研究_TSMC_CoPoS供應鏈與TGV玻璃芯基板_20260909

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講次結構（原簡報 Agenda）

1. TSMC CoPoS 台／日供應鏈進度說明、CoPoS 基板量產時間
2. CO2 雷射直接鑽孔技術與大型化（515×510mm）布局
3. 成千上萬的 TGV 銅柱如何檢測？有哪些供應商？
4. AI 晶片 CoPoS 封裝的物理困境：ABF 樹脂在玻璃芯基板
5. DNP 與 TOPPAN：高深寬比 TGV 與玻璃上半加成法（SAP）競爭格局
6. 三菱瓦斯化學（MGC）HL832RS 樹脂：解決 AI 加速器高溫翹曲
7. 健策等均熱片與金屬邊框／CoPoS 防翹曲與散熱
8. Morgan Stanley MUFG 如何看待愛德萬 Advantest 的成長
9. 市場展望：2028–2030 年 Glass Core 在資料中心的滲透率預測
10. 結論

原始內容（已去浮水印）

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TSMC CoPoS供應鏈進展：高精細 TGV 玻璃芯基板打破 AI 算力瓶頸量 產供應鏈組合 Luke Sep 9, 2026

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Agenda 1. TSMC CoPoS台/日供應鏈進度說明 CoPoS基板的量產時間 2. CO2 雷射直接鑽孔技術與大型化 (515x510mm) 布局 3. 成千上萬的TGV的銅柱如何檢測？有哪些供應商？ 4. AI 晶片CoPoS封裝的物理困境：ABF樹脂在玻璃芯基板介紹 5. DNP (大日本印刷) 與 TOPPAN：高深寬比 TGV 與玻璃上半加成法 (SAP) 的競爭格局。 6. 三菱瓦斯化學 (MGC) 的 HL832RS 樹脂：解決 AI 加速器高溫翹曲的秘密武器。 7. 健策等 均熱片與金屬邊框 / CoPoS防翹曲與散熱的核心技術 8. 日本摩根史丹利 (Morgan Stanley MUFG) 如何看待愛德萬 advantest的成長? 9. 市場展望：2028-2030 年 Glass Core在數據中心的滲透率預測 10. 結論

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AI 算力新視界：Meta lens 、Micro-Led、TSMC COUPE 3技術與供應鏈 Introductions

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CoPoS 是什麼？CoWoS 面板化的下一步 CoPoS 全名為 Chip-on-Panel-on-Substrate，可以理解為把 CoWoS 往面板級封裝推進的下一代技術。CoWoS 是在晶圓級基礎上進行高階封裝，而 CoPoS 則嘗試把部分製程改成方形面板。它的目標是解決高階 AI 晶片越做越大、HBM 越堆越多、傳統圓形晶圓面積利用率不足的問題。 CoPoS 的核心在於，把晶片模組放到面板級基板上封裝，透過更大的方形面板來提高面積利用率，並支援更大的封裝尺寸。這對未來超大型 AI GPU、AI ASIC 與 HPC 晶片很關鍵，因為下一代 AI 晶片需要整合更多運算晶粒與更多 HBM，傳統封裝尺寸可能逐漸不夠用。 市場普遍預期，台積電 CoPoS 從 310×310 mm 等較小面板尺寸開始驗證，未來再往更大尺寸推進；量產時程則多被放在 2028 年底至 2029 年之後觀 察。不過這仍涉及翹曲、良率、材料、設備與面板尺寸放大等挑戰，實際進度仍需以台積電官方公告為準。

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WLP、PLP 今年5月底在美國佛羅里達州舉辦的的封裝技術最高盛會ECTC 2026，日月光投控營運長吳田玉在主題演講時，宣布全自動化的310mm x 310mm面板級封裝產線。這個與既有12吋晶圓尺度相近的規格，造就「關鍵的平衡」，大到有足夠的切割面積效率，但又小到容易維 持良率。

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晶圓級封裝（WLP）與⾯板級封裝（PLP）的比較

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傳統晶圓與各類面板的總面積 (Total Carrier Area) 與 總有效使用面積 (Total Usable Area) 由於 AI 晶片的尺寸正迅速逼近並超過單一光罩限制，傳統 300mm 晶圓每片僅能產出個位數的巨型晶片。轉向 700x700mm 面板能直接解決產能瓶頸。 1. 600x600mm 面板：面積是 300mm 晶圓的 4.6 倍。700x700mm 面板：面積高達 300mm 晶圓的 6.3 倍。 2. 有效面積 (Usable Area) 損失因素：並非面板越大，利用率就越高。事實上，大型面板的利用率 (84%-85%) 低於 300mm 晶圓 (93%)。 因為邊緣排除區域 (Edge exclusion)：300mm 晶圓的邊緣損失僅約 5µm。大型面板的邊緣損失則擴大至 20µm 到 30µm。 子面板劃分 (Sub-panel edge exclusion)：大型面板載具通常會被劃分為 4 個或更多象限 (Quadrants)，以便於機器設備進行精確對準放置晶片。 3. 透過 4.6 倍到 6.3 倍的面積擴張，來抵銷技術複雜性與利用率下降的代價，這正是面板級封裝成為下一代 AI 晶片戰場的主因。

