統整舊世代記憶體（DDR4／SLC NAND／NOR flash）定價節奏與相關催化劑，對應 MS「Old Memory」系列分析（分析_舊世代記憶體近期分歧_MS_20260727 → 分析_記憶體月度供需與價格追蹤_UBS_20260807 → 分析_舊世代記憶體無LTA亦佳_MS_20260816）。個股層級的產能／製程節點見各公司頁「時間軸」；本頁只收錄跨公司的定價與供需節奏。
日期表
| 日期 | 事件 | 相關公司 | 類型 | 重要性 | 備註 |
|---|---|---|---|---|---|
| 2026Q3 | DDR4 現貨／合約價 QoQ +50% | 2344_華邦電（市）、2408_南亞科技（市） | 定價 | ⭐⭐⭐ | MS 2026-08-16；主流大廠持續退出 DDR4 供給 |
| 2026Q3 | SLC NAND QoQ +50%+ | 2337_旺宏（市）、2344_華邦電（市）、603986.SS(gigadevice) | 定價 | ⭐⭐⭐ | MS 最高信心定價判斷；企業 HDD 轉用高密度 SLC NAND |
| 2026Q4 | DDR4 再漲雙位數 | 2344_華邦電（市）、2408_南亞科技（市） | 定價 | ⭐⭐⭐ | MS 2026-08-16；定價力可延續至 4Q26，甚至 1Q27 |
| 2026Q4 | SLC NAND 再漲 +50%+ | 2337_旺宏（市）、2344_華邦電（市） | 定價 | ⭐⭐⭐ | 供給吃緊延伸到 2027；MLC 轉 SLC 需求遷移 |
| 2026Q4–2027Q2 | 公司預期記憶體缺貨最嚴重期，LPDDR5X 在 4Q26／1Q27 更缺；B2B 合約價每季漲約 30–40% 預期延續；供需平衡最快 2H28 | 4967_十銓（市） | 定價 | ⭐⭐⭐ | 十銓 3Q26 法說 2026-11-02（公司看法）；活動_十銓4967_3Q26法說memo_20261102 |
| 2026Q4 | NOR flash 新一波漲價 | 2337_旺宏（市）、2344_華邦電（市） | 定價 | ⭐⭐ | 動能延伸至 1H27；受惠工控／車用／網通／edge AI／AI 伺服器 |
| 2026Q4 | 華邦電：DRAM 合約價續漲但幅度小於 3Q；高容量 NOR 持續吃緊、價格趨勢延續至 2027；4Q 非 AI 消費性需求鬆軟；2027 供給比 2026 更緊、2028 與 2027 相當（公司看法） | 2344_華邦電（市） | 定價 | ⭐⭐⭐ | 公司 3Q26 法說 2026-11-03（活動_華邦電2344_國泰證期call_memo_20261103、報告_CTBC_華邦電2344_20261104） |
| 2026/12/29 | 華邦電高雄 Module B 內部動工（約 731 億元資本支出，董事會 2026-11-03 通過）；2H29 小量出貨、2030 產能全開；Module A 月產能年底 24K、2027–2028 維持 | 2344_華邦電（市） | 擴產 | ⭐⭐⭐ | 公司 3Q26 法說 2026-11-03；個股細節見公司頁時間軸 |
| 2027/01 起 | 華邦電 16nm 月投片 16K；2027 下半年 16nm 可能占營收 >40%（公司說「也許」）；2027 Server NOR bit 出貨 +67% | 2344_華邦電（市） | 擴產／放量 | ⭐⭐ | 公司 3Q26 法說 2026-11-03（活動_華邦電2344_國泰證期call_memo_20261103） |
| 2026Q3 | 力積電記憶體代工投片價再漲約 45% | 6770_力積電（市） | 定價 | ⭐⭐⭐ | 7M26 結構性調價，實際貢獻約 11M26 顯現（報告_JPM_力積電6770_20260715） |
| 2026-08-16 | GigaDevice 目標價因 CXMT IPO 評價 derating 下修（Bull/Base/Bear 全數下修） | 603986.SS(gigadevice)、長鑫存儲CXMT（未） | 評價事件 | ⭐⭐⭐ | EPS 同步大幅上修 108%/49%/48%，惟目標價因同業估值倍數系統性收斂而淨下修；MS 2026-08-16 |
| 2027H1 | SLC NAND 供給吃緊延伸、MLC 轉 SLC 需求遷移支撐價格 | 2337_旺宏（市）、2344_華邦電（市） | 定價 | ⭐⭐ | MS 2026-08-16（估計） |
