3也有把備援放進去設計，這塊主要share AES， 所以整體BBU市場估值還有很大空間

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4.

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光通訊

• CW Laser • DSP • PD™#™##†€

AI需求爆發下的光通訊升級與供應鏈機會

1. 傳輸速率快速升級(800G/1.6T/3.2T)，且升級週期明顯縮短，使架構升級速度超越供應鏈消化能力。
2. 光收發模組是以可插拔形式部署於交換器前面板；OBO為將光引擎放置於PCB板上；NPO為將光引擎放置於 ABF載板上；CPO是將光引擎共封裝於Silicon Interposer上。
3. AI資料中心帶動全球光模組出貨量持續成長，且市場主流規格目前由800G主導、並朝加速朝1.6T發展，未來 甚至進一步往3.2T進展。且背後並非單純出貨量增加，而是高速率滲透率持續拉高，進一步提升整體市場產 值。
4. 800G仍為2026~2027年主流出貨規格，市場規模持續成長。1.6T真正的大規模放量期落在2027年，將成為重 要成長動能。在規格升級帶動下，高階EML、CW Laser、DSP、PD及先進封裝測試等關鍵供應鏈價值量將同 步提升，持續受惠於高速光通訊需求成長。
5. 光模組元件供應商
6. DSP(Broadcom/Marvell)
7. Driver/TIA(Marvell/Macom/Semtech)
8. EML(Lumentum/Coherent/Sumitomo/Broadcom/Mitsubshi)
9. CW Laser(EML Player/AAOI/Furukawa/聯亞/環宇-KY/全新)
10. Photo Detcctor(環宇-KY/Macom/穩懋/Dexerials/全新/IET-KY)
11. EML整合連續光源與調變器於同一顆晶片，製作難度高；CW Laser只負責提供連續光源，調變由PIC進行負 責，因此難度降低。須留意高瓦數的CW Laser工程難度依舊很高。

2026 OFC現場前言觀察

1. Lumentum 展示 200G EML 應用於 800G/1.6T 光收發模組，顯示高速 EML 製程已逐步成熟；同時展示 400G EML 技術，作為未來 3.2T 光模組的重要基礎。此外亦展示 400mW Ultra-High Power 與 800mW Super-High Power CW Laser，可分別支援 1.6T 與 3.2T 光模組需求，並作為未來 CPO 架構中 ELS（External Light Source）模組的關鍵核心元件。
2. 雷射的線寬是雷射品質的一大觀察重點，窄線寬頻率穩定訊號品質穩定系統穩定度優良。
3. 高功率 CW Laser 主要可透過兩種技術路徑實現：其一為直接提升雷射晶片輸出功率，目前已知僅 Lumentum 具備相關能力；其二則採用 MOPA架構，透過低功率種子雷射搭配 SOA進行功率放大。無論採用 何種方案，皆需增加 InP 晶片面積與材料使用量，因此將進一步提升 InP 晶圓需求。
4. Coherent 展示的 NPO 方案採用嘉基科技的光引擎Socket，而 NTT 則採用富士康的Socket。兩者皆透過可插 拔式光引擎設計，兼顧高密度光電整合與後續維運需求，藉此降低光引擎故障時的更換成本與維護複雜度。

/Marvell)