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為何 是 玻 璃 ？為何玻璃基板可應⽤在異質整合封裝技術？

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PANEL LEVEL PACKAGING MANUFACTURERS MAP Source:Yole + Luke

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Emerging Trends and Key Markets in 2.5D and 3D Semiconductor Packaging Technologies 矽 (Si) 中介層，包括全被 動矽晶圓和局部矽橋，因 其能夠實現最精細的佈線 特性而著稱，使其成為高 效能運算的理想選擇。 局部矽橋的使用正在增加， 它能夠策略性地利用矽來 滿足精細佈線的需求，並 解決面積限制問題。 有機中介層採用扇出型封 裝材料，是比矽封裝更具 成本效益的選擇。其介電 常數較低，可降低封裝中 的RC延遲。 玻璃具有許多優勢，例如可調的熱膨脹係數（CTE）、高尺寸穩定性、光滑平整的表面以及可實現面板 製造，使其成為具有媲美矽基佈線特徵的中介層的理想選擇。然而，玻璃中介層的主要缺點在於其生態 系統尚不成熟，目前缺乏大規模生產能力，此外還存在一些檢測技術挑戰。 SoC 1 與 SoC 2 透過 Cu-Cu 混合鍵合緊密結 合，外圍再包裹模封樹脂 (EMC)，並透過 μ bumps 連接到下方的基板 (Substrate) 與 PCB。 FOPLP 或 CoWoS-R 技術 相關，能容納 多個晶粒 (Die 1, 2, 3) 並降低成 本。 打線接合 (最傳統的技術， 使用金屬線連接晶片與引腳。 覆晶封裝：將晶片正面朝下， 透過凸塊 (Bumps) 直接連接到基板。

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發展類型 玻璃基板的三種發展同步進行中

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玻璃基板在不同封裝層級的應⽤

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TSMC 2.5D 中介層技術 (2.5D Interposer Technology) 台積電、Intel、Rapidus正積極轉向以玻璃為核心的面板級封裝路徑。玻璃材料的引入，主要是為了解決矽中介層成本過高、以及有機基板在大尺寸封裝下容易產生翹 曲且布線密度受限的雙重痛點。 頂層：主動晶片 (IC) 與高頻寬記憶體 (HBM)。 第一層互連：微凸塊 (Microbumps)。 玻璃中介層：內含垂直通孔，負責高密度訊號重布。 第二層互連：C4 凸塊 (C4 Bumps)。 玻璃核心基板 (GCS)：提供強大的結構支撐與電氣連接。 底層互連：球柵陣列 (BGA) 錫球。 系統載體：PCB 主機板。 玻璃核心基板 (Glass Core Substrate, GCS) 的技術亮點 位於結構下半部，作為連接中介層與底層 PCB 的橋樑： 1. 取代有機核心：GCS 是基於面板製程的製造工藝，旨在取代目前的有機 核心基板，甚至可能消除對額外 2.5D 中介層的需求。 2. 可靠性提升：由於玻璃具備高模量 (High modulus) 與高熱穩定性，其 在翹曲控制與基板可靠性上比有機基板有顯著改善。 3. 物理縮減：玻璃的厚度比有機核心更薄，這使得傳輸路徑更短，有利於 訊號傳輸。 4. 高密度布線：GCS 支持比有機基板更細的節距 (Pitch) 與更小的線寬線 距 (L/S)，且與有機基板相比，所需的積層數量 (Build-up layers) 更少。 玻璃中介層 (Glass Interposer) 的技術亮點 位於結構上半部，直接承載 IC 晶片與 HBM（高頻寬記憶體）：玻璃被視為目前商業 化矽中介層 (Silicon Interposer) 與有機中介層的替代解決方案。 1. 大面積效率：雖然可以採用晶圓格式製造，但採用面板格式 (Panel formats) 生產 能為大型封裝提供更高的面積利用率。 2. 結構穩定性：玻璃具備平整表面與尺寸穩定性，有助於維持機械穩定性並精確控制 3. 大型封裝的翹曲 (Warpage)。 4. 成本與性能：玻璃中介層具有可調節的熱膨脹係數 (Tunable CTE) 與高熱穩定性。 相比矽中介層，它是一個更便宜的選項，且仍能提供極佳的性能與極細間距的互連能 力。

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AI 算力新視界：Meta lens 、Micro-Led、TSMC COUPE 3技術與供應鏈 TSMC CoPoS台/日供應鏈進度 CoPoS基板的量產時間

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TSMC的新商標：TSMC-COPOS

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台積電日本3DIC研發中心 2F, 7D Bldg., West, 16-1, Onogawa, Tsukuba, Ibaraki 305-8569 筑波市 日本茨城縣 聯繫電子郵件：G_JP3DICHR@TSMC.COM （成田機場過去50分鐘抵達）

