定義
TBDB（Temporary Bonding and Debonding，臨時鍵合與解鍵合）是先進封裝的支撐性製程。晶圓薄化前，先用臨時鍵合膠（TBM）黏合至玻璃或矽承載板（Carrier）提供物理支撐；背面減薄、TSV、RDL 等高溫製程完成後，再以 UV/雷射穿透承載板使釋放層光化學分解，將晶圓無損傷分離。
TBDB 是 CoWoS、HBM 多層堆疊、FOPLP 面板級封裝等先進封裝量產的必要前製程。
圖解
flowchart TB
A[正面電路晶圓] --> B[塗佈 TBM 臨時鍵合膠]
B --> C[壓合至玻璃/矽承載板]
C --> D[高溫製程：背面減薄 / TSV / RDL]
D --> E[UV / 雷射穿透承載板]
E --> F[釋放層光化學分解]
F --> G[晶圓與承載板無損分離]
G --> H[殘膠清洗後送下一製程]
H --> I[混合鍵合 / 堆疊接合]
圖說：TBDB 以「借支撐、還乾淨」邏輯讓超薄晶圓（30-50µm）通過高溫製程；分離後需達零殘膠，是混合鍵合的必要前置步驟。
技術原理
三大物理關鍵
平坦（TTV 控制）：臨時鍵合膠塗佈後，全面積總厚度變異（TTV）需控制在 ≤ 1-2µm 以內。膠層不均會造成背面 CMP 減薄時各區域深度不一，導致局部過薄或殘厚。
耐高溫鍵合（TBM 材料矛盾特性）：製程中 TBM 需耐受 250-300°C 高溫、強酸強鹼，不能冒泡、位移或熔化；但解鍵合時，其中的雷射釋放層（Laser Release Layer）必須在毫秒內完成光化學分解（ablation），使晶圓能輕易與承載板分離。
零殘膠清洗：解鍵合後晶圓表面需達零殘膠，才能進入後續混合鍵合或再佈線製程。
與混合鍵合的關係
TBDB 是混合鍵合的物理前奏：超薄晶圓在解鍵合、清洗後進入 Cu-Cu 直接接合。沒有 TBDB 的支撐，超薄晶圓無法完成前製程。
關鍵參數 / 判斷指標
| 指標 | 意義 | 觀察重點 |
|---|---|---|
| TTV（總厚度變異） | 膠層均勻度 | ≤ 1-2µm；決定減薄後晶圓厚度均勻性 |
| TBM 耐熱性 | 製程中物理穩定 | 250-300°C 耐受，不冒泡不位移 |
| 雷射釋放效率 | 解鍵合完整性 | 毫秒完成，不損傷晶圓表面 |
| 殘膠率 | 清洗後潔淨度 | 影響後續混合鍵合接合品質 |
| 大面積均勻度 | FOPLP 方形基板 | 面積越大翹曲風險越高 |
技術瓶頸 / 風險
- 大面積方形基板（FOPLP）的翹曲（Warpage）比 12 吋圓晶圓更難控制，TBM 配方與設備壓合精度要求更高。
- TBM 需同時滿足高溫穩定與快速雷射釋放兩個矛盾特性，配方研發難度高。
- 解鍵合後殘膠清洗不完全會直接影響混合鍵合良率。
關鍵廠商
| 環節 | 廠商 | 角色 | |
|---|---|---|---|
| TBDB 機台 | 辛耘(3583) | CoWoS TBDB 鍵合/解鍵合設備供應商 | |
| 乾製程 / 去殘膠 | 6937_天虹（市） | Mechanical De-bonding 機台、電漿去殘膠（Descum） | |
| TBM 臨時鍵合膠 | 5234_達興材料（市） | 液態 TBM 與雷射釋放層 LRL（方向性，待法說確認） | |
| BG Tape / 抗翹曲膜 / TBDB FILM | 3595_山太士（興） | 背面研磨保護膠帶、FOPLP Balance Film；TBDB FILM（貼合式暫時接著膠膜）2026E 推出 | |
| TBM（國際） | 3M、Brewer Science | 傳統 TBM 材料市場主導廠商 |
解鍵合四大路線比較（Brewer Science 白皮書，2026-07-10 補充）
| 方法 | 產能 | 耐熱 | 可處理晶圓厚度 | 定位 |