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0 Rack •ToR

1. Lumentum展示以VCSEL為核心的NPO Scale-Up Optical Interconnect 方案，瞄準AI Scale-Up網路的短距離 光互連應用。VCSEL 方案具備低成本、低功耗及成熟 GaAs 供應鏈等優勢，可望成為未來 Scale-Up 光互連的 重要技術路徑之一。採用「Slow-and-Wide」架構，以較低單通道速率搭配更多通道數提升總頻寬。 Lumentum(1060nm、32Gbps/channel)，Coherent(850nm、100Gbps/channel)。預計將優先導入 In-
2. Rack 或短距離 Scale-Up 場景，2028 年後有望逐步進入量產導入階段。
3. EML 與 SiPh 未來將呈現應用場景分工與共同成長的發展趨勢，而非單純的替代關係。隨著成本、功耗及高整 合度需求提升，部分原屬於 200G/lane 的應用將逐步轉向 SiPh 架構；而在單通道傳輸速率持續提升的過程 中，EML 憑藉較佳的訊號品質與傳輸性能，預期仍將於更高速世代率先取得主導地位。
4. OCS技術路徑，Lumentum&Google採用MEMS，Coherent採用，Liquid Crystal。CPO&OCS非完全替代關 係，分別負責不同層級。CPO 主要負責靠近運算節點的高速互連，例如 Rack、ToR 與 Leaf 等層級；而 OCS 則會從距離 GPU 運算節點較遠的 Spine 與 DCI 應用開始滲透。台廠則可以關注智邦與啟碁於OCS的布局。
5. Micro LED採用大量低速光源平行傳輸（Slow-and-Wide）架構，透過數百顆 Micro LED 搭配 Microlens 陣列 進行光束整形與耦合，主要鎖定 7~30 公尺中短距離光互連應用，目前多以藍光 GaN Micro LED 為主。相關 技術仍處於 PoC 階段，尚需克服光耦合效率、多通道串擾及系統整合等問題，距離大規模商業化仍有一段距 離，但可作為未來 Scale-Up 光互連的新興技術方向持續關注。

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• -mute

5.

被動元件

前言大綱及基本架構、MLCC近況

1. 被動元件廣泛區分成電容、電感、電阻， P=VI是功率等於電壓成以電流，在AI伺服器功率P成長的趨勢下，如 果電壓維持穩定相同、那就會有需要更高的電流，這時需要更多的電感穩定電流的傳輸；另一方面，如果產 生高電流會同步造成阻抗，讓'電壓降 IR drop'的變動加劇，所以需要更多電容來穩定電壓，電容、電感都 有儲能的效用，用以穩定電源傳輸； 相對於電容跟電感而言，電阻沒有儲能的作用，主要負責電流的限流、 偵測、分壓等，尤其電阻增加會造成發熱跟損耗，在功率成長下電阻的數量成長就不若電容跟電感明顯。
2. 單一主板的MLCC用量方面，單一compute tray中一塊主板落在1萬2千多顆，那兩塊主板組成一個compute tray即是2萬4千顆左右，另外switch tray推測有大約5千顆的數量，單一機櫃由18個compute tray、9個 switch tray組成，另外再加上上方有兩層ToR的networking tray各自大約1千顆MLCC，以及電源方面單一 PSU大約8千顆MLCC，整櫃加總幾來大約是67萬6千顆MLCC，數字會隨著不同客戶ODM有不同設計而有所變 動。上一代GB300的整櫃MLCC用量大約是44萬顆，而其機櫃功耗約為140KW；到了VR200變成220KW，功耗 成長了約1.6倍、MLCC用量也成長了1.6倍。功耗的成長比例大致等於MLCC的用量成長的比率。
3. 以VR200主板為例，最大容值MLCC是47微法的規格， 4V X6S 的MLCC是主板端最重要的配置，單一主板約 1.2萬顆MLCC這顆就佔據近4千多顆，並以日系、韓系大廠為主要供應商，但就我們理解這顆仍然以村田具有 最好的良率技術，三星還有其餘日系大廠較為吃力。到了22微法方面，主要4V X6S仍然以韓系、日系為主要 廠商，國內國巨也做到供應，此外華新科也提供16V x7R產品；因此可知台廠在VR200主板端22微法的規格已 經開始切入供應。
4. 那再往下面的規格在10微法的部分，最大量16V X7R用量到達1314顆，供應商以韓系日系廠商為主。值得留 意的是，禾伸堂、國巨、華新科等亦切入了其他產品，包含6.3V、16V的x6S等等。47、22微法到現在10uF以 上的MLCC數量就到了大約7千多顆，佔據了VR200主板1.2萬顆MLCC數量一半以上。大容值的MLCC在尺寸、 製程都較一般MLCC困難許多，大廠需要消耗許多產能來生產這些AI產品，相較於一般MLCC、其所需產能達 4~7倍。因此根據近期從下游ODM的角度觀察，22、47微法的產品供需正面臨吃緊甚至緊缺狀況。
5. 從巨觀供需角度看MLCC市場，村田的1400億顆月產能、以及三星及國巨約1000億顆月產能等等，目前日 系、韓系的大廠都是滿載的狀態，國巨則是接近滿載；另一方面在需求端，我們有針對後續AI伺服器用之 MLCC進行預估，在2026年需求大約是400億顆/月，預期2027年會成長至1000億顆，後年將超過2000億顆。 這邊值得留意的是，在目前產能滿載情況之下，AI伺服器的MLCC用量成長成為大廠主要生產及後續擴產目 標，所以我們以AI伺服器需求增加幅度與大廠擴廠的幅度來對比。目前大廠擴產節奏大致維持在5~15%，若 以今年約5~10%、明年8~12%、後年15%，這樣的速度成長下去比較。然而在AI伺服器端的需求端每年是以 40%以上甚至接近增倍的速度成長，再加上AI伺服器用的MLCC在製程跟體積都跟一般MLCC有差距，產能消 耗達3~7倍，因此發現AI伺服器需求增加的幅度於未來3年將遠高於大廠擴產的速度。

