問題背景
暉盛（7730）稱「電漿這個產業剛起步」，且產品橫跨真空與常壓電漿各種應用。本頁拆解電漿在半導體的應用全景、為什麼是長期趨勢、潛力在哪，以及「剛起步」到底成立在哪一段。
結論
「剛起步」只對一半。 晶圓廠前段電漿（蝕刻、PECVD／PEALD、去光阻、腔體清潔）是成熟寡占市場（Lam、TEL、AMAT），成長來自 3D 結構讓強度上升；真正從零開始的是晶圓廠以外——先進封裝、IC 載板、伺服器 PCB、面板級封裝、玻璃基板——成長來自滲透率（濕轉乾＋新站點）。
- 趨勢的根是物理極限，不是景氣：①孔徑／線寬縮過液體極限（<15µm 藥水被表面張力擋住）②晶片 3D 化（GAA、BSPDN、3D NAND、3D DRAM、HBM TSV）③銅對銅直接接合要原子級乾淨（混合鍵合、無助焊劑 TCB）④面積放大（510×515 是 12 吋晶圓 3.7 倍）＋廢液環保壓力
- 潛力＝站點數 × 面積 × 單價，加經常性收入：RDL 3→9 層每層 desmear＋descum＋Ti etch；面板面積 3.7–4.7 倍；清潔→蝕刻單價差 10 倍（暉盛 NT$400–600 萬 vs 2,000–9,000 萬）；維修／客服營收約三成（暉盛 28.9%、Lam CSBG 30%）
- 時程三批：已放量（載板／PCB 除膠渣、CoWoS 去殘膠與 underfill 前清潔）→ 2026 底–2027（ABF 深孔電漿鑽孔、TSV、FOPLP）→ 2027H2–2029（混合鍵合／TCB 去氧化、異形孔、玻璃芯）
- 大環境：SEMI 2026 年 300mm 前段設備支出 US$149bn（+31%）、2029 年 US$227bn；Lam 稱 CY26 WFE 中段 US$150bn、CY27 >US$200bn，「多年投資週期早期」
投資重點 memo
| 重點 | 投資含義 | 相關標的 | 信心 |
|---|---|---|---|
| 前段 vs 後段是兩種成長邏輯 | 前段看強度（跟 WFE 走、波動小），後段看滲透率（從零開始、彈性大但認列不穩） | 前段：3413_京鼎（市） 6829_千附精密（櫃） 8091_翔名（櫃）；後段：7730_暉盛（創） 3644_凌嘉科技（興） 3580_友威科（櫃） | 高 |
| 15µm 藥水極限＋ABF 高 SiO₂ 填料 → 載板除膠渣由選配變必要 | 議價權換邊，重複下單（一次 12–20 台） | 7730_暉盛（創） | 高 |
| 新站點：混合鍵合活化、TCB 去氧化、underfill 前清潔、解鍵合後去殘膠 | 封裝經過電漿的次數倍增；但台積電端與 TEL／Lam／ASMPT 整合方案競爭 | 7730_暉盛（創） 麥科先進（未） | 中 |
| 面板級封裝放大面積 | 單台價值量上升，大廠（Lam 稱 PLP 地位將超過 WLP）也在進場 | 3644_凌嘉科技（興） 6937_天虹（市） 7730_暉盛（創） | 中 |
| 電漿切割 | 薄晶圓（HBM、先進邏輯）與 MLCC 的新應用，設備＋保護膠雙受惠 | 8027_鈦昇（櫃） 6937_天虹（市） 4749_新應材（櫃） | 中 |
| 耗材與零件跟裝機量走 | 腔體零件清洗／熔射、FFKM、SiC ring、特氣是經常性需求 | 3551_世禾（櫃） 7556_意德士（櫃） 8121_越峰（櫃） 4768_晶呈科技（櫃） 4772_台特化（櫃） | 中高 |
| 玻璃基板題材要打折 | 電漿只做 TGV 雷射後處理，客戶最快 2029 年決定導入 | 7730_暉盛（創） 3580_友威科（櫃） | 高 |
Insight
- 成熟度要分三層看：前段成熟（不是起步）、載板除膠渣是「第二階段起步」（暉盛 2001 年就做 PCB 除膠渣，但現在才從選配變必要）、先進封裝／面板／玻璃／混合鍵合才是真正第一階段。市場若把三層混成一個「電漿題材」，會高估前段零件股的彈性、也會低估載板端的確定性。
- 同一種物理原理，能量決定商業身分：清潔與蝕刻只差能量，但前者可有可無、後者不可替代。看後段電漿設備股要看機種結構（蝕刻佔比）而非營收年增率——暉盛毛利率 38.3%→45.6% 在營收衰退期逆勢上升就是證據。
- 暉盛的廣度是選擇權不是主引擎：官網真空 19 系列、常壓 15 系列，延伸到廢氣處理、甲烷裂解產氫、生醫紡織；但 2027 規劃接單仍是載板 55–60%、先進製程／封裝 20–25%、PCB 15–20%，非半導體應用目前不影響估值。