|---|---|---|---|---|
| 化學釋放（溶劑浴） | 25 片/批 | ≤200°C | ~100µm | 低資本投入、低產出 |
| 熱滑移（thermal slide） | 15 片/時 | ≤250°C | ~50µm | 成熟製程 |
| 機械剝離 | 20 片/時 | ≤400°C | ~30µm | 低成本、應力較大 |
| 雷射釋放 | 50 片/時 | ≤400°C | ~10µm | 高階 AI 封裝主流：非接觸、近零應力 |
雷射解鍵合以產能與極薄晶圓能力勝出，成為 CoWoS / HBM4 / FOPLP 高價值封裝首選；機械式適用於重視設備成本、對應力容忍較高的量產線。TBM 疊層 TTV 需 <5%（HBM/3D-IC 堆疊對位要求）。
市場格局（agy web 搜尋 2026-07-10）
- 設備：EVG 全球市佔約 32%、SUSS 約 21%；Tazmo 主打全乾式＋自動去殘膠（與 3M WSS 搭配）；辛耘(3583) 自製 TBDB 機台為台積電 CoWoS 主力，訂單能見度達 2028–2029。
- 材料：3M（WSS 系統）、Brewer Science（BrewerBOND，耐 300°C+）、TOK（ZeroNewton）為國際三強；5234_達興材料（市） LRL 雷射離型層＋鍵合材耐 300°C+，與晶圓代工龍頭 JDP 中，半導體材料佔比 2026 朝 25%+。
- 玻璃載板（carrier，非玻璃芯基板）：Corning、SCHOTT、AGC 寡佔，NEG／HOYA 等跟隨。
應用場景
- CoWoS：中介層製程中晶圓薄化的必要支撐步驟。
- HBM 多層堆疊：每層 DRAM 晶圓減薄均需 TBDB 支撐；層數越多，TBDB 循環次數相應增加。
- FOPLP 面板級封裝：大面積方形基板翹曲控制，TBDB 是核心解決方案。
- 混合鍵合前製程：超薄晶圓（30-50µm）進入 hybrid bonding 的必要前置步驟。
相關技術
投資觀察 / 台股映射
- 辛耘(3583)：CoWoS TBDB 設備直接受惠者，EVG 代理與自製設備並行。
- 6937_天虹（市）：TBDB 乾製程設備（Descum、Mechanical De-bonding），FOPLP + CPO 雙驅動。
- 5234_達興材料（市）：PSPI 核心業務外，TBM 臨時鍵合膠為方向性成長（待法說確認）。
- 3595_山太士（興）：BG Tape + FOPLP Balance Film，TBDB 材料的玻璃基板純增量受惠者。
量增邏輯
CoWoS 月產能擴增 × HBM 層數提升，雙軸推動 TBDB 製程次數與耗材用量（thesis，中信心）。
來源
- 山太士_3595_20260616（技術論壇 2026-06-16）：玻璃載板厚度選擇 1.1/1.7/2.1mm、厚板高層數 RDL 仍會被拉彎；講者力薦透明玻璃載板搭配雷射解膠（非透明載板後段 UV 解膠有問題）；TBDB FILM 貼合式方案 2026E 推出。
- 技術原理為公開知識；台股角色方向性資料來自 2026-05 AI 彙整文章（memo_TBDB臨時鍵合20260524），具體廠商動態需待各公司法說確認。
- 解鍵合路線比較：web_TBDB選型五問_BrewerScience_20260710（Brewer Science 白皮書）
- 市佔與競爭格局：research_RDL與BalanceFilm_2026-07-10（agy web 搜尋 2026-07-10）
相關頁面
- 分析_RDL與大面積封裝應力控制
- 分析_山太士CallMemo
- 技術_TBM（黏著材料深頁）
- 技術_LRL（釋放材料深頁）
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