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TIM導熱介面材料

更新 2026-08-20

定義

TIM(Thermal Interface Material,導熱介面材料)用來填補兩個固體表面之間的微小空隙,排除空氣層並降低熱接觸阻抗。AI GPU / ASIC 功耗進入千瓦級後,TIM 不只是「導熱膏」,而是封裝、液冷、材料、表面處理與自動化貼合共同決定的熱路徑。

TIM1 vs TIM2

類型 位置 主要製程位置 典型材料 / 形態 供應鏈重點
TIM1 Die / chiplet → Lid / IHS / Heat Spreader OSAT / 封裝端 散熱膏、相變材料、銦片、石墨烯 / graphite sheet 等 精度、壓合力、厚度均勻性、翹曲控制;7751_竑騰(櫃)聚焦此段設備
TIM2 Lid / IHS / Heat Spreader → Cold Plate / Heat Sink 模組 / 系統組裝端 散熱膏、pad、PCM、液態金屬、軟金屬片 可重工性、泵出、可靠度、冷卻液 / 液態金屬腐蝕控制、表面鍍層

投資語境

市場常把「均熱片」混用於 Vapor Chamber、IHS、Lid、Heat Spreader。判讀供應鏈時需先確認位置:竑騰是 TIM1 貼合設備;健策、奇鋐、高力等多在散熱零組件 / 液冷模組;匯鑽科則較接近表面處理 / 鍍層觀察。

材料類型

材料 優點 限制 / 風險 常見位置
散熱膏 / gel 成熟、成本低、可填補粗糙表面 pump-out、老化、厚度控制影響熱阻 TIM1 / TIM2
Thermal pad / gap filler 容忍公差、組裝簡單 熱阻通常較高,薄型高導熱材料成本高 TIM2、板級散熱
PCM 相變材料 到達相變溫度後降低接觸熱阻,適合量產一致性 熱循環可靠度與滲出需驗證 TIM1 / TIM2
銦片 / 軟金屬 高導熱、可塑性佳、適合高功耗晶片 成本高,氧化與壓合條件需控制 高階 TIM1
石墨 / 石墨烯片 面內導熱佳、輕薄 垂直導熱與界面接觸需設計 TIM1 輔助散熱 / 模組端
液態金屬 導熱率高,適合高熱通量 TIM2 腐蝕、滲漏、電性風險高,需鍍層與密封設計 高階 TIM2 / 液冷

銦片兩種使用模式:焊接式 sTIM vs 壓合式(2026-07-22 查證)

銦片不是只有一種用法,焊接與壓合是兩條不同的工程路線,判讀設備 / 鍍層 / 表面處理供應鏈時需先確認是哪一種:

項目 焊接式 sTIM(solder TIM) 壓合式(compressible TIM,如 Indium Corp Heat-Spring)
接合機制 Reflow 熔融後與金屬化層潤濕,形成冶金接合 常溫靠鎖固壓力使軟銦塑性變形填縫,不熔融、不 reflow
金屬化需求 必要:die 背面 BSM(Ti/Ni/Au 類)+ Lid 內側鍍鎳金,否則熔銦不潤濕 不需金屬化;burn-in 用款(HSK)覆薄鋁阻擋層防沾黏
助焊 / 氣氛 需助焊劑或真空 reflow 控制銦氧化與 void 不需
可重工性 焊死不可重工,開蓋易傷 die 可拆可重複使用
熱阻 業界最低(廠商宣稱 lowest total thermal resistance) 低(優於膏類),受壓力影響
典型位置 高階 TIM1 / TIM1.5(Intel 高階 CPU sTIM 為經典案例) burn-in / 測試座、bare-die 壓貼冷板、浸沒式冷卻;亦有 no-reflow 當 TIM1 的產品
  • 兩種模式都可做 TIM1:Indium Corp 官網 sTIM 產品線明寫「TIM1 and TIM1.5 sTIM solutions」(reflow 路線);Heat-Spring 亦有「ultra-low thermal resistance, no-reflow as TIM1」規格書(壓合路線)。「可拆 = 一定壓合、焊接 = 只能 TIM1」的直覺不成立,TIM1.5 也有 reflow 方案。
  • 對設備判讀的含義:焊接路線 reflow 前仍需點膠(助焊劑)、銦片精準置片、Lid 置放與治具夾持加壓進爐——貼合壓合設備與 reflow 是上下游關係,不是替代關係。7751_竑騰(櫃)銦片設備強調精度 / 壓力 / 氧化管理,與銦焊接製程特徵一致;2026-08-20 第一金座談確認「銦片製程特殊才需要上助焊劑、散熱膏製程不需要」,指向其銦片設備服務的是需助焊劑潤濕的焊接(reflow)路線,先前的待確認事項至此收斂。
  • 對鍍層判讀的含義:走 sTIM 就連動 die BSM 與 Lid 鍍鎳金需求(3653_健策精工(市)鍍層邏輯);純壓合則不需金屬化,鍍層邏輯要另找依據。

