基本資料
漢磊是漢民集團旗下功率半導體與化合物半導體製程平台廠，定位偏「SiC foundry / 製程平台」，不是上游基板廠，也不是最終模組品牌。公司 2026-10-07 法說會明確定位「未來資源集中投入三大核心技術平台」：矽基 TVS（TDS, TVS Diode Solution）、氮化鎵（GaN）、碳化矽（SiC），並以 650V 為市場區隔線——650V 以上以 SiC 供應、650V 以下以 GaN 為主，降低自家兩產品線的客戶衝突。
公司公開新聞稿指出，漢磊 2024 年推出碳化矽第三代平面型 MOSFET G3 技術平台，相較 G2 降低元件面積約 40%、改善導通電阻 Ronsp 約 30%；技術世代持續迭代，2026H2 最新一代為 GEM5（晶片面積較 GEM4 縮小約 15%、Ron,sp 改善約 12%、良率逾 95%），年底前進入風險量產、已有 5 家客戶準備量產，下一代 GEM6 開發中；技術迭代節奏由過去兩年一代加速為一年一代（來源：活動_漢磊3707_法說memo_20261007、活動_漢磊3707_華南座談memo_20261007，2026-10-07）。
2026H1 營運由虧轉虧幅收斂、合併表現受惠嘉晶：合併營收 33.29 億元（YoY +25%），毛利由負轉正達約 2.8 億元（毛利率 8.42%；原始座談紀錄誤植為「2,800 萬元」，已依毛利率回推校正，見 活動_漢磊3707_法說memo_20261007 校正紀錄），淨損收斂至 1.22414 億元（去年同期虧損 4.06 億元），EPS -0.57 元；2026Q2 單季營收 17.95 億元（QoQ +16.97%、YoY +29.60%），毛利率 11.3%、EPS -0.22 元。公司目標現金流 2026H2 力求轉正、最遲 2027 年轉正（來源：活動_漢磊3707_華南座談memo_20261007，2026-10-07）。
集團關係上，3016_嘉晶（市）負責磊晶晶圓 / 化合物半導體材料，漢磊負責下游晶圓製程平台；7856_漢測（櫃）則是漢民集團測試服務與探針卡相關公司。三者共同構成漢民集團在材料、製程與測試服務的半導體版圖。漢磊 2025 年處分嘉晶持股約 1.4 萬張，回收資金約 16 億元，用於 6 吋 / 8 吋關鍵瓶頸設備擴充（來源：活動_漢磊3707_法說memo_20261007，2026-10-07）。
核心技術／競爭優勢
- SiC MOSFET 製程平台世代升級：G3 平面型 MOSFET 平台（2024）已對客戶開放；2026H2 最新世代 GEM5 晶片面積較 GEM4 縮小約 15%、Ron,sp 改善約 12%、良率逾 95%，年底前風險量產，下一代 GEM6 開發中（來源見基本資料）。
- 8 吋 SiC 與世界先進策略合作進入試產階段：8 吋 SiC 試產良率已突破 95%（珩石筆記記載為 90% 以上，取多數來源 95%+），優於 6 吋產線；5 家客戶排隊準備 Tape-out，目標年底前進入風險量產，實際量產視人力與客戶需求落在 2026Q4–2027Q1。產能規劃以小額投資由每月 1,500 片快速擴充至 3,000 片（等效約 6 吋 6,000 片），加上既有 6 吋產能（本檔法說逐字稿稱約 5,000 片/月，珩石筆記稱約 4,000 片/月，兩者不一致，待公司公告核對），合計等效產能上看 6 吋 1 萬片/月規模。合作分工：世界先進提供製造產線，漢磊提供技術平台並負責接單；IDM 客戶自有技術案（porting）則可彈性由任一方承接，分潤依設備與產能投入協商（來源：活動_漢磊3707_法說memo_20261007、活動_漢磊3707_珩石法說筆記_20261007，2026-10-07）。
- 三大技術平台聚焦，650V 做市場區隔：矽基 TVS（TDS）、GaN、SiC 為未來資源投入重點；650V 以上 SiC、650V 以下 GaN，降低自家產品線客戶衝突。
