定義
SiC（Silicon Carbide，碳化矽）功率元件是採用 SiC 晶圓製造的功率開關或整流元件，具備高耐壓（650V–3.3kV）、高工作溫度與低開關損耗等特性，是下一代高壓功率系統的核心材料。800V SiC 特指用於 800V 高壓直流（HVDC）電源架構的 SiC 元件。
2026-06 時程修正
報告_SemiAnalysis_800VDC與CPO延遲_20260608 指出，NVIDIA native single-ended 800VDC 大量採用可能由 2027 推至 2028+；但 ±400VDC / HVDC sidecar 仍按 2H26 / 2027Q1 節奏推進。投資判讀上，不能把所有 HVDC 需求等同於「立即拉動 SiC 800V 純槓桿」。
電壓架構對功率半導體含量的影響（Morgan Stanley，2026-10-06）
MS 認為功率半導體是 ±400VDC 與 800VDC 之間少數「不架構中性」的環節：±400VDC 多可沿用既有 650-900V MOSFET 與 SiC 平台，受惠於偏低壓功率元件的供應商；800VDC 則趨向 1200V 級 SiC MOSFET、更高壓閘極驅動、熱插拔控制器、隔離元件與保護電路，每瓦半導體含量與技術門檻較高。來源：報告_MS_整合電源方案IPS_20261006；架構比較見 技術_HVDC。
圖解
graph LR
A[AC 電源 110V/220V] --> B[PFC 整流器]
B --> C[800V HVDC 匯流排]
C --> D[SiC 功率開關 800V] --> E[多相 DC-DC 轉換]
E --> F[GPU/CPU 核心電壓]
E --> G[記憶體電壓]
style D fill:#ffd,stroke:#333
圖說：AI PC / AI 伺服器電源架構從傳統 12V 匯流排升級至 800V HVDC，SiC 元件在高壓段提供高效率功率轉換，再降壓給 GPU/CPU 供電。
技術原理
SiC vs Si 材料比較：
| 特性 | Si（矽） | SiC（碳化矽） | 優勢說明 |
|---|---|---|---|
| 帶隙（Bandgap） | 1.1 eV | 3.26 eV | SiC 可承受更高電場 |
| 擊穿電場 | 0.3 MV/cm | 3.0 MV/cm | 相同耐壓下元件更薄，導通電阻更低 |
| 熱導率 | 150 W/mK | 490 W/mK | SiC 散熱更好，高溫運作穩定 |
| 飽和電子速度 | 1×10⁷ cm/s | 2×10⁷ cm/s | 開關速度更快 |
800V 架構驅動因素： - AI PC 功耗升至 800W–1000W（傳統 PC 約 250W），傳統 12V 匯流排電流過大 - 採用 800V HVDC 後電流大幅降低，線材損耗減少 - AI 伺服器 48V → 800V 架構演進，與資料中心 HVDC 趨勢一致
關鍵參數 / 判斷指標
| 指標 | 意義 | 觀察重點 |
|---|---|---|
| 耐壓（VDSS） | 最高工作電壓 | 800V 系統需 ≥1200V SiC 元件 |
| 導通電阻（Rds(on)） | 導通損耗 | 愈低效率愈高（SiC 優於 Si） |
| 開關損耗（Eon+Eoff） | 高頻效率 | SiC 遠優於 IGBT |
| 封裝形式 | 散熱與密度 | TO-247、D2PAK、小型封裝趨勢 |
技術瓶頸 / 風險
- 成本高：SiC 晶圓成本是 Si 晶圓 3–5 倍，良率較低
- 磊晶缺陷：碳化矽晶圓缺陷密度高，影響元件良率與可靠性
- 供應鏈集中：Wolfspeed 等少數廠商主導 SiC 晶圓供應
- AI PC 800V 落地速度：若 AI PC 採用 800V 架構推進緩慢，短期需求延後
- AI data center native 800VDC 推遲：SemiAnalysis 2026-06 認為 Rubin 世代 native 800VDC 非必要，volume shipment 推至 2028+；這會壓低 Wolfspeed、Navitas 等 WBG pure-play 的近端催化。
- ±400VDC 對 WBG 不是全有全無：±400VDC 仍可能使用 GaN / SiC，但報告認為此架構接近中性；真正讓 WBG content 明顯 inflect 的是更高壓、更高功率密度且原生吃 800VDC 的 compute tray。
應用場景
| 應用 | 說明 | 趨勢 |