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背割れ--> 脊柱裂

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Q4 檢測：重要‼

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近期TSMC CoPoS 日、台 供應鏈進度表 國家 公司名稱 製程定位 最新研發、驗證與開發進度 日本 Ibiden 核心玻璃載板（Glass Core Substrate）開發 與增層封裝 台積電、群創完成三方第一次驗證。目前主導將310x310mm 測試級玻璃核心上下黏合、並調配味之素ABF-GCP 材料的 三層結構製程，正緊密優化大面積基板共面度（COP）的可靠性測試。 AGC (旭硝子) 封裝專用無鹼、高彈性 模數玻璃基板 GSC 玻璃核心材質已完成高溫應力與脆裂（No SeWaRe）耐性測試，目前正配合客戶進行玻璃厚度微調（朝0.8mm 以下 優化），以利後續TGV 細微打孔。 Canon (佳能) 大尺寸面板級步進式曝 光機（Panel Stepper） 高精度曝光驗證機台與采鈺龍潭廠進行核心Demo 測試。目標解決310mm 以上大面積光阻塗佈後的焦深（DOF）失焦問 題。 DISCO ( 迪思科) TGV 雷射改質與大面積 面板精密切割設備 最新研發焦點在於利用超短脈衝（飛秒/皮秒）雷射配合貝塞爾光束，將大面積玻璃的通孔（TGV）孔徑從現階段的50 微 米（μm）朝向長期目標20 微米推進，同時確保零微裂紋。 東京威力科創 (TEL) 高精密多層RDL 清洗、 塗佈與蝕刻設備 與SCREEN、Tazmo 等日商共同在采鈺試產線進行塗佈均勻度調校。7-8 月針對ABF 樹脂增層表面的PSPI 細線路製程， 進行奈米級顯影均勻度的機台最佳化。 台灣 群創光電(3481) 巨型玻璃面板微加工與 面板級重佈線（RDL） 台積電GSC 玻璃核心加工的核心夥伴（利用舊有3.5 代/4 代FPD 面板線轉型）。目前已完成310mm 臨時玻璃載具至 510mm 巨型量產面板的搬送、對位系統開發，因單價極高，。 Manz亞智科技 面板級電化學沈積 （ECD）與TGV 濕製程 量產平台 已成功完成310、510 以及700mm 三種規格的面板級封裝ECD 電鍍與濕製程量產設備開發， 並正式深化玻璃核心TGV 的垂直填銅導通技術，積極布局台積電產線的國產化替代商機。 弘塑(3131) ／ 辛耘(3583) 濕製程、高深寬比電鍍 填孔（Via Filling）設備 與日系化學添加劑大廠（如MEC、Uyemura）進行槽液配方聯調，克服沙漏型或近直線型TGV 深孔電鍍時，如何達成 「由下往上」完美填充且無氣泡（Void）的物理極限。 志聖(2467) ／ 印能(7734) 熱製程、真空烘烤與大 面積壓膜設備 ABF 多層增層材料，志聖與印能正全力測試高溫壓合後的熱應力與平整度控制，避免24 層以上的ABF 在玻璃基板上烘烤 時發生嚴重的層間剝離（Delamination）。 致茂(2360) ／ 倍利科 ／ 晶彩科 AOI 光學檢測與巨型面 板精密量測設備 致茂與倍利科等本土檢測廠正配合台積電，將AOI 檢測規格從傳統的「平面線路檢測」拉高到「大面積3D 結構應力與通 孔內壁缺陷」的複合式自動化檢測開發。

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AI 算力新視界：Meta lens 、Micro-Led、TSMC COUPE 3技術與供應鏈 CO2 雷射直接鑽孔技術與大 型化 (515x510mm) 布局 Laser Head

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LPKF Glass Processing Solutions

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TGV 6 大核心製程說明表 步驟 製程名稱 技術細節與關鍵說明 1 通孔成型(Via Formation) 使用 雷射燒蝕(Laser ablation) 或噴砂技術在玻璃基板上形成通孔。此階段決定了孔徑、孔距以及孔洞形狀（如沙漏型 直壁型或錐形）。 2 玻璃清洗與表面處理(Cleaning & Surface Prep) 針對通孔側壁與基板表面進行清洗與改質。這是為了確保後續種子層具備優異的附著力，並控制表面粗糙度以利電鍍。 3 Ti/Cu 種子層沉積(Seed Layer Deposition) 透過濺鍍(Sputtering) 沉積鈦（Ti）黏著層與銅（Cu）種子層。共形覆蓋(Conformal coverage) 側壁是確保電鍍均勻 性的關鍵。 4 銅電鍍與無孔洞填充(Cu Electroplating) 進行銅電鍍以達成無孔洞填充(Void-free fill) 或共形填充。優化電鍍化學參數可使良率超過95% 並維持低電阻。 5 銅化學機械平坦化(Cu CMP) 透過化學機械研磨（CMP）移除基板表面多餘的銅，產生平整光滑的表面並露出通孔頂部，甚至可達到光學級的平滑 度。 6 RDL、金屬化與鍵合(RDL, Metallisation & Bonding) 在平坦化後的表面製作再佈線層(RDL) 以引出電路。隨後可進行與矽晶圓的陽極鍵合或其他封裝步驟。 材料優勢： 採用熔融石英（Fused Silica）作為基材時，其具備從 UV 到IR 的 廣譜透光性，非常適合LIDAR、紅外線探測器或晶圓級相機模組。 氣密性與穩定性： 玻璃材料具有極低的透氣性與出氣量，結合陽極鍵合技術，能為需 要穩定真空環境的MEMS 元件提供長期的運行可靠性。 設計彈性： 該製程支援在玻璃蓋層上整合金屬佈線，將光學窗口與電氣互連功 能整合在單一基板上。

