資料中心冷卻電力

全球資料中心冷卻／電力／水資源供應鏈地圖，源自 GS 2026-07-13 主題報告（41 檔 Buy 評等篩選）。核心框架：環境條件（高溫/高濕/缺水）決定冷卻技術路線 → 決定 PUE/WUE 與受惠 vertical。宏觀框架詳見 技術_資料中心冷卻電力水權衡；台廠液冷細節見 供應鏈_AI伺服器液冷；電力鏈見 供應鏈_AI資料中心電力。

供應鏈結構圖

flowchart TD
    A[環境條件<br/>高溫/高濕/缺水<br/>56% 新增容量受限] --> B{冷卻路線選擇<br/>Power vs Water 權衡}
    B --> V1[環境韌性冷卻<br/>設備/控制/元件<br/>14 檔]
    B --> V2[先進液冷<br/>方案與元件<br/>17 檔]
    B --> V3[水效率創新<br/>回收/海水淡化<br/>10 檔]
    V2 --> V4[廢熱回收<br/>熱泵/輸配/工程<br/>7 檔]
    B --> V5[電力供應鏈<br/>發電/輸配電/E&C<br/>7 檔]

    classDef ambient fill:#ffc9c9
    classDef liquid fill:#a5d8ff
    classDef water fill:#b2f2bb
    classDef heat fill:#ffd8a8
    classDef power fill:#fff3bf
    class A ambient
    class V1 ambient
    class V2 liquid
    class V3 water
    class V4 heat
    class V5 power

各環節廠商（GS Buy 評等，2026-07-10 收盤定價）

環境韌性冷卻：設備／控制／元件（Exhibit 17，14 檔）

先進液冷 + 冷卻水方案（Exhibit 12，26 檔）

廢熱回收（Exhibit 20，7 檔）

電力供應鏈（7 檔）

設施端規格與冷卻實務進展（OCP 2026，2026-10）

GS 框架是「環境條件決定冷卻路線」；OCP 2026 補上設施端的規格與實測，與 GS 數字口徑不同處並列如下。

• Open DC 架構（Google／Meta／NVIDIA／AMD 面板，v0.7 草案）：2027／2028+ 基線——blended 密度 12→25 kW/ft、Peak IT 125→350 kW/ft（液冷 335）、叢集 12→24 MW、單機櫃重量上限 8,000 lbs（Peak IT 含 sidecar 15,000 lbs）、冷通道 82 吋；液冷最大流速 3 m/s（ASHRAE 10 fps），快速接頭目前最大 2 吋；管徑可帶功率（1 lpm/kW ΔT 15°C／1.5 lpm/kW ΔT 10°C）：1 吋 91／61 kW、2 吋 365／243 kW、3 吋 820／547 kW、4 吋 1,459／972 kW。NVIDIA 配置範例為 4 列 12.5 MW 區塊、每列最多 4 MW 冷卻、列歧管最大 4 吋。（報告_OCP2026_Google_AMD_Meta_開放資料中心架構_20261015，2026-10）2026-11 起月會，v1.0 未給日期；Google 另一場簡報稱 Open DC 1.0 已公布，兩者說法不一，待釐清。
• CDU 規格：Google 的 Project Deschutes（開放第 5 代 CDU 規格）與 Project Brazos（氣冷資料中心導入液冷）已發布；OCP CDU 工作組的沖洗試車指引與兩相 CDU 為後續，細節見 技術_CDU冷卻液分配單元。
• 電網穿越要求牽動電力側緩衝：大型負載斷線後須在 Fingrid 1 秒內 90%、ERCOT 2 秒內 90% 恢復（AESO 1–10 秒 100%）；Google 以分時間尺度緩解——矽設計（µs–約 50 ms）、近機櫃超級電容（約 1 ms–3 s）、分層軟體（ms–10 s）、設施級 BESS（約 1–15 s）；電網介面規格 v1.0 於 2026-09 生效；Google 已將 1 GW 需量反應容量寫入多家電力公司合約。AMD Helios 設計彈性亦含超級電容選項。（報告_OCP2026_Google_晶片到電網協同設計_20261015，2026-10；電力側細節歸電力供應鏈頁）
• 液冷實務對 GS 假設的補充：①Denvr 浸沒原生 H200 伺服器已小規模生產，PUE <1.04、零用水，與 GS 直接液冷 PUE 1.2–1.4 為不同量測口徑（浸沒單元量測 vs DtC 設施口徑），規模僅 128 GPU 單元（技術_浸沒式液冷）；②AMD Helios 約 11% 熱走空氣、需 RDHX，並非 100% 液冷，GS 引述的 NVIDIA Rubin「100% 液冷」不代表所有平台（技術_液冷，nVent 為 Helios RDHX 夥伴，見 NVT.US(nvent)）；③Helios 客戶可選水溫 40–45°C（無冰水機）或 25–30°C，雙鴻 W45 稱 45°C 進水「適合氣候下可免冰水機」（自述，無實測條件），與 GS「乾式冷卻器、近零耗水」方向一致。

競爭格局

• 台廠位置：2308_台達電（市） 同時橫跨環境韌性（RowCool 氣冷 chiller）與先進液冷（CDU）兩個 vertical，是 GS 全名單 upside 最高（139%）；3017_奇鋐（市）、3324_雙鴻（櫃） 歸先進液冷元件（冷板/CDU/VC/風扇）。
• 美歐大廠：VRT.US(vertiv)、NVT.US(nvent)、Schneider、JCI 屬多 vertical 覆蓋（設備+控制+液冷）；EMS/ODM（Jabil、Celestica、Flex）以「液冷就緒平台整合」切入熱濕市場。
• 中國廠：Envicool（精密冷卻）、Kstar（貨櫃式資料中心）受惠中國 PUE ≤1.25 強制令下的液冷滲透；中國路線傾向「能效優先、水耗其次」，與美國「節水優先」相反。
• 水處理日廠群：Organo、Kurita、Nomura Micro Science、Toray、Asahi Kasei 構成水效率/超純水供給群組，受惠蒸發式冷卻節水改造與再生水需求。

觀察重點（投資視角）

1. 環境限制 → 技術路線：56% 的 2026-35 全球新增資料中心容量位於高溫/高濕/缺水區域 → 氣冷 chiller/絕熱系統需求，PUE 上行（全球 1.36→1.41 基準情境）。
2. 液冷滲透率是最大 swing factor：白空間液冷滲透高則全球 PUE 可壓至 ~1.30，低則升至 ~1.47；GS 估 43% 新增容量採 direct-to-chip 或浸沒。
3. Power vs Water 權衡：氣冷近零 WUE 但 PUE 高 25-45%；美國節水優先 → 電力需求增（美國 2035 +60-70 TWh、電力需求 CAGR +0.3pp）→ 利多電力供應鏈。
4. 廢熱回收選擇權：液冷出水溫 45-60°C 使廢熱可用，2030E 全球 ~260 TWh 高品質廢熱潛力（≈澳洲全年用電）；歐洲區域供熱先行（Fortum×Microsoft 芬蘭案例）。
5. NVIDIA Rubin 世代：全系統 100% 液冷、冷卻液溫度可至 ~45°C，多數氣候可用 dry cooler、近零耗水——白空間創新反過來鬆綁灰空間限制。

相關頁面

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