- GaN 與矽基 TVS 稼動率已滿載：GaN 產能自 2026Q2 起滿載，預計 2026H2 至 2027 全年持續滿載；矽基 TDS（TVS Diode Solution）平台營收占比由 25% 大幅提升至 39%，稼動率達 100%（來源同上）。
- 化合物半導體量產經驗：官方新聞稿稱深耕化合物半導體技術與量產已長達 10 年，定位偏專注化合物半導體代工服務。
- 台灣分工型 SiC 鏈核心製程段：上游可接 6930_盛新材料（未） / 3016_嘉晶（市） 的基板與磊晶映射，下游對應 SiC diode、MOSFET、模組與測試薄化。
產品與應用
| 產品 / 平台 | 技術定位 | 應用 | 觀察重點 |
|---|---|---|---|
| SiC GEM5 平面型 MOSFET 平台 | 1200V 等級高壓功率元件製程平台（最高可達 3,300V） | EV 車用模組（800V 充電）、儲能、太陽能逆變器（1200V/1700V）、AI 資料中心高功率 PSU（3.0kW 以上）與固態變壓器 SST | 客戶可靠度驗證、量產導入、GEM6 世代升級 |
| 8 吋 SiC 合作線（與世界先進） | 從 6 吋往 8 吋升級的製程與產能合作 | 中長期高壓功率元件降本 | 試產良率已逾 95%，2026Q4–2027Q1 客戶陸續量產，產能擴充節奏 |
| GaN 中低壓平台 | 650V 以下中低壓功率元件；第七代與主要客戶聯合開發 | AI 資料中心電源、無人機、人形機器人、工業馬達驅動、車用 LiDAR / DC-DC | 2026Q2 起滿載，客戶需求明後年近倍增，產能能否同步擴充 |
| 矽基 TVS／TDS（Bipolar）平台 | 少量多樣、技術門檻較高的 Bipolar TVS，以 6 吋為 sweet spot | USB / ESD 保護、AI 伺服器板端保護、車用 800V 充電架構靜電保護 | 稼動率已達 100%，2026H2 啟動擴產，目標 2027 年成長 20% |
月營收（近 24 個月）
下次公布11/9（一）–11/10（二） 10月營收 預估：可能 11/9–11/10 公布（近 4 次有 4 次落在此區間；最常見：法定期限當天，信心中）
| 月份 | 營收（億元） | MoM | YoY | 備註 |
|---|---|---|---|---|
| 2026-12 | 6.14 | — | +22.2% | 本站推算† |
| 2026-11 | 6.61 | — | +24.4% | 本站推算† |
| 2026-10 | 6.61 | — | +24.2% | 本站推算† |
| 2026-09 | 6.63 | +0.5% | +24.5% | |
| 2026-08 | 6.59 | +1.8% | +29.5% | |
| 2026-07 | 6.48 | +4.4% | +30.6% | |
| 2026-06 | 6.20 | +5.0% | +29.9% | |
| 2026-05 | 5.90 | +1.0% | +28.0% | |
| 2026-04 | 5.85 | +7.7% | +31.0% | |
| 2026-03 | 5.43 | +11.2% | +22.3% | |
| 2026-02 | 4.88 | -3.1% | +13.4% | |
| 2026-01 | 5.04 | +0.3% | +25.0% | |
| 2025-12 | 5.02 | -5.5% | +14.8% | |
| 2025-11 | 5.31 | -0.1% | +10.8% | |
| 2025-10 | 5.32 | -0.1% | +11.2% | |
| 2025-09 | 5.33 | +4.6% | +10.6% | |