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1. 日韓龍頭大廠產能利用率已達滿載，尤其日韓大廠在AI伺服器用MLCC佔據較大份額，以及量產初期良率爬 坡，其消耗大廠產能甚至達到了40~50%，因此看到Murata緊急投入800億資本支出擴產以支應AI伺服器的產 能。然而在擴產的同時，其設備投入運作仍需約半年~一年時間導入，因此我們預期2026~2027大廠產能增加 幅度在5~15%之間，相較於剛剛提及AI伺服器用MLCC的用量成長速度來說，大廠擴產的速度仍然相對落後。 在日韓大廠相繼將產能聚焦在高階AI產品上，我們開始看到MLCC訂單外溢效益，部分臺廠也具備打入AI伺服 器MLCC的能力，有望同步受惠；同時在MLCC面臨供需緊繃下，看到村田、三星電機持續醞釀漲價，國巨也 透過交期延長方式變相提升議價權力，但同時我們也在ODM廠這邊觀察到公司透過與日商簽訂LTA，增加與國 內廠商議價權，嘗試推遲漲價的時間，後續MLCC的上漲趨勢值得觀察。

Nichion • Panasonic •

鋁電容

• Capxon • 1158

1. 相較於MLCC，鋁質電容擁有更大體積、在容量上又更具優勢，首先是Hybrid固液混合電容成為新一代AI伺服 器的主要角色，尤其在NVIDIA VR200的主板上，取代了過去以SP-CAP為主要的配置，主要是因為Hybrid在壽 命、可靠度、耐電壓的角度更具優勢，包含在主板、PDB、電源端均有導入。另外在鋁電容這邊，我們也看 到大廠Panasonic減少OS-CON這項鋁聚合物固態電容的規劃、將產能用於生產車用等高毛利產品，甚至調漲 原舊有產品價格維持毛利表現，所以部分客戶轉單台廠如鈺邦等廠商，鈺邦也持續擴廠因應。雖然NVIDIA用 Hybrid取代了許多SP-CAP的設計，但是在ASIC端這邊仍然大量採用SP-CAP，導致整體供需面臨吃緊，尤其 隨2026下半年ASIC放量、日廠如Panasonic規劃漲價，那在領導廠商像Panasonic稼動率趨近滿載下，鈺邦 AP-CAP產品對標Panasonic SP-CAP，公司同樣積極擴產，有望受惠此趨勢。
2. 以NVIDIA VR200為例，包含18顆 Hybrid 100微法 63V的產品，供應商包含立隆電、TDK、Nichicon等；以及 31顆Hybrid 560微法 16V的產品，供應商包含Nichicon、立隆電、Panasonic。那最後靠近CPU端還有6顆 Polymer 120微法 16V的產品，供應商包含Nichicon、立隆電、Capxon。這邊值得留意的是立隆電是唯一日 系Nichicon之外三種鋁電容都有進入供應的廠商，尤其在部分料號為主要供應角色。
3. compute tray配電板我們也看到了大量Hybrid的配置，由於配電板從48V轉換近來，Hybrid適合這樣的電壓 區間。包含在NVIDIA VR200之配電板也配置了36顆的Hybrid電容，立隆電為主要供應商。此外這次VR200客 戶可以選配LPX機櫃來支援推論的端的需求，那在LPU晶片主板上我們也看到了Hybrid、Polymer的配置，同 樣以立隆電、Nichicon為主要供應廠商。
4. 2026computex展會上看到的台達電 800V Hotswap Demo，上面有使用立隆的牛角電容。另外800V轉50V的 hotswap也有看到立隆的Hybrid電容；2026 Computex看到NVIDIA CPU Rack板氣冷版本，上面有採用鈺邦 的Vchip產品。

