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ATC

更新 2026-07-26

定義

ATC(Active Thermal Control,主動熱控制 / 主動溫控)是半導體 FT / SLT 測試中用來控制 DUT 溫度的熱控系統。它通常由 thermal head、加熱器、冷卻迴路、溫度感測器、壓接機構與控制軟體組成,並與 技術_Handler、socket、load board 或 SLT board 整合。

AI GPU / ASIC 功耗升高後,測試不再只是「把晶片接上 ATE」,還要在指定溫度與功耗條件下穩定運作。ATC 的品質會直接影響 binning、良率判斷、重測率與可靠度資料可信度。

圖解

flowchart TB
    Tester[ATE / SLT workload] --> DUT[DUT<br/>AI GPU / ASIC]
    Handler[Handler / socket<br/>contact force] --> DUT
    Sensor[Temperature sensor<br/>DUT / thermal head] --> Controller[ATC controller]
    Controller --> Heater[Heater]
    Controller --> Cooler[Cooling loop<br/>air / liquid / chiller]
    Heater --> Head[Thermal head / cold plate]
    Cooler --> Head
    Head --> DUT
    DUT --> Feedback[Temperature / power feedback]
    Feedback --> Controller

圖說:ATC 是閉迴路控制系統,透過 sensor 回授調整加熱與冷卻,讓 DUT 在測試過程維持目標溫度。

技術原理

ATC 的目標是讓 DUT 在測試期間保持穩定、可重複的熱條件。高功耗 AI 晶片會在短時間內產生劇烈 power transient,若熱控反應太慢,會造成溫度 overshoot、測試結果漂移或 false fail。

核心能力包括:

  • 快速熱響應:能跟上 workload 切換與功耗突波。
  • 高熱移除能力:支援 1kW 以上 AI/HPC DUT 或多 site 測試。
  • 溫度均勻性:降低 large package 上不同區域的 hot spot 差異。
  • 壓接穩定:thermal head 與 lid / heat spreader 接觸需平整,否則熱阻不穩。
  • 多溫測試:cold / room / hot test 的切換效率與穩定性影響 UPH。

ATC 世代路線圖(鴻勁,野村 2026-07-24)

報告_野村_半導體測試產業_20260724_090

圖說:鴻勁精密「Active Thermal Control (ATC) Roadmap」(公司版權標示)——Dual-temp(25~150°C)列出 ATC3.3 (1KW) 2020、ATC3.5 (2KW) 2022〔H series & B series〕、ATC3.6 (3KW) 2025〔B series & R series〕、ATC3.7 (6KW) 2026〔F series〕、ATC3.8 (10KW) 於 2027–2028;中間 Power Density 帶標示 30 → 60 → 120 → 130 → 180 → 210 W/cm²;Tri-temp(-80~180°C)列出 ATC5.5 (4KW) 2025、ATC5.6 (5.5KW) 2027、ATC5.7 (10KW) 2028。來源:報告_野村_半導體測試產業_20260724

世代 溫域 冷卻能力 對應年份 對應晶片平台
ATC3.3 Dual-temp(25~150°C) 1 kW 2020
ATC3.5 Dual-temp 2 kW 2022 H series & B series(可支援 Blackwell Ultra B300 TDP 1,400W)
ATC3.6 Dual-temp 3 kW 2025 B series & R series(Rubin R100 TDP 起 1,800W,ATC3.5 餘裕不足故升級)
ATC3.7 Dual-temp 6 kW 2026 F series(Feynman,GPU-on-GPU SoIC 堆疊)
ATC3.8 Dual-temp 10 kW 2027–2028
ATC5.5 Tri-temp(-80~180°C) 4 kW 2025
ATC5.6 Tri-temp 5.5 kW 2027
ATC5.7 Tri-temp 10 kW 2028

功率密度(power density)同步由 30 W/cm² 升到 210 W/cm²。內文另述鴻勁「已備妥 7,000-8,000W 冷卻能力的 ATC、>10kW 在工程開發中」,與圖中 ATC3.7 (6KW)/ATC3.8 (10KW) 為不同表述口徑(圖為產品世代規格、內文為工程能力上限),並列保留。

TDP 不等於熱通量

野村提醒:拿 TDP 直接對比 ATC 最大冷卻能力有時比用「功率密度」(熱物理上的 heat flux)更容易偏誤——TDP 只說明「產生多少熱」,功率密度/熱通量才說明「熱點多集中」與「熱傳導多快」。這也是路線圖同時標示 kW 與 W/cm² 的原因。

鴻勁的 ATC 覆蓋雙溫與三溫域、冷卻方式涵蓋液冷、冷媒冷卻與氣冷。野村判斷清楚的 ATC 路線圖與執行力,是 AI/HPC 客戶啟動新晶片開發時選擇合作對象的關鍵

SLT handler 的 ATC 升級邏輯類似但更綁世代:不同於 FT 測試相對標準化 form factor 的封裝件,SLT 是在完整系統/模組層級驗證晶片,socket 針數、板卡佈局、供電與熱負載全部綁定該世代模組組態,因此每一代都需要與終端客戶重新做機構與熱介面的共同工程。

關鍵參數 / 判斷指標

指標 意義 觀察重點
Thermal capacity 可處理功耗 是否能支援高功耗 GPU / ASIC / CPU
Temperature range 可測溫度範圍 cold / hot test 條件與車用 / AI 規格
Temperature stability 控溫精度 影響 binning 與 repeatability
Ramp rate 升降溫速度 多溫測試 throughput 關鍵
Contact thermal resistance 接觸熱阻 受 lid 平整度、TIM / thermal interface、壓力控制影響
Multi-site matching 多 site 溫度一致性 高 site 數測試時避免 site-to-site 偏差
Liquid cooling support 液冷整合 高功耗 SLT / FT 可能需要 CDU / chiller

受惠環節 / 台股映射

環節 受惠強度 理由 相關公司 / 頁面
Handler 內建 ATC AI/HPC FT handler 需整合主動熱控 7769_鴻勁精密(市)
SLT 熱控系統 mission-mode 測試需要高功率熱控與液冷能力 2360_致茂(市)技術_SLT
測試代工 capex 中高 測試廠需添購支援 ATC 的 handler / SLT 系統 2449_京元電(市)
封裝散熱接觸 ATC 接觸面與 lid / stiffener / TIM 平整度連動 技術_Stiffener技術_TIM導熱介面材料
液冷 / CDU 高功耗 SLT 可能需要液冷迴路輔助 技術_液冷

投資觀察

  • ATC 是高功耗測試的必要條件:AI 晶片功耗越高,測試結果越容易受溫度漂移影響。
  • ATC 與 Handler ASP 綁在一起:高階 handler 不是單純 pick-and-place,熱控、壓接與感測都會提高價值。
  • SLT 對 ATC 要求更高:SLT 需接近真實 workload,熱控能力、液冷整合與長時間穩定性更重要。
  • 封裝設計會反向影響 ATC:lid、stiffener、TIM、cold plate 接觸面改變,會改變 thermal head 與壓力設計。

技術瓶頸 / 風險

  • 熱接觸不穩:package warpage 或 lid 平整度不佳會提高熱阻,導致測試溫度失真。
  • 多 site 一致性:site 間溫差會造成良率 / binning 偏差。
  • 功耗升級追趕:GPU / ASIC TDP 快速上升,設備需持續升級熱移除能力。
  • 平台專案波動:ATC 設備規格常與特定客戶封裝 / 測試流程綁定。

相關技術

來源

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