| 2025-08 | 5.09 | +2.6% | +0.3% | |
| 2025-07 | 4.96 | +3.9% | +0.7% | |
| 2025-06 | 4.78 | +3.5% | -2.6% | |
| 2025-05 | 4.61 | +3.4% | -6.2% | |
| 2025-04 | 4.46 | +0.5% | -10.7% | |
| 2025-03 | 4.44 | +3.1% | -8.3% | |
| 2025-02 | 4.30 | +6.8% | -6.2% | |
| 2025-01 | 4.03 | -7.8% | -21.7% | |
| 2024-12 | 4.37 | -8.8% | -20.4% | |
| 2024-11 | 4.80 | +0.2% | -10.4% | |
| 2024-10 | 4.79 | -0.6% | -8.7% |
2026 年已公布累計 53.0 億元；全年推算 72.4 億元（YoY +25.5%）†
† 本站推算，非券商預估：以最新一個月營收為基準，乘上過去兩年同期月對月變化的中位數（季節因子限 0.75–1.33 倍）。券商的年度營收與 EPS 預估見本頁「EPS 預估」「財測假設」。
資料：珩石資料庫＋公開資訊觀測站，更新於 2026-11-09 01:26。下次公布日依公司近 12 個月公布習慣（公開資訊觀測站、鉅亨營收速報、FinMind）推估，以公司公告為準。
月營收追蹤
| 月份 | 營收 | MoM | YoY | 備註（歸因／來源） |
|---|---|---|---|---|
| 2026-08 | NT$6.59 億 | +1.81% | +29.54% | 累計 2026 年前 8 月營收 46.37 億元，YoY +26.43%（華南投顧座談 2026-10-07） |
EPS 記錄
只放實績（A）；下表為合併報表口徑。
| 季度 | EPS (元) | YoY | 備註 |
|---|---|---|---|
| 2026Q2 | -0.22 | — | 營收 17.95 億，QoQ +16.97%、YoY +29.60%；毛利率 11.3%、營益率 1.1% |
| 2026H1 | -0.57 | 虧損縮小 | 營收 33.29 億（YoY +25.07%）；毛利率 8.42%；淨損 1.22414 億元（去年同期虧損 4.06 億元） |
財測假設
| 來源（日期） | 模型 / 推導鏈 | 關鍵假設 | 產出 |
|---|---|---|---|
| 公司 guidance（2026-10-07 法說） | SiC 稼動率爬坡 → 下半年 SiC 單一業務營收倍增 | SiC 稼動率上半年<30% → Q3 約 60% → Q4 約 80%，明年上看 90% | SiC 業務 2026H2 營收較 H1 成長約 120% |
| 公司 guidance（2026-10-07 法說） | 4/5 吋廠 EOL（Last Buy，2026-08 停產、11 月完成設備人員轉移）拖累整體成長率 | 整體合併營收 2026H2 vs H1 僅持平至 +3~5%；若只看 6 吋產品線，H2 vs H1 成長約 40% | 需拆分「整體持平」與「6 吋產線/SiC 業務強勁成長」兩個數字，不可混用 |
| 公司 guidance（2026-10-07 法說） | GaN／TDS 稼動滿載延續 | GaN 2026Q2 起滿載、全年營收估年增近 50%；TDS 稼動 100%，2027 年挑戰年成長 20% | GaN／TVS 兩平台 2027 年續成長 20% 以上 |
| 公司 guidance（2026-10-07 法說） | 現金流改善 | 處分嘉晶持股回收約 16 億元 + 4/5 吋 EOL 釋出資源集中 6/8 吋 | 現金流目標 2026H2 力求轉正，最遲 2027 年轉正 |