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電源端台廠機會

1. AI伺服器電源用牛角電容扮演PSU功率成長重要角色，隨著單一PSU的功率從過去5.5KW到現在VR200需使用 12KW、18KW，牛角電容的數量跟規格同步提升，以滿足其功率成長下的電壓及容值需求，單一顆牛角電容 單價可以到10~15美元，成為廠商重要的成長動能。另外隨未來800HVDC的導入，穩定高電壓的MLCC同樣扮 演重要角色，其中LLC諧振電路在PSU之AC輸入端提供電壓轉換等功能，由於其涉及頻繁的頻率切換，多採用 NP0 MLCC以確保架構穩定。主因NP0 MLCC在直流偏壓、頻率變換下擁有最穩定表現。那根據我們調查， LLC諧振電路會由1個NP0 迴路及2顆TLVR組成，單一迴路須採用20~30顆NP0 MLCC，那在後續18KW PSU採 用三相架構，LLC諧振電路就達到3倍，因此單一PSU的NP0用量可能達到100~200顆以上，此外電感TLVR的 配置也會提升。除了NP0 MLCC，隨著HVDC滲透率提升，處理高壓之MLCC也扮演重要角色，其中穩定高壓伴 隨著高容值、大體積，台廠信昌電鎖定1206以上尺寸電源端的MLCC發展，公司推出'Mega CAP MLCC'， 採用堆疊製程提升容值，能滿足客戶後續在高壓大容值的需求。此外剛剛有提及電源端LLC的TLVR採用，我 們也看到台廠臺慶科持續跟台達電合作開發HVDC採用的功率電感，其體積達到3*3cm，製程難度提升但價格 也提升近10倍。
2. PSU、BBU配置牛角電容部分，從過去5.5KW配置約3~5顆，18KW PSU則成長到了16~18顆，後續25KW也需 要20顆以上。過去5.5KW的BBU依照規格不同，配置約5~9顆的牛角電容，後續18KW BBU我們看到了16顆牛 角電容的配置，並預期25KW的數量將進一步提升到18甚至20顆以上。此外剛剛前面也有提及Hybrid電容持 續導入電源端設計，其跟牛角電容皆隨功率提升用量顯著增長。
3. 牛角電容上游原料「鋁箔」目前多採用兩種方向的製程，一是腐蝕製程，另一種是燒結製程，兩者差異在於 燒結製程在製程技術上較困難，但是在終端擁有較高的電容值表現，目前燒結箔技術被掌握在Toyo、中國江 海集團、東陽光，那根據我們了解，目前仍以日系廠商技術領先，其燒結箔便提供日本如Chemi-Con、 Nichicon等大廠生產AI用牛角電容。然近期隨電源廠隨AI伺服器放量帶動Power shelf出貨，牛角電容拉貨強 勁，根據我們調查，NVIDIA VR200之PSU牛角電容均採用日商燒結箔原料製作，然燒結箔廠商Toyo產能面臨 緊缺，三大廠牛角電容產能受限，台達電因此開始導入中系廠商AIC，另一方面光寶科則以TDK、AIC、法拉 為主要供應廠，並導入台廠金山電產品以滿足客戶需求，後續持續驗證立隆電產品。