- 反證條件：①暉盛 10、11 月營收未延續 9 月階梯上升 ②ABF 深孔電漿鑽孔認證延到 2027 ③先進製程／封裝佔接單仍個位數 ④台積電混合鍵合／TCB 去氧化選設備商整合方案（ASMPT AOR 類）
依據
- 暉盛官網（2026-10-27 擷取）：真空電漿 19 系列、常壓電漿 15 系列（含工業污染電漿防治、甲烷裂解、晶背聚合物去除、電漿極化）；技術沿革 2000 IC/LED 清洗 → 2001 PCB 除膠渣 → 2020 ICP-RIE／微波蝕刻 → 2022 晶背殘膠 → 2024 電漿晶圓切割／薄化、甲烷裂解 → 2025 Hybrid Bonding
- 暉盛 2026-07-08 法說簡報：Dry Only 策略；累計 35+ 客戶製程驗證、49 筆接單＋LOI（截至 2026-05）；盲孔 5–7µm、載板 541×620mm；驗證週期 6–18 個月；1Q26 營收 9,223 萬（+10.9%）、毛利率 46%、EPS 0.37；2026 訂單產業別 IC 載板／先進封裝 88.5%；地區 中國 49.0%、日本 31.5%（RIE 旗艦）、台灣 16.1%
- 暉盛 2026-09-03 法說簡報：2026 機型 連續式／雙腔 55.2%、ICP-RIE 28.7%；2027 計畫 單／雙腔 45.5%、ICP-RIE／Glass Core 13.3%、DP14／DP28／520mm R2R 13.3%、MW 5.5%；2026-27 技術重點：先進封裝表面活化（TCB、HB、Fluxless）、Underfill 前間隙清潔、300mm e-chuck、Panel ICP-RIE／Glass Core／TGV、DRIE
- SEMI（2026-10-13）：2026 300mm 前段設備 US$149bn（+31%），2029 US$227bn；2026 年 20 座、2027 年 18 座新廠／產線動工
- Lam（2026-10-21）：Sep-Q 營收 US$8.22bn（+22% QoQ）、non-GAAP 營益率 40.2% 首度破 40%；Dec-Q 指引 US$8.60bn；設備營收 Foundry 46%／Memory 46%／Logic 8%；地區 中國 35%、韓國 20%、台灣 18%；CSBG US$2.49bn；先進封裝 Syndion 四個新 TSV 站點、Striker ALD TSV liner、面板電鍍出貨 >20 客戶
- 載板廠 capex（研究整理 2026-09-13）：2022 US$5,477mn 高峰 → 2025 US$2,010mn → 2026E US$3,900mn
- 台股公司數據：見報告第七章（來源為各公司頁，2026-06 至 2026-10）
驗證清單
| 追蹤指標 | 為什麼重要 |
|---|---|
| 暉盛 10、11 月營收（11/10、12/10） | 「10 月起認列放大」最直接檢核 |
| ABF 深孔電漿鑽孔認證（2026 年底） | 2027 最確定的新營收 |
| 暉盛先進製程／封裝接單佔比 | 5–10% → 2027 年 20–25% 的移動速度 |
| 台積電混合鍵合／TCB 去氧化設備選型 | 外掛模組 vs 設備商整合方案 |
| Lam 先進封裝／PLP 訂單 | 大廠進面板級的速度決定台廠空間 |
| SEMI／Lam 2027 WFE 更新 | 前段零件、耗材、氣體鏈基本盤 |
| 凌嘉 FOPLP 700×700 認列（4Q26） | 面板級電漿蝕刻＋濺鍍整線是否放量 |
信心水準與假設
中高。前段市場數字取自 SEMI 與 Lam 官方新聞稿／簡報；暉盛數據取自官網、法說簡報與 MOPS，可交叉驗證。不確定處： - 15µm、20µm 門檻為暉盛管理層說法，未見第三方量化 - 台股各公司電漿業務佔比多無揭露（友威科、志聖無財務拆分） - 先進封裝電漿站點的國際設備商分工（TEL、Lam、PSK、ULVAC、Nordson MARCH）以產業通識為主，未取得各家營收拆分 - 2026-10-27 未能取得 TEL 低溫蝕刻官方頁，報告中僅定性描述
相關
- 個股深度：分析_暉盛電漿設備
- 技術：技術_RIE反應離子蝕刻 技術_Desmear與Descum 技術_薄膜沉積 技術_混合鍵合 技術_TCB熱壓接合 技術_FOPLP 技術_玻璃芯基板
- 供應鏈：供應鏈_半導體製程設備
- 圖：