關鍵 Claim
| Claim | 類型 | 來源 | 日期 | 信心 |
|---|---|---|---|---|
| 推出 SiC G3 平面型 MOSFET 技術平台，G3 相較 G2 降低元件面積、改善 Ronsp | company_material | 漢磊新聞稿 | 2024-07-01 | 高 |
| SiC 應用可延伸至太陽能、儲能、EV 與 AI 高效能算力伺服器 | company_material | 同上 | 2024-07-01 | 中高 |
| 漢磊與世界先進合作推動 8 吋 SiC，2026 下半年量產認證屬觀察重點 | media_report / company_action | 工商時報 | 2024-09-12 | 中 |
| 受惠 NVIDIA / 800V HVDC | market_observation | 需另查客戶或法說，不在此寫成官方供應 | 待補 | 低-中 |
| 2026H1 合併營收 33.29 億元（YoY+25%），毛利由負轉正約 2.8 億元，淨損收斂至 1.22414 億元 | fact | 活動_漢磊3707_華南座談memo_20261007、活動_漢磊3707_法說memo_20261007（已校正） | 2026-10-07 | 高 |
| 與世界先進合作 8 吋 SiC 試產良率逾 95%，5 客戶排隊準備量產，目標年底前風險量產 | company_material | 活動_漢磊3707_法說memo_20261007、活動_漢磊3707_華南座談memo_20261007（珩石筆記為 90%+，取多數來源） | 2026-10-07 | 高 |
| 三大核心技術平台聚焦矽基 TVS（TDS）、GaN、SiC，650V 為市場區隔線 | fact | 活動_漢磊3707_法說memo_20261007 | 2026-10-07 | 高 |
| SiC GEM5 平面型 MOSFET 平台進入風險量產，GEM6 開發中，技術迭代由兩年一代加速為一年一代 | fact | 同上 | 2026-10-07 | 高 |
| GaN 第七代技術與主要客戶聯合開發，性能約傳統矽基 3 倍，預計年底至 2027Q1 完成 | company_material | 同上 | 2026-10-07 | 中高 |
| 現金流目標 2026H2 力求轉正，最遲 2027 年轉正 | company_guidance | 活動_漢磊3707_華南座談memo_20261007 | 2026-10-07 | 中高 |
投資觀察
- 看技術平台轉訂單：GEM5 平台是否從良率驗證進入客戶大量投片，是比單純發表平台更重要的節點；2026-10 法說已稱 5 客戶準備量產，需後續追蹤實際投片量。
- 看 8 吋 SiC 進度：8 吋化能降低單位成本，但基板品質、外延均勻性、implant / anneal、gate oxide reliability、edge yield 都會變難；漢磊 × 世界先進合作試產良率已逾 95%，重點轉為客戶認證進度與產能擴充節奏（1,500→3,000 片/月）。
- 看應用組合：EV、儲能、太陽能逆變器是既有高壓應用；AI 資料中心電源、HVDC / SST 是增量敘事，公司法說提及部分客戶已進入 SST 及 Power Rack 領域，但仍需區分公司法說與法人 / 市場觀察，且公司明確表示「中國以外尚未接獲 AI 相關 SiC 訂單」，AI 貢獻目前集中在 GaN（逾 50% 應用於 AI 基礎設施）。
- 看整體與分項成長率的落差：2026H2 公司整體營收因 4/5 吋廠 EOL 僅估持平至+3~5%，但 SiC 業務本身 H2 較 H1 估成長約 120%、6 吋產線估成長約 40%；解讀營運復甦力度時不可只看合併營收單一數字。