| 2027H1 | NOR flash 漲價動能延伸 | 2337_旺宏（市）、2344_華邦電（市） | 定價 | ⭐⭐ | MS 2026-08-16（估計） |
| 2026Q3 | NAND 合約價 QoQ +21%（原估 +18%），eSSD 需求驅動上修 | 8299_群聯（市） | 定價 | ⭐⭐⭐ | GFHK 2026-09-20；美系 CSP eSSD 拉貨遠超預期 |
| 2026Q4 | NAND 合約價 QoQ +17%（原估僅 +2%） | 8299_群聯（市） | 定價 | ⭐⭐⭐ | GFHK 2026-09-20 |
| 2026Q4–2027Q2 | PC 供應鏈因記憶體漲價與供給不足進入庫存調整：Intel 預期 2026 年 PC 出貨約 -12%（2H26 逾 -20%）、2027 年約 -10%，去庫存集中 4Q26 與 1Q27、可能延至 2Q27；不預期 2027 年記憶體供給與價格改善 | INTC.US(intel) | 定價／需求 | ⭐⭐⭐ | Intel 3Q26 法說，2026-10-29；來源 活動_Intel_3Q26法說memo_20261029；Microsoft 同期稱 Windows OEM -27%、FY27Q2 續降中 30% 區間 |
| 2027Q1 | NAND 合約價 QoQ +15%（原估 0%） | 8299_群聯（市） | 定價 | ⭐⭐ | GFHK 2026-09-20；美系 hyperscaler NAND 庫存估自 7 月約 14 週續降 |
| 2026Q4 | 美系記憶體台廠新案發包（洋基工程 GC 案；3M27 起放量、2027 年底–2028 年初量產） | 6691_洋基工程（市）、MU.US(micron) | 建廠發包 | ⭐⭐⭐ | 中信投顧 2026-09-29 推估最晚 4Q26 發包；美光 Idaho 下一期 2027 較明確（法說 2026-09-24） |
| 2027Q1 | 日本熊本／廣島記憶體、半導體廠案認列與發包（洋基工程） | 6691_洋基工程（市） | 建廠發包 | ⭐⭐ | 熊本訂單 2027 年認列；廣島美系記憶體廠洽談中；中信推估日本大客戶案最晚 1Q27 發包（估計） |
| 2026-11 | 美光南科廠竣工（洋基工程承作，約 200 億元；4Q26 營收貢獻隨之下降） | 6691_洋基工程（市）、MU.US(micron) | 建廠進度 | ⭐⭐ | 富邦 2026-10-01 |
| 2027Q2 | 台積電熊本廠 P2（3 奈米升級）MEP＋PCW 開始貢獻營收；洋基持 51% 的日本 JUcan 株式會社承接，另爭取美光廣島分包、美光銅鑼二期（設計修改中） | 6691_洋基工程（市）、MU.US(micron) | 建廠發包 | ⭐⭐ | 富邦 2026-10-01 |
| 2026Q3 | 南亞科 DRAM ASP QoQ 上修至 +50%（原估 +32%），3Q26 GM 估升至 86.1% | 2408_南亞科技（市） | 定價 | ⭐⭐⭐ | UBS 2026-09-18；與本頁既有 DDR4 QoQ +50% 判斷一致 |
| 2026Q3 | 南亞科實績：ASP QoQ >60%（主要反映 LTA 續約）、GM 85.7%、EPS 25.40 | 2408_南亞科技（市） | 定價 | ⭐⭐⭐ | 公司 3Q26 法說 2026-10-12（活動_南亞科2408_3Q26法說memo_20261012）；高於 UBS +50% 假設 |
| 2026Q4 | 南亞科：DRAM 短缺延續、ASP 可望再逐步改善；2027 年仍吃緊 | 2408_南亞科技（市） | 定價 | ⭐⭐⭐ | 公司 3Q26 法說 2026-10-12（公司看法） |
| 2027Q4 | 南亞科新廠開始產出，此前 bit shipment 持平；2028 年底 30K、2030 年上看 50K WSPM | 2408_南亞科技（市） | 擴產 | ⭐⭐⭐ | 公司 3Q26 法說 2026-10-12；UBS 原估 3Q27 |
| 2H28 | 南亞科屏東 3D 晶圓封測廠設備移入（規劃中，長期資本支出上看 US$10bn、主供 AI） | 2408_南亞科技（市） | 擴產 | ⭐⭐ | 公司 3Q26 法說 2026-10-12；設備 2H28 移入見珩石筆記、永豐 memo（活動_南亞科2408_珩石法說筆記_20261012） |