Removable Lid / TIM1.5 工法對 TIM 製程的影響(2026-08-20)

NVIDIA 在 Rubin Ultra 世代評估的 Removable Lid(R-Lid,又稱 disposable lid+TIM 1.5)把永久性 Lid 與一層 TIM 拿掉,改以螺絲把 Lid 鎖在 Stiffener 上。設備端觀察(7751_竑騰(櫃),第一金法人座談 2026-08-20):

  • 客戶尚未最終定案;即使採用,Stiffener 仍要貼(Stiffener 的功能是抑制 substrate 翹曲並保護 substrate 周圍,與 Lid 是否可拆無關),貼一個可拆卸 Lid 對既有貼合設備亦非技術障礙。
  • 平面度責任轉移:傳統貼 Lid 由封裝廠以治具壓合確保平面度,過程中 TIM1 材質會被擠壓溢出;改用螺絲鎖固後,平面度與精密度變成客戶(組裝端)要克服的問題。
  • 採用範圍有限:目前僅 NVIDIA 單一顆晶片會用此工法,成本高、產出效率慢;發熱較低的 AI ASIC 不會採用,市場上仍有許多客戶使用傳統散熱膏。對 TIM1 高階材料(如銦片)的替代效果因此侷限於單一產品線。

Metal TIM 覆蓋率:TIM1 最關鍵的指標是覆蓋率——均熱片與晶片貼合後客戶要求 95%,竑騰 metal TIM 設備可做到 99%;金屬液化後外溢流向周邊元件造成短路的疑慮,以四周噴 UV 膠即可阻絕。其他品牌則採液態金屬路線。metal TIM 設備對台灣 OSAT 預計 2H26 開始大量出機。

散熱方案階梯與 ASP(統一投顧,2026-07)

散熱層數越多熱阻越大,設計方向是盡量減少中間層數——愈往後發展中間層愈少、冷板愈直接貼近裸 die,散熱效率愈好,ASP 也從 10 幾美元一路提升至 200 美元以上

散熱方案 導入平台 單價(美元)
Stiffener ASIC 10-20
單片式 Lid 現行 Rubin 設計 50
兩片式 Lid 原 Rubin 設計、AMD MI4 系列 150
Removable Lid Rubin Ultra 150+
MCL(Microchannel Lid) Rubin Ultra? 200+
報告_統一投顧_VR登場AI伺服器價值鏈_20260731_013

圖說:單片式 Lid(MCCP)堆疊剖面示意,由上而下為 Cold Plate (Fluid)/Gold 鍍金層/TIM 2 (VnGr 導熱片)/Lid 上蓋/TIM 1 導熱界面材料/SOC 晶片/Substrate 基板(統一投顧,2026-07)。

台廠分層佈局(同來源):晶片端(Stiffener、Lid、VC Lid、MCL)以 3653_健策精工(市)2486_一詮(市) 為主;模組端(Cold plate、Manifold、QD、波紋管)含 3017_奇鋐(市)3324_雙鴻(櫃)、健策、富世達等;系統級(Fan Wall、RDHx、Sidecar L2A、CDU L2L)含 2308_台達電(市)、光寶、6125_廣運(櫃)、高力、Vertiv 等。L2A 屬過渡方案,未來將往 L2L 演進。中國積極推金剛石(鑽石)複合材料,優點是輕、導熱高,但成本高、硬度高難加工,仍在研發階段未量產,Lid 目前仍以銅為主

