定義
HVLP（Hyper Very Low Profile）銅箔是 PCB / 技術_CCL材料 的導電層核心材料。高速訊號在高頻下會因集膚效應集中於銅箔表面傳輸，表面粗糙度（Rz）越高，插入損耗與訊號衰減越大；HVLP 透過降低 Rz 與控制銅晶粒，支援 AI server、高階 switch 與 224G / 1.6T 以上高速互連。
圖解
HVLP1/RG311、HVLP2/RG312、HVLP3、HVLP4、HVLP5 銅（Copper）與製程費（Process fee）成本結構堆疊柱狀圖，右軸標註各世代毛利率（GM）32%/39%/50%/54%/60%，隨規格升級毛利率遞增。降低表面粗糙度、提升高速訊號完整性為 HVLP 規格演進之技術意義（見下方「技術原理」），非本圖直接呈現內容。
技術原理
銅箔升級路徑可視為「表面粗糙度下降 + 銅晶粒控制精細化」：
| 規格 | 技術特徵 | 粗糙度 / 製程門檻 |
|---|---|---|
| HTE | treated rough side，傳統粗糙面處理 | 低階 PCB 與一般用途 |
| RTF | reverse treated foil，反轉處理降低訊號面粗糙度 | Rz <5.0 μm |
| RG | advanced RTF，金居自研規格 | Rz <2.3 μm，對標 Mitsui HVLP1 / HVLP2 |
| HVLP | hyper very low profile，高階低粗糙度銅箔 | Rz 0.5-2.0 μm |
| HVLP3+ | AI server / 高速 switch 主流升級區 | 需 nano 級銅晶粒控制，通常 <1-2 μm |
規格與應用
| 規格 | 對應應用 | CCL / 平台節奏 |
|---|---|---|
| HVLP1 / HVLP2 | 100G / 400G switch、高階一般 server、低階 AI server | 既有高階 server |
| HVLP3 | 400G switch | M7 CCL，2023 起 |
| HVLP3 / HVLP4 | 800G switch | M8 CCL，2H24 起 |
| HVLP4 | M8 / M9 CCL 主流 AI server | Nvidia VR200、AWS Trainium 3，2H26 mass adoption |
| HVLP5 | 3.2T switch、N+2 AI server | M10 CCL，2028 起 |
關鍵參數 / 判斷指標
| 指標 | 意義 | 觀察重點 |
|---|---|---|
| Rz 表面粗糙度 | 影響高頻集膚效應下的訊號損耗 | HVLP3+ 需 <1-2 μm 等級 |
| 銅晶粒控制 | 決定低粗糙度與良率 | nano 級銅晶粒控制是進入門檻 |
| 良率 | 決定有效產能與成本 | GS 以 70-80% yield 後估有效供給 |
| 規格切換損失 | 影響 HVLP3 / 4 / 5 產能彈性 | 金居估切換約 15% loss |
| 客戶認證 | 決定能否成為 second source | AI server / switch 專案認證週期長 |
供需分析
GS 估 HVLP3+ TAM 由 2025 年 US$216mn 升至 2026 / 2027 / 2028E 的 US$612mn / US$1,500mn / US$2,400mn，2025-2028E CAGR 達 122%。需求端因 AI server、1.6T switch 與 M8 / M9 CCL 導入而以 97% CAGR 成長；有效供給端即使擴產，受 lead time 1.5-2 年、良率與認證限制，CAGR 約 67%。
GS 估 2026-2028 年 HVLP3+ 有效供需缺口約 28% / 39% / 38%（以 70-80% yield 調整後），代表高階銅箔進入結構性緊缺期，UTR 與價格環境明顯優於傳統 PCB 銅箔。
HVLP4 供需（福邦投顧 2026-07）
- 需求端明細（噸/月，良率 80~90% 假設）：NVIDIA Rubin 300~400、LPU 200~250、AWS 800~850、Meta MTIA 200、AMD MI450 100~200、800G 交換機 400，合計 2026/2027 約 1,200~1,300／2,700~2,800 噸/月。