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TGV 是整條賽道的咽喉：四種打孔工藝，LIDE 出線 康寧 LPKF ＃光感玻璃內部添加了特殊的感光金屬離子與晶核劑，使其在經過UV光曝光 ➔ 加熱烘烤（熱處理）後，曝光區會發生「相變化」，結晶成一種極易被氫氟酸（HF）溶解的「偏矽酸鋰 （Lithium Metasilicate）結晶相」。

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Corning Laser Technologies’ (CLT)：全乾式 物理機制（解離而非燒蝕）：康寧 CLT 的專利nanoPerforation（奈米穿孔）技術，主要是利用皮秒級的超短脈衝結合非線性光學作用。 它在穿透玻璃時，並非使用高溫把材料「燒除（Ablation）」，而是以極快的速度破壞玻璃內部的分子鍵，引發「材料分子解離 （Material Disassociation）」。 第一步（皮秒雷射）：利用皮秒雷射（Picosecond）以一萬億分之一秒的超高速度，在玻璃上精準地打出一條微 小的奈米穿孔引導線（nanoPerforation Guideline）。 第二步（CO2 雷射）：緊接著，系統會射出一束CO2 雷射沿著這條奈米穿孔的軌跡掃描。此時 CO2 雷射負責提 供局部、精準的「熱應力（Thermo-mechanical Stress）」，讓玻璃順著引導線進行乾淨完美的裂理解離。

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LPKF Glass Processing Solutions（乾＋濕） 相較於德商 LPKF 主打用「飛秒/皮秒雷射改質 + 強酸化學蝕刻」的 LIDE 技術， 康寧 CLT 的設備路線更偏向全光學的乾式裂解與穿孔（不需浸泡酸槽）。

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LPKF Glass Processing Solutions 隨著人工智慧和高效能運算架構規模的擴大，基板在熱膨脹係數不匹配、翹曲、介電損耗和尺寸不穩定性等方面的限制正成為關鍵瓶 頸。玻璃材料憑藉其低各向同性熱膨脹係數、優異的介電性能（低損耗角正切）和高機械剛度，從材料層面解決了這些問題，從而能 夠實現更精細的互連幾何結構，並在大規模應用中提升訊號完整性。 這項轉變正沿著兩條互補的路徑逐步實現：玻璃中介層，用於實現超高密度晶片間互連；以及玻璃芯基板，提供大面積系統整合所需 的尺寸穩定性和可靠性。 玻璃熱膨脹係數≈3 典型厚度：<400 µm 目標：替代成本高的大面積矽中介層 對可靠性、潔淨度和製程可靠性要求極高 可實現更大尺寸的封裝 玻璃熱膨脹係數≈7 典型厚度：>800 µm 芯層必須具有比有機芯層更高的通孔密度，才能使額外的中介層變 得多餘 可實現更大尺寸的封裝

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為什麼超快雷射完美適合用在 Glass Core（玻璃基板）？

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AI 算力新視界：Meta lens 、Micro-Led、TSMC COUPE 3技術與供應鏈 成千上萬的TGV的銅柱 如何檢測？ 有哪些供應商？