| 1Q26（原文；疑為 1Q27） | DDR4 對 DDR5 價格倒掛延續：三大原廠與長鑫加速退出 DDR4，終端需求未顯著增長、下游不願大規模 CAPEX、續購高價 DDR4 並延後升級 DDR5 | 2408_南亞科技（市）、2344_華邦電（市） | 定價 | ⭐⭐ | 華南投顧 2026-09-18（4Q26 投資季刊）；原文年份與本季刊 4Q26 出刊時點不符，待核對 |
| 2027 | 南亞科 LTA 長約客戶占總產能約 50% 且持續轉換；AI 相關營收占比由目前 20% 升至 2027／2028 年底 63%／78%；韓廠未來 5 年產能 CAGR +15-20% | 2408_南亞科技（市） | 結構轉變 | ⭐⭐⭐ | 華南投顧 2026-09-18（4Q26 投資季刊）；週期性淡化的評價重估論點 |
| 2026Q4 | NOR flash 部分產品漲幅上看 70% | 2344_華邦電（市） | 定價 | ⭐⭐⭐ | 凱基專題（珩石筆記，2026-10-01）；本輪漲勢最凌厲品項；與上列 4Q26 NOR flash 新一波漲價方向一致，幅度為較高口徑 |
| 2027 | DDR4／DDR5 報價維持逐季個位數上漲；DDR4 LTA 比例低、ASP 貢獻可能更高，DDR5 部分 LTA 觸價格天花板 | 2408_南亞科技（市）、2344_華邦電（市） | 定價 | ⭐⭐ | 凱基專題（珩石筆記，2026-10-01）；與 MS 對 DDR4 2026Q4 再漲雙位數並列，2027 動能口徑較保守 |
| 2027 | 信越等與客戶洽談 2027 年 12 吋矽晶圓長約，預期漲幅顯著（記憶體循環外溢上游） | 6488_環球晶圓（櫃）、3532_台勝科（市） | 定價 | ⭐⭐⭐ | 凱基專題＋福邦投顧（珩石筆記，2026-10-01）；見 技術_矽晶圓 |
| 2026Q4 | NOR flash 整體漲幅約 40%-70%（部分產品 70%），2027 年仍有續漲空間 | 2344_華邦電（市） | 定價 | ⭐⭐ | 凱基講座（珩石 Niuniu 記錄，2026-10-01）；與上列「部分產品上看 70%」為同一來源的整體口徑，補整體區間 |
| 2027 | DRAM 總 bit supply 約 +22%（上限約 25%）；HBM 占 DRAM 投片 19%（2026）→24%（2027） | 000660.KR(sk_hynix)、005930.KR(samsung)、MU.US(micron) | 供需 | ⭐⭐⭐ | 凱基講座（珩石 Niuniu 記錄，2026-10-01）；原廠先前僅估 15-18% |
| 2027-2028 | Greenfield 新廠選址到量產 2-3 年，最快 2027-28 年才有實質貢獻；SK Hynix 目標 2030 年產能翻倍 | 000660.KR(sk_hynix) | 擴產 | ⭐⭐ | 凱基講座（珩石 Niuniu 記錄，2026-10-01） |
| 2028 | HBM 月投片由 2027 年底約 680K 增至 2028 年底約 800K（全年均約 745K），占 DRAM 投片約 28%；扣除 HBM 後傳統 DRAM 投片仍僅 low-single-digit 成長，暫無 oversupply 風險 | 000660.KR(sk_hynix)、005930.KR(samsung) | 供需 | ⭐⭐⭐ | 凱基講座（珩石 Niuniu 記錄，2026-10-01）；2027 未滿足需求遞延至 2028 |
| 2026Q4 | 美光 DRAM ASP/Gb QoQ +10%（部分合約受 SCA 價格上限）；2027 年 ASP/Gb 逐季上漲但漲幅收斂、全年 YoY +42% | MU.US(micron) | 定價 | ⭐⭐ | 凱基 2026-10-01（美光 F4Q26 後）；與 GFHK 4Q26 DRAM +10% 一致 |
| 2027Q1 初 | 美光新加坡 HBM 先進封測產能開始營運（原訂 1H27） | MU.US(micron) | 擴產 | ⭐⭐⭐ | 中信 2026-10-01 |
| 2027 年中 | 美光 Idaho ID1 廠量產；台灣銅鑼廠大量量產（兆豐稱自 CY28 提前、中信稱不變，待核對） | MU.US(micron) | 擴產 | ⭐⭐⭐ | 中信、兆豐 2026-10-01 |