4. 以潛在供需緊缺、潛在供需吃緊、交期延長三種程度作為區分。首先我們認為面臨潛在供需緊缺的，就是供 需兩端皆面臨到考驗的狀況，例如AI伺服器用牛角電容，在供給端面臨燒結箔原料受限、在需求端隨電源廠拉 貨強勁，數量規格都同步增長，整體供需情形是我們後續觀察重點；另外高容值的MLCC如同47微法、22微法 MLCC，在製程上較一般MLCC困難，面臨量產初期良率爬坡，在供給端消耗大廠產能顯著，需求端又受AI伺 服器拉貨，大容值MLCC滲透率提升，整體供需面臨緊缺；最後包含SP-CAP在供給端Panasonic產能利用率趨 近滿載，需求端受ASIC等廠商拉貨強勁，整體供需同步面臨緊缺，因此我們看到ODM廠商規劃導入second source因應，以滿足客戶需求。另外在潛在供需吃緊上，我們看到Hybrid電容在NVIDIA VR200成為主流規格 配置，並預期CSP將以此為標準，擴大導入後續包含GPU、ASIC設計；鉭質電容則面臨供給受限、成本上 升，包含KEMET、Panasonic、Vishay等廠商於2026Q2~Q3漲價因應，以及Polymer電容隨Panasonic減產 OSCON產品，我們看到下游ODM採用1家日系、2家台廠的供給策略因應，台系鋁質電容廠商有望受惠轉單。 最後電感則受惠AI伺服器功率成長、整體用量增加，但目前供需情況未達吃緊，我們後面會持續觀察後續包含 主板TLVR、電源端導入三相架構的成長機會，另外電阻端我們也同步看到交期延長情形，那下游ODM廠商目 前針對電感電阻採取風險拉貨因應，提前準備AI伺服器量產爬坡的需求。

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6. 功率元件

Nexperia轉單效益持續發酵

1. Nexperia被迫退出市場，Nexperia事件延燒至今，廠商多以庫存支應，或在現貨市場掃料，維持產線運作， 目前供應鏈庫存，包括廠商、通路端、現貨市場，都已經降到相對偏低的水位，替代料也陸續完成Hot Run驗 證，轉單效應逐步開始發酵。
2. Nexperia一年營收規模約750億美元，約350億美元為國內市場、約400億美元為國際市場。Nexpeia產品在 國際市場的訂單往國際大廠以及台系功率廠商流出去，主要由達爾(Diodes)分到約150億美元、onsemi分到 約100億美元，剩下的由其他功率半導體廠商瓜分。
3. 近期歐盟針對全球功率半導體元件排名第八揚杰科技，由於公司與俄羅斯之間的軍事相關的銷貨關係，將其 列入對俄制裁名單，不少PCNB與電源供應鏈廠商，開始被終端客戶要求，立即替換掉Bom裡的楊杰物料，歐 美客戶對供應鏈來源與地緣政治風險的要求持續提高。
4. 根據我們的研調，在英飛凌資料中新AI產品線已經是供不應求的情況下，持續將產品轉做SiC，已經開始退出 DRMOS的生產，也考察到相關的訂單流向ONSEMI，ONSEMI在產能有限的情況下，會以較高毛利的DRMOS 優先生產出貨，並將原先分到的100E訂單會再流出來給Diodes以及其他的台系功率元件廠商去分食。
5. 與Nexperia產品重疊度較高的產品線，已開始出現價格調漲趨勢。例如德微於今年初針對全產品線調整產品 報價，台半也正式於4月份開始，針對部分重疊性較高的產品線調升售價。
6. 從ESD、TVS、小訊號產品到二極體等領域，都可以觀察到價格上漲與供給趨緊的現象，從各家台系功率元件 廠商的產品組合來看，在Nexperia事件所帶來的轉單效應，各家公司與Nexperia產品的重疊程度存在些許差 異，台半與強茂在TVS、二極體以及小訊號MOSFET等產品線，與Nexperia的產品重疊性較高，較容易直接受 惠於客戶的替代需求，德微則是在TVS與二極體產品的營收占比較高，近年也持續透過擴充晶圓製造與封裝能 力，強化相關產品布局，且擁有母公司Diodes來承接轉單的優勢。