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玻璃基板TGV 與表面Crack 檢測技術彙整表 ( 公司名稱 核心檢測技術 技術原理與檢測優勢說明 針對TGV 孔洞/改質或表面Crack 的對應 宜特科技 (iST) 可靠度實驗(RA) + 亮點定位分析(FA) + 高解析EBSD / 3D FIB 晶圓/封裝驗證實驗室指標。非產線機台，而是透過HAST （加速老化）誘發缺陷，再以Thermal EMMI、OBIRCH 定位漏電，並用EBSD 微觀結構分析分析熱失配。 極佳（終極真因判定）。線上設備抓不到的隱性裂紋，由宜特進行非破 壞3D X-Ray 找出填孔空洞（Void）；並透過極精準切片（FIB/CP）直 接觀測TGV 與銅界面間的微應力裂紋（Micro-crack）與剝離。 蔚華科 (Spirox) 非線性光學斷層掃描 (Tomography) 產線自研科技（SP8000G）。採用特殊波長非線性光學， 免切片直接穿透玻璃，進行3D 立體結構重建。 極佳。可透視玻璃內部雷射改質光斑、3D 蝕刻孔腰身、孔壁粗糙度，並 能精準抓出鍍銅孔壁的「玻璃微裂紋(Crack)」。 晶彩科技 (FAVITE) 大面積高速光學AOI + 2D/3D 光學量測 憑藉大尺寸玻璃機構與光學處理（來自LCD/OLED）優勢， 針對FOPLP 推出TGV 自動高速檢量測機。 製程前/中。不翻面即可同時完成正反面檢測，支援玻璃表面、邊緣及雷 射鑽孔檢測，量測孔徑、真圓度、傾角與孔位。 倍利科 (V5 Tech) AI 智慧光學影像檢測 + AXI（X光斷層掃描） 以AI 演算法為核心，推出V5P310 Pro Glass 玻璃AXI 檢 測裝置與V5300 Macro AOI 系統。 金屬化後。傳統光學看不穿填銅，倍利科利用3D X-Ray (AXI) 技術，在 鍍銅金屬化後切入，專門檢查TGV 內部填銅是否產生空洞、斷線或內部 應力裂紋。 東捷 (Contrel) 光彈檢測技術 (Photoelasticity) + 超快雷射微裂紋控制 與工研院、群創三方技術合作。除了自研TGV 雷射鑽孔， 更利用「光彈檢測」來觀測內部的殘留應力。 應力與裂紋。透過定量分析與光彈影像，專門檢測雷射加工及電鍍填銅 後，玻璃因熱膨脹差產生的「熱應力微裂紋(Micro-crack)」。 牧德 (Machvision) 先進外觀AVI + 透明玻璃專用AOI 傳統PCB AOI 龍頭，現推動半導體與高階載板雙軌策略。 開發出專門針對透明玻璃與線路對比的專用光學外觀檢測 技術。 表面與金屬化後。著重於TGV 鑽孔後的表面宏觀缺陷，以及RDL（重 佈線層）細線路與微盲孔的AVI/AOI 外觀與crack 攔截。 Teledyne (DALSA/FLIR) 超高速線陣相機(Linea HS2) + 分層自動對焦光學 視覺元件與成像晶片巨頭。為TGV 設備商提供Linea HS 8K/16K 超高速低光照線陣相機與分層自動對焦（AF）系 統。 視覺光源基礎。解決傳統背光模糊孔洞輪廓的問題，提供多層級TGV 孔 形狀與深度的3D 精確對焦成像，是各大設備廠抓crack 的核心相機元件 志茂 (Inno-Stars) ATE 分選機與溫控測試 + 電性訊號檢測 前身具光學鏡頭背景，主攻高階先進封裝（CoWoS / TGV-ICP）的測試分選機(Handler) 與電性量測。 電性缺陷攔截。志茂主要與客戶開發「TGV 填銅後」的電性與系統級功 能測試，非製程中的光學物理裂紋檢測。 Advantest (愛德萬測試) ATE（自動測試設備） + 高頻電性探針測試 全球半導體測試機台巨頭。在TGV 封裝完、Die 堆疊後， 進行系統級或晶圓級的電性功能攔截。 後段電性功能。無法透過物理光學看到內部Crack，但若Crack 導致電 路斷路、短路或漏電，可透過ATE 的高頻訊號測試將不良品攔截。 線上設備廠（如蔚華、KLA、均豪、倍利科）：負責在生產線上以「高通量、非破壞性」的方式快速攔截明顯的表面裂紋（Crack）或內部大空洞（Void）。 產業界主要透過「雷射光學斷層掃描」與「高解析度 X-ray 電腦斷層掃描（X-ray CT）」兩大光學與物理技術，來徹底抓出 TGV 的裂紋（Crack） Updated by July/10

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玻璃基板（Glass Core）微裂紋三大核心檢測技術比較 檢測技術 檢測對象 目標 產線角色 缺點/ 物理限制 光彈檢測 (Photoelasticity) 「應力與隱形裂紋尖端」 製程中即時性（In-line）預防。 在雷射打孔的當下，監控應力場變化， 一旦應力過高立刻微調雷射參數。 只能看透尚未金屬化的純玻璃。一旦 填銅（Copper Fill），光線被擋住就 失效了。無法提供裂紋的精確深度。 3D 近紅外光 (3D NIR Tomography / OCT) 「未填銅前的實體裂紋 3D 幾何結構」 TGV製程後高速（Near-line） 3D 複檢。 打孔後或酸洗後，利用NIR 的超強穿 透力，快速掃描整片面板的TGV 孔型 與微裂紋深度。 同樣無法穿透金屬銅。此外，若玻璃 表面存在高反射的電鍍晶種層（Seed layer），會干擾NIR 的進出與成像。 X-ray 電腦斷層 (3D X-ray CT) 「金屬化與填銅後的內部 缺陷」 鍍銅後段（Off-line）精密抽檢與 失效分析（FA）。 當TGV 完成填銅及ABF 增層壓合後， 用來確認銅柱與玻璃介面的剝離 （Delamination）與裂紋。 因為需要多角度投影與演算法體素重 構，檢測速度最慢。通常無法做到 100% 全檢，以抽樣檢查為主。 After Laser After Cu

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完整標準檢測流向順序、製程位置與花費時間總表 在310mm × 310mm 玻璃基板（Glass Core）的TGV（玻璃通孔）量產線上，瑕疵檢測的「順序邏輯」是高度嚴謹的。先用外觀與光學斷層進行 In-line 攔截，接著進行「電鍍填銅」，填銅後再以「高速X-ray 進行In-line 篩選 ＋ 局部3D CT 進行Off-line 複檢」，最後在出貨前或特定站點才 進行「電性檢測（開短路測試）」。如果倒過來先做電性檢測，不僅無法抓出即將爆開的Micro-crack，更會因為盲目測試未填好銅的孔而大幅浪費 產能。以下為您詳細拆解In-line/Off-line 的外觀檢測分工、電性檢測的切入時機、製程流向順序與花費時間。