- 看台灣 SiC 分工是否成鏈：3016_嘉晶（市）、漢磊、2342_茂矽（市）、2481_強茂（市）、5425_台半（櫃）、8162_微矽電子（創）各占一段，尚未等同國際 IDM 的垂直整合。
- 功率半導體漲價＋去中化轉單：2026 起國際 IDM 啟動功率元件漲價循環，並將產能轉向 SiC，釋出化合物功率元件晶圓代工缺口；漢磊具化合物功率元件晶圓代工平台的受惠定位。詳見 分析_功率半導體漲價循環與去中化轉單_福邦_20260624、技術_功率半導體。
風險與邊界
- 不把「AI 伺服器電源可應用」直接寫成已切入 NVIDIA / CSP 供應鏈；公司法說明確表示中國以外尚未接獲 AI 相關 SiC 訂單，AI 貢獻目前集中在 GaN。
- 不把「8 吋 SiC 合作」寫成已大規模量產；試產良率雖逾 95%，實際量產仍在 2026Q4–2027Q1 階段，應追蹤客戶認證與投片量。
- 不把「2026H2 SiC 業務成長約 120%」等同於公司整體營收成長——整體合併營收因 4/5 吋廠 EOL，H2 僅估較 H1 持平至 +3~5%。
- SiC 需求受 EV、儲能、太陽能與資料中心電源週期影響；若 EV / 儲能放緩，平台轉量產速度可能延後。
- 台灣 SiC 供應鏈偏分工型，缺乏國際 IDM 垂直整合優勢，需看客戶是否願意採用委外製程平台。
- 跨來源數字衝突，待公司公告核對：(1) 漢磊本業晶圓代工 H1 YoY 成長率，法說逐字稿稱約 18%、珩石筆記稱 48%；(2) 6 吋產能，法說逐字稿稱約每月 5,000 片、珩石筆記稱約 4,000 片；(3) 8 吋 SiC 良率，法說逐字稿與華南投顧座談 memo 均稱逾 95%，珩石筆記稱 90% 以上。本頁採兩份以上來源一致或口徑較明確者為主述，衝突細節見 活動_漢磊3707_法說memo_20261007 校正紀錄區塊。
公司行事曆
- 10/13週二營收9月營收公布營收 6.63 億、年增 +24.5%、月增 +0.5%
- 今天 2026-11-08
- 11/10週二營收10月營收（預估 11/9–11/10）可能 11/9–11/10 公布（近 4 次有 4 次落在此區間；最常見：法定期限當天，信心中）
- 12/10週四營收11月營收（預估 12/9–12/10）可能 12/9–12/10 公布（近 4 次有 4 次落在此區間；最常見：法定期限當天，信心中）
近 30 天到未來 120 天的事件，資料與行事曆同一來源（公開資訊觀測站、證交所／櫃買 OpenAPI、珩石資料庫），日期以公司公告為準。
時間軸
| 時間 | 事件 | 類型 | 重要性 | 備註 |
|---|---|---|---|---|
| 2024-07-01 | 漢磊推出 SiC G3 平面型 MOSFET 技術平台 | 技術平台 | ⭐⭐⭐ | 官方新聞稿稱通過國際客戶可靠度測試 |
| 2024-09-12 | 媒體報導漢磊與世界先進推動 8 吋 SiC | 策略合作 | ⭐⭐⭐ | 可列為 8 吋 SiC 認證觀察，不寫成大量量產 |
| 2025 | 處分嘉晶持股約 1.4 萬張，回收資金約 16 億元 | 財務操作 | ⭐⭐ | 資金用於 6 吋 / 8 吋關鍵瓶頸設備擴充 |
| 2026-08 | 4/5 吋廠停止生產（Last Buy 完成） | 產能調整 | ⭐⭐ | 11 月完成設備與人員移轉至 6/8 吋廠，長期有助聚焦與成本改善，短期拖累 H2 整體營收成長率 |
| 2026Q3-Q4 | 8 吋 SiC 試產良率逾 95%，5 客戶排隊準備量產 | 量產進度 | ⭐⭐⭐ | 目標年底前風險量產，實際落在 2026Q4–2027Q1 |
| 2026H2 | GEM5 SiC MOSFET 平台進入風險量產 | 技術平台 | ⭐⭐⭐ | 良率逾 95%，GEM6 開發中 |
| 2026 年底–2027Q1 | GaN 第七代技術與主要客戶聯合開發完成 | 技術平台 | ⭐⭐⭐ | 性能約傳統矽基 3 倍，客戶需求約現有產能兩倍 |