關鍵參數

指標 意義 觀察重點
Thermal conductivity 材料本體導熱能力 高數字不等於低系統熱阻,仍要看 BLT 與接觸面
BLT(Bond Line Thickness) 介面材料厚度 越薄通常熱阻越低,但需兼顧翹曲、公差與可靠度
Contact resistance 接觸熱阻 表面粗糙度、壓力、鍍層、材料濕潤性都會影響
Pump-out / dry-out 熱循環後材料被擠出或乾化 AI 伺服器長時間高功耗下是可靠度重點
Corrosion / compatibility 與銅、鎳、金、冷卻液、液態金屬的相容性 液態金屬 TIM2 對鍍金 / 鍍鎳等表面處理需求更高
Reworkability 維修與重工難度 模組端 TIM2 通常更重視可拆修與一致性

為什麼 AI 讓 TIM 需求上升

  • 單顆功耗上升:Rubin GPU 功耗 profile 已進入 1.8kW / 2.3kW 級,封裝到冷板的熱阻預算更緊。
  • 熱點更集中:CoWoS / SoIC、chiplet 與 HBM 讓熱源分布不均,TIM 厚度與壓合一致性影響良率。
  • 液冷與液態金屬導入:100% liquid cooled compute tray 使 cold plate、micro-channel cold plate、TIM2 與表面鍍層同時升級。
  • 測試循環增加:burn-in / SLT 等高功耗測試後仍需回到 FT 驗證,封裝後散熱材料與貼合穩定性會影響測試良率與重測成本。

圖解

flowchart LR
    D1["單顆功耗上升<br>Rubin GPU 1.8kW/2.3kW"] --> A["Die/Chiplet"]
    A -->|"TIM1<br>散熱膏/相變材料/銦片/石墨"| B["Lid/IHS/Heat Spreader"]
    D2["熱點更集中<br>CoWoS/SoIC/HBM"] --> B
    B -->|"TIM2<br>散熱膏/pad/PCM/液態金屬/軟金屬片"| C["Cold Plate/Heat Sink"]
    D3["液冷與液態金屬導入<br>100%liquid cooled compute tray"] --> C

台股供應鏈映射

環節 公司 角色
TIM1 貼合設備 7751_竑騰(櫃) Chip-TIM1-Lid 段點膠、植片、壓合與 AOI
IHS / Lid / Cold Plate 3653_健策精工(市) 散熱蓋板、水冷板、微通道蓋板與特殊電鍍
散熱模組 / 液冷 3017_奇鋐(市)8996_高力(市) 冷板、manifold、CDU / 熱交換等系統端整合
表面處理 / 鍍層 8431_匯鑽科(櫃) 散熱件表面處理觀察股,需追蹤實際 AI 訂單與認證
焊接 / 接合材料 3305_昇貿(市) 錫膏、BGA 錫球、Bumping 錫膏、預型錫片等;屬焊接 / 封裝材料,與 TIM 材料需分開判讀

ECTC 2026 新材料進展(SemiAnalysis 2026-07-02)

台積電的直達矽冷卻可完全移除 TIM1,但 SemiAnalysis 判斷近期多數系統仍需更好的矽-均熱片介面材料:

  • SPIL(日月光旗下)液態金屬複合 TIM 實測(55mm×55mm FO-EB 封裝):
  • 鎵基液態金屬 + 矽膠基 HS-TIM:5.7 W/m·K;+ 碳纖維 HCF-TIM:10 W/m·K(商用矽膠 TIM 為 4 W/m·K)
  • 可靠度分化明顯:HCF-TIM 在 150°C 1,000 小時後維持 95% 覆蓋率;HS-TIM 掉到 75%(矽膠基質硬化局部剝離)→ HCF-TIM 性能與可靠度雙優
  • Purdue / Aveiro / UCLA:Cu/Sn microbump 嵌入奈米晶鑽石,互連層面內導熱 500–600 W/m·K(約為傳統 microbump+underfill 的 20 倍);非 TIM1 替代,而是讓熱在 3D 堆疊互連層橫向擴散;仍屬早期(單面測試結構)
  • SiC 作為 TIM1/散熱方案在本屆討論少,SemiAnalysis 判斷距成熟仍遠
EMIB-T HBM4 Challenges Microfluidic Cooling Photonic Interconnects_045

圖說:三種 TIM 30 天後熱阻柱狀圖——S-TIM 0.61、HS-TIM 0.34、HCF-TIM 0.19 °C·cm²/W。來源:SPIL, ECTC 2026 © SemiAnalysis

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來源

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