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Nidec高精度 2D/3D TGV 檢測系統 這是專為 玻璃芯基板（GCS）開發的關鍵技術，用於掃描雷射鑽孔後的貫通玻璃孔（TGV）。 量測指標：可精密測量 TGV 的孔深、側壁錐度（Taper）與同心圓度。 製程價值：確保後續的金屬化製程（電鍍）不會產生空洞（Void），是提升玻璃基板良率的設備。

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CoPoS Glass Core TGV 檢測示意圖

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光波共振時代：低軌衛星雷射與 RF 雙棲通訊的全球供應鏈大解析與投資戰略 Inside the radio wave spectrum 低數值孔徑（Low- NA）EUV， 其波長為13.5nm

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X-ray -1：物質密度與 X線吸收率的次元級落差

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X-ray -3：島津（Shimadzu）高階微焦點3D X-ray CT 技術

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Innometry供應檢查系統到玻璃基板TGV專家AnyCasting X射線裝置可以透過金屬化對透玻璃缺陷進行無損檢測 南韓 X-ray/CT 非破壞性檢測設備大廠Innometry （이노메트리）在 2026 年大舉切入次世代先進封裝玻璃基板 （Glass Core）賽道，並陸續向JWMT、Xtol（部分外媒譯為 Exitol）以及 AnyCasting 這三家廠商供應 TGV 專用的高階檢測設 備。這三家公司全部都是南韓（South Korea）本土的科技大廠與 高階材料/製程供應商。它們在玻璃基板生態系中各司其職，組成 了南韓國家隊挑戰台積電與 Intel 的前哨軍。 Innometry 的 X-ray/CT 非破壞性檢測機台，就是專門安裝在這三家廠商的產線交界處。由於 TGV 孔洞比人類頭髮還要細好幾 倍（約 30~80 微米），Innometry 的 CT 設備能在不破壞基板的前提下，直接穿透玻璃，在幾秒鐘內抓出裡面有沒有未導通的 斷線、殘留氣泡（Void）或是微小裂痕。這三家南韓黑馬與 Innometry 的設備聯手，代表南韓三星體系的玻璃基板供應鏈已經 正式走入實質設備對接與小量產。

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AI 算力新視界：Meta lens 、Micro-Led、TSMC COUPE 3技術與供應鏈 DNP (大日本印刷) 與 TOPPAN： 高深寬比 TGV 與、 半加成法 (SAP) 的競爭格局

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與日本對手及台灣對手之技術比較 競爭對手 技術路徑差異 DNP 的優勢與缺點 NEG (日本電氣玻璃) NEG 主攻 CO2 雷射直接鑽孔，製程簡 單快速。 優勢：DNP 採用雷射改質+蝕刻，TGV 孔徑更小、間距更密，且深寬比較高（9+ vs NEG 的~5）。 缺點： 製程步驟較多，單片加工成本預估高於NEG。 TOPPAN (凸版集團) TOPPAN 強項在於 RDL (再分布層) 的極 致微縮(2/2μm) 與一站式裝機量產能力。 優勢：DNP 在玻璃孔本身物理極限（高深寬比）上領先，且擁有光罩製造的垂直資源。 缺點：TOPPAN 具備更完整的後段FC-BGA 壓合與電氣檢測經驗。 台灣競爭對手 技術定位差異 DNP 的優勢與優缺點比較 欣興 (Unimicron) / 景碩 台灣大廠是全球 有機ABF 載板 的量產王者 目前正與日系設備商合作驗證玻璃基板。 優勢：DNP 擁有核心TGV 加工專利與光罩級精度，領先台灣半代至一代的技術代差。 缺點：DNP 缺乏像欣興那樣大規模、低成本的FC-BGA 生產線，需依賴與台灣大廠或 OSAT 合作。 技術頂點： 其 9+ 倍深寬比的 TGV 與 sub-micron 對位系統，確保了其在 2.5D/3D 高密度封裝中不可或缺的地位。 產業協作： 儘管在產能上不如台灣大廠，但 DNP 透過與新光電氣、SCREEN 等日本國家隊成員結盟，成功將玻璃芯基板轉化為次世代半導體的主要技術。 實心銅柱技術：由台積電、Intel、Rapidus 主導，用於最核心、發熱量最恐怖、訊號最密集的AI 核心處理器（GPU/CPU）與 HBM 堆疊的正下方。 DNP 空心共形技術：高性價比/大面積路線由 DNP 於 2026 年初開始送樣、2028 年量產。 它鎖定的是外圍的 FC-BGA 載板、高速網通晶片（Chiplet 中繼中介層）或周邊電源管理區。 在這裡，性能要求稍微放寬，但 DNP 能以極低的成本交出大面積、超低翹曲的玻璃基板，這正是 DNP 厲害的精準商業卡位。

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1. 健策 均熱片與金屬邊框 / CoPoS防翹曲與散熱的 核心技術

