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SiC碳化矽

更新 2026-07-08
#供應鏈/SiC#技術/碳化矽#技術/SiC基板#技術/SiC磊晶#技術/SiC功率元件#產業/第三代半導體

架構圖

graph LR
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  classDef backend fill:#b2f2bb ,color:#1a2b35
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  subgraph Upstream[上游：設備 / 材料 / 基板]
    GW[6488 環球晶圓]:::upstream
    GS[6930 盛新材料]:::upstream
    AC[8121 越峰]:::upstream
    KU[6125 廣運]:::upstream
    TA[4934 太極]:::upstream
    BT[3518 柏騰]:::upstream
  end
  subgraph EpiFoundry[中游：磊晶 / 代工]
    EP[3016 嘉晶]:::mid
    EI[3707 漢磊]:::mid
    MO[2342 茂矽]:::mid
    VIS[5347 世界先進]:::mid
  end
  subgraph Device[元件 / 模組]
    PJ[2481 強茂]:::device
    TS[5425 台半]:::device
    ACT[8255 朋程]:::device
    GEM[6525 捷敏-KY]:::device
  end
  subgraph Backend[後段 / 材料]
    TH[6271 同欣電]:::backend
    JL[5285 界霖]:::backend
    SDI[2351 順德]:::backend
    MSEC[8162 微矽電子]:::backend
  end
  KU --> GS
  TA --> GS
  AC --> GS
  GW --> EP
  GS --> EP
  BT --> EP
  EP --> EI
  GS --> EI
  EP --> MO
  EI --> PJ
  EI --> TS
  EI --> ACT
  MO --> Device
  Device --> GEM
  Device --> TH
  Device --> JL
  Device --> SDI
  Device --> MSEC
  Device --> APP[EV / 充電樁 / 儲能 / 太陽能 / AI資料中心電源]:::app

台股分工

類別 公司 角色 可寫入的確認事項
長晶設備 6125_廣運（櫃） SiC 長晶爐 / 自動化設備 中央社報導廣運瑞芳新廠規劃生產 SiC 長晶爐
SiC 粉體 / 燒結體 8121_越峰（櫃） 碳化矽粉體、碳化矽燒結體 2025 法說列主要產品；113 年報揭露碳化矽粉銷售金額約 6.21 億元、營收比重約 20%
SiC 晶錠 / 基板 6930_盛新材料（未） SiC 晶錠、4/6 吋半絕緣基板、8 吋 N 型基板 官網列 8 吋 N 型基板、SI 型 4/6 吋基板、8 吋 N 型晶錠
集團投資 4934_太極（櫃）、6125_廣運（櫃） 轉投資盛新材料 鉅亨 / CNA 報導太極、廣運共同投資盛新
SiC 長晶 + 基板加工（PVD 雙平台） 3518_柏騰（市） 嘉義新廠具長晶、晶圓加工到基板加工全製程；另有 PVD 濺鍍平台 2026Q1 法說：全面量產延至 2027Q1、月產能規劃 2027Q1 1,200 片 → 2027Q2 3,000 片 → 2028H2 6,000 片；導電型已通過多家客戶驗證，散熱基板通過國內指標客戶驗證
SiC 磊晶 3016_嘉晶（市） SiC epitaxy、GaN-on-SiC 永續報告書明列 SiC 磊晶與 GaN-on-SiC 應用
SiC 製程平台 3707_漢磊（櫃） SiC MOSFET 製程平台 / 代工 2024-07 新聞稿：G3 平面型 MOSFET 技術平台開放客戶
6 吋 SiC 代工 2342_茂矽（市） SiC 功率電晶體製程平台 股東會資料稱 2025 年 6 月底完成產線、下半年試量產、月產能 3,000 片
8 吋 SiC 策略合作 5347_世界先進（櫃） 透過私募 / 策略合作切入 3707_漢磊（櫃） 8 吋 SiC 產能建置 可寫成 8 吋 SiC 策略合作與量產認證觀察；不寫成 VIS 自身已大量量產 SiC
SiC SBD 2481_強茂（市） 650V / 1200V SiC Schottky / MPS diode 官網列 SiC 二極體產品線與 EV charging 應用
SiC SBD 5425_台半（櫃） 1200V SiC Schottky diode 官網新聞列 1200V MPS SiC SBD、AEC-Q101、175°C
SiC / IGBT 模組 8255_朋程（櫃） 車用 / 儲能 / AI 電源功率模組 媒體報導 SiC 模組取得儲能客戶訂單，2026 量產出貨屬法人 / 媒體觀察
功率模組封裝 6525_捷敏-KY（市） 功率半導體封裝測試 作為 SiC / IGBT / MOSFET 後段封測觀察，不宜寫成已確認 SiC 主力
陶瓷基板 / 功率封裝 6271_同欣電（市） DPC / AMB、功率模組封裝測試 官網列 AMB 應用於能源轉換高功率模組、EV、充電系統
導線架 5285_界霖（市） 功率元件導線架 官網稱全球前三大功率元件導線架廠；媒體指出 Hybrid SiC 模組仍需模組導線架
導線架 2351_順德（市） SiC / GaN 電源管理導線架 年報列計畫開發 SiC / GaN 電源管理用導線架、雙面散熱模組導線架
測試 / 薄化 8162_微矽電子（創） CP/FT、晶圓薄化、鍍膜、探針卡 官網與媒體列可服務 GaN / SiC、MOSFET、IGBT 測試與 turn-key 後段

全球對照

類別 代表廠商 用途
垂直整合 IDM / 元件 Wolfspeed、Infineon、STMicroelectronics、onsemi、ROHM、Toshiba、Microchip SiC MOSFET、SBD、功率模組、車用與資料中心電源
基板 / 材料 Wolfspeed、Coherent、ROHM / SiCrystal、昭和電工、住友電工 SiC substrate / ingot
模組 Mitsubishi Electric、Semikron Danfoss、Vincotech、Microchip、Wolfspeed 車用逆變器、工業、儲能、充電樁

判斷規則

  • 官方確認：公司官網、年報、法說、交易所公告可寫為確認事實。
  • 法人 / 媒體觀察：AI 電源、NVIDIA 800V、客戶訂單、量產時程若只來自媒體或法人，需標示為觀察，不寫成官方認證。
  • 世界先進定位：可寫為漢磊 8 吋 SiC 策略合作 / 私募參與者；但仍避免寫成 VIS 自身已大量量產 SiC。
  • 捷敏-KY定位：先列功率封測與 SiC 後段潛在受惠，不寫成已確認 SiC 模組封裝主力。

8 吋升級觀察

8 吋 SiC 會提高基板、外延、foundry、測試薄化與模組封裝各段的設備與良率門檻，也會讓非垂直整合廠更依賴委外分工。詳細分析見 分析_SiC八吋晶圓升級與封裝對應。

來源

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