PSU功耗提升的架構改變

1. 隨著Rubin架構平台的推出，PSU規格也將從目前的5kW、8kW，逐步提升至未來18kW等級，整體電源拓撲 開始朝向三相架構發展，電路數量將較傳統單相設計增加三倍，使整體SiC與GaN MOSFET的使用數量同步大 幅提升。
2. Infineon 3kW PSU：由1組PFC與1組LLC組成，其中包含2顆650V SiC MOSFET、4顆Superjunction MOSFET，以及4顆80V中壓Si MOS。
3. Infineon 8kW PSU：當PSU進一步升級至8kW，整體架構開始出現明顯改變，英飛凌8kW PSU採用3組PFC搭 配2組LLC架構，包含左半邊由12顆650V SiC MOSFET組成的PFC、右半邊由8顆650V GaN、64顆60V中壓Si MOS的組成的LLC、以及中間連接PFC以及LLC週邊配置的5顆600V高壓Si MOS、2顆650V SiC Diode、2顆 Superjunction MOSFET，以及最外側oring 輸出電路的10顆80V中壓Si MOS。
4. Infineon 12kW PSU：12kW PSU雖然同樣採用3組PFC搭配2組LLC架構，我們搭配實體的PSU架構圖來看， 左半邊PFC的650V SiC MOSFET同樣為12顆、右半邊LLC的650V GaN以及100V GaN分別增加至8顆以及96 顆 、中間連接PFC以及LLC週邊配置為4顆650V SiC MOSFET以及3顆600V高壓Si MOS，以及最外側oring 輸 出電路的10顆80V中壓Si MOS。

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Rack • 7#

1. PSU規格升級的表格，隨著AI伺服器功耗持續提升，整體SiC、GaN以及中低壓MOSFET的規格與使用數量， 都呈現明顯增加的趨勢，當PSU逐步走向更高瓦數架構時，隨著高功率PSU並聯數量持續增加，除了PFC與 LLC電路數量增加外，也開始導入保護電路的Oring電路，避免其中一組電源異常時，電流回灌至其他正常運 作的PSU，Oring電路大多是由80V的中低壓MOSFET所組成，而台系供應鏈在中低壓MOSFET領域，將有望 持續切入更多PSU端的應用。