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光波共振時代：低軌衛星雷射與 RF 雙棲通訊的全球供應鏈大解析與投資戰略 各類液冷板技術介紹 層級由上至下 Cold Plate DLC 傳統水 冷版 微通道液冷板（MCCP） 微通道蓋板（MCL） 圖片 冷卻液循環層 Cold Plate （一般通道~150 μm） Cold Plate （微通道80–100 μm） 消除 TIM 2 存在 存在 消除 Heat Spreader 存在 存在 消除 換熱核心 Cold Plate 獨立於封裝外 Cold Plate 獨立於封裝外 Micro-channel Lid 整合換熱 TIM 1 存在 存在 仍存在 1. MCCP 的核心價值在於以最小的架構改動換取最快的導入速度，是散熱產業在 MCL 量產就緒之前的關鍵過渡方案。然而 TIM 2 導熱係數僅 2–7 W/m·K、佔整體熱阻 70% 以上的根本瓶頸並未被解決，面對 2027 年後 AI 晶片突破 2,000W 甚至 3,000W 的功耗預期，MCCP 的改良空間已趨近上限。 2. MCL 架構透過一次性移除 TIM2、Heat Spreader 與 Cold Plate 三層結構，改以一體化的 Micro-channel Lid 取代，使冷卻 液可直接於最接近晶片的 Lid 內部循環，藉由顯著縮短熱傳導路徑以大幅降低整體熱阻。此設計將原本分離的均熱片與冷水板 功能整合為單一元件，即 Micro-channel Lid（微流道均熱片）。由於該結構本身即內建冷卻流道，可完全消除傳統架構中 TIM2 所形成的關鍵熱阻瓶頸，因而被視為未來 AI 伺服器突破高功耗散熱限制的重要技術方向。

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BGA 強化加強片與 NVIDIA CoWoP 先進封裝演進 1.BGA 結構對比： 視覺化呈現「僅加強環（Lidless）」、「傳統閉蓋（Lidded）」以及提議的「L 型強化加強片」三種架構。重點標示 L 型設計 如何透過局部覆蓋（蓋住 OC 晶片）與局部暴露（核心 ASIC 直觸冷卻）來兼顧散熱與防止翹曲。 2.NVIDIA CoWoP 解析： 說明捨棄載板與蓋板的革命性設計，並列出其在訊號完整性（SI）、NVLink 傳輸距離提升、供電效率（PI）改善及成本 優化上的關鍵動機與 2025-2026 年的發展時程。

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1. 三菱瓦斯化學 (MGC) 的 HL832RS 樹脂： 解決 AI 加速器高溫翹曲 的秘密武器。

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MGC HL832RS / GHPL-830RS 日本三菱瓦斯化學（MGC）開發的HL832RS / GHPL-830RS 雙馬來醯亞胺-三嗪（BT）樹脂積層板材料，主 要是為了解決大尺寸AI 加速器、高效能運算（HPC）晶片在小晶片（Chiplet）與 FCBGA 進階封裝製程中面 臨的「高溫翹曲（Warpage）」痛點。 在 AI 加速器材料供應鏈中，過去大尺寸基板市場大多被昭和電工（現 Resonac）的 MCL-E 系列壟斷。MGC 推 出HL832RS，成功切入Chiplet 大型封裝與大尺寸有機基板市場，成為台日先進封裝供應鏈中不容忽視的隱形冠 軍。

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1. 日本摩根史丹利 (Morgan Stanley MUFG) 如何看待 Advantest的成長?

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愛德萬測試 (Advantest）2026 下半年營運與市佔率總體分析 2026 年下半年，随著 3nm 晶圖產能全面滿載、HBM 擴 產進入深水區 Techinsights (2025.12) - Semiconductor Supplier Survey Advantest Investor Relations (2026.05) 愛德萬 (Advantest) 在出貨總量、Al 高階市佔率及獲利表 現，將全面壓制泰瑞達 (Teradyne)， 5. Garter (2026.03) - Semiconductor ATE Market Share 穩固其全球半導體測試設備龍頭地位。 資料來源： 1. Luke日本2026 JPCA採訪日本 Morgan Stanley MUFG Research。 2. Morgan Stanley MUFG Research (2026.06) - Advantest (6857.JP) Update

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1. AI 晶片CoPoS封裝的 物理困境： ABF樹脂在玻璃芯基板 介紹