| 2027 | 現金流目標轉正（最遲） | 財務 | ⭐⭐ | 2026H2 已力求轉正 |
| 2027 | 8 吋 SiC 產能擴充至每月 3,000 片 | 擴產 | ⭐⭐⭐ | 以小額投資快速擴充，等效 6 吋約 6,000 片 |
SiC 供應鏈位置
| 環節 | 內容 | 說明 |
|---|---|---|
| 製程平台 | SiC MOSFET / SBD | 對客戶開放 SiC G3 平面型 MOSFET 技術平台 |
| 應用 | 太陽能逆變器、儲能、EV 模組、AI 高效能算力伺服器電源 | 公司新聞稿列示應用方向 |
| 8 吋策略合作 | 與 5347_世界先進（櫃） 推動 8 吋 SiC | 試產良率已逾 95%，5 客戶排隊準備量產（2026-10-07 法說），仍屬試產 / 風險量產階段，不寫成已大量量產 |
| 上游 | SiC 基板 / 磊晶 | 可與 6930_盛新材料（未）、3016_嘉晶（市） 形成台灣映射 |
graph LR
GS["[[6930_盛新材料（未）]]<br/>SiC晶錠 / 基板"] --> EPI["[[3016_嘉晶（市）]]<br/>SiC / GaN磊晶"]
EPI --> EI["[[3707_漢磊（櫃）]]<br/>SiC MOSFET / SBD製程平台"]
VIS["[[5347_世界先進（櫃）]]<br/>8吋策略合作觀察"] -.-> EI
EI --> DEV["SiC元件 / 模組客戶"]
DEV --> APP["EV / 儲能 / 太陽能 / AI資料中心電源"]
圖說：漢磊在台灣 SiC 供應鏈中位於「磊晶之後、元件 / 模組之前」的晶圓製程平台段；世界先進屬 8 吋 SiC 合作觀察，不宜寫成其自身已量產 SiC。
相關公司
| 公司 | 關係 | 說明 |
|---|---|---|
| 3016_嘉晶（市） | 上游 / 同集團磊晶映射 | SiC / GaN epitaxy |
| 6930_盛新材料（未） | 上游基板 | SiC 晶錠 / 基板供應觀察 |
| 8121_越峰（櫃） | 上游材料相鄰 | SiC 粉體 / 燒結體材料觀察 |
| 2342_茂矽（市） | 同業 / SiC 代工觀察 | 6 吋 SiC 製程平台建置 |
| 2481_強茂（市） | 下游元件映射 | SiC diode / 功率元件 |
| 5347_世界先進（櫃） | 策略合作 / 私募參與 | 8 吋 SiC 產能建置與認證觀察 |
| 8162_微矽電子（創） | 後段 / 測試薄化映射 | GaN / SiC、MOSFET、IGBT 測試與 turn-key 後段服務觀察 |
| 7856_漢測（櫃） | 集團 / 測試相鄰 | 漢民集團測試服務與探針卡相關公司 |
| 3105_穩懋（櫃） | 同業 / GaN 代工觀察 | GaN 晶圓代工同業，應用與客群不同（穩懋偏 RF/PA），僅作化合物半導體代工平台對照 |
來源
- 活動_漢磊3707_法說memo_20261007 — AI 轉寫（已校正），2026-10-07；2026H1 財務、三大技術平台、GEM5/GEM6、8 吋 SiC 進度
- 活動_漢磊3707_華南座談memo_20261007 — 華南投顧，2026-10-07；2026H1/Q2 財務細項、月營收、三大平台市場規模
- 活動_漢磊3707_珩石法說筆記_20261007 — 珩石資本 Notion 筆記，2026-10-07；QA 整理（部分數字與逐字稿不一致，見風險與邊界）
- 漢磊：碳化矽第三代平面型 MOSFET 技術平台
- 工商時報：漢磊攜手世界先進推 8 吋 SiC
- 技術_碳化矽SiC
- 供應鏈_SiC碳化矽
- 分析_功率元件SiC上下游供應鏈
- 分析_SiC八吋晶圓升級與封裝對應