800V HVDC 架構推升功率元件需求以及台系供應鏈概況。

1. 解析完PSU端那麼我們進一步走到機櫃端的功率元件用量，由傳統伺服器走向AI伺服器， AI 伺服器機櫃走向 更高單位功率密度，單一個機櫃裡面的 SiC / GaN / MOSFET 這類功率半導體的產值， 以每kw來計算 每提升 1kw 約帶動功率元件的產值提升約175 美元。
2. 在800V HVDC供電架構下，現階段主流先以800V直流電形式進入Power Rack，再進一步降壓成50V直流電， 細部的從PSU端走到晶片端，首先是第一階段800轉50V DC-DC Converter，第二階段Compute Tray中的配電 板會配置 50轉12V/6V DC-DC Converter，而在整個降壓、配電與穩壓過程中，需要大量功率元件進行整流、 電壓調整、穩壓與保護等功能，再過來是走到晶片端的DrMOS。
3. 相較於既有PC與消費性GPU的應用，AI伺服器在電源設計上對低電壓高電流的要求，單一運算晶片所需電流 大幅增加。需要採用更多相電源架構，對空間利用率、供電效率與穩定度要求極高的情況下，同時兼顧低損 耗，具備高整合度的DrMOS將成為關鍵元件，圖上可以看到單一可以支援到1300W的晶片用電的供電模組擁 有8組的四相DRMOS模組，一共32顆DrMOS。
4. 隨著晶片功耗的提升，DRMOS的用量由原先的700W配置約20顆Dr MOS，1300W配置32顆 Dr MOS，未來提 升至1800W甚至更高，配置的Dr MOS將大幅提升至50顆以上。
5. 呼應到先前的Infineon、Texas Instruments、On Semi…等等國外大廠因應AI資料中心需求快速成長，需投 入資金進行產能擴充，以及MPS提到功率密度的提升的關係，公司將未來的產能規劃由原先的40億提升至60 億。
6. 相關台系ODM廠觀察到，以前偏好使用國外的高階產品，受到國外IDM廠的外溢效應下，富鼎、力智…等等 MOS PMIC本土廠商已逐漸成為Infineon、On Semi…等等國外大廠的第二供應商地位，甚至開始往更低階的 台系廠商博盛尋求替代料的可能性。
7. 台達展出新一代固態變壓器SST 可直接將2.5MW的AC透過SST直接降壓至伺服器用的800V DC，而這個SST是 由MV FUSE control box、MV Converter、MV SiC模組所組成。
8. 現階階與Infineon合作，單一SST需要大量的SIC模組堆疊串聯，在供電架構的持續推進 SST，這種直接將超 高電壓直接降壓成伺服器用的800V直流電會是未來發展的趨勢，Infineon為了因應AI資料中心需求快速成 長，逐步將既有產線轉往高階伺服器的出貨生產，藉此改善AI相關產品供不應求的狀況，策略性的減少 DRMOS、中低壓 Power MOSFET、小訊號 MOSFET、二極體等成熟產品的供給。
9. PMIC在未來晶片功耗提升，為了滿足晶片用片DrMOS導入比例勢必會持續增加，目前國外IDM廠商受到AI需 求快速成長，產能已逐漸吃緊、交期持續拉長，未來不排除導入台系 DrMOS廠商作為替代供應來源，現階段 台系供應鏈中，僅立錡與力智已推出相關DrMOS產品；而茂達與矽力-KY則屬於後進者，目前仍處於產品開發 與驗證階段。
10. MOSFET：Infineon往SST這種未來趨勢的展品持續發展，受到AI伺服器需求排擠，成熟產品線已經開始轉單 出去。台系Power MOSFET廠商富鼎，目前已有多項產品料號可對標Infineon的產品，已具備切入AI伺服器電 源供應鏈的機會。

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1. Diodes：Nexperia事件以及揚杰禁令的催化下，也進一步加速功率元件供應鏈重組，台半與強茂因具備自有 晶圓與封裝產能，在轉單效應下，各家廠商持續擴大供貨能力，透過Nexperia既有的客戶進一步切入伺服器 用MOSFET市場，德微則近年持續擴充TVS相關產能，並透過母公司Diodes的全球客戶資源與供應鏈體系，斬 獲了不少轉單以及切入國際客戶與伺服器相關應用市場。

IN WEST

圖片清單（已驗證 2026-07-02）

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