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ABF 樹脂在 Glass Core 上的基板介紹與物理困境 台積電目前實驗驗證的結構中，中間為玻璃核心層，上下兩側黏合 ABF 積層（通常為24 至 28 層，這是 2027~2028 年 AI 晶片的主流高規設計）。所採用的 ABF 膠片型號主要為味之素（Ajinomoto）的GL107，並混合ABF-GCP 系列材料。 項目 內容整理 Glass Core 結構 台積電目前實驗驗證架構為：中央採用Glass Core，上下兩側壓合ABF Build-up，形成 Glass Core + ABF Hybrid Substrate。 Build-up 層數 約24～28 層ABF 增層，預期為2028～2029 年高階AI 晶片CoPoS 封裝的主流規格。 ABF 材料 主要採用Ajinomoto（味之素）GL107 ABF 膠片，並搭配ABF-GCP 系列材料。 主要物理挑戰一：CTE 熱膨脹係數失配 （Mismatch） Glass Core 的CTE 約3～4 ppm/°C（接近矽晶圓），而ABF 樹脂與銅線約15～17 ppm/°C。高溫製程時，「硬核心、軟外層」產生熱膨脹差異，在310 × 310 mm～515 × 515 mm大尺寸面板上形成巨大剪切應力（Shear Stress），容易造成層間剝離 （Delamination）。 主要物理挑戰二：玻璃 微裂紋（Micro- cracking） 採用TGV（Through Glass Via）雷射鑽孔時，若雷射能量控制不均，玻璃孔壁邊緣容易形 成奈米級裂紋。若後續ABF 樹脂填孔不完全或局部應力集中，裂紋將於封裝熱循環中持續 擴散，造成基板脆裂（Substrate Cracking）。 主要物理挑戰三： Coplanarity（奈米級 平整度）控制 當Glass Core 面板尺寸提升至500 mm 以上時，要維持整片ABF 壓合後的奈米級平整度 （Coplanarity，COP）極具挑戰，ABF 塗佈、壓合及整面平整控制難度呈幾何級數上升， 直接影響曝光精度、貼合品質與封裝良率。 整體技術結論 Glass Core 並非取代ABF，而是與ABF 建立互補架構。Glass Core 提供低CTE、高剛性與 尺寸穩定性；ABF 則負責高密度RDL、Build-up 配線與絕緣功能。未來量產成功的關鍵， 在於克服CTE 失配、TGV 微裂紋與Coplanarity 平整度控制等熱機械挑戰。

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1. 市場展望：2028- 2030 年 Glass Core在數據中心 的滲透率預測

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FOPLP和玻璃基板市場預計到2030年將超過80億美元 FOPLP和玻璃基板市場，30年超過81億美元 AI和HPC牽引 櫃檯點研究調查 根據Counterpoint Research，面向尖端包裝的FOPLP（Fan-Out Panel-Level Packaging）和玻璃基板的全球市場，對於2024年實 績的約6億5000萬美元 ，預計2030年將達到81億美元以上。面板級包裝的主要製造中心是臺灣、日本、中國 Counterpoint Research在2026年6月，調查了面向尖端包裝的FOPLP（Fan-Out Panel-Level Packaging）和玻璃基板的全球市場， 並公佈了結果。 據此，2024年的實績約為6億5000萬美元，預計2030年將超過81億美元。 AI和高效能計算（HPC）用途，拉動了採用FOPLP和玻璃基板的尖端包裝的需求擴大。 根據該報告，預計到2030年，AI和HPC用途將 佔FOPLP總銷售額的45.5%。 為了滿足AI加速器和尖端計算處理器所要求的更高的互連密度、出色的熱效能、包裝尺寸的大型化等。 來源：Counterpoint •預計全球FOPLP和玻璃基板市場將從2024年的6.5億美元 增長到2030年的81億美元以上。 •預計到2030年，人工智慧和HPC應用將佔FOPLP市場總 收入的45.6%。 •預計到2030年，臺灣、日本和中國大陸將佔全球面板級 包裝能力的84.8%。

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COPOS Part II 預告

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COPOS Part II 更新： 突破 CPO 瓶頸：CoPoS/CoPoP 核心基板在六大製 程材料與設備的台美日供應鏈大革命 1. TSMC於 COPOS封裝製程大展開：設備、材料、製程 台/美/日 供應鏈流程大整合。 欣興、Ibiden、 DNP 、Toppan、 Innolux、AUO玻璃核心技術進度與大尺寸基板地緣競爭力分析 2. [FEOL重要設備] 玻璃核心熱處理與高規格廠務統包GROUP UP / GALLANT MICRO / ASC/ ： 真空壓 ABF 膜與 TGV 隧道式多段控溫低應力烘烤設備技術。 2奈米/TGV 清洗與蝕刻製程專用高純度固定式氟素 （Teflon）桶槽與管線工程。 高階熱壓合鍵合（TCB）：Panasonic 等3家。 ABF（RDL）表面氧化物去除與電極墊（Cu Pad）活化：等4家。 25~35 微米的異質微錫球材料（銅柱 + 鎳阻隔層 + 錫銀微帽結構）：ASMPT 等3家。 Gap）的完整填滿與最外層環氧樹脂全面封裝：Resonac等4家。 3. [材料] 高密度 RDL 材料化學與銅線路附著力關鍵Daxin / Toray / TOK： 晶圓與面板級高階 RDL 感光介電材料配方升級：等4家 次世代異質介面「銅與玻璃/樹脂」接著劑與防層間剝離技術：信越等5家 4. [BEOL檢測]溫控與光電同測 Handler ：Honprec / CHPT 專為 Glass Core 及 CPO 模組開發的「光電同測系統級測試設備」ATC 軟硬體整合 Glass Interposer 晶圓級測試與已知優良晶粒（KGD）篩選 5. 全球光通信核心元件與中介層霸權Corning\ US Conec ： 大尺寸 Glass Interposer 與 Fiber Tray 技術與價格獨佔策略 次世代 MMC 多通道光纖接頭缺貨現況與高密度耦合應變方 案

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AI 算力新視界：Meta lens 、Micro-Led、TSMC COUPE 3技術與供應鏈