|---|---|---|
| AI PC 電源（800W–1000W） | 800V HVDC 電源轉換 | 題材早期，需驗證終端設計 |
| AI 伺服器 / 資料中心 | 48V / 50V、±400VDC、native 800VDC 多架構並存 | 高成長，但 native 800VDC 大量採用可能延至 2028+ |
| 電動車高壓逆變器 | 800V 電動車平台 | 快速成長 |
| 太陽能 / 儲能逆變器 | 高效率要求 | 穩定成長 |
2026-06 SemiAnalysis read-across
| 項目 | 對 SiC / WBG 的意義 | 受惠 / 受壓 |
|---|---|---|
| native 800VDC 延後 | 原本市場期待 2027 開始拉高 WBG content，現在催化延後 | 純 SiC / GaN 題材短期受壓；Wolfspeed、Navitas 類 read-across 偏負面 |
| ±400VDC sidecar 仍推進 | 仍需要 power shelves、BBU、power rack 的高效率功率轉換，但可由 Si superjunction、GaN、SiC 多方案競爭 | Infineon 這類跨 Si / SiC / GaN 的供應商較穩健 |
| rack TDP 持續提高 | 電容、電阻、電感與 transient absorption 需求仍上升 | 2327_國巨（市）、Vishay、Murata、TDK 等被動元件鏈更抗延遲 |
OCP 2026-10 對 SiC／GaN 含量的訊號
- TI（IC 廠板卡，無客戶）：800V→6V 堆疊 LLC 主級用 650V GaN，SiC FET 用於 800V 側保護（±400V 雙邊、硬短路 <1µs），即 GaN 與 SiC 在 800V 鏈上的分工（報告_OCP2026_TI_800V_DCDC拓撲比較_20261015）。
- Vertiv 提案的 DC ITIC 箝位平台 1100V（20–300µs）：推論（非簡報原文）——箝位電壓高於 800V 母線，利多 1200V 以上耐壓的 SiC 器件（保護與 SSCB 端），仍待元件選型揭露（報告_OCP2026_Vertiv_SSCB與直流故障管理_20261015）。
- 立訊 Nova Link SST 採 2.3kV SiC MOSFET（5×6mm）、ZPAK 模組，接面 225°C；板上電源工作組簡報未提 GaN／SiC，勿推論材料（報告_OCP2026_立訊_中壓直轉800VDC_20261015）。
關鍵廠商
| 環節 | 廠商 | 角色 |
|---|---|---|
| SiC 基板 / 晶錠 | 6930_盛新材料（未）、6488_環球晶圓（櫃） | 台灣 SiC substrate / 化合物半導體材料映射 |
| SiC 磊晶 | 3016_嘉晶（市） | SiC epitaxy / GaN-on-SiC |
| SiC 製程平台 | 3707_漢磊（櫃）、2342_茂矽（市） | SiC MOSFET / 功率電晶體製程平台 |
| SiC diode / 模組 | 2481_強茂（市）、5425_台半（櫃）、8255_朋程（櫃） | SiC SBD、功率模組與 AI / EV 電源題材 |
| 後段 / 導線架 / 陶瓷基板 | 8162_微矽電子（創）、5285_界霖（市）、2351_順德（市）、6271_同欣電（市） | 測試薄化、導線架、AMB / DPC 基板 |
| 台灣 IDM（800V SiC） | 3675_德微電子（櫃） | 透過台達電打入 NVIDIA 供應鏈 |
| 通路 | 台達電（2308） | 德微 800V SiC → NVIDIA AI PC 電源通路 |
| SiC 晶圓 | Wolfspeed（美） | SiC 晶圓主要供應商 |
| IDM（車用主流） | Infineon、STMicro、ON Semi | 車用 SiC 主要供應商 |
相關技術
來源
- 活動_漢磊3707_法說memo_20261007 — 漢磊 2026-10-07 法說：AI Server PSU 單一功耗逾 3.0kW 時普遍採用碳化矽型 MOSFET，是漢磊 SiC 業務成長性最高的應用領域之一；部分客戶已進入 SST 及 Power Rack 領域
- memo_德微_私訪_20260520
- TrendForce：2026 科技趨勢與 SiC/GaN 資料中心供電滲透率