- 良率上修：NVIDIA 實際 PCB 良率僅約 50~60%，Rubin 系列 HVLP4 需求上修至接近 1,000 噸/月，總需求 2026/2027 約 1,600／2,900~3,000 噸/月（estimate，中信心）。
- 供給端：CCL 廠（台光電、生益科技等）積極導入新供應體系（台銅/古河/盧森堡/金居/福田/德福/銅冠），2026 年擴產後 1,200~1,300 噸/月、2027 年 2,600~2,700 噸/月；韓系樂天、台系長春後續有望驗證進入。
- 缺口：福邦估 2026／2027 年 HVLP4 供需缺口 33%／13%。
圖說：圖4 2026~2027 年月 HVLP4 銅箔供需結構分析，2026F 產能約 1,250 vs 需求約 1,650、缺口 33%；2027F 產能約 2,650 vs 需求約 3,000、缺口 13%（© 福邦投顧 2026-07）
兩來源 2027 年缺口方向分歧
報告_GS_金居8358_20260519（2026-05-19）估 HVLP3+ 2027 年缺口 39%（yield 調整後、範圍含 HVLP3）；報告_福邦_PCB產業2026H2_202607（2026-07）估 HVLP4 2027 年缺口收斂至 13%（因新供應商大量進入）。口徑不同（HVLP3+ vs 僅 HVLP4）且對擴產速度假設不同，並列保留待後續驗證。
加工費與供應商（表9/10，福邦 2026-07）
| 規格 | 加工費 | 供應商 | 代表客戶/專案 |
|---|---|---|---|
| HVLP2 | USD15/kg | 三井、古河、福田、金居、盧森堡、銅冠、德福 | AWS T2（2024-25）、Google V5/V6 |
| HVLP3 | USD20~25/kg | 同上 | NVIDIA GB200 NVSW、Google V7 |
| HVLP4 | USD25~30/kg | 同上 | AWS T2MAX、Meta M9、NVIDIA Rubin、Google V8、AMD MI450 |
| HVLP5 | USD35+/kg | 三井、古河、福田 | Panasonic M9 |
高階產能規劃（噸/月）：三井金屬 26Y 550→27Y 1,000→28Y 1,200；8358_金居（櫃） 26Y 330→27Y 700→28Y 800；古河電工／福田金屬／盧森堡各 26Y 100~200；德福科技 27Y 100~200；銅冠銅箔 26Y 50~100→27Y 200。
關鍵廠商
| 廠商 | 角色 | 觀察重點 |
|---|---|---|
| 5706.JP(mitsui_kinzoku) | 全球高階 HVLP 龍頭 / AI 專案主供應商 | HVLP3+ 產能 2026-2028E 約 718 / 870 / 1,140 tons/month |
| 8358_金居（櫃） | HVLP3+ 關鍵第二來源 | 2026-2028E 市占 20% / 42% / 53%；Plant 3 2027 年底全產 |
GS 指出兩家公司合計僅能覆蓋業界需求約 50-60%，因此 second source 的認證與產能爬坡是供應鏈核心變數。
技術瓶頸 / 風險
- 良率與製程穩定度：低 Rz 與 nano 級銅晶粒控制拉高量產難度，良率改善速度直接影響毛利與有效供給。
- 擴產 lead time 長：高階 HVLP 需要設備、製程與客戶認證同步，擴產週期約 1.5-2 年。
- 同業擴產：若 HVLP peers 擴產快於預期，短缺與漲價能力可能下降。
- CPO 威脅：技術_CPO 將高速訊號從 PCB 電氣走線移至封裝級光互連，長期可能降低 HVLP4 / HVLP5 需求。
應用場景
- AI server midplane / switch board：Nvidia VR200 採 M9 CCL + HVLP4，midplane 44 層、switch board 24 層。
- CSP 自研 AI 加速器：AWS Trainium 3 UBB 採 HVLP4；Google TPU v8 屬高階 AI server 材料升級方向。
- 高速網通 switch：400G / 800G / 1.6T / 3.2T switch 隨 CCL grade 升級導入 HVLP3 / 4 / 5。
相關技術
供應鏈
來源
- 報告_GS_金居8358_20260519 — Goldman Sachs，2026-05-19
- 報告_福邦_PCB產業2026H2_202607 — 福邦投顧，2026-07（HVLP4 供需、表9/10、圖4）