| 2027H2 | 美光 1δ DRAM、G10 NAND 開始量產；HBM4E 於 CY27 放量 | MU.US(micron) | 技術下線 | ⭐⭐⭐ | 兆豐、中信 2026-10-01 |
| 2028H2–2030 | 美光新加坡 NAND 廠（2H28）、Idaho ID2 與日本廣島 DRAM 廠（2028 年底）、紐約廠（2030）依序投產 | MU.US(micron) | 擴產 | ⭐⭐ | 中信、兆豐 2026-10-01；FY2027 CapEx 增量主要為無塵室建設 |
| 2026 年底 | Kioxia XL-Flash 首代（>1,000 萬 IOPS）送樣 | 285A.JP(kioxia) | 產品 roadmap | ⭐⭐ | GS 2026-10-12 引述公司計畫；SSD 路線、不需 TSV |
| 2027 | Kioxia XL-Flash 第二代（1 億 IOPS）送樣 | 285A.JP(kioxia) | 產品 roadmap | ⭐⭐⭐ | GS 2026-10-12；凱基筆記稱 Gen 3 目標 1 億 IOPS，世代編號待釐清 |
| 2027 | HBF（High-Bandwidth Flash）商業樣品開始出貨 | SNDK.US(sandisk)、000660.KR(sk_hynix) | 產品 roadmap | ⭐⭐⭐ | GS 2026-10-12；量產時程凱基稱 2028 年後；價格尚未公布；SanDisk 法說 2026-10-29：首顆 HBF 晶粒已 tape-out、製造中，base die 待 tape-out，CY27 送樣（活動_SanDisk_FY27Q1法說memo_20261029） |
| 2026-11-19／11-20 | SanDisk 8 拆 1 股票分割：11/19 發放新增股份，11/20 起以拆分後價格交易 | SNDK.US(sandisk) | 股本 | ⭐ | 公司法說 2026-10-29（活動_SanDisk_FY27Q1法說memo_20261029）；FY2Q27 非 GAAP EPS 財測拆分前 55–57 美元、拆分後 6.88–7.13 美元 |
| 2027-01～03（FY3Q27） | SanDisk 3 月季為歷來最弱季；上年同季位元 QoQ −19%，管理層建議保守看 QoQ，不給 FY3Q27 指引 | SNDK.US(sandisk) | 財測 | ⭐⭐ | 公司法說 2026-10-29（活動_SanDisk_FY27Q1法說memo_20261029） |
| 2026Q4 | 力積電整體營收預期雙位數成長；記憶體代工產出 ASP 落後投片 ASP 約 30%，4Q 價格與出貨價格更高 | 6770_力積電（市） | 定價 | ⭐⭐⭐ | 公司 3Q26 法說 2026-10-21（活動_力積電6770_3Q26法說memo_20261021）；邏輯代工 3Q26 已調升約 10–15% |
| 2027 | 成熟製程代工價格目標再調升 10–20%，以 LTA 綁定價量；力積電記憶體代工 LTA 仍協商、不急於簽約 | 6770_力積電（市） | 定價 | ⭐⭐⭐ | 活動_力積電6770_3Q26法說memo_20261021，2026-10-21；公司認為 2027 年供給未完全跟上、2028 年擴建較多 |
| 2027Q1 | 力積電與美光 1P 製程新機台到位（PDK YE26 完成）；2Q27 進入市場；銅鑼廠同期交接美光 | 6770_力積電（市）、MU.US(micron) | 製程進度 | ⭐⭐ | 活動_力積電6770_3Q26法說memo_20261021，2026-10-21 |
| 4Q26 | Samsung 位元出貨 QoQ：DRAM mid-to-high teens、NAND mid-teens；3Q26 DRAM ASP 約 +20%、NAND ASP high-teens | 005930.KR(samsung) | 定價 | ⭐⭐⭐ | 公司 3Q26 法說（2026-10-29）；營業利益 107.4 兆韓元、營業利益率 55%；活動_Samsung_3Q26法說memo_20261029 |
| 2027上半年 | Samsung HBM4E 開始量產、下半年放大量；2027 年 HBM 供給已全數售罄；多年期供貨合約已簽 10 家主要客戶（另 10 家洽談） | 005930.KR(samsung) | 放量 | ⭐⭐⭐ | 同上；供給吃緊預期延續至 2028 |
| 2027年1月底 | Samsung 董事會決定 2027 年新股東回報政策與 2026 年剩餘 55–75 兆韓元回報執行方式 | 005930.KR(samsung) | 股東回報 | ⭐⭐ | 同上 |
| 2027 | 宜鼎企業級 SSD 轉 BiCS8（boot drive、eSSD），多數 AI 基建客戶預計完成驗證並放量；AI 基建營收占比有望逾 50% | 5289_宜鼎（櫃） | 產品 | ⭐⭐ | 凱基投顧 2026-10-28 估計（memo_凱基投顧_宜鼎5289AI基礎建設布局_20261028），非公司公告 |
| 1Q27 | 慧榮 4 奈米 PCIe Gen6 MonTitan 企業級 SSD 控制晶片送樣（2H27 量產）；near-CPU boot drive 韌體與方案備妥 | SIMO.US(silicon_motion) | 新產品 | ⭐⭐ | 公司法說 2026-10-29（活動_SiliconMotion_3Q26法說memo_20261029）；2Q27 最快先出 near-CPU boot drive 控制晶片、2H27 完整方案放量 |
| 2027-01 | 慧榮 2027 年與 1Q27 細項指引（2027 營收至少 +40%、毛利率低至中 50% 為現行口徑） | SIMO.US(silicon_motion) | 財測 | ⭐⭐ | 公司法說 2026-10-29；NAND 價格 3Q／4Q 相近、2027 年每季漲幅預期個位數 |
| 3Q27 | 記憶體產能開始較大量增加的時間點；在此之前報價易漲難跌，2026 年全年缺貨不變（永豐評等由買進降為中立，短線待毛利率維持高檔的證據重建信心） | 2408_南亞科技（市） | 供需 | ⭐⭐ | 報告_永豐_11月台股策略及選股_20261101，2026-11-01；券商判斷 |
| 4Q26 | Apple 通知供應鏈下修新 iPhone 18 Pro／Pro Max 零組件備貨量 15–20%，標準版 iPhone 18 預計 2026 年底才開始備貨（記憶體成本墊高售價、終端需求承壓）；富邦維持 iPhone 2H26 出貨年減看法（26Q3／26Q4 5,120 萬／6,860 萬支，YoY -13%／-16%） | — | 需求 | ⭐⭐ | 報告_富邦_11月台股產業投資策略_20261030，2026-10-30；供應鏈傳聞經券商轉述 |
| 1Q27 | 富邦預期記憶體族群評價回升時點；台股記憶體廠 Forward PER 多已落到約 25 倍，隱含 FY27 獲利減少 50%～80%，富邦認為過度悲觀 | — | 評價 | ⭐ | 報告_富邦_11月台股產業投資策略_20261030，2026-10-30；券商觀點 |
Gantt 時程圖
gantt
title 2026-2027 舊世代記憶體定價循環
dateFormat YYYY-MM-DD
section DDR4
3Q26 QoQ +50% :crit, 2026-07-01, 2026-09-30
4Q26 再漲雙位數 :crit, 2026-10-01, 2026-12-31
section SLC NAND
3Q26 QoQ +50%+ :crit, 2026-07-01, 2026-09-30
4Q26 QoQ +50%+ :crit, 2026-10-01, 2026-12-31
1H27 供給吃緊延續 :2027-01-01, 2027-06-30
section NOR flash
4Q26 新一波漲價 :2026-10-01, 2026-12-31
1H27 動能延伸 :2027-01-01, 2027-06-30
section NAND（eSSD 驅動）
3Q26 QoQ +21% :crit, 2026-07-01, 2026-09-30
4Q26 QoQ +17% :crit, 2026-10-01, 2026-12-31
1Q27 QoQ +15% :2027-01-01, 2027-03-31
section 評價事件
GigaDevice PT derating（CXMT IPO） :milestone, 2